JP2011142621A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- 第1の回路を有し、
第2の回路を有し、
第1のトランジスタを有し、
第2のトランジスタを有し、
第1の容量を有し、
第2の容量を有し、
前記第1の回路は、入力された信号に対して反転した信号を出力することができる機能を有し、
前記第2の回路は、入力された信号に対して反転した信号を出力することができる機能を有し、
前記第1の回路の出力は、前記第2の回路の入力と電気的に接続され、
前記第2の回路の出力は、前記第1の回路の入力と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第1の回路の入力と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1の容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第2の回路の入力と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2の容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第1の回路が有する第3のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第2の回路が有する第4のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層を有し、
前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層を有し、
前記第3のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第4のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。 - 第1のインバータを有し、
第2のインバータを有し、
第1のトランジスタを有し、
第2のトランジスタを有し、
第1の容量を有し、
第2の容量を有し、
前記第1のインバータの出力は、前記第2のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第2のインバータの出力は、前記第1のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第1のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1の容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第2のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2の容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第1のインバータが有する第3のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第2のインバータが有する第4のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層を有し、
前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層を有し、
前記第3のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第4のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第3のトランジスタのゲートの上方又は前記第4のトランジスタのゲートの上方に絶縁層を有し、
前記絶縁層の上方に前記第1のトランジスタ又は前記第2のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
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