JP2013175714A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. トランジスタを有し、
   前記トランジスタは、
   絶縁表面上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
   前記酸化物半導体膜の端部を覆い、前記酸化物半導体膜の端部と接する領域を有する第１の電極膜と、
   前記第１の電極膜上に接する領域を有する第２の電極膜と、
   を有し、
   前記第２の電極膜は、前記酸化物半導体膜の上面と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. トランジスタと、容量素子と、を有し、
   前記トランジスタは、
   絶縁表面上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
   前記酸化物半導体膜の端部を覆い、前記酸化物半導体膜の端部と接する領域を有する第１の電極膜と、
   前記第１の電極膜上に接する領域を有する第２の電極膜と、
   を有し、
   前記第２の電極膜は、前記酸化物半導体膜の上面と接する領域を有し、
   前記容量素子は、
   下部電極膜と、
   前記下部電極膜上の絶縁膜と、
   前記絶縁膜上の上部電極膜と、
   を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記トランジスタの下方に第２のトランジスタを有し、
   前記第２のトランジスタの活性層は、シリコン、ゲルマニウムまたは化合物半導体材料を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１又は２において、
   前記トランジスタの下方に第２のトランジスタを有し、
   前記第２のトランジスタの活性層は、単結晶半導体膜または化合物半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記トランジスタは、可撓性を有する基板上に位置することを特徴とする半導体装置。