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  1. 絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層上に部分的に設けられた第１の導電層と、
    前記第１の導電層上に部分的に設けられた第２の導電層と、
    前記酸化物半導体層上、前記第１の導電層上及び前記第２の導電層上に設けられたゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層と、
    を有し、
    前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第１の導電層と重畳する領域を有し、
    前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第２の導電層と非重畳とする半導体装置。
  2. 絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層上に部分的に設けられた第１の導電層と、
    前記第１の導電層上に部分的に設けられた第２の導電層と、
    前記第２の導電層上に設けられた絶縁層と、
    前記酸化物半導体層上、前記第１の導電層上、前記第２の導電層上及び前記絶縁層上に設けられたゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層と、
    を有し、
    前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第１の導電層と重畳する領域を有し、
    前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第２の導電層と非重畳とする半導体装置。
  3. 絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層上に部分的に設けられた第１の導電層と、
    前記第１の導電層上に部分的に設けられた絶縁層と、
    前記絶縁層上に部分的に設けられ、前記絶縁層の開口部において前記第１の導電層に接して設けられた第２の導電層と、
    前記酸化物半導体層上、前記第１の導電層上、前記第２の導電層上及び前記絶縁層上に設けられたゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層と、
    を有し、
    前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第１の導電層と重畳する領域を有し、
    前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第２の導電層と非重畳とする半導体装置。
  4. 絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層上に部分的に設けられた第１の導電層と、
    前記第１の導電層上に部分的に設けられた第２の導電層と、
    前記酸化物半導体層上、前記第１の導電層上及び前記第２の導電層上に設けられたゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層を介した前記酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層と、
    前記絶縁表面を有する基板と前記酸化物半導体層との間に設けられた第３の導電層と、
    前記絶縁表面を有する基板と前記酸化物半導体層との間に設けられた絶縁層と、
    を有し、
    前記絶縁層の上面は、前記第３の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
    前記第３の導電層は、前記酸化物半導体層を介して前記第１の導電層と重畳する領域を有し、
    前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第１の導電層と重畳する領域を有し、
    前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第２の導電層と非重畳とする半導体装置。
  5. 絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層上に部分的に設けられた第１の導電層と、
    前記第１の導電層上に部分的に設けられた第２の導電層と、
    前記酸化物半導体層上、前記第１の導電層上及び前記第２の導電層上に設けられたゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層を介した前記酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層と、
    前記絶縁表面を有する基板と前記酸化物半導体層との間に設けられた第３の導電層と、
    前記絶縁表面を有する基板と前記酸化物半導体層との間に設けられた絶縁層と、
    を有し、
    前記絶縁層の上面は、前記第３の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
    前記第３の導電層は、前記酸化物半導体層の開口部において、前記第１の導電層と接する領域を有し、
    前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第１の導電層と重畳する領域を有し、
    前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第２の導電層と非重畳とする半導体装置。
  6. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記絶縁表面を有する基板上に、バッファ層が設けられている半導体装置。
  7. 請求項６において、
    前記バッファ層は、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、又は希土類元素から選択された一以上の元素の酸化物を含む層である半導体装置。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
    前記酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶を含む半導体装置。
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