JP2007200817A - 電源用スイッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】直流電源3のプラス端子、マイナス端子のそれぞれから負荷1,2側に接続される配線17,18のうちの少なくとも一方に直列に接続される機械的な開閉接点12a,14aを備えたリレー12,14と、開閉接点12a,14aに直列に接続されるノーマリオンの半導体スイッチ素子11,13とを有する。
【選択図】図1
Description
そして、高圧直流電源と負荷を電気的に接続する場合には、励磁コイルに電流を流し作動させて機械的な開閉接点を閉じた後にMOSFETにゲート電圧を印加してオン状態にする一方、高圧直流電源と負荷を遮断する場合には、励磁コイルに流す電流を停止すると同時にMOSFETをオフし、機械的な開閉接点がMOSFETのオフ時間よりも遅くオフする性質を利用して機械的な開閉接点でのアークの発生を阻止することが記載されている。
なお、突入電流の防止には電流制限抵抗が一般に使用される。
本発明の第3の態様は、前記第1又は第2の態様に係る電源用スイッチング装置において、前記半導体スイッチ素子は、窒化ガリウム系の電界効果トランジスタであってソース、ドレインが前記配線の途中に直列に接続されることを特徴とする。
本発明の第6の態様は、前記第5の態様に係る電源用スイッチング装置において、前記半導体スイッチ素子は電界効果トランジスタであり、前記制御回路は前記電界効果トランジスタのゲートに電圧を印可することにより前記電界効果トランジスタをオフする機構を有することを特徴とする。
また、機械的にオン、オフを行う開閉接点をオフすることにより半導体スイッチ素子内に漏れ電流が流れることを防止できる。
図1は、本発明の実施形態に係るスイッチング装置が搭載される動力装置における電力供給系回路図、図2は、本発明の実施形態に係るスイッチング装置に使用される半導体スイッチ素子の一例を示す断面図である。
また、インバータ1の出力端には車輪等を駆動するモータ等の電機負荷4が接続され、さらに、DC−DCコンバータ2の出力端には複数の12V電機負荷5〜7と12Vバッテリー8が接続されている。
さらに、GaN半導体スイッチ素子11とプラス出力端子10cの間には、第3のリレー14の常開接点である開閉接点14aと抵抗16とが直列に接続されている。これにより、第3のリレー14の開閉接点14aと抵抗16は第1のリレー12の開閉接点12aに並列に接続されている。
図2において、アンドープのGaN、SiC等からなる半絶縁性基板21の上には、GaNからなるバッファ層22、アンドープのGaNからなる電子走行層23、中間層24、電子走行層23より薄いアンドープのAlGaNからなる電子供給層25が気相成長法により順に積層され、これによりヘテロ接合構造が順に形成されている。電子供給層25と電子走行層23の間に形成される中間層24は、電子走行層23よりもエネルギーバンドギャップが大きい窒化物系化合物半導体から構成されている。また、電子供給層25のうちゲート形成領域の両側にはn型GaNからなるコンタクト層26が積層されている。
GaNから構成されたノーマリオンのHEMTは、オン抵抗が小さく、電力効率の良い回路を構成することが可能である。
GaN半導体スイッチ素子11のゲート電極27と第1、第2及び第3のリレー12,13,14の各励磁コイル12b、13b、14bはそれぞれコントロールユニット32に接続されている。コントロールユニット32は、イグニッション信号を送信するキースイッチ33に接続されている。
上記のスイッチング装置10を使用してバッテリー3から負荷4〜7に電力を供給可能にするために、まず、プラス入力端子10aをバッテリー3のプラス端子に接続し、マイナス入力端子10bをバッテリー3のマイナス端子に接続する。さらに、スイッチング装置10のプラス出力端子10cをインバータ1、DC−DCコンバータ2の各プラス入力端子に接続し、さらにマイナス出力端子10dをインバータ1、DC−DCコンバータ2の各マイナス入力端子に接続する。
ここで、機械的な開閉接点12a、13a、14aをオンすることによりバッテリー3とインバータ1及びDC−DCコンバータ2とを接続する際に、開閉接点12a、13a、14aをオンする直前から直後に亘ってGaN半導体スイッチ素子11を一時的にオフする、といった操作をコントロールユニット32によって行うことにより、機械的な開閉接点12a、13a、14aでの突入電流を防ぐことができる。また、機械的な開閉接点12a、13a、14aを閉じた状態で半導体スイッチ素子11をオンすることによって、GaN半導体スイッチ素子11自体の特性によって突入電流を防止することができる。この場合、コントロールユニット32により半導体スイッチ素子11のゲート電極27に印加する電圧を漸次低減して電流の立ち上がり時間を長くし、これにより突入電流を抑制するようにしてもよい。
そのような事態を考慮し、コントロールユニット32は、第2、第3のリレー13,14をオンした後に第1のリレー12をオンすることにより、第3のリレー14に直列に接続された抵抗16により突入電流やアークの発生をある程度抑制することができるような構成となっている。
なお、第1、第2及び第3のリレー12,13,14の開閉接点12a,13a,14aをオフした後に、次の電力の供給時までGaN半導体スイッチ素子11をオフさせてもよい。
ここで、第1、第2及び第3のリレー12,13,14の機械的な開閉接点12a,13a,14aをオンした状態でGaN半導体スイッチ素子11をオフし、ついで開閉接点12a,13a,14aをオフするようにしているので、開閉接点12a,13a,14aのオフ時のアークの発生が防止され、開閉接点12a,14a,15aの劣化、損傷を防ぐことができる。
そのような事態を考慮し、コントロールユニット32は、第1のリレー12をオフした後に第2、第3のリレー13,14をオフすることにより、第3のリレー14に直列に接続された抵抗16によりアークの発生をある程度抑制することができる構成となっている。
なお、上記した実施形態では、GaN半導体スイッチ素子11をスイッチング装置10のプラス側に接続しているが、マイナス側に接続してもよい。
2:DC−DCコンバータ
3:バッテリー
4〜7:負荷
10:スイッチング装置
11:半導体スイッチ素子
12、13、14:リレー
12a、13a、14a:開閉接点
12b、13b、14b:励磁コイル
16:抵抗
32:コントロールユニット
33:キースイッチ
34:電流センサー
Claims (6)
- 直流電源と負荷の間の電力系回路を接続、遮断する機能を備えた電源用スイッチ装置であって、
前記直流電源のプラス端子、マイナス端子のそれぞれから前記負荷に接続される2系統の配線のうちの少なくとも一方に直列に接続される機械的な開閉接点を備えたリレーと、
前記開閉接点に直列に接続されるノーマリオンの半導体スイッチ素子と
を有することを特徴とする電源用スイッチング装置。 - 前記半導体スイッチ素子は、窒化ガリウム系の半導体素子であることを特徴とする請求項1に記載の電源用スイッチング装置。
- 前記半導体スイッチ素子は、窒化ガリウム系の電界効果トランジスタであってソース、ドレインが前記配線の途中に直列に接続されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電源用スイッチング装置。
- 前記電界効果トランジスタは、前記ソースと前記ドレインの間に二次元電子ガス領域を有する高電子移動度トランジスタであることを特徴とする請求項3に記載の電源用スイッチング装置。
- 前記半導体スイッチ素子のオン、オフと前記リレーの励磁コイルへの電流の流れとを制御するとともに、前記リレーの前記開閉接点をオフする前に前記半導体スイッチ素子をオフする制御する機構を備えた制御回路をさらに有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1つに記載された電源用スイッチング装置。
- 前記半導体スイッチ素子は電界効果トランジスタであり、前記制御回路は前記電界効果トランジスタのゲートに電圧を印可することにより前記電界効果トランジスタをオフする機構を有することを特徴とする請求項5に記載の電源用スイッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006020824A JP2007200817A (ja) | 2006-01-30 | 2006-01-30 | 電源用スイッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006020824A JP2007200817A (ja) | 2006-01-30 | 2006-01-30 | 電源用スイッチング装置 |
Publications (1)
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JP2007200817A true JP2007200817A (ja) | 2007-08-09 |
Family
ID=38455202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006020824A Pending JP2007200817A (ja) | 2006-01-30 | 2006-01-30 | 電源用スイッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007200817A (ja) |
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- 2006-01-30 JP JP2006020824A patent/JP2007200817A/ja active Pending
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A072 | Dismissal of procedure |
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