JP2010152347A5 - 半導体装置 - Google Patents
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第３のトランジスタを有し、
第４のトランジスタを有し、
前記第１の端子は、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続されており、
前記第２の端子は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されており、
前記第３の端子は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続されており、
前記第４の端子は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されており、
前記第５の端子は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されており、
前記第６の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続されており、
前記第６の端子は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されており、
前記第６の端子は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されており、
前記第６の端子は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続されており、
前記第７の端子は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されており、
前記第７の端子は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されており、
前記容量素子の他方の電極は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続されており、
前記容量素子の他方の電極は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
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