JP2013243355A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、光電変換素子と、を有し、
   前記第１のトランジスタは、単結晶半導体基板にチャネルが形成され、
   前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成される半導体装置であって、
   前記単結晶半導体基板の上方に、前記第１のトランジスタのゲート電極を有し、
   前記第１のトランジスタのゲート電極の上方に、第１の絶縁層を有し、
   前記第１の絶縁層の上方に、前記酸化物半導体層を有し、
   前記酸化物半導体層の上方に、前記第２のトランジスタのゲート電極を有し、
   前記第２のトランジスタのゲート電極の上方に、第２の絶縁層を有し、
   前記第２の絶縁層の上方に、前記光電変換素子を有することを特徴とする半導体装置。
2. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、光電変換素子と、を有し、
   前記第１のトランジスタは、ＳＯＩ基板にチャネルが形成され、
   前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成される半導体装置であって、
   前記ＳＯＩ基板の上方に、前記第１のトランジスタのゲート電極を有し、
   前記第１のトランジスタのゲート電極の上方に、第１の絶縁層を有し、
   前記第１の絶縁層の上方に、前記酸化物半導体層を有し、
   前記酸化物半導体層の上方に、前記第２のトランジスタのゲート電極を有し、
   前記第２のトランジスタのゲート電極の上方に、第２の絶縁層を有し、
   前記第２の絶縁層の上方に、前記光電変換素子を有することを特徴とする半導体装置。
3. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、光電変換素子と、を有し、
   前記第１のトランジスタは、結晶性シリコンにチャネルが形成され、
   前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成される半導体装置であって、
   前記結晶性シリコンの上方に、前記第１のトランジスタのゲート電極を有し、
   前記第１のトランジスタのゲート電極の上方に、第１の絶縁層を有し、
   前記第１の絶縁層の上方に、前記酸化物半導体層を有し、
   前記酸化物半導体層の上方に、前記第２のトランジスタのゲート電極を有し、
   前記第２のトランジスタのゲート電極の上方に、第２の絶縁層を有し、
   前記第２の絶縁層の上方に、前記光電変換素子を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記光電変換素子は、前記第２のトランジスタと重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記光電変換素子は、前記第１のトランジスタと重なる領域と、前記第２のトランジスタと重なる領域と、を有することを特徴とする半導体装置。