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  1. 第1のトランジスタを有するディスプレイと、
    記憶装置と、を有し、
    前記記憶装置は、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、容量素子と、を有し、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのゲートは、前記容量素子の一方の電極に電気的に接続され、
    前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第3の配線と電気的に接続され、
    前記第3のトランジスタのゲートは、第4の配線と電気的に接続され、
    前記容量素子の他方の電極は、第5の配線と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタと、前記第3のトランジスタとは、チャネルが酸化物半導体に形成され、
    前記第2のトランジスタは、チャネルがシリコンに形成されることを特徴とする電子機器。
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