WO2014208123A1 - 単位シフトレジスタ回路、シフトレジスタ回路、単位シフトレジスタ回路の制御方法及び表示装置 - Google Patents
単位シフトレジスタ回路、シフトレジスタ回路、単位シフトレジスタ回路の制御方法及び表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2014208123A1 WO2014208123A1 PCT/JP2014/054517 JP2014054517W WO2014208123A1 WO 2014208123 A1 WO2014208123 A1 WO 2014208123A1 JP 2014054517 W JP2014054517 W JP 2014054517W WO 2014208123 A1 WO2014208123 A1 WO 2014208123A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- shift register
- register circuit
- unit shift
- gate electrode
- signal
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
- G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134336—Matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
- G09G2310/0251—Precharge or discharge of pixel before applying new pixel voltage
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0267—Details of drivers for scan electrodes, other than drivers for liquid crystal, plasma or OLED displays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0286—Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0291—Details of output amplifiers or buffers arranged for use in a driving circuit
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/08—Details of timing specific for flat panels, other than clock recovery
Abstract
Description
本願は、2013年6月28日に、日本に出願された特願2013-136485号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
ダイオード接続のTFTを用いた場合、プリチャージ電圧はTFTの閾値電圧分降下した値となる。a-Siや酸化インジウムガリウム亜鉛等の酸化物半導体を用いたTFTは、ゲート電極に印加される電圧ストレスにより、閾値電圧が変動する特性をもつため、時間経過に従って特性劣化が進み、プリチャージ電圧はその分低下する。プリチャージ電圧が低下していくと、ブートストラップにより昇圧される電圧も低下し、出力用TFTの駆動力が低下し、出力波形がなまったり、さらに劣化がすすむと、出力電圧が低下して、シフトレジスタ動作が不安定となる。この問題は例えば特性劣化を考慮して大きなサイズのTFTを使用すれば解決することができる。ただし、この場合、回路面積が大きくなってしまうという課題が残る。
特許文献1に記載されている単位シフトレジスタ回路では、2つのブートストラップコンデンサの使用により、回路は閾値電圧のレベル又は変動に敏感ではなくなるので、アモルファスシリコン技術による実施が可能となる。
まず、図1を用いて本発明の実施形態に係る液晶表示装置の構成例を説明する。図1に示すアクティブマトリクス型の液晶表示装置100には、複数本の信号線SL1、SL2、…、SLmと、複数本の走査線GL1、GL2、…、GLnと、それら複数本の信号線SL1、SL2、…、SLmと複数本の走査線GL1、GL2、…、GLn(総称する場合GLとする)との交差点にそれぞれ対応して設けられた複数個の画素部PIXとが含まれている。これらの画素部PIXはマトリクス状に配置されて表示領域110を構成する。各画素部PIXは、対応する交差点を通過する走査線にゲート端子が接続されるとともに、交差点を通過する信号線にソース端子が接続されたスイッチング素子である薄膜トランジスタ(TFT)114や、映像信号を保持するための共通基板Tcomに一端が接続された画素容量115などを含む。また、液晶表示装置100には信号線SL1、SL2、…、SLmを駆動する信号線駆動回路130と走査線GL1、GL2、…、GLnを駆動する走査線駆動回路120とが設けられている。この走査線駆動回路120は、シフトレジスタ回路121を備え、そしてシフトレジスタ回路121は、各走査線GL1、GL2、…、GLnの駆動信号を生成する。
そのため、ダイオード接続を挿入しなくても他の段への逆流が発生することなく、充電されたゲート電極の電圧低下を防止することができる。
図6において、横軸はTFTの閾値電圧を示し、縦軸は動作可能なクロックの振幅電圧(CK振幅電圧の下限値)を示す。TFTの閾値電圧とCK振幅電圧の下限値との関係は、線分で近似することができる。
ダイオード接続方式では、上述のように動作条件がT1及びT2の閾値電圧を用いて表されるため、TFTの閾値電圧に対して動作可能なCK振幅電圧の下限値は、傾き2以上となる。一方、本実施形態では、上述のように動作条件がT1の閾値電圧を用いて表されるため、TFTの閾値電圧に対して動作可能なCK振幅電圧の下限値は、傾き1まで削減される。
ただし、上記の比較は、理論限界値を比較したものであり、本実施形態とダイオード接続方式でのTFTは十分な駆動力があるものとする。すなわち、能力不足で動かなくなるということは考慮していない。
次に、図9から図11を参照して、本発明の第2実施形態について説明する。図9に示したように、第2実施形態のシフトレジスタ回路121aは、図2に示した第1実施形態のシフトレジスタ回路121と比較して、クロック信号CKに係る構成が異なっている。
本実施形態では、シフトレジスタ回路121aには、2種類のクロック信号CKAとCKBとが入力される。なお、シフトレジスタ回路121aは、図1に示した液晶表示装置100内で図1に示したシフトレジスタ回路121に対応する構成であり、走査線GL周辺の回路はシフトレジスタ回路121の場合と同一である。なお、信号及び端子名については各実施形態で同一符号や名称を用いている。
次に、図12及び図13を参照して、本発明の第3実施形態について説明する。図12に示したように、第3実施形態の単位シフトレジスタ回路122bは、図10に示した第2実施形態の単位シフトレジスタ回路122aと比較して、出力端子OUT及びノードVCをプルダウンするための回路(プルダウン回路)の構成が異なっている。単位シフトレジスタ回路122bを複数用いた場合のシフトレジスタ回路の構成や液晶表示装置の構成は第1実施形態と同様である。クロック信号CKAは第1実施形態のクロック信号CKと同じである。
次に、図14を参照して、本発明の第4実施形態について説明する。図14に示したように、第4実施形態の単位シフトレジスタ回路122cは、図12に示した第3実施形態の単位シフトレジスタ回路122bと比較して、出力端子OUT及びノードVCをプルダウンするための回路(プルダウン回路)の構成が異なっている。単位シフトレジスタ回路122cを複数用いた場合のシフトレジスタ回路の構成や液晶表示装置の構成は第1実施形態と同様である。クロック信号CKAは第1実施形態のクロック信号CKと同じである。
次に、図15を参照して、本発明の第5実施形態について説明する。図15に示したように、第5実施形態の単位シフトレジスタ回路122dは、図14に示した第4実施形態の単位シフトレジスタ回路122cと比較して、ノードVCとノードOUT(GL)との間、すなわちT1のゲート電極とソース端子間に、容量素子Cb1を設けた点が異なっている。単位シフトレジスタ回路122dを複数用いた場合のシフトレジスタ回路の構成や液晶表示装置の構成は第1実施形態と同様である。クロック信号CKAは第1実施形態のクロック信号CKと同じである。
次に、図16を参照して、本発明の第6実施形態について説明する。図16に示したように、第6実施形態の単位シフトレジスタ回路122eは、図10に示した第2実施形態の単位シフトレジスタ回路122aと比較して、セット用トランジスタT2の構成が異なっている。単位シフトレジスタ回路122eを複数用いた場合のシフトレジスタ回路の構成や液晶表示装置の構成は第2実施形態と同様である。
次に、図17から図19を参照して、本発明の第7実施形態について説明する。図17に示したように、第7実施形態のシフトレジスタ回路121fは、図9に示した第2実施形態のシフトレジスタ回路121aと比較して、リセット端子Rが省略されている点が異なっている。シフトレジスタ回路121fの液晶表示装置内の接続関係は第2実施形態と同様である。
次に、図20を参照して、本発明の第8実施形態について説明する。図20に示したように、第8実施形態の単位シフトレジスタ回路122gは、図18に示した第7実施形態の単位シフトレジスタ回路122fと比較して、プルダウン回路の構成が異なっている。
単位シフトレジスタ回路122fを複数用いた場合のシフトレジスタ回路の構成や液晶表示装置の構成は第7実施形態と同様である。
次に、図21から図23を参照して、本発明の第9実施形態について説明する。図21に示した第9実施形態のシフトレジスタ回路121hは、図1に示した液晶表示装置100内では図1に示したシフトレジスタ回路121に対応する構成であり、走査線GL周辺の回路はシフトレジスタ回路121の場合と同一である。
第10実施形態は、上述した単位シフトレジスタ回路121a~121gやプリブースト回路123内のTFTの半導体層の材料に特徴を有する。すなわち、上記各実施形態で用いるTFTは、半導体層に酸化物半導体を含むものとすることができる。
Claims (19)
- シフトレジスタ回路の各段を構成する単位シフトレジスタ回路であって、
第1ゲート電極、第1ソース端子及び第1ドレイン端子を有し、所定のクロック信号を前記第1ドレイン端子に入力し、前記第1ソース端子から出力信号を出力する出力用トランジスタと、
第2ゲート電極、第2ソース端子及び第2ドレイン端子を有し、前記出力用トランジスタの前記第1ゲート電極に前記第2ソース端子が接続されたトランジスタであって、第1入力信号を前記第2ドレイン端子に入力し、前記出力用トランジスタの前記第1ゲート電極を充電する際に前記第1入力信号の電圧より高い電圧となる第2入力信号を前記第2ゲート電極に入力するセット用トランジスタと
を備える単位シフトレジスタ回路。 - 前記セット用トランジスタが前記出力用トランジスタの前記第1ゲート電極を充電する際に、前記第1入力信号および前記第2入力信号が立ち上がり、前記第1ゲート電極を充電後、前記第1入力信号の電圧の立ち下がりより先に前記第2入力信号の電圧が立ち下がる請求項1に記載の単位シフトレジスタ回路。
- 前記出力用トランジスタが、前記第1ソース端子と前記第1ゲート電極間の寄生容量に充電された電圧によって前記第1ゲート電圧を昇圧するブートストラップ動作により前記出力信号を昇圧する請求項1又は2に記載の単位シフトレジスタ回路。
- 前記第1入力信号が他の段の前記単位シフトレジスト回路の出力信号であり、
前記第2入力信号が他の段の前記単位シフトレジスト回路の出力用トランジスタの前記第1ゲート電極の信号である請求項1から3のいずれか1項に記載の単位シフトレジスタ回路。 - 前記クロック信号が重なりのある多相クロック信号であって、複数の前記単位シフトレジスタ回路に対して異なる複数相のクロック信号が供給される請求項4項に記載の単位シフトレジスタ回路。
- 前記出力用トランジスタの前記第1ゲート電極が、後段の前記単位シフトレジスト回路の出力信号に応じてリセットされる請求項1から5のいずれか1項に記載の単位シフトレジスタ回路。
- 前記出力用トランジスタの前記第1ゲート電極を前記クロック信号に応じてリセットするリセット回路を備える請求項1から5のいずれか1項に記載の単位シフトレジスタ回路。
- 前記単位シフトレジスタ回路の出力信号を前記クロック信号に応じてプルダウンするプルダウン回路を備える請求項1から7のいずれか1項に記載の単位シフトレジスタ回路。
- 前記単位シフトレジスタ回路の出力信号と前記出力用トランジスタの前記第1ゲート電極とを該第1ゲート電極の電圧に応じてプルダウンするプルダウン回路を備える請求項1から7のいずれか1項に記載の単位シフトレジスタ回路。
- 前記単位シフトレジスタ回路の出力信号と前記出力用トランジスタの前記第1ゲート電極とを所定のクリア信号に応じてプルダウンするプルダウン回路を備える請求項1から9のいずれか1項に記載の単位シフトレジスタ回路。
- 前記出力用トランジスタの前記第1ゲート電極と前記第1ソース端子との間に接続された容量素子を備える請求項1から10のいずれか1項に記載の単位シフトレジスタ回路。
- 前記セット用トランジスタが、カスコード接続した複数のトランジスタから構成されている請求項1から11のいずれか1項に記載の単位シフトレジスタ回路。
- 少なくとも前記出力用トランジスタ及び前記セット用トランジスタが、半導体層に酸化物半導体を含む請求項1から12のいずれか1項に記載の単位シフトレジスタ回路。
- 前記酸化物半導体が、酸化インジウムガリウム亜鉛(In-Ga-Zn-O系半導体;インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)及び酸素(O)を含む酸化物半導体)である請求項13に記載の単位シフトレジスタ回路。
- 前記酸化物半導体が、結晶性を有する請求項14に記載の単位シフトレジスタ回路。
- 請求項1から15のいずれか1項に記載の単位シフトレジスタ回路を多段接続したシフトレジスタ回路であって、
N-1段目の前記単位シフトレジスタ回路の出力信号を、N段目の前記単位シフトレジスタ回路の前記第1入力信号力とし、
N-2段目の前記単位シフトレジスタ回路の出力用トランジスタの前記第1ゲート電極の信号を、N段目の前記単位シフトレジスタ回路の前記第2入力信号とするシフトレジスタ回路。 - 各段の前記単位シフトレジスタ回路に対し、前記クロック信号として、4相クロック信号が4分の1周期ずつ周期をずらして順に入力される請求項16に記載のシフトレジスタ回路。
- シフトレジスタ回路の各段を構成する単位シフトレジスタ回路の制御方法であって、
前記単位シフトレジスタ回路が、
第1ゲート電極、第1ソース端子及び第1ドレイン端子を有し、所定のクロック信号を前記第1ドレイン端子に入力し、前記第1ソース端子から出力信号を出力する出力用トランジスタと、
第2ゲート電極、第2ソース端子及び第2ドレイン端子を有し、前記出力用トランジスタの前記第1ゲート電極に前記第2ソース端子が接続されたトランジスタであって、第1入力信号を前記第2ドレイン端子に入力し、前記第1入力信号と異なる第2入力信号を前記第2ゲート電極に入力するセット用トランジスタと
を備え、
前記出力用トランジスタの前記第1ゲート電極を充電する際に、前記セット用トランジスタに対し、前記第1入力信号の電圧より高い電圧の第2入力信号を入力する単位シフトレジスタ回路の制御方法。 - 複数の画素と、
前記複数の画素が接続された複数の走査線と、
シフトレジスタ回路の各段を構成する単位シフトレジスタ回路であって、
第1ゲート電極、第1ソース端子及び第1ドレイン端子を有し、所定のクロック信号を前記第1ドレイン端子に入力し、前記第1ソース端子から前記各走査線を駆動する出力信号を出力する出力用トランジスタと、
第2ゲート電極、第2ソース端子及び第2ドレイン端子を有し、前記出力用トランジスタの前記第1ゲート電極に前記第2ソース端子が接続されたトランジスタであって、第1入力信号を前記第2ドレイン端子に入力し、前記出力用トランジスタの前記第1ゲート電極を充電する際に前記第1入力信号の電圧より高い電圧となる第2入力信号を前記第2ゲート電極に入力するセット用トランジスタと
をそれぞれが備える複数の単位シフトレジスタ回路と
を備える表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/901,461 US10068543B2 (en) | 2013-06-28 | 2014-02-25 | Unit shift register circuit, shift register circuit, method for controlling unit shift register circuit, and display device |
CN201480036204.9A CN105340021B (zh) | 2013-06-28 | 2014-02-25 | 单位移位寄存器电路、移位寄存器电路、单位移位寄存器电路的控制方法和显示装置 |
JP2015523876A JPWO2014208123A1 (ja) | 2013-06-28 | 2014-02-25 | 単位シフトレジスタ回路、シフトレジスタ回路、単位シフトレジスタ回路の制御方法及び表示装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013136485 | 2013-06-28 | ||
JP2013-136485 | 2013-06-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2014208123A1 true WO2014208123A1 (ja) | 2014-12-31 |
Family
ID=52141480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/054517 WO2014208123A1 (ja) | 2013-06-28 | 2014-02-25 | 単位シフトレジスタ回路、シフトレジスタ回路、単位シフトレジスタ回路の制御方法及び表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10068543B2 (ja) |
JP (2) | JPWO2014208123A1 (ja) |
CN (1) | CN105340021B (ja) |
WO (1) | WO2014208123A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016029797A (ja) * | 2014-07-24 | 2016-03-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示モジュール及び電子機器 |
WO2016136528A1 (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ回路およびそれを備えた表示装置 |
JPWO2014148171A1 (ja) * | 2013-03-21 | 2017-02-16 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ |
JPWO2015190488A1 (ja) * | 2014-06-13 | 2017-06-01 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ回路、及びそれを備えた表示装置 |
US20170186377A1 (en) * | 2015-12-29 | 2017-06-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Gate driver and display device including the same |
US10896656B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-01-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device including demultiplexer circuit with reduced drive power |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8736315B2 (en) * | 2011-09-30 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI611413B (zh) * | 2016-12-30 | 2018-01-11 | 友達光電股份有限公司 | 移位暫存器電路 |
WO2018190245A1 (ja) * | 2017-04-10 | 2018-10-18 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板および表示装置 |
CN106952602B (zh) * | 2017-04-14 | 2022-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 反相器模块、移位寄存器单元、阵列基板及显示装置 |
US10923064B2 (en) * | 2017-04-17 | 2021-02-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning signal line drive circuit and display device equipped with same |
CN107342049B (zh) * | 2017-08-30 | 2019-10-01 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板和显示面板的驱动方法 |
JP6757353B2 (ja) * | 2018-03-28 | 2020-09-16 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板および表示装置 |
CN109655877B (zh) | 2019-01-04 | 2020-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 平板探测器的像素结构、平板探测器及摄像系统 |
US11138947B2 (en) * | 2019-06-12 | 2021-10-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scanning signal line drive circuit and display device provided with same |
US11314136B2 (en) * | 2019-06-28 | 2022-04-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device |
US11475968B2 (en) * | 2020-02-27 | 2022-10-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Shift register circuit, active matrix substrate, and display apparatus |
KR102641231B1 (ko) * | 2021-10-06 | 2024-02-29 | 호서대학교 산학협력단 | 스캔 구동 회로 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003101406A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号伝送回路、固体撮像装置、カメラおよび液晶表示装置 |
JP2003242797A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号伝送回路 |
JP2003249848A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号伝送回路の駆動方法 |
JP2010250303A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2011070761A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | シフト・レジスタおよびゲートライン駆動装置 |
JP2011199851A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び表示装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2524714B1 (fr) * | 1982-04-01 | 1986-05-02 | Suwa Seikosha Kk | Transistor a couche mince |
TW525139B (en) * | 2001-02-13 | 2003-03-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Shift register, liquid crystal display using the same and method for driving gate line and data line blocks thereof |
US7486269B2 (en) * | 2003-07-09 | 2009-02-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Shift register, scan driving circuit and display apparatus having the same |
GB0417132D0 (en) | 2004-07-31 | 2004-09-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | A shift register circuit |
US8174478B2 (en) * | 2006-06-12 | 2012-05-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gate driving circuit and display apparatus having the same |
TWI345195B (en) * | 2006-09-01 | 2011-07-11 | Au Optronics Corp | Control circuit for releasing residual charges |
CN101952875A (zh) * | 2008-02-19 | 2011-01-19 | 夏普株式会社 | 显示装置、显示装置的驱动方法、以及扫描信号线驱动电路 |
US20110001752A1 (en) * | 2008-03-19 | 2011-01-06 | Yuuki Ohta | Display panel drive circuit, liquid crystal display device, and method for driving display panel |
CN101933077B (zh) * | 2008-03-19 | 2013-10-16 | 夏普株式会社 | 显示面板驱动电路、液晶显示装置、及显示面板的驱动方法 |
RU2455707C2 (ru) * | 2008-03-19 | 2012-07-10 | Шарп Кабусики Кайся | Возбуждающая схема дисплейной панели, жидкокристаллическое дисплейное устройство, сдвиговый регистр, жидкокристаллическая панель и способ возбуждения дисплейного устройства |
TWI379310B (en) * | 2008-08-27 | 2012-12-11 | Au Optronics Corp | Shift register |
KR101618913B1 (ko) * | 2008-11-28 | 2016-05-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치 |
CN102012591B (zh) * | 2009-09-04 | 2012-05-30 | 北京京东方光电科技有限公司 | 移位寄存器单元及液晶显示器栅极驱动装置 |
CN102024410B (zh) * | 2009-09-16 | 2014-10-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及电子设备 |
US8531224B2 (en) * | 2009-11-04 | 2013-09-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Shift register, scanning signal line drive circuit provided with same, and display device |
KR101840617B1 (ko) | 2010-02-18 | 2018-03-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 장치 |
JP5442103B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2014-03-12 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
TWI433459B (zh) * | 2010-07-08 | 2014-04-01 | Au Optronics Corp | 雙向移位暫存器 |
JP5484584B2 (ja) * | 2010-09-02 | 2014-05-07 | シャープ株式会社 | フリップフロップ、シフトレジスタ、ドライバ回路、表示装置 |
CN103081360B (zh) * | 2010-09-02 | 2016-04-27 | 夏普株式会社 | 驱动电路 |
CN103339715B (zh) | 2010-12-03 | 2016-01-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 氧化物半导体膜以及半导体装置 |
TWI437823B (zh) * | 2010-12-16 | 2014-05-11 | Au Optronics Corp | 移位暫存器電路 |
TWI426486B (zh) * | 2010-12-16 | 2014-02-11 | Au Optronics Corp | 運用於電荷分享畫素的整合面板型閘極驅動電路 |
TWI406503B (zh) * | 2010-12-30 | 2013-08-21 | Au Optronics Corp | 移位暫存器電路 |
CN102654986A (zh) * | 2011-11-25 | 2012-09-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器的级、栅极驱动器、阵列基板以及显示装置 |
US9299452B2 (en) * | 2012-08-09 | 2016-03-29 | Innocom Technology (Shenzhen) Co., Ltd. | Shift registers, display panels, display devices, and electronic devices |
-
2014
- 2014-02-25 CN CN201480036204.9A patent/CN105340021B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-02-25 US US14/901,461 patent/US10068543B2/en active Active
- 2014-02-25 JP JP2015523876A patent/JPWO2014208123A1/ja active Pending
- 2014-02-25 WO PCT/JP2014/054517 patent/WO2014208123A1/ja active Application Filing
-
2017
- 2017-12-27 JP JP2017251151A patent/JP2018088301A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003101406A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号伝送回路、固体撮像装置、カメラおよび液晶表示装置 |
JP2003242797A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号伝送回路 |
JP2003249848A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号伝送回路の駆動方法 |
JP2010250303A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2011070761A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | シフト・レジスタおよびゲートライン駆動装置 |
JP2011199851A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び表示装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2014148171A1 (ja) * | 2013-03-21 | 2017-02-16 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ |
JPWO2015190488A1 (ja) * | 2014-06-13 | 2017-06-01 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ回路、及びそれを備えた表示装置 |
JP2016029797A (ja) * | 2014-07-24 | 2016-03-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示モジュール及び電子機器 |
US10608015B2 (en) | 2014-07-24 | 2020-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising driver circuit |
WO2016136528A1 (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ回路およびそれを備えた表示装置 |
JPWO2016136528A1 (ja) * | 2015-02-23 | 2017-11-02 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ回路およびそれを備えた表示装置 |
US20170186377A1 (en) * | 2015-12-29 | 2017-06-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Gate driver and display device including the same |
US11069299B2 (en) * | 2015-12-29 | 2021-07-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Gate driver and display device including the same |
US10896656B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-01-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device including demultiplexer circuit with reduced drive power |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10068543B2 (en) | 2018-09-04 |
JPWO2014208123A1 (ja) | 2017-02-23 |
US20160372068A1 (en) | 2016-12-22 |
CN105340021B (zh) | 2019-09-27 |
JP2018088301A (ja) | 2018-06-07 |
CN105340021A (zh) | 2016-02-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2014208123A1 (ja) | 単位シフトレジスタ回路、シフトレジスタ回路、単位シフトレジスタ回路の制御方法及び表示装置 | |
KR101613000B1 (ko) | 시프트 레지스터 유닛 및 그 구동 방법, 시프트 레지스터 및 디스플레이 장치 | |
WO2020019381A1 (zh) | 一种goa电路、显示面板及显示装置 | |
JP5535374B2 (ja) | 走査信号線駆動回路およびそれを備えた表示装置 | |
JP5165153B2 (ja) | 走査信号線駆動回路およびそれを備えた表示装置、ならびに走査信号線の駆動方法 | |
US8300761B2 (en) | Shift register circuit | |
US10706803B2 (en) | Shift register circuit | |
US20080080661A1 (en) | Shift register circuit and image display apparatus containing the same | |
WO2014161229A1 (zh) | 移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置 | |
US11410608B2 (en) | Shift register circuitry, gate driving circuit, display device, and driving method thereof | |
WO2014092011A1 (ja) | 表示装置およびその駆動方法 | |
WO2020019379A1 (zh) | 一种goa电路、显示面板及显示装置 | |
US20130044854A1 (en) | Shift register and display device | |
WO2017006815A1 (ja) | シフトレジスタ、それを備えた表示装置、およびシフトレジスタの駆動方法 | |
KR102266207B1 (ko) | 게이트 쉬프트 레지스터 및 이를 이용한 평판 표시 장치 | |
JP6246976B2 (ja) | シフトレジスタ回路およびそれを備えた表示装置 | |
WO2016068038A1 (ja) | 単位シフトレジスタ回路、シフトレジスタ回路、単位シフトレジスタ回路の制御方法及び表示装置 | |
US11159196B1 (en) | Gate driver on array circuit | |
US10490144B2 (en) | TFT circuit and shift register circuit | |
US20230410735A1 (en) | Shift register and driving method thereof, driving circuit, display substrate and device | |
JP2023096258A (ja) | シフトレジスタならびにそれを備えた走査信号線駆動回路および表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 201480036204.9 Country of ref document: CN |
|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 14816860 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2015523876 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 14901461 Country of ref document: US |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 14816860 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |