TWI437823B - 移位暫存器電路 - Google Patents

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Yung Chih Chen
Kuo Hua Hsu
Kuo Chang Su
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Description

移位暫存器電路
本發明係有關於一種移位暫存器電路,尤指一種具高驅動能力之移位暫存器電路。
液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display;LCD)是目前廣泛使用的一種平面顯示器,其具有外型輕薄、省電以及無輻射等優點。液晶顯示裝置的工作原理係利用改變液晶層兩端的電壓差來改變液晶層內之液晶分子的排列狀態,用以改變液晶層的透光性,再配合背光模組所提供的光源以顯示影像。一般而言,液晶顯示裝置包含複數畫素單元、源極驅動器以及移位暫存器電路。源極驅動器係用來提供複數資料訊號至複數畫素單元。移位暫存器電路包含複數級移位暫存器以產生複數閘極訊號饋入複數畫素單元,據以控制複數資料訊號的寫入運作。因此,移位暫存器電路即為控制資料訊號寫入操作的關鍵性元件。
第1圖為習知移位暫存器電路的示意圖。如第1圖所示,移位暫存器電路100包含複數級移位暫存器,其中只顯示第(N-1)級移位暫存器111、第N級移位暫存器112以及第(N+1)級移位暫存器113。每一級移位暫存器係用來根據前一級移位暫存器輸出之閘極訊號以產生對應閘極訊號饋入至對應閘極線,譬如第(N-1)級移位暫存器111係用來根據閘極訊號SGn-2以產生閘極訊號SGn-1饋入至閘極線GLn-1,第N級移位暫存器112係用來根據閘極訊號SGn-1以產生閘極訊號SGn饋入至閘極線GLn,第(N+1)級移位暫存器113係用來根據閘極訊號SGn以產生閘極訊號SGn+1饋入至閘極線GLn+1。在第N級移位暫存器112的運作中,輸入單元180之輸入電晶體181係根據其閘極端接收之高準位電壓與其第一端接收之閘極訊號SGn-1以從其第二端輸出驅動控制電壓VQn,此驅動控制電壓VQn約為高準位電壓減去電晶體181之臨界電壓的電壓值,再透過系統時脈CK之昇緣上拉運作後,可將驅動控制電壓VQn上拉至約為二倍高準位電壓減去電晶體181之臨界電壓的電壓值,據以驅動上拉單元190之上拉電晶體191而產生閘極訊號SGn。由上述可知,第N級移位暫存器112的運作會因輸入電晶體181之臨界電壓而顯著降低上拉電晶體191的輸出驅動能力。
依據本發明之實施例,揭露一種移位暫存器電路,用以提供複數閘極訊號至複數閘極線。此種移位暫存器電路包含複數級移位暫存器,該些級移位暫存器之第N級移位暫存器包含輸入單元、上拉單元、儲能單元、以及下拉單元。
輸入單元電連接於第(N-1)級移位暫存器以接收第(N-1)閘極訊號,並電連接於第(N-2)級移位暫存器以接收第(N-2)驅動控制電壓。輸入單元係用來根據第(N-1)閘極訊號與第(N-2)驅動控制電壓以輸出第N驅動控制電壓。電連接於輸入單元與第N閘極線之上拉單元係用來根據第N驅動控制電壓與系統時脈以上拉第N閘極訊號,其中第N閘極線係用以傳輸第N閘極訊號。電連接於上拉單元與輸入單元之儲能單元係用來根據第N驅動控制電壓執行充電程序或放電程序。下拉單元電連接於輸入單元與第N閘極線,並電連接於第(N+2)級移位暫存器以接收第(N+2)閘極訊號。下拉單元係用來根據第(N+2)閘極訊號以下拉第N閘極訊號與第N驅動控制電壓。
依據本發明之實施例,另揭露一種移位暫存器電路,用以提供複數閘極訊號至複數閘極線。此種移位暫存器電路包含複數級移位暫存器,該些級移位暫存器之第N級移位暫存器包含輸入單元、上拉單元、進位單元、儲能單元、以及下拉單元。
輸入單元電連接於第(N-1)級移位暫存器以接收第(N-1)啟始脈波訊號,並電連接於第(N-2)級移位暫存器以接收第(N-2)驅動控制電壓。輸入單元係用來根據第(N-1)啟始脈波訊號與第(N-2)驅動控制電壓以輸出第N驅動控制電壓。電連接於輸入單元與第N閘極線之上拉單元係用來根據第N驅動控制電壓與系統時脈以上拉第N閘極訊號,其中第N閘極線係用以傳輸第N閘極訊號。電連接於輸入單元之進位單元係用來根據第N驅動控制電壓與系統時脈以輸出第N啟始脈波訊號。電連接於上拉單元與輸入單元之儲能單元係用來根據第N驅動控制電壓執行充電程序或放電程序。下拉單元電連接於輸入單元與第N閘極線,並電連接於第(N+2)級移位暫存器以接收第(N+2)閘極訊號。下拉單元係用來根據第(N+2)閘極訊號以下拉第N閘極訊號與第N驅動控制電壓。
下文依本發明移位暫存器電路,特舉實施例配合所附圖式作詳細說明,但所提供之實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍。
第2圖為本發明第一實施例之移位暫存器電路的示意圖。如第2圖所示,移位暫存器電路200包含複數級移位暫存器,為方便說明,移位暫存器電路200只顯示第(N-2)級移位暫存器211、第(N-1)級移位暫存器212、第N級移位暫存器213、第(N+1)級移位暫存器214以及第(N+2)級移位暫存器215,其中只有第N級移位暫存器213顯示內部功能單元架構,其餘級移位暫存器係類同於第N級移位暫存器213,不另贅述。在移位暫存器電路200的運作中,第N級移位暫存器213係用來根據第(N-2)級移位暫存器211產生之驅動控制電壓VQn-2、第(N-1)級移位暫存器212產生之閘極訊號SGn-1、第(N+2)級移位暫存器215產生之閘極訊號SGn+2、第一系統時脈HC1、第一時脈LC1、反相於第一時脈LC1之第二時脈LC2、及電源電壓Vss以進行具高驅動能力之運作而產生閘極訊號SGn與驅動控制電壓VQn,其餘級移位暫存器可同理類推。請注意,第2圖所示之第三系統時脈HC3係反相於第一系統時脈HC1,第二系統時脈HC2與第一系統時脈HC1具有90度的相位差,第四系統時脈HC4係反相於第二系統時脈HC2。
第N級移位暫存器213包含輸入單元305、上拉單元310、儲能單元315、下拉單元325、第一輔助下拉單元330、第一控制單元340、第二輔助下拉單元350、以及第二控制單元360。輸入單元305電連接於第(N-1)級移位暫存器212以接收閘極訊號SGn-1,並電連接於第(N-2)級移位暫存器211以接收驅動控制電壓VQn-2。輸入單元305係用來根據閘極訊號SGn-1與驅動控制電壓VQn-2以輸出驅動控制電壓VQn。
電連接於輸入單元305與閘極線GLn之上拉單元310係用來根據驅動控制電壓VQn與第一系統時脈HC1以上拉閘極訊號SGn,其中閘極線GLn係用以傳輸閘極訊號SGn。電連接於上拉單元310與輸入單元305之儲能單元315係用來根據驅動控制電壓VQn執行充電程序或放電程序。下拉單元325電連接於輸入單元305與閘極線GLn,並電連接於第(N+2)級移位暫存器215以接收閘極訊號SGn+2。下拉單元325係用來根據閘極訊號SGn+2以下拉閘極訊號SGn與驅動控制電壓VQn。
電連接於輸入單元305之第一控制單元340係用來根據驅動控制電壓VQn與第一時脈LC1以產生第一控制訊號SCn1。電連接於第一控制單元340、輸入單元305與閘極線GLn之第一輔助下拉單元330係用來根據第一控制訊號SCn1以下拉閘極訊號SGn與驅動控制電壓VQn。電連接於輸入單元305之第二控制單元360係用來根據驅動控制電壓VQn與第二時脈LC2以產生第二控制訊號SCn2。電連接於第二控制單元360、輸入單元305與閘極線GLn之第二輔助下拉單元350係用來根據第二控制訊號SCn2以下拉閘極訊號SGn與驅動控制電壓VQn。
在第2圖的實施例中,輸入單元305包含第一電晶體306,上拉單元310包含第二電晶體311,儲能單元315包含電容316,下拉單元325包含第三電晶體326與第四電晶體327,第一輔助下拉單元330包含第九電晶體331與第十電晶體332,第二輔助下拉單元350包含第十五電晶體351與第十六電晶體352。請注意,上述或以下所述之每一電晶體可為薄膜電晶體(Thin Film Transistor)、場效電晶體(Field Effect Transistor)或其他具開關切換功能的元件。
第一電晶體306包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端電連接於第(N-1)級移位暫存器212以接收閘極訊號SGn-1,閘極端電連接於第(N-2)級移位暫存器211以接收驅動控制電壓VQn-2,第二端係用來輸出驅動控制電壓VQn。第二電晶體311包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端係用來接收第一系統時脈HC1,閘極端電連接於第一電晶體306之第二端以接收驅動控制電壓VQn,第二端電連接於閘極線GLn。電容316係電連接於第二電晶體311之閘極端與第二端間。
第三電晶體326包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端電連接於閘極線GLn,閘極端電連接於第(N+2)級移位暫存器215以接收閘極訊號SGn+2,第二端係用來接收電源電壓Vss。第四電晶體327包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端電連接於第一電晶體306之第二端,閘極端電連接於第(N+2)級移位暫存器215以接收閘極訊號SGn+2,第二端係用來接收電源電壓Vss。
第九電晶體331包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端電連接於閘極線GLn,閘極端電連接於第一控制單元340以接收第一控制訊號SCn1,第二端係用來接收電源電壓Vss。第十電晶體332包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端電連接於第一電晶體306之第二端,閘極端電連接於第一控制單元340以接收第一控制訊號SCn1,第二端電連接於閘極線GLn。
第十五電晶體351包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端電連接於閘極線GLn,閘極端電連接於第二控制單元360以接收第二控制訊號SCn2,第二端係用來接收電源電壓Vss。第十六電晶體352包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端電連接於第一電晶體306之第二端,閘極端電連接於第二控制單元360以接收第二控制訊號SCn2,第二端電連接於閘極線GLn。
第3圖為第2圖所示之移位暫存器電路的工作相關訊號波形示意圖,其中橫軸為時間軸。在第3圖中,由上往下的訊號分別為第二系統時脈HC2、第三系統時脈HC3、第四系統時脈HC4、第一系統時脈HC1、驅動控制電壓VQn-2、閘極訊號SGn-1、驅動控制電壓VQn、閘極訊號SGn、以及驅動控制電壓VQn+2。如第3圖所示,於時段T1內,第(N-2)級移位暫存器211利用驅動控制電壓VQn-4與閘極訊號SGn-3將驅動控制電壓VQn-2上拉至系統時脈之高準位電壓VGH。於時段T2內,第(N-2)級移位暫存器211利用第三系統時脈HC3之電壓昇緣將驅動控制電壓VQn-2上拉至約為2VGH之電壓。於時段T3內,第(N-1)級移位暫存器212輸出具高準位電壓VGH之閘極訊號SGn-1,且驅動控制電壓VQn-2保持在約為2VGH之電壓,而第N級移位暫存器213之第一電晶體306即根據驅動控制電壓VQn-2與閘極訊號SGn-1將驅動控制電壓VQn上拉至高準位電壓VGH。請注意,於時段T3內,因第一電晶體306之閘極端具有約為2VGH之電壓,所以第一電晶體306之第二端可輸出具高準位電壓VGH之驅動控制電壓VQn,亦即驅動控制電壓VQn並不受第一電晶體306之臨界電壓所影響而降低。於時段T4內,第一系統時脈HC1之電壓昇緣可透過第二電晶體311之元件電容耦合作用將驅動控制電壓VQn上拉至約為2VGH之電壓,從而將閘極訊號SGn上拉至高準位電壓VGH。於時段T5內,第(N+2)級移位暫存器215輸出具高準位電壓VGH之閘極訊號SGn+2,故第N級移位暫存器213之第三電晶體326及第四電晶體327即利用閘極訊號SGn+2以分別下拉閘極訊號SGn與驅動控制電壓VQn至電源電壓Vss。由上述可知,驅動控制電壓VQn係以約為2VGH之電壓驅動第二電晶體311來上拉閘極訊號SGn,據以增加畫素的充電率,進而提升畫面顯示品質。
第4圖為第2圖所示之移位暫存器電路的第N級移位暫存器之另一實施例示意圖。如第4圖所示,第N級移位暫存器413係類似於第2圖所示之第N級移位暫存器213,主要差異在於將第一控制單元340置換為第一控制單元440,並將第二控制單元360置換為第二控制單元460。在第4圖的實施例中,第一控制單元440包含第五電晶體341、第六電晶體342、第七電晶體343與第八電晶體344,第二控制單元460包含第十一電晶體361、第十二電晶體362、第十三電晶體363與第十四電晶體364。
第五電晶體341包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端係用來接收第一時脈LC1,第二端係用來輸出第一控制訊號SCn1。第六電晶體342包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端電連接於第五電晶體341之第二端,閘極端電連接於第一電晶體306之第二端,第二端係用來接收電源電壓Vss。第七電晶體343包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端與閘極端係用來接收第一時脈LC1,第二端電連接於第五電晶體341之閘極端。第八電晶體344包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端電連接於第七電晶體343之第二端,閘極端電連接於第一電晶體306之第二端,第二端係用來接收電源電壓Vss。
第十一電晶體361包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端係用來接收第二時脈LC2,第二端係用來輸出第二控制訊號SCn2。第十二電晶體362包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端電連接於第十一電晶體361之第二端,閘極端電連接於第一電晶體306之第二端,第二端係用來接收電源電壓Vss。第十三電晶體363包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端與閘極端係用來接收第二時脈LC2,第二端電連接於第十一電晶體361之閘極端。第十四電晶體364包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端電連接於第十三電晶體363之第二端,閘極端電連接於第一電晶體306之第二端,第二端係用來接收電源電壓Vss。
在第N級移位暫存器213或第N級移位暫存器413的運作中,除了第一電晶體306與第二電晶體311所執行之具高驅動能力的運作係顯著異於先前技術之相關運作外,其餘上述電晶體之運作則為所屬技藝領域中具有通常知識者所習知,不再贅述。
第5圖為本發明第二實施例之移位暫存器電路的示意圖。如第5圖所示,移位暫存器電路500包含複數級移位暫存器,為方便說明,移位暫存器電路500只顯示第(N-2)級移位暫存器511、第(N-1)級移位暫存器512、第N級移位暫存器513、第(N+1)級移位暫存器514以及第(N+2)級移位暫存器515,其中只有第N級移位暫存器513顯示內部功能單元架構,其餘級移位暫存器係類同於第N級移位暫存器513,不另贅述。在移位暫存器電路500的運作中,第N級移位暫存器513係用來根據第(N-2)級移位暫存器511產生之驅動控制電壓VQn-2、第(N-1)級移位暫存器512產生之啟始脈波訊號STn-1、第(N+2)級移位暫存器515產生之閘極訊號SGn+2、第一系統時脈HC1、第一時脈LC1、反相於第一時脈LC1之第二時脈LC2、及電源電壓Vss以進行具高驅動能力之運作而產生閘極訊號SGn、啟始脈波訊號STn與驅動控制電壓VQn,其餘級移位暫存器可同理類推。請注意,第5圖所示之第三系統時脈HC3係反相於第一系統時脈HC1,第二系統時脈HC2與第一系統時脈HC1具有90度的相位差,第四系統時脈HC4係反相於第二系統時脈HC2。
如第5圖所示,第N級移位暫存器513係類似於第2圖所示之第N級移位暫存器213,主要差異在於將輸入單元305置換為輸入單元505,另增加進位單元520。輸入單元505電連接於第(N-1)級移位暫存器512以接收啟始脈波訊號STn-1,並電連接於第(N-2)級移位暫存器511以接收驅動控制電壓VQn-2。輸入單元505係用來根據啟始脈波訊號STn-1與驅動控制電壓VQn-2以輸出驅動控制電壓VQn。電連接於輸入單元505的進位單元520係用來根據驅動控制電壓VQn與第一系統時脈HC1以輸出啟始脈波訊號STn。
在第5圖的實施例中,輸入單元505包含第一電晶體506,進位單元520包含第十七電晶體521。第一電晶體506包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端電連接於第(N-1)級移位暫存器512以接收啟始脈波訊號STn-1,閘極端電連接於第(N-2)級移位暫存器511以接收驅動控制電壓VQn-2,第二端係用來輸出驅動控制電壓VQn。第十七電晶體521包含第一端、第二端與閘極端,其中第一端係用來接收第一系統時脈HC1,閘極端電連接於第一電晶體506之第二端以接收驅動控制電壓VQn,第二端係用來輸出啟始脈波訊號STn。啟始脈波訊號STn的波形實質上相同於閘極訊號SGn之波形,故第N級移位暫存器513之電路運作實質上相同於第N級移位暫存器213之電路運作,不再贅述。
綜上所述,在本發明移位暫存器電路之運作中,用來驅動上拉單元以上拉閘極訊號之驅動控制電壓可被提昇至約為系統時脈之高準位電壓的二倍,據以顯著提高對上拉單元之驅動能力,如此可增加畫素的充電率以提升畫面顯示品質。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何具有本發明所屬技術領域之通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
200、500...移位暫存器電路
211、511...第(N-2)級移位暫存器
212、512...第(N-1)級移位暫存器
213、413、513...第N級移位暫存器
214、514...第(N+1)級移位暫存器
215、515...第(N+2)級移位暫存器
305、505...輸入單元
306、506...第一電晶體
310...上拉單元
311...第二電晶體
315...儲能單元
316...電容
325...下拉單元
326...第三電晶體
327...第四電晶體
330...第一輔助下拉單元
331...第九電晶體
332...第十電晶體
340、440...第一控制單元
341...第五電晶體
342...第六電晶體
343...第七電晶體
344...第八電晶體
350...第二輔助下拉單元
351...第十五電晶體
352...第十六電晶體
360、460...第二控制單元
361...第十一電晶體
362...第十二電晶體
363...第十三電晶體
364...第十四電晶體
520...進位單元
521...第十七電晶體
GLn-2、GLn-1、GLn、GLn+1、GLn+2...閘極線
HC1...第一系統時脈
HC2...第二系統時脈
HC3...第三系統時脈
HC4...第四系統時脈
LC1...第一時脈
LC2...第二時脈
SGn-3、SGn-2、SGn-1、SGn、SGn+1、SGn+2、SGn+3、SGn+4‧‧‧閘極訊號
STn-3、STn-2、STn-1、STn、STn+1、STn+2‧‧‧啟始脈波訊號
T1、T2、T3、T4、T5‧‧‧時段
VGH‧‧‧高準位電壓
VQn-4、VQn-3、VQn-2、VQn-1、VQn、VQn+1、VQn+2‧‧‧驅動控制電壓
Vss‧‧‧電源電壓
第1圖為習知移位暫存器電路的示意圖。
第2圖為本發明第一實施例之移位暫存器電路的示意圖。
第3圖為第2圖所示之移位暫存器電路的工作相關訊號波形示意圖,其中橫軸為時間軸。
第4圖為第2圖所示之移位暫存器電路的第N級移位暫存器之另一實施例示意圖。
第5圖為本發明第二實施例之移位暫存器電路的示意圖。
200...移位暫存器電路
211...第(N-2)級移位暫存器
212...第(N-1)級移位暫存器
213...第N級移位暫存器
214...第(N+1)級移位暫存器
215...第(N+2)級移位暫存器
305...輸入單元
306...第一電晶體
310...上拉單元
311...第二電晶體
315...儲能單元
316...電容
325...下拉單元
326...第三電晶體
327...第四電晶體
330...第一輔助下拉單元
331...第九電晶體
332...第十電晶體
340...第一控制單元
350...第二輔助下拉單元
351...第十五電晶體
352...第十六電晶體
360...第二控制單元
GLn-2、GLn-1、GLn、GLn+1、GLn+2...閘極線
HC1...第一系統時脈
HC2...第二系統時脈
HC3...第三系統時脈
HC4...第四系統時脈
LC1...第一時脈
LC2...第二時脈
SGn-3、SGn-2、SGn-1、SGn、SGn+1、SGn+2、SGn+3、SGn+4...閘極訊號
VQn-4、VQn-3、VQn-2、VQn-1、VQn、VQn+1、VQn+2...驅動控制電壓
Vss...電源電壓

Claims (13)

  1. 一種移位暫存器電路,用以提供複數閘極訊號至複數閘極線,該移位暫存器電路包含複數級移位暫存器,該些級移位暫存器之一第N級移位暫存器包含:一輸入單元,包含一第一電晶體,該第一電晶體之一第一端電連接於該些級移位暫存器之一第(N-1)級移位暫存器以接收該些閘極訊號之一第(N-1)閘極訊號,該第一電晶體之一閘極端電連接於該些級移位暫存器之一第(N-2)級移位暫存器以接收一第(N-2)驅動控制電壓,該第一電晶體之一第二端係用來根據該第(N-1)閘極訊號與該第(N-2)驅動控制電壓以輸出一第N驅動控制電壓;一上拉單元,電連接於該第一電晶體之第二端與該些閘極線之一第N閘極線,該上拉單元係用來根據該第N驅動控制電壓與一系統時脈以上拉該些閘極訊號之一第N閘極訊號,其中該第N閘極線係用以傳輸該第N閘極訊號;一儲能單元,電連接於該上拉單元與該第一電晶體之第二端,該儲能單元係用來根據該第N驅動控制電壓執行一充電程序或一放電程序;以及一下拉單元,電連接於該第一電晶體之第二端與該第N閘極線,並電連接於該些級移位暫存器之一第(N+2)級移位暫存器以接收該些閘極訊號之一第(N+2)閘極訊號,該下拉單元係用來根據該第(N+2)閘極訊號以下拉該第N閘極訊號與該 第N驅動控制電壓。
  2. 如請求項1所述之移位暫存器電路,其中:該上拉單元包含一第二電晶體,該第二電晶體之一第一端係用來接收該系統時脈,該第二電晶體之一閘極端係用來接收該第N驅動控制電壓,該第二電晶體之一第二端電連接於該第N閘極線;該儲能單元包含一電連接於該第二電晶體之閘極端與第二端間的電容;以及該下拉單元包含:一第三電晶體,具有一電連接於該第N閘極線之第一端、一電連接於該第(N+2)級移位暫存器之閘極端、及一用來接收一電源電壓之第二端;以及一第四電晶體,具有一電連接於該第一電晶體之第二端的第一端、一電連接於該第(N+2)級移位暫存器之閘極端、及一用來接收該電源電壓之第二端。
  3. 如請求項1所述之移位暫存器電路,其中該第N級移位暫存器還包含:一第一控制單元,電連接於該第一電晶體之第二端,該第一控制單元係用來根據該第N驅動控制電壓與一第一時脈產生一第一控制訊號;以及一第一輔助下拉單元,電連接於該第一控制單元、該第一電晶 體之第二端與該第N閘極線,該第一輔助下拉單元係用來根據該第一控制訊號以下拉該第N閘極訊號與該第N驅動控制電壓。
  4. 如請求項3所述之移位暫存器電路,其中:該第一控制單元包含:一第五電晶體,具有一用來接收該第一時脈的第一端、一閘極端、及一用來輸出該第一控制訊號的第二端;一第六電晶體,具有一電連接於該第五電晶體之第二端的第一端、一用來接收該第N驅動控制電壓的閘極端、及一用來接收一電源電壓的第二端;一第七電晶體,具有一用來接收該第一時脈的第一端、一用來接收該第一時脈的閘極端、及一電連接於該第五電晶體之閘極端的第二端;以及一第八電晶體,具有一電連接於該第七電晶體之第二端的第一端、一用來接收該第N驅動控制電壓的閘極端、及一用來接收該電源電壓的第二端;以及該第一輔助下拉單元包含:一第九電晶體,具有一電連接於該第N閘極線的第一端、一用來接收該第一控制訊號的閘極端、及一用來接收該電源電壓的第二端;以及一第十電晶體,具有一電連接於該第一電晶體之第二端的第一端、一用來接收該第一控制訊號的閘極端、及一電連 接於該第N閘極線的第二端。
  5. 如請求項3所述之移位暫存器電路,其中該第N級移位暫存器還包含:一第二控制單元,電連接於該第一電晶體之第二端,該第二控制單元係用來根據該第N驅動控制電壓與反相於該第一時脈之一第二時脈產生一第二控制訊號;以及一第二輔助下拉單元,電連接於該第二控制單元、該第一電晶體之第二端與該第N閘極線,該第二輔助下拉單元係用來根據該第二控制訊號以下拉該第N閘極訊號與該第N驅動控制電壓。
  6. 如請求項5所述之移位暫存器電路,其中:該第二控制單元包含:一第十一電晶體,具有一用來接收該第二時脈的第一端、一閘極端、及一用來輸出該第二控制訊號的第二端;一第十二電晶體,具有一電連接於該第十一電晶體之第二端的第一端、一用來接收該第N驅動控制電壓的閘極端、及一用來接收一電源電壓的第二端;一第十三電晶體,具有一用來接收該第二時脈的第一端、一用來接收該第二時脈的閘極端、及一電連接於該第十一電晶體之閘極端的第二端;以及一第十四電晶體,具有一電連接於該第十三電晶體之第二端 的第一端、一用來接收該第N驅動控制電壓的閘極端、及一用來接收該電源電壓的第二端;以及該第二輔助下拉單元包含:一第十五電晶體,具有一電連接於該第N閘極線的第一端、一用來接收該第二控制訊號的閘極端、及一用來接收該電源電壓的第二端;以及一第十六電晶體,具有一電連接於該第一電晶體之第二端的第一端、一用來接收該第二控制訊號的閘極端、及一電連接於該第N閘極線的第二端。
  7. 一種移位暫存器電路,用以提供複數閘極訊號至複數閘極線,該移位暫存器電路包含複數級移位暫存器,該些級移位暫存器之一第N級移位暫存器包含:一輸入單元,包含一第一電晶體,該第一電晶體之一第一端電連接於該些級移位暫存器之一第(N-1)級移位暫存器以接收一第(N-1)啟始脈波訊號,該第一電晶體之一閘極端電連接於該些級移位暫存器之一第(N-2)級移位暫存器以接收一第(N-2)驅動控制電壓,該第一電晶體之一第二端係用來根據該第(N-1)啟始脈波訊號與該第(N-2)驅動控制電壓以輸出一第N驅動控制電壓;一上拉單元,電連接於該第一電晶體之第二端與該些閘極線之一第N閘極線,該上拉單元係用來根據該第N驅動控制電壓與一系統時脈以上拉該些閘極訊號之一第N閘極訊號,其 中該第N閘極線係用以傳輸該第N閘極訊號;一進位單元,電連接於該第一電晶體之第二端,該進位單元係用來根據該第N驅動控制電壓與該系統時脈以輸出一第N啟始脈波訊號;一儲能單元,電連接於該上拉單元與該第一電晶體之第二端,該儲能單元係用來根據該第N驅動控制電壓執行一充電程序或一放電程序;以及一下拉單元,電連接於該第一電晶體之第二端與該第N閘極線,並電連接於該些級移位暫存器之一第(N+2)級移位暫存器以接收該些閘極訊號之一第(N+2)閘極訊號,該下拉單元係用來根據該第(N+2)閘極訊號以下拉該第N閘極訊號與該第N驅動控制電壓。
  8. 如請求項7所述之移位暫存器電路,其中:該上拉單元包含一第二電晶體,該第二電晶體之一第一端係用來接收該系統時脈,該第二電晶體之一閘極端係用來接收該第N驅動控制電壓,該第二電晶體之一第二端電連接於該第N閘極線;該儲能單元包含一電連接於該第二電晶體之閘極端與第二端間的電容;以及該下拉單元包含:一第三電晶體,具有一電連接於該第N閘極線之第一端、一電連接於該第(N+2)級移位暫存器之閘極端、及一用來接 收一電源電壓之第二端;以及一第四電晶體,具有一電連接於該第一電晶體之第二端的第一端、一電連接於該第(N+2)級移位暫存器之閘極端、及一用來接收該電源電壓之第二端。
  9. 如請求項7所述之移位暫存器電路,其中該第N級移位暫存器還包含:一第一控制單元,電連接於該第一電晶體之第二端,該第一控制單元係用來根據該第N驅動控制電壓與一第一時脈產生一第一控制訊號;以及一第一輔助下拉單元,電連接於該第一控制單元、該第一電晶體之第二端與該第N閘極線,該第一輔助下拉單元係用來根據該第一控制訊號以下拉該第N閘極訊號與該第N驅動控制電壓。
  10. 如請求項9所述之移位暫存器電路,其中:該第一控制單元包含:一第五電晶體,具有一用來接收該第一時脈的第一端、一閘極端、及一用來輸出該第一控制訊號的第二端;一第六電晶體,具有一電連接於該第五電晶體之第二端的第一端、一用來接收該第N驅動控制電壓的閘極端、及一用來接收一電源電壓的第二端;一第七電晶體,具有一用來接收該第一時脈的第一端、一用 來接收該第一時脈的閘極端、及一電連接於該第五電晶體之閘極端的第二端;以及一第八電晶體,具有一電連接於該第七電晶體之第二端的第一端、一用來接收該第N驅動控制電壓的閘極端、及一用來接收該電源電壓的第二端;以及該第一輔助下拉單元包含:一第九電晶體,具有一電連接於該第N閘極線的第一端、一用來接收該第一控制訊號的閘極端、及一用來接收該電源電壓的第二端;以及一第十電晶體,具有一電連接於該第一電晶體之第二端的第一端、一用來接收該第一控制訊號的閘極端、及一電連接於該第N閘極線的第二端。
  11. 如請求項9所述之移位暫存器電路,其中該第N級移位暫存器還包含:一第二控制單元,電連接於該第一電晶體之第二端,該第二控制單元係用來根據該第N驅動控制電壓與反相於該第一時脈之一第二時脈產生一第二控制訊號;以及一第二輔助下拉單元,電連接於該第二控制單元、該第一電晶體之第二端與該第N閘極線,該第二輔助下拉單元係用來根據該第二控制訊號以下拉該第N閘極訊號與該第N驅動控制電壓。
  12. 如請求項11所述之移位暫存器電路,其中:該第二控制單元包含:一第十一電晶體,具有一用來接收該第二時脈的第一端、一閘極端、及一用來輸出該第二控制訊號的第二端;一第十二電晶體,具有一電連接於該第十一電晶體之第二端的第一端、一用來接收該第N驅動控制電壓的閘極端、及一用來接收一電源電壓的第二端;一第十三電晶體,具有一用來接收該第二時脈的第一端、一用來接收該第二時脈的閘極端、及一電連接於該第十一電晶體之閘極端的第二端;以及一第十四電晶體,具有一電連接於該第十三電晶體之第二端的第一端、一用來接收該第N驅動控制電壓的閘極端、及一用來接收該電源電壓的第二端;以及該第二輔助下拉單元包含:一第十五電晶體,具有一電連接於該第N閘極線的第一端、一用來接收該第二控制訊號的閘極端、及一用來接收該電源電壓的第二端;以及一第十六電晶體,具有一電連接於該第一電晶體之第二端的第一端、一用來接收該第二控制訊號的閘極端、及一電連接於該第N閘極線的第二端。
  13. 如請求項7所述之移位暫存器電路,其中該進位單元包含一第十七電晶體,該第十七電晶體之一第一端係用來接收該系統時 脈,該第十七電晶體之一閘極端係用來接收該第N驅動控制電壓,該第十七電晶體之一第二端係用來輸出該第N啟始脈波訊號。
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