JP2012151453A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (6)

1. トランジスタと、容量素子と、を有し、
   前記トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、第１の酸化物半導体層と、ソース電極およびドレイン電極と、を有し、
   前記容量素子は、第１の電極と、第２の酸化物半導体層と、第２の電極と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体層は、前記ゲート絶縁層を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
   前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続され、
   前記第１の電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極と同一の導電層からなり、
   前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の電極と前記第２の電極に挟まれる領域を有する半導体装置。
2. トランジスタと、容量素子と、を有し、
   前記トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、第１の酸化物半導体層と、ソース電極およびドレイン電極と、を有し、
   前記容量素子は、第１の電極と、第２の酸化物半導体層と、第２の電極と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体層は、前記ゲート絶縁層を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
   前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続され、
   前記第２の電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極と同一の導電層からなり、
   前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の電極と前記第２の電極に挟まれる領域を有する半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の酸化物半導体層は、非単結晶であって、且つ、前記第１の酸化物半導体層の被形成面に対して８５°以上９５°以下の範囲でｃ軸が配向した領域を有し、
   前記第２の酸化物半導体層は、非単結晶であって、且つ、前記第２の酸化物半導体層の被形成面に対して８５°以上９５°以下の範囲でｃ軸が配向した領域を有する半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の電極と、前記第２の酸化物半導体層との間に、金属酸化物層を有する半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第２の電極と、前記第２の酸化物半導体層との間に、金属酸化物層を有する半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第２の酸化物半導体層は、シリコン、ゲルマニウム、セリウム、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、イットリウム、ランタン、バナジウムのいずれか一以上の元素を１×１０ ^２０ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以上含む半導体装置。