JP2011171726A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、
   容量とを有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
   前記容量の第１の電極は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
   前記容量の第２の電極は、第３の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第５の配線と電気的に接続され、
   前記容量は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域の面積の２倍未満の面積を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記容量の誘電体及び前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜は、酸化ハフニウム、酸化ランタン、酸化イットリウム、又は酸化アルミニウムを有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１のトランジスタは、シリコン半導体を有し、
   前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタ上に配置され、かつ酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのチャネル幅の０．５倍以上１．５倍以下の幅を有することを特徴とする半導体装置。