JP2014199913A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. トランジスタと容量素子を有し、
   前記トランジスタは、
   第１の絶縁膜上の第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層と接する領域を有するソース電極層およびドレイン電極層と、
   前記ソース電極層および前記ドレイン電極層および第１の酸化物半導体層の上方の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体層と重なるゲート電極層と、
   前記第２の絶縁膜および前記ゲート電極層の上方の第３の絶縁膜と、
   前記第３の絶縁膜の上方の第４の絶縁膜と、を有し、
   前記容量素子は、
   前記第１の絶縁膜の上方の第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層と接する領域を有する配線と、
   前記第２の酸化物半導体層および前記配線の上方の第５の絶縁膜と、
   前記第５の絶縁膜の上方の透光性導電膜と、を有し、
   前記第５の絶縁膜は、前記第３および前記第４の絶縁膜を有し、
   前記第３の絶縁膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ−Ｚｎ系金属酸化物のうち、いずれか一つを有し、
   前記第４の絶縁膜は、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムのうち、いずれか一つを有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第２の絶縁膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ−Ｚｎ系金属酸化物のうち、いずれか一つを有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の絶縁膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ−Ｚｎ系金属酸化物のうち、いずれか一つを有することを特徴とする半導体装置。