JP2011172217A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量素子と、電圧発生源とを有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記電圧発生源と電気的に接続され、
   前記容量素子は、前記第２のトランジスタがオンとなり、かつ前記第３のトランジスタがオンとなるとき、前記電圧発生源からの電荷を蓄積することができ、
   前記容量素子に蓄積された電荷に基づき、前記第１のトランジスタはオフとなることができ、
   前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタは、酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
2. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量素子と、電圧発生源とを有し、
   前記第１のトランジスタの第１のゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタの第２のゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記電圧発生源と電気的に接続され、
   前記容量素子は、前記第２のトランジスタがオンとなり、かつ前記第３のトランジスタがオンとなるとき、前記電圧発生源からの電荷を蓄積することができ、
   前記容量素子に蓄積された電荷に基づき、前記第１のトランジスタはオフとなることができ、
   前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタは、酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において
   前記第１のトランジスタは、デプレッション型を示すことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において
   前記第１のトランジスタは、ｎ型を示す酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体装置。