JP2011129896A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- 第１のインバータと、
第２のインバータと、
酸化物半導体を有する第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量とを有し、
前記第１のインバータの出力は、前記第２のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第２のインバータの出力は、前記第１のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のインバータの出力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 第１のインバータと、
第２のインバータと、
酸化物半導体を有する第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量とを有し、
前記第１のインバータの出力は、前記第２のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第２のインバータの出力は、前記第１のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のインバータの出力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタがオフ状態となることにより、前記容量の電極と、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第２のトランジスタのゲートとが電気的に接続されているノードがフローティング状態となることを特徴とする半導体装置。
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