JP6331907B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1〜図3を参照して、本実施形態にかかる横型HEMTを備えた半導体装置について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して更に浮遊ゲート層6に注入した電荷が消滅することを防止できるようにしたものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
3 GaN層
4 AlGaN層
4a 凹部
5、7 第1、第2ゲート絶縁膜
6 浮遊ゲート層
8 ゲート電極
9 ソース電極
10 ドレイン電極
11、12 第3、第4ゲート絶縁膜
Claims (3)
- 半絶縁性もしくは半導体にて構成される基板(1)と、
前記基板上に形成され、ヘテロジャンクション構造を構成する第1のGaN系半導体層(3)および前記第1のGaN系半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きく電子供給部を構成する第2のGaN系半導体層(4)を有し、前記第2のGaN系半導体層が部分的に除去されることで凹部(4a)が形成されたチャネル形成層と、
前記凹部上に、第1ゲート絶縁膜(5)、浮遊ゲート層(6)、第2ゲート絶縁膜(7)およびゲート電極(8)が積層されることで構成されたゲート構造体と、
前記チャネル形成層上において、前記ゲート構造体を挟んだ両側に配置されたソース電極(9)およびドレイン電極(10)と、を有する横型高電子移動度トランジスタを備え、
前記第1ゲート絶縁膜および前記第2ゲート絶縁膜がシリコン酸化膜よりも電子に対して高い障壁を有した絶縁膜で構成されており、
前記第1ゲート絶縁膜と前記浮遊ゲート層および前記第2ゲート絶縁膜が更に前記第1ゲート絶縁膜および前記第2ゲート絶縁膜よりも正孔に対して高い障壁を有した絶縁膜で構成される第3ゲート絶縁膜(11)および第4ゲート絶縁膜(12)によって挟み込まれていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1ゲート絶縁膜および前記第2ゲート絶縁膜はダイヤモンド膜によって構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第3ゲート絶縁膜および前記第4ゲート絶縁膜はシリコン酸化膜によって構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
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