CN101057338B - 采用无定形氧化物的场效应晶体管 - Google Patents

采用无定形氧化物的场效应晶体管 Download PDF

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Abstract

提供了一种采用无定形氧化物的新颖的场效应晶体管。在本发明的实施例中，该晶体管包括含有浓度低于1×1018/cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层包括与该无定形氧化物接触的第一层和不同于第一层的第二层。

Description

采用无定形氧化物的场效应晶体管
技术领域
本发明涉及采用无定形氧化物的场效应晶体管。
背景技术
近年来，作为液晶技术、场致发光(EL)和相关技术发展的结果，平板显示器(FPD)得以商业化。FPD通过包括场效应薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵电路驱动，该薄膜晶体管采用无定形硅薄膜或多晶硅薄膜作为形成在玻璃衬底上的有源层(active layer)。
为了得到FPD更小的厚度、更轻的重量和更大的冲击强度，研究了用轻质且柔性的树脂衬底来代替玻璃衬底。但是，因为在该工艺中硅薄膜晶体管的制造需要比较高的温度，所以采用硅薄膜的晶体管不能直接形成在耐热性能较差的树脂衬底上。
因此，对于TFT，研究了使用能够在较低温度下形成膜的氧化物半导体薄膜如ZnO薄膜(日本专利申请公开No.2003-298062)。
但是，还没有获得能同时满足TFT的透明特性和电特性、栅极绝缘膜的特性、防止电流泄漏以及有源层与衬底之间的粘附所有这些特性的晶体管。
发明内容
本发明的目的是提供一种采用无定形氧化物的新颖的场效应晶体管。
本发明的目的还在于获得在TFT的透明特性和电特性、栅极绝缘膜的特性、防止电流泄漏以及有源层与衬底之间的粘附中的至少一种特性方面表现优异的晶体管。
按照本发明的第一方面，提供了一种具有源电极、漏电极、栅极绝缘体、栅电极和有源层的场效应晶体管：
该有源层包括电子载流子浓度低于1018/cm3的无定形氧化物或电子迁移率倾向于随着电子载流子浓度的增加而增大的无定形氧化物；并且
源电极、漏电极和栅电极中的至少一个对可见光透明。
所述场效应晶体管优选具有与源电极、漏电极和栅电极中的至少一个连接的金属布线。
该无定形氧化物优选是包含In、Zn和Sn中至少一种的氧化物或包含In、Zn和Ga的氧化物。
按照本发明的第二方面，提供了一种具有源电极、漏电极、栅极绝缘体、栅电极和有源层的场效应晶体管：
该有源层包括电子载流子浓度低于1018/cm3的无定形氧化物或电子迁移率倾向于随着电子载流子浓度的增加而增大的无定形氧化物；并且
具有包括第一层和由金属制成的第二层的叠层结构，在第一层中源电极、漏电极和栅电极中的至少一个对可见光透明，或者
具有包括第一层和由金属制成的第二层的叠层结构，在第一层中与源电极、漏电极和栅电极中的至少一个连接的布线对可见光透明。
按照本发明的第三方面，提供了一种具有源电极、漏电极、栅极绝缘膜、栅电极和有源层的场效应晶体管，
其中该有源层包括对可见光透明的无定形氧化物，并且源电极、漏电极和栅电极中的至少一个对可见光透明。
该晶体管优选是使用有源层的常断(normally-off)类型的晶体管。
金属布线优选与对光透明的电极连接，该电极属于源电极、漏电极或栅电极。
按照本发明的第四方面，提供了一种具有源电极、漏电极、栅极绝缘膜、栅电极和有源层的场效应晶体管：
该有源层包括电子载流子浓度低于1018/cm3的无定形氧化物，该栅极绝缘膜包括与该无定形氧化物接触的第一层和不同于第一层并且层叠在该第一层上的第二层。
第一层优选是包含HfO2、Y2O3或含有HfO2或Y2O3的混晶化合物的绝缘层。
该无定形氧化物优选是包含In、Zn和Sn中至少一种的氧化物或包含In、Zn和Ga的氧化物。
第一层优选是用于改善与有源层的界面特性的界面改善层，第二层是用于防止电流泄漏的电流泄漏防止层。
按照本发明的第五方面，提供了一种具有源电极、漏电极、栅极绝缘体、栅电极和有源层的场效应晶体管：
该有源层包括无定形氧化物，该栅极绝缘体包括与该无定形氧化物接触的第一层和不同于第一层并且叠加在该第一层上的第二层。
所述无定形氧化物优选是从含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；以及含有In的氧化物中任选的一种。
该晶体管优选是常断类型的晶体管。
按照本发明的第六方面，提供了一种具有源电极、漏电极、栅极绝缘膜、栅电极和有源层的场效应晶体管：
该有源层包括电子载流子浓度低于1018/cm3的无定形氧化物或电子迁移率倾向于随着电子载流子浓度的增加而增大的无定形氧化物；并且
在有源层和栅极绝缘体之间设置了钝化层。
该无定形氧化物优选是包含In、Zn和Sn中至少一种的氧化物或包含In、Zn和Ga的氧化物。
该钝化层优选是用于防止电流泄漏的电流泄漏防止层。
按照本发明的第七方面，提供了一种具有源电极、漏电极、栅极绝缘体、栅电极和有源层的场效应晶体管：
该有源层由无定形氧化物组成；并且
在有源层和栅极绝缘体之间设置了钝化层。
按照本发明的第八方面，提供了一种在衬底上设置了源电极、漏电极、栅极绝缘膜、栅电极和有源层的场效应晶体管：
该有源层包括电子载流子浓度低于1018/cm3的无定形氧化物或电子迁移率倾向于随着电子载流子浓度的增加而增大的无定形氧化物；并且
在有源层和衬底之间设置了表面涂层。
该无定形氧化物优选是包含In、Zn和Sn中至少一种的氧化物或包含In、Zn和Ga的氧化物。
所述表面涂层优选是用于提高衬底和有源层之间的粘附性的粘附性改善层。
按照本发明的第九方面，提供了一种具有源电极、漏电极、栅极绝缘体、栅电极和有源层的场效应晶体管：
该有源层由无定形氧化物组成；并且
在有源层和衬底之间设置了表面涂层。
作为本发明的发明人对该氧化物半导体的调查的结果，发现上述ZnO以多晶体相的状态形成，导致载流子在多晶体晶格之间的界面上散射从而降低了电子迁移率。此外，还发现ZnO容易在其中导致氧缺位(oxygen defect)，从而产生大量的载流子电子，这使得难以降低电导率。由此，即使没有向晶体管施加栅电压，也会在源极端子和漏极端子之间产生很大的电流，从而使得不可能实现TFT的常断状态和更大的晶体管开-关比。
本发明的发明人考察了在日本专利申请公开No.2000-044236中提到的无定形氧化物膜ZnxMyInzO(x+3y/2+3z/2)(M：Al和Ga中的至少一种元素)。该材料包含浓度不低于1×1018/cm3的电子载流子，并适合用作简单的透明电极。但是，在TFT沟道层中使用的包含浓度不低于1×1018/cm3的电子载流子的氧化物不能给出足够的开-关比，且不适合于常断的TFT。因此，传统的无定形氧化物膜无法提供载流子浓度低于1×1018/cm3的膜。
本发明的发明人利用载流子浓度低于1×1018/cm3的无定形氧化物作为场效应晶体管的有源层来制备TFT。发现该TFT具有期望的特性，并可用于诸如发光装置的图像显示装置。
此外，本发明的发明人考察了材料InGaO3(ZnO)m和该材料的膜形成条件，发现通过控制膜形成时的氧气气氛条件可以将该材料的载流子浓度可以控制为低于1×1018/cm3。
按照本发明，通过使用无定形氧化物作为有源层，提供了一种新颖的场效应晶体管。
附图说明
图1是示出通过脉冲激光汽相沉积方法形成的In-Ga-Zn-O型无定形氧化物中的载流子浓度与膜形成期间的氧分压之间关系的图。
图2是示出电子迁移率与通过脉冲激光汽相沉积方法形成的In-Ga-Zn-O型无定形氧化物的载流子浓度之间关系的图。
图3是示出使用氩气通过高频溅射方法形成的In-Ga-Zn-O型无定形氧化物的电导率与膜形成期间的氧分压之间关系的图；
图4A、4B和4C分别示出通过脉冲激光汽相沉积方法在氧分压为0.8Pa的含氧气氛中形成的InGaO3(Zn1-xMgxO)4膜的电导率、载流子浓度和电子迁移率相对于x值的变化。
图5示意性示出在示例6-10中制备的顶部栅极型TFT元件的结构。
图6是示出在示例6中制备的采用Y2O3作为栅极绝缘膜的顶部栅极型TFT元件的电流-电压特性的图。
图7A、7B、7C、7D、7E、7F示出制作本发明TFT的过程的第一示例。
图8A、8B、8C、8D、8E、8F示出制作本发明TFT的过程的第二示例。
图9G、9H、9I、9J、9K、9L示出制作本发明TFT的过程的第二示例。
图10示意性示出在示例1中制备的顶部栅极型MISFET元件的结构。
图11示意性示出通过PLD过程形成膜的装置。
图12示意性示出通过溅射过程形成膜的装置。
具体实施方式
首先，描述本发明场效应晶体管的有源层的构造。
本发明的发明人发现一些类型的半绝缘氧化物的无定形薄膜具有电子迁移率随着导电电子数量的增加而增大的特性，还发现使用这种膜制备的TFT具有改善的晶体管特性，如开-关比(on-off ratio)、夹断状态下的饱和电流以及切换率(switching rate)。
通过利用这种透明的半绝缘薄膜作为膜晶体管的沟道层，对于高于1cm2/V.sec、优选高于5cm2/V.sec的电子迁移率来说，在低于1×1018/cm3、优选低于1×1016/cm3的载流子浓度下，断开状态下(没有施加栅电压)漏极端子和源极端子之间的电流可以控制为低于10微安，优选低于0.1微安。此外，通过利用该薄膜，对于高于1cm2/V.sec、优选高于5cm2/V.sec的电子迁移率来说，夹断之后的饱和电流可以提高到10微安或更高，而且开-关比可以提高到高于1×103。
在TFT的夹断状态下，向栅极端子施加高电压，电子以高密度存在于沟道中。因此，按照本发明，饱和电流可以对应于电子迁移率的增加而增大。由此，改善了几乎所有的晶体管特性，如提高开-关比，增大饱和电流和增加切换率。相反，在常用的化合物中，因为电子之间的碰撞，电子数量的增加降低了电子的迁移率。
上述TFT的结构可以是交错(顶部栅极)结构，其中栅极绝缘膜和栅极端子依次形成在半导体沟道层上，也可以是反交错(底部栅极)结构，其中栅极绝缘膜和半导体沟道层依次形成在栅极端子上。
构成有源层的无定形氧化物的具体例子是含有晶体状态的由InGaO3(ZnO)m(m是小于6的自然数)表示的In-Ga-Zn-O的氧化物。另一个例子是包含由InGaO3(Zn1-xMgxO)m(m是小于6的自然数，0＜x≤1)表示的In-Ga-Zn-Mg-O的氧化物，含有浓度低于1×1018/cm3的电子载流子。
该无定形氧化物膜优选展示出超过1cm2/V.sec的电子迁移率。
发现通过利用上述膜作为沟道层，可以制备这样的TFT：以晶体管断开状态下低于0.1微安的栅电流常断，具有超过1×103的开-关比，对可见光透明而且是柔性的。
在上述透明膜中，电子迁移率随着导电电子数量的增加而增大。用于形成该透明膜的衬底包括玻璃板、塑料板和塑料膜。
在采用上述透明氧化物膜作为沟道层的优选实施例中，通过用由SnO2、In2O3、ITO、Tl2O3、TlOF、SrTiO3、EuO、TiO或VO构成的至少一个层形成电极层作为透明电极来制备晶体管。
在采用上述透明氧化物膜作为沟道层的另一优选实施例中，通过用由Au、Ag、Al或Cu构成的至少一层形成电极层作为电极来制备晶体管。
在采用上述透明氧化物膜作为沟道层的又一优选实施例中，通过用由Y2O3或HfO2、其混晶化合物、或SiO2、Si3N4、TiO2、Ta2O5、PbTiO3、BaTa2O6、SrTiO3、MgO或AlN、或其无定形材料构成的至少一层形成栅极绝缘体来制备晶体管。
在另一优选实施例中，该膜在含有氧气的气氛中形成，而不有意添加杂质来增大电阻。
在描述第一至第三实施例之后更为具体地说明用于制作无定形氧化物膜的过程以及用于采用无定形氧化物制造TFT的过程。
通过将本发明的第一至第九方面分类为第一至第三实施例来说明场效应晶体管除有源层之外的构造要求。
对于下面的第一至第三实施例，优选使用如上所述的有源层、电极、栅极绝缘体材料等等。但是，本发明的以下实施例不限于上述有源层等。
(第一实施例：透明的S、D、G电极或叠层电极)
该实施例的场效应晶体管属于本发明上述第一、第二和第三方面的类型。
术语“对可见光透明”表示材料对至少一部分可见光波长范围透明的状态。这种透明性表示不仅没有光吸收而且一部分可见光透过的状态。在本发明中，可见光的透射不低于40％，优选不低于60％，更为优选的是不低于80％。
因此，通过使电极或构成晶体管的其它构件的至少一部分透明来实现高度透明的器件。
源电极、漏电极、栅电极和栅极绝缘膜全都对可见光透明是可取的。
对可见光透明的电极的示例是由SnO2、In2O3、ITO、Tl2O3、TlOF、SrTiO3、EuO、TiO或VO形成的电极。
一般来说，对可见光透明的电极材料具有低电导率或高电阻。因此，具有完全由这种电极材料形成的布线的显示器将具有很高的寄生电阻。因此，该布线由通过对可见光透明的材料形成的第一层和通过金、铜、铝或类似金属或含有该金属的合金形成的第二层的叠层构成。具体地说，例如用透明的第一层围绕晶体管，其它部分通过第一层和第二层的叠层形成，引出布线(lead-wiring)由具有高电导率的第二层形成，由此可以降低寄生电阻。当然，上述源电极、漏电极或栅电极本身可以通过叠层结构形成。
本发明第三方面的场效应晶体管的有源层由如上所述对可见光透明的无定形氧化物构成。该有源层优选构成常断类型的晶体管。
考虑到本发明的第一方面，根据本发明的第三方面，有源层由包含浓度低于1×1018/cm3的载流子的无定形氧化物形成，同时不倾向于随着载流子浓度的增加而增大电子迁移率，并且对可见光透明；并且源电极、漏电极和栅电极中的至少一个对可见光透明。
由此，可以通过使电极或其它构成晶体管的构件的至少一部分透明来制造具有更宽范围的透明性的器件。
(第二实施例：多层栅极绝缘体)
本实施例的场效应晶体管属于本发明上述第四和第五方面的类型。该实施例的有源层优选由至少含有晶体状态的由InGaO3(ZnO)m(m是小于6的自然数)表示的In-Ga-Zn-O的透明无定形氧化物构成，含有浓度低于1×1018/cm3的电子载流子；或者由包含晶体状态的由InGaO3(Zn1-xMgxO)m(m是小于6的自然数，0＜x≤1)表示的In-Ga-Zn-Mg-O的透明无定形氧化物构成。
构成栅极绝缘膜的第一层由例如Y2O3或HfO2或其混晶化合物构成。第二层例如由SiO2、Si3N4、TiO2、Ta2O5、PbTiO3、BaTa2O6、SrTiO3、MgO或AlN或含有上述物质的无定形结构构成。
第一层和第二层的上述材料只是例子，第一层和第二层的材料可以分别用于第二层和第一层。
HfO2和Y2O3是因为高介电常数而具有高电流驱动能力的优异材料。按照本发明人的知识，使用HfO2或Y2O3作为栅极绝缘膜与由InGaO3(ZnO)m或InGaO3(Zn1-xMgxO)m构成的沟道层一起产生了一种展示出异常高迁移率和低阈值的TFT。其机制还不清楚，但推测HfO2或Y2O3形成与InGaO3(ZnO)m或InGaO3(Zn1-xMgxO)m的优异界面，从而用于改善界面特性。
还要求栅极绝缘膜不导致栅极泄漏。栅极泄漏容易在如图5所示的源电极6和漏电极5的端部的高度差(level-difference)部分产生。因此，栅极绝缘层3的厚度优选等于源电极6和漏电极5的厚度，或者是其厚度的两倍。
但是，由于Hf和Y很贵，因此HfO2或Y2O3的厚栅极绝缘膜成为在制造大面积TFT板时导致成本增加的重要因素。
另一方面，HfO2或Y2O3能够形成与无定形氧化物如InGaO3(ZnO)m或InGaO3(Zn1-xMgxO)m的令人满意的界面。因此，这种栅极绝缘膜只用在与沟道层的界面的周围，并且在该栅极绝缘膜上由预定厚度的廉价材料如SiO2和Al2O3形成第二栅极绝缘层。也就是说，第二栅电极用作电流泄漏防止层。
通过这种方式，可以在充分利用HfO2或Y2O3的优异界面特性的同时有效防止栅极泄漏。因此按照本发明，即使用更少量的Hf或Y，也可以获得展示出高迁移率、低阈值但高度可靠没有栅极泄漏的TFT。由此，从高性能和低制造成本的角度来看，上述构造特别适合于大面积TFT板。
根据本发明人的知识，在形成导电层等等或者在沟道层上形成栅极绝缘层之前对由InGaO3(ZnO)m或InGaO3(Zn1-xMgxO)m构成的沟道层的表面进行蚀刻时可能出现以下问题：所形成的TFT中的电流容易随着时间而改变，或者容易出现栅极不足。尽管其详细机制并不知道，大概是可能通过沟道层中的杂质的不期望扩散、降低了的表面平坦度或者微粒的形成导致了该现象。
图7A至7F示出避免上述问题的TFT的构造及其制造过程：
(7A)沟道层2701形成在衬底2700上。
(7B)用掩模2702覆盖表面，并形成漏电极2703和源电极2704。掩模2702从沟道层2701的表面稍微抬起以防止与沟道层2701的表面接触。去掉掩模2702留下了漏电极2703和源电极2704。
(7C)形成第一栅极绝缘膜2705和第二栅极绝缘膜2706。在步骤7A至7C，附接和移除掩模的操作优选在中断外部空气的情况下进行，如在真空中进行。
(7D)形成通孔2707来与漏电极连接，形成通孔2708来通过栅极绝缘膜2705、2706与源电极连接。
(7E)形成导电层2709。
(7F)对导电膜2709形成图案以形成从漏电极引出的布线2710、从源电极引出的布线2711、以及栅电极2712。
在上述步骤中，沟道层2701的表面没有由于导电层和其它膜的形成以及蚀刻而被破坏，从而获得具有高性能和高可靠性的TFT。
图8A至8F和图9G至9L示出防止栅极泄漏并增加栅电极的驱动性能的更为有效的TFT构造及其制造。
(8A)沟道层2801形成在衬底2800上。
(8B)形成第一栅极绝缘膜2802。在步骤8A和8B，操作优选在中断外部空气的情况下进行，如在真空中进行。
(8C)涂敷光抗蚀剂2803，
(8D)对光抗蚀剂2803形成图案。
(8E)蚀刻第一栅极绝缘膜2802，以形成用于漏电极的开口2804和用于源电极2805的开口2805。
(8F)形成第一导电层2806。
(9G)导电层2806的不需要部分在箭头A方向上剥离。
(9H)形成漏电极2807和源电极2808。
(9I)形成第二栅极绝缘膜2809。
(9J)对第二栅极绝缘膜形成图案以形成用于与源电极连接的通孔2810和用于与漏电极连接的通孔2811。
(9K)形成第二导电层2812。
(9L)对第二导电膜2812形成图案以形成从漏电极引出的布线2813、从源电极引出的布线2814以及栅电极2815。
在上述过程中，第一栅极绝缘层2802覆盖整个沟道层2801，但没有覆盖漏电极2808和源电极2809。因此，第一栅极绝缘膜2802、漏电极2808和源电极2809的表面的高度是一致的。因此，第二栅极绝缘膜2809的高度差很小从而没有在栅极导致泄漏，并且第二栅极绝缘膜2809可以对应于栅电极的电容增加以及驱动性能的增加而做得很薄。
图7A至7F、图8A至8F和图9G至9L所示的构造和过程预计对由常见绝缘材料构成的栅极绝缘膜很有效。但是，上述构造和过程尤其是对下述沟道层很有效，该沟道层采用上述至少含有晶体状态的由InGaO3(ZnO)m(m是小于6的自然数)表示的In-Ga-Zn-O并含有浓度低于1×1018/cm3的载流子的透明无定形氧化物，或者包含晶体状态的由InGaO3(Zn1-xMgxO)m(m是小于6的自然数，0＜x≤1)表示的In-Ga-Zn-Mg-O的透明无定形氧化物；并采用由HfO2或Y2O3构成的栅极绝缘膜。
因此按照本发明，可以获得展示出高迁移率和低阈值、几乎不导致栅极泄漏并具有稳定特性的TFT。具体地说，按照本发明制作的大面积TFT板具有高度可靠的平衡特性。
(第三实施例：钝化，表面涂层)
该实施例的场效应晶体管属于本发明上述第七、第八和第九方面的类型。
第五方面的钝化层包括两种概念。第一概念的钝化层是设置在有源层和栅极绝缘层之间的隔离层，并由不同于有源层或栅极绝缘层的材料构成。下面将第一概念的钝化层称为“钝化层”。钝化层由例如无定形硅氧化物、无定形硅氮化物、氧化钛、氧化铝、氧化镁等构成。
第二概念的钝化层是用氧等离子体处理的有源层的最外面的表面部分。下面将用于形成第二概念的钝化层的处理称为“钝化处理”。在这种概念中，没有设置由不同于有源层和栅极绝缘层的材料构成的其它层。当然在该钝化处理之后，可以进一步形成由无定形硅氧化物构成的第一概念的钝化层。
钝化层或钝化处理防止栅极绝缘膜性能的劣化：钝化层用作电流泄漏防止层。
本发明第六方面的场效应晶体管中的表面涂层由无定形硅氮化物、无定形硅氧化物、无定形硅氮化物、氧化钛、氧化铝、氧化镁或类似材料形成。表面涂层可以由与上述钝化层相同的材料或不同的材料构成。
表面涂层提高了衬底和有源层之间的粘附性，从而用作防止膜脱落、降低电流泄漏等等的粘附性改善层。此外，表面涂层可以减缓衬底上的凸出和凹陷，以降低电流泄漏和提高晶体管的开-关比。
在上述采用透明膜的薄膜晶体管中，栅极绝缘膜优选由Al2O3、Y2O3、HfO2或包含其中的两种或更多种的混晶化合物形成。在栅极绝缘薄膜和薄沟道层之间的界面上的任何缺陷都会减小电子迁移率，并且导致晶体管特性的滞后现象。电流泄漏很大程度上依赖于栅极绝缘体的类型。因此，应当选择适合于沟道层的栅极绝缘膜。
上述问题通过引入层间钝化层来改善，使得能够使用具有高介电常数的绝缘层并增大电子迁移率。由此，作为本发明一个方面的层间钝化层使得能够形成电流泄漏和滞后现象减小、电子迁移率增大的TFT。由于栅极绝缘层和沟道层可以在室温下形成，因此TFT可以形成为交错结构或反交错结构。
薄膜晶体管(TFT)是具有栅极端子、源极端子和漏极端子的三端子元件。TFT是有源元件，其采用形成在由陶瓷材料、玻璃材料或塑料材料制成的绝缘衬底上的半导体膜作为用于电子或空穴迁移的沟道层；并且通过对栅极施加电压从而切换源极端子和漏极端子之间的电流来控制流过沟道层的电流。
通过按照需要控制氧缺位量可以控制电子载流子浓度。
在上述第一至第三实施例中，通过在含有规定浓度的氧的气氛中形成膜来控制透明氧化物膜中的氧含量(氧缺位量)。另外，可以在形成膜之后通过在含有氧的气氛中对该氧化物膜进行后处理来控制(减少或增加)氧缺位量。
为了有效控制氧缺位量，含有氧的气氛的温度控制在从0到300℃、优选从25到250℃、更为优选的是从100到200℃的范围内。
当然，膜可以在含有氧的气氛中形成，然后在含有氧的气氛中进行后处理。另外，只要可以获得预期的电子载流子浓度(低于1×1018/cm3)，可以在不控制氧分压的情况下形成膜，并在含有氧的气氛中进行后处理。
在本发明中，根据采用所制作的氧化物膜的元件、电路和器件的类型，电子载流子浓度的下限例如是1×1014/cm3。
(无定形氧化物)
下面说明本发明上述实施例1至实施例3中采用的有源层。
本发明的无定形氧化物中的电子载流子浓度是在室温下测量的值。室温是在0℃到大约40℃范围内的温度，如25℃。本发明无定形氧化物中的电子载流子浓度不需要在从0℃到40℃的整个范围内都低于1×1018/cm3。例如，在25℃的温度下低于1×1018/cm3的电子载流子浓度是可以接受的。在更低的，不高于1×1017/cm3或不高于1×1016/cm3的电子载流子浓度下，可以高产量地制作常断的TFT。
在本说明书中，描述“低于1018/cm3”意思是“优选低于1×1018/cm3而且更为优选的是低于1.0×1018/cm3”。
可以通过测量霍耳效应来测量电子载流子浓度。
本发明的无定形氧化物是一种展现出光环(halo)图案而且在X射线衍射频谱中没有特征衍射线的氧化物。
在本发明的无定形氧化物中，电子载流子浓度的下限例如是1×1012/cm3，但不限于此，只要能用作TFT的沟道层就可以。
因此，在本发明中，通过象在下面描述的示例中那样控制无定形氧化物的材料、成分比、制作条件等等，将电子载流子浓度调节到例如从1×1012/cm3到1×1018/cm3的范围内，优选从1×1013/cm3到1×1017/cm3的范围内，更为优选的是从1×1015/cm3到1×1016/cm3的范围内。
除InZnGa氧化物之外，可以从In氧化物、InxZn1-x氧化物(0.2≤x≤1)、InxSn1-x氧化物(0.8≤x≤1)和Inx(Zn，Sn)1-x氧化物(0.15≤x≤1)中合适地选择无定形氧化物。Inx(Zn，Sn)1-x氧化物还可以由Inx(ZnySn1-y)1-x(0≤y≤1)来表示。
当In氧化物既不包含Zn又不包含Sn时，In可以部分地被Ga代替：InxGa1-x氧化物(0≤x≤1)。
下面详细描述由本发明的发明人制备的电子载流子浓度为1×1018/cm3的无定形氧化物。
一组上述氧化物特征性地由晶体状态的由InGaO3(ZnO)m(m是小于6的自然数)表示的In-Ga-Zn-O构成，并包含浓度低于1×1018/cm3的电子载流子。
另一组上述氧化物特征性地由晶体状态的由InGaO3(Zn1-xMgxO)m(m是小于6的自然数，0＜x≤1)表示的In-Ga-Zn-Mg-O构成，并且包含浓度低于1×1018/cm3的电子载流子。
由这种氧化物构成的膜优选设计为展现出高于1cm2/V.sec的电子迁移率。
通过用上述膜作为沟道层，TFT可以制备成常断而且在晶体管断开状态下栅电流小于0.1微安，开-关比高于1×103，对可见光透明并且是柔性的。
在上述膜中，电子迁移率随着导电电子的增加而增大。形成透明膜的衬底包括玻璃板、塑料板和塑料膜。
在使用上述无定形氧化物膜作为沟道层时，至少一个由Al2O3、Y2O3或HfO2或其混晶化合物构成的层可用作栅极绝缘膜。
在优选实施例中，该膜在含有氧气的气氛中形成，但没有特意向该无定形氧化物中添加杂质来增大电阻。
本发明的发明人发现半绝缘氧化物的无定形薄膜具有其中的电子迁移率随着导电电子数量的增加而增大的特性，还发现利用该膜制备的TFT在诸如开-关比、夹断状态中的饱和电流以及切换率的晶体管特性方面得到了改善。由此，可以利用该无定形氧化物来制作常断类型的TFT。
通过用该无定形氧化物薄膜作为膜晶体管的沟道层，电子迁移率可以高于1cm2/V.sec，优选高于5cm2/V.sec。在载流子浓度低于1×1018/cm3，优选低于1×1018/cm3时，断开状态下(没有施加栅电压)漏极端子和源极端子之间的电流可以控制为低于10微安，优选低于0.1微安。此外，利用该薄膜，对于高于1cm2/V.sec、优选高于5cm2/V.sec的电子迁移率来说，夹断之后的饱和电流可以提高到10微安或更高，而且开-关比可以提高到高于1×103。
在TFT的夹断状态中，向栅极端子施加高电压，电子以高密度存在于沟道中。因此，按照本发明，饱和电流可以对应于电子迁移率的增加而增大。由此，可以改善晶体管特性，如提高开-关比，增大饱和电流和增加切换率。相反，在常见的化合物中，因为电子之间的碰撞，电子的增加降低了电子迁移率。
上述TFT的结构可以是交错(顶部栅极)结构，其中栅极绝缘膜和栅极端子依次形成在半导体沟道层上；也可以是反交错(底部栅极)结构，其中栅极绝缘膜和半导体沟道层依次形成在栅极端子上。
(膜形成的第一过程：PLD过程)
具有晶体状态的成分InGaO3(ZnO)m(m是小于6的自然数)的无定形氧化物薄膜在m小于6时一直到800℃或更高的温度下都是稳定的，而随着m的增加，也就是随着ZnO与InGaO3之比增加到接近ZnO的成分，该氧化物趋向于结晶。因此，为了用作无定形TFT的沟道层，该氧化物的值m优选小于6。
优选通过气相膜形成过程利用具有InGaO3(ZnO)m成分的多晶烧结体作为靶来执行膜形成。在气相膜形成过程中，溅射和脉冲激光汽相沉积是合适的。溅射尤其适用于大批量制作。
但是，在常见条件下形成无定形膜时，可能发生氧缺位，从而无法达到低于1×1018/cm3的电子载流子浓度和低于10S/cm的电导率。利用这种膜，无法构成常断的晶体管。
本发明的发明人利用图11所示的装置通过脉冲激光汽相沉积制作了In-Ga-Zn-O膜。
该膜形成是利用如图11所示的PLD膜形成装置来实施的。
在图11中，附图标记表示如下：701是RP(旋转泵)；702是TMP(涡轮分子泵)；703是预备腔；704是用于RHEED的电子枪；705是用于旋转和垂直移动衬底的衬底保持装置；706是激光引入窗口；707是衬底；708是靶；709是原子团源；710是气体入口；711是用于旋转和垂直移动靶的靶保持装置；712是旁路线；713是主线；714是TMP(涡轮分子泵)；715是RP(旋转泵)；716是钛吸气泵；717是遮挡板；718是IG(离子压力计)；719是PG(皮拉尼压力计)；720是BG(baratron gage，巴拉脱压力计)；721是生长腔。
采用KrF受激准分子激光通过脉冲激光汽相沉积在SiO2的玻璃衬底(Corning公司：1737)上沉积In-Ga-Zn-O类型的无定形氧化物半导体薄膜。作为在沉积之前的预处理，用丙酮、乙醇和超纯水以超声方式清洗衬底各5分钟以进行脱脂，并在空气中在100℃下干燥。
多晶体靶是InGaO3(ZnO)4烧结体(尺寸：直径20mm，厚5mm)，其通过将作为源材料的In2O3、Ga2O3和ZnO(每个是4N试剂)湿法混合(溶剂：乙醇)，锻烧该混合物(1000℃，2小时)，干法压碎该混合物，并烧结该混合物(1550℃，2小时)来制备。该靶具有90S/cm的电导率。
该膜形成通过将生长腔的最终真空度控制为2×10-6Pa，将生长期间的氧分压控制在6.5Pa来进行。生长腔721中的氧分压是6.5Pa，衬底温度是25℃。靶708和膜保持衬底707之间的距离是30mm，通过引入窗口716引入的功率在1.5-3mJ/cm2/脉冲的范围内。脉冲宽度是20nsec，重复频率是10Hz，照射点的尺寸是1×1毫米见方。在上述条件下，该膜以7nm/min的速度形成。
通过小角度X射线散射方法(SAXS)(薄膜方法，入射角：0.5°)来检查所产生的薄膜：没有观察到清楚的衍射峰值。由此判断所获得的In-Ga-Zn-O类型薄膜是无定形的。从X射线的反射率及其图案分析中，发现均方粗糙度(Rrms)大约是0.5nm，膜厚度大约是120nm。根据荧光X射线光谱仪分析(XRF)，发现该膜的金属成分是In∶Ga∶Zn＝0.98∶1.02∶4。电导率小于大约1×10-2S/cm。电子载流子浓度估计不超过1×10-16/cm3。电子迁移率估计大约是5cm2/V.sec。根据光吸收频谱分析，估计所产生的无定形薄膜的光带隙能量宽度大约是3eV。
上述结果表明所获得的In-Ga-Zn-O类型薄膜是一种透明的平薄膜，具有接近晶体InGaO3(ZnO)4的成分的无定形相，具有更少的氧缺位，并具有更低的电导率。
下面参照图1具体说明上述膜形成。图1示出在与上述例子相同的膜形成条件下，所形成的透明无定形氧化物薄膜中的电子载流子浓度相对于用于假设晶体状态的InGaO3(ZnO)m(m是小于6的自然数)成分的膜的氧分压的依赖关系。
通过在与上述例子相同的条件下，在氧分压大于4.5Pa的气氛中形成膜，电子载流子浓度可以降低到1×1018/cm3，如图1所示。在该膜形成过程中，衬底保持在接近室温的温度下而没有特意加热。为了用柔性塑料膜作为衬底，衬底温度优选保持在低于100℃的温度下。
更高的氧分压使得能够降低电子载流子浓度。例如，如图1所示，在衬底温度为25℃、氧分压为5Pa时形成的薄InGaO3(ZnO)4膜具有1×1016/cm3的更低的电子载流子浓度。
在获得的薄膜中，电子迁移率高于1cm2/V.sec，如图2所示。但是，在该例子中，通过脉冲激光汽相沉积在高于6.5Pa的氧分压下沉积的膜具有粗糙的表面，不适于作TFT的沟道层。
因此，可以利用在上述例子中通过脉冲激光汽相沉积方法在高于4.5Pa、优选高于5Pa但低于6.5Pa的氧分压下形成的晶体状态的由InGaO3(ZnO)m(m是小于6的自然数)表示的透明薄无定形氧化物来构成常断类型的晶体管。
上述获得的薄膜展示出高于1cm2/V的电子迁移率，而且开-关比可以高于1×103。
如上所述，在通过PLD方法在该例子中示出的条件下形成InGaZn氧化物膜时，将氧分压控制在优选从4.5Pa到6.5Pa的范围内。
为了达到1×1018/cm3的电子载流子浓度，应当控制氧分压条件、膜形成装置的结构、膜形成材料的类型和成分。
接着，通过用上述装置在6.5Pa的氧分压下形成无定形氧化物来制作如图5所示的顶部栅极类型MISFET元件。具体地说，在玻璃衬底1上，通过上述形成无定形薄Ga-Ga-Zn-O膜的方法形成120nm厚的半绝缘无定形InGaO3(ZnO)4膜以用作沟道层2。此外，在其上通过脉冲激光沉积在该腔中低于1Pa的氧分压下分别以30nm的厚度层叠具有更高电导率的InGaO3(ZnO)4膜和金膜。然后，通过光刻和剥离方法形成漏极端子5和源极端子6。最后，通过电子束汽相沉积方法形成用作栅极绝缘膜3的Y2O3膜(厚度：90nm，相对介电常数：大约15，漏电流密度：施加0.5MV/cm时是1×10-3A/cm3)。在该膜上形成金膜，并通过光刻和剥离形成栅极端子4。
MISFET元件特性的评估
图6示出在室温下测量的MISFET元件的电流-电压特性。从漏电流IDS随着漏电压VDS的增加而增大的情况来看，该沟道应理解为n型半导体。这与无定形In-Ga-Zn-O型半导体是n型的事实相符。IDS在VDS＝6V时饱和(夹断)，这是半导体晶体管的典型性能。根据对增益特性的检查，发现在施加VDS＝4V的情况下栅电压VGS的阈值大约是-0.5V。在VG＝10V时导致IDS＝1.0×10-5A的电流。这对应于通过栅极偏压在In-Ga-Zn-O型无定形半导体薄膜中的载流子感生。
该晶体管的开-关比高于1×103。根据输出特性，计算出场效应迁移率大约是7cm2(Vs)-1。根据相同的测量，可见光的照射不会改变所制作的元件的晶体管特性。
按照本发明，可以制作这样的薄膜晶体管，其具有包含更低浓度电子载流子以实现更高电阻并展示出更高电子迁移率的沟道层。
上述无定形氧化物具有电子迁移率随着电子载流子浓度的增加而增大的优异特性，并展示出简并导电性。在该示例中，薄膜形成在玻璃衬底上。但是塑料板或塑料膜可以用作衬底，因为膜形成可以在室温下进行。此外，在该示例中获得的无定形氧化物仅吸收很少的可见光，从而给出透明的柔性TFT。
(膜形成的第二过程：溅射过程(SP过程))
下面说明利用氩气作为环境气体通过高频SP过程的膜形成。
利用图12所示的装置来实施SP过程。在图12中，附图标记表示如下：807是用于形成膜的衬底；808是靶；805是具有冷却机构的衬底保持装置；814是涡轮分子泵；815是旋转泵；817是遮挡板；818是离子压力计；819是皮拉尼压力计；821是生长腔；830是闸门阀。
用于膜形成的衬底807是SiO2玻璃衬底(Corning公司：1737)，该玻璃衬底已经用丙酮、乙醇和超纯水以超声方式分别清洗5分钟以进行脱脂，并在空气中在100℃下干燥。
所述靶是具有InGaO3(ZnO)4成分的多晶烧结体(尺寸：直径20mm，厚5mm)，其通过将源材料In2O3、Ga2O3和ZnO(每个是4N试剂)湿法混合(溶剂：乙醇)，锻烧该混合物(1000℃，2小时)，干法压碎该混合物，并烧结该混合物(1550℃，2小时)来制备。靶808具有90S/cm的电导率，是半绝缘的。
生长腔821的最终真空度控制为1×10-4托。在生长期间，氧和氩气的总压力恒定地保持在4到0.1×10-1Pa的范围内。氩与氧的分压比在从1×10-3到2×10-1Pa的氧分压范围内变化。
衬底温度是室温。靶808和用于膜形成的衬底807之间的距离是30mm。
输入的电功率是RF180W，膜形成速率是10nm/min。
通过小角度X射线散射方法(SAXS)(薄膜方法，入射角：0.5°)来检查所产生的薄膜：没有观察到清楚的衍射峰值。由此判断所获得的In-Ga-Zn-O类型薄膜是无定形的。从X射线的反射率及其图案分析中，发现均方粗糙度(Rrms)大约是0.5nm，膜厚度大约是120nm。根据荧光X射线光谱仪分析(XRF)，发现该膜的金属成分是In∶Ga∶Zn＝0.98∶1.02∶4。
该膜在环境气体的不同氧分压下形成，并测量所产生的无定形氧化物膜的电导率。图3示出其结果。
如图3所示，可以通过在氧分压高于3×10-2Pa的气氛中进行膜形成来将电导率降至低于10S/cm。电子载流子数目可以通过增加氧分压来减少。
如图3所示，例如，在衬底温度为25℃、氧分压为1×10-1Pa时形成的薄InGaO3(ZnO)4膜具有1×10-10S/cm的更低的电导率。此外，在氧分压为1×10-1Pa时形成的薄InGaO3(ZnO)4膜具有过高的电阻，从而具有不可测量的电导率。对于该膜，尽管不能测量电子迁移率，也可以通过从高电子载流子浓度的膜的值外推来估计出电子迁移率大约是1cm2/V.sec。
因此，可以通过利用通过溅射汽相沉积在含有分压高于3×10-2Pa、优选高于5×10-1Pa的氧的氩气气氛中制作的、由晶体状态的由InGaO3(ZnO)m(m是小于6的自然数)表示的In-Ga-Zn-O构成的透明无定形氧化物薄膜，来获得开-关比高于1×103的常断晶体管。
在使用该示例中采用的装置和材料时，通过溅射进行的膜形成在从3×10-2Pa到5×10-1Pa的氧分压范围内进行。顺便提一句，在通过脉冲激光汽相沉积或溅射制作的薄膜中，电子迁移率随着导电电子数量的增加而增大，如图2所示。
如上所述，通过控制氧分压可以减少氧缺位，由此可以减小电子载流子浓度。在无定形薄膜中，因为在不同于多晶体状态的无定形状态中基本上不存在晶界，所以电子迁移率可以很高。
顺便提一句，用200μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜替换玻璃衬底不会改变其上面形成的InGaO3(ZnO)4无定形氧化物膜的特性。
利用多晶体InGaO3(Zn1-xMgxO)m作为靶，甚至在低于1Pa的氧分压下，也可以获得高电阻无定形膜InGaO3(Zn1-xMgxO)m(m是小于6的自然数，0＜x≤1)。例如，利用80原子百分比的Zn被Mg代替的靶，可以通过脉冲激光沉积在含有分压为0.8Pa的氧的气氛中实现低于1×1016/cm(电阻：大约是1×10-2S/cm)的电子载流子浓度。在这种膜中，电子迁移率低于无Mg膜的电子迁移率，但是减小的程度很小：电子迁移率在室温下是5cm2/V.sec，比无定形硅的电子迁移率高大约一位。当在相同的条件下形成膜时，增加Mg的含量将同时降低电导率和电子迁移率。因此Mg的含量优选在20％到85％内变化(0.2＜x＜0.85)。
如上所述，通过控制氧分压减少了氧缺位，而且可以在不添加特定杂质离子的情况下降低电子载流子浓度。在该无定形薄膜中，电子迁移率可以很高，这是因为在无定形状态下基本上不存在晶界，这不同于多晶体状态。此外，由于可以在不添加特定杂质离子的情况下减小电导率，因此电子迁移率可以保持为高，而不被杂质散射。
在采用上述无定形氧化物膜的薄膜晶体管中，栅极绝缘膜优选包括含有Al2O3、Y2O3、HfO2及其化合物中的两种或更多的混晶化合物。
在栅极绝缘薄膜和沟道层薄膜之间的界面上存在缺陷降低了电子迁移率，并导致晶体管特性的滞后现象。此外，电流泄漏很大程度上取决于栅极绝缘膜的类型。因此，应当选择适合用于沟道层的栅极绝缘膜。可以利用Al2O3膜来降低电流泄漏，可以利用Y2O3膜来减小滞后现象，可以利用具有高介电常数的HfO2膜来增大电子迁移率。利用上述化合物的混晶，可以形成产生更小电流泄漏、更低滞后现象并展现更高电子迁移率的TFT。由于栅极绝缘膜形成过程和沟道层形成过程可以在室温下进行，因此可以按照交错结构或反交错结构来形成TFT。
由此形成的TFT是具有栅极端子、源极端子和漏极端子的三端子元件。该TFT通过在陶瓷、玻璃或塑料的绝缘衬底上形成半导体薄膜作为用于电子或空穴迁移的沟道层来形成，并用作有源元件，具有通过对栅极端子施加电压来控制流过沟道层的电流并切换源极端子和漏极端子之间的电流的功能。
在本发明中，重要的是通过控制氧缺位量来达到期望的电子载流子浓度。
在上述描述中，通过控制膜形成气氛中的氧浓度来控制无定形氧化物膜中的氧含量。另外，作为优选实施例，通过在含有氧的气氛中对该氧化物膜进行后处理来控制(减少或增加)氧缺位量。
为了有效控制氧缺位量，含有氧的气氛的温度控制在从0到300℃、优选从25到250℃、更为优选的是从100到200℃的范围内。
当然，膜可以在含有氧的气氛中形成，并在含有氧的气氛中进行后处理。另外，只要可以获得期望的电子载流子浓度(低于1×1018/cm3)，可以在不控制氧分压的情况下形成膜，并在含有氧的气氛中进行后处理。
在本发明中，电子载流子浓度的下限根据采用所制作的氧化物膜的元件、电路和器件的类型例如是1×1014/cm3。
(更宽的材料范围)
在调查其它用于该系统的材料之后，发现由Zn、In和Sn元素的至少一种氧化物构成的无定形氧化物可用作低载流子浓度和高电子迁移率的无定形氧化物膜。发现该无定形氧化物膜具有导电电子数量的增加导致电子迁移率增大的特殊特性。利用该膜可以制作晶体管特性如开-关比、夹断状态的饱和电流和切换率非常优异的常断类型TFT。
可以通过另外将下面所给出的一种元素添加到上述包含Zn、In和Sn中至少一种元素的无定形氧化物中来形成络合氧化物，该添加的元素包括：
原子序号低于Zn的第2族元素M2(Mg和Ca)，
原子序号低于In的第3族元素M3(B、Al、Ga和Y)，
原子序号低于Sn的第4族元素M4(Si、Ge和Zr)，
第5族元素M5(V、Nb和Ta)以及Lu和W。
在本发明中，具有以下(a)至(h)任一种特性的氧化物都是有用的：
(a)电子载流子浓度低于1×1018/cm3的无定形氧化物；
(b)电子迁移率随着电子载流子浓度的增加而增大的无定形氧化物；
(室温表示从大约0℃到大约40℃的温度。术语“无定形化合物”表示一种在X射线衍射频谱中只展示出光环图案而没有展示出特征衍射图案的化合物。电子迁移率表示通过霍耳效应测量的电子迁移率。)
(c)在(a)或(b)中提到的、电子迁移率在室温下高于0.1cm2/V.sec的无定形氧化物；
(d)在(b)至(c)中任何一项中提到的、展示出简并导电性的无定形氧化物；
(术语“简并导电性”表示这样一种状态，其中电阻的温度依赖关系中的热激活能量不高于30meV。)
(e)在(a)至(d)中任何一项所述的、包含Zn、In和Sn中至少一种元素作为构成元素的无定形氧化物；
(f)由(e)提到的无定形氧化物和以下元素中的另外至少一种构成的无定形氧化物膜：
原子序号低于Zn的第2族元素M2(Mg和Ca)，
原子序号低于In的第3族元素M3(B、Al、Ga和Y)，
原子序号低于Sn的第4族元素M4(Si、Ge和Zr)，
第5族元素M5(V、Nb和Ta)以及Lu和W以降低电子载流子浓度；
(分别具有低于Zn、In和Sn的原子序数的元素M2，M3、M4高度离子化，由此产生更少的氧缺位，而且降低了电子载流子浓度。具有高于Ga的原子序数的元素Lu具有很小的离子半径，并且高度离子化，从而可起到与M3相同的功能。可离子化为+5价的M5可以与氧很强地键合，不容易产生氧缺位。可离子化为+6价的W可以与氧很强地键合，不容易产生氧缺位。)
(g)在(a)至(f)中任何一项所提到的无定形氧化物膜，由具有晶体状态的In1-xM3xO3(Zn1-yM2yO)m(0≤x≤1；0≤y≤1；m是0或小于6的自然数)成分的单一化合物构成，或m不同的上述化合物的混合物构成，例如，M3是Ga，M2是Mg；
(h)在(a)至(g)中任何一项所提到的、形成在塑料衬底或塑料膜上的无定形氧化物膜。
本发明还提供采用上述无定形氧化物或无定形氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管。
制备这样的场效应晶体管，其采用电子载流子浓度低于1×1018/cm3但高于1×1015/cm3的无定形氧化物膜作为沟道层，并具有源极端子、漏极端子、插入了栅极绝缘膜的栅极端子。当在源极端子和漏极端子之间施加大约5V的电压而没有施加栅电压时，源极和漏极端子之间的电流大约是1×10-7安培。
氧化物晶体中的电子迁移率随着金属离子的s轨道的重叠增加而增大。在具有较高原子序号的Zn、In或Sn的氧化物晶体中，电子迁移率在0.1到200cm2/V.sec的范围内。
在氧化物中，氧和金属离子通过离子键结合而没有化学键的取向，具有随机的结构。因此在无定形状态下的氧化物中，电子迁移率与晶体状态下的电子迁移率相当。
另一方面，用较低原子序号的元素来代替Zn、In或Sn会降低电子迁移率。由此，本发明的无定形氧化物中的电子迁移率在大约0.01到20cm2/V.sec的范围内。
在具有由上述氧化物构成的沟道层的晶体管中，优选由Al2O3、Y2O3和HfO2或包含其中两种或更多的混晶化合物来形成栅极绝缘膜。
在栅极绝缘薄膜和沟道层薄膜之间的界面上存在缺陷降低了电子迁移率，并导致晶体管特性的滞后现象。此外，电流泄漏很大程度上取决于栅极绝缘膜的类型。因此，应当选择适合用于沟道层的栅极绝缘膜。可以利用Al2O3膜来降低电流泄漏，可以利用Y2O3膜来减小滞后现象，可以利用具有高介电常数的HfO2膜来增大电子迁移率。利用上述化合物的混晶，可以形成产生更小电流泄漏、更低滞后现象并展现更高电子迁移率的TFT。由于栅极绝缘膜形成过程和沟道层形成过程可以在室温下进行，因此可以按照交错结构或反交错结构来形成TFT。
In2O3氧化物膜可以通过气相过程来形成，在大约0.1Pa的氧分压下向膜形成气氛增加湿度会使形成的膜无定形。
ZnO和SnO2分别无法容易地形成为无定形膜状态。为了形成无定形状态的ZnO膜，添加20原子百分比的In2O3。为了形成无定形状态的SnO2膜，添加90原子百分比的In2O3。在形成Sn-In-O类型的无定形膜时，在膜形成气氛中引入大约0.1Pa的分压的气态氮。
可以向上述无定形膜添加能够形成络合氧化物的元素，该元素从原子序号低于Zn的第2族元素M2(Mg和Ca)、原子序号低于In的第3族元素M3(B、Al、Ga和Y)、原子序号低于Sn的第4族元素M4(Si、Ge和Zr)、第5族元素M5(V、Nb、Ta)以及Lu和W中选择。上述元素的添加在室温下稳定了无定形膜，并加宽了用于形成无定形膜的成分范围。
具体地说，添加倾向于形成共价键的B、Si或Ge有利于无定形相稳定。添加由离子半径极为不同的离子构成的络合氧化物有利于无定形相稳定。例如，在In-Zn-O系统中，为了形成在室温下稳定的膜，应当包含超过大约20原子百分比的In。但是，添加含量等同于In的Mg使得能够在不低于约15原子百分比的In的成分范围内形成稳定的无定形膜。
在气相膜形成中，通过控制膜形成气氛可以获得电子载流子浓度在1×1015/cm3到1×1018/cm3范围内的无定形氧化物膜。
无定形氧化物膜可以通过汽相过程，如脉冲激光汽相沉积过程(PLD过程)、溅射过程(SP过程)和电子束汽相沉积，来适当地形成。在汽相过程中，PLD过程适于使材料合成控制变得容易，而SP过程适于大批量制作。但是，膜形成过程不限于此。
(通过PLD过程形成In-Zn-Ga-O类型的无定形氧化物膜)
In-Zn-Ga-O类型的无定形氧化物通过采用KrF受激准分子激光的PLD过程沉积在玻璃衬底(Corning公司：1737)上，其中用多晶烧结体作为具有InGaO3(ZnO)或InGaO3(ZnO)4成分的靶。
采用上面已描述过的图11所示的装置，膜形成条件和前面针对该装置所描述的条件相同。
衬底温度是25℃。
通过小角度X射线散射方法(SAXS)(薄膜方法，入射角：0.5°)来检查所产生的两个薄膜：没有观察到清楚的衍射峰值，这表示用两种不同靶制作的In-Ga-Zn-O类型薄膜都是无定形的。
从玻璃衬底的In-Zn-Ga-O类型无定形氧化物膜的X射线反射率及其图案分析中，发现该薄膜的均方粗糙度(Rrms)大约是0.5nm，膜厚度大约是120nm。根据荧光X射线光谱仪分析(XRF)，发现用InGaO3(ZnO)的多晶烧结体作为靶获得的膜包含成分比为In∶Ga∶Zn＝1.1∶1.1∶0.9的金属，而用InGaO3(ZnO)4的多晶烧结体作为靶获得的膜包含成分比为In∶Ga∶Zn＝0.98∶1.02∶4的金属。
无定形氧化物膜在膜形成气氛的各种氧分压下用具有InGaO3(ZnO)4成分的靶来形成。测量所形成的无定形氧化物膜的电子载流子浓度。图1示出其结果。通过在氧分压高于4.2Pa的气氛中形成膜，可以将电子载流子浓度降低到低于1×1018/cm3，如图1所示。在该膜形成中，衬底保持在接近室温的温度而无需特意加热。在氧分压低于6.5Pa时，所获得的无定形氧化物膜的表面是平的。
在氧分压为5Pa时，在用InGaO3(ZnO)4靶形成的无定形膜中，电子载流子浓度为1×1016/cm3，电导率是1×10-2S/cm，电子迁移率估计大约是5cm2/V.sec。根据光吸收频谱分析，估计所产生的无定形薄膜的光带隙能量宽度大约是3eV。
更高的氧分压进一步降低了电子载流子浓度。如图1所示，在衬底温度为25℃、氧分压为6Pa时形成的In-Zn-Ga-O类型的无定形氧化物膜中，电子载流子浓度降低到8×1015/cm3(电导率：大约是8×10-3S/cm)。膜中的电子迁移率估计是1cm2/V.sec或更大。但是，通过PLD过程，在氧分压为6.5Pa或更高时，沉积的膜具有粗糙的表面，不适于用作TFT的沟道层。
In-Zn-Ga-O类型的无定形氧化物膜在膜形成气氛的各种氧分压下用具有InGaO3(ZnO)4成分的多晶烧结体构成的靶来形成。针对电子载流子浓度和电子迁移率之间的关系来检查所产生的膜。图2示出了该结果。对应于电子载流子浓度从1×1016/cm3增加到1×1020/cm3，电子迁移率也从3cm2/V.sec增加到大约11cm2/V.sec。在用多晶体烧结InGaO3(ZnO)靶获得的无定形氧化物膜中也观察到相同的趋势。
形成在代替玻璃衬底的200μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上的In-Zn-Ga-O类型无定形氧化物膜具有类似的特性。
(通过PLD过程来形成In-Zn-Ga-Mg-O类型的无定形氧化物膜)
通过PLD过程用InGaO3(Zn1-xMgxO)4(0＜x≤1)靶在玻璃衬底上形成InGaO3(Zn1-xMgxO)4(0＜x≤1)膜。所采用的装置是如图11所示的装置。
SiO2玻璃衬底(Corning公司：1737)用作衬底。作为预处理，用丙酮、乙醇和超纯水以超声方式分别清洗衬底5分钟以进行脱脂，并在空气中在100℃下干燥。该靶是InGaO3(Zn1-xMgxO)4(x＝1-0)的烧结体(尺寸：直径20mm，厚5mm)。
该靶通过将源材料In2O3、Ga2O3和ZnO(每个是4N试剂)湿法混合(溶剂：乙醇)，锻烧该混合物(1000℃，2小时)，干法压碎该混合物，并烧结该混合物(1550℃，2小时)来制备。生长腔中的最终压力是2×10-6Pa。生长期间的氧分压控制在0.8Pa。衬底温度是室温(25℃)。靶和用于形成膜的衬底之间的距离是30mm。KrF受激准分子激光以 1.5mJ/cm2/脉冲的功率照射，其脉冲宽度为20nsec，重复频率是10Hz，照射点的尺寸是1×1毫米见方。膜形成速度是7nm/min。在该膜形成气氛中的氧分压是0.8Pa。衬底温度是25℃。
通过小角度X射线散射方法(SAXS)(薄膜方法，入射角：0.5°)来检查所产生的薄膜：没有观察到清楚的衍射峰值。因此，所获得的In-Ga-Zn-Mg-O类型薄膜是无定形的。所产生的膜具有平坦的表面。
利用不同x值(Mg的含量不同)的靶，在氧分压为0.8Pa的膜形成气氛中形成In-Zn-Ga-Mg-O类型的无定形氧化物膜，以调查导电性、电子载流子浓度和电子迁移率对x值的依赖性。
图4A、4B和4C示出其结果。在x值高于0.4时，在氧分压为0.8Pa的膜形成气氛下通过PLD过程形成的无定形氧化物膜中，电子载流子浓度降低到小于1×1018/cm3。在x值高于0.4的无定形膜中，电子迁移率高于1cm2/V。
如图4A、4B和4C中所示，可以在通过脉冲激光沉积过程用80原子百分比的Zn被Mg代替的靶而且在0.8的氧分压下制备的膜(电阻：大约是1×10-2S.cm)中实现低于1×1016/cm3的电子载流子浓度。在这种膜中，与无Mg膜相比，减小了电子迁移率，但是减小的程度很小。该膜中的电子迁移率大约是5cm2/V.sec，比无定形硅的电子迁移率高大约一位。在相同的膜形成条件下，膜中的电导率和电子迁移率都随着Mg含量的增加而降低。因此，膜中的Mg含量优选大于20原子百分比且低于85原子百分比(0.2＜x＜0.85)，更为优选的是0.5＜x＜0.85。
形成在代替玻璃衬底的200μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上的InGaO3(Zn1-xMgxO)4(0＜x≤1)无定形膜具有类似的特性。
(通过PLD过程来形成In2O3无定形氧化物膜)
通过采用KrF受激准分子激光的PLD过程用In2O3多晶烧结体构成的靶在200μm厚的PET膜上形成In2O3膜。
采用图11所示的装置。用于形成膜的衬底是SiO2玻璃衬底(Corning公司：1737)。
作为在沉积之前的预处理，用丙酮、乙醇和超纯水以超声方式清洗衬底各5分钟以进行脱脂，并在空气中在100℃下干燥。
该靶是In2O3烧结体(尺寸：直径20mm，厚5mm)，其通过锻烧源材料In2O3(4N试剂)(1000℃，2小时)，干法压碎，和烧结(1550℃，2小时)来制备。
生长腔的最终真空度是2×10-6Pa，生长期间的氧分压是5Pa，衬底温度是25℃。
水蒸气分压是0.1Pa，通过施加200W由氧原子团产生组件来产生氧原子团。
靶和膜保持衬底之间的距离是40mm，KrF受激准分子激光的功率在0.5mJ/cm2/脉冲，脉冲宽度是20nsec，重复频率是10Hz，照射点的尺寸是1×1毫米见方。
膜形成速率是3nm/min。
通过小角度X射线散射方法(SAXS)(薄膜方法，入射角：0.5°)来检查所产生的薄膜：没有观察到清楚的衍射峰值，这表示所获得的In-O类型氧化物膜是无定形的。膜厚度是80nm。
在所获得的In-O类型无定形氧化物膜中，电子载流子浓度是5×1017/cm3，电子迁移率大约是7cm2/V.sec。
(通过PLD过程形成In-Sn-O类型无定形氧化物膜)
通过采用KrF受激准分子激光的PLD过程用(In0.9Sn0.1)O3.1多晶烧结体构成的靶在200μm厚的PET膜上形成In-Sn-O型氧化物膜。所采用的装置如图11所示。
用于形成膜的衬底是SiO2玻璃衬底(Corning公司：1737)。
作为在沉积之前的预处理，用丙酮、乙醇和超纯水以超声方式清洗衬底各5分钟以进行脱脂，并在空气中在100℃下干燥。
该靶是In2O3-SnO2烧结体(尺寸：直径20mm，厚5mm)，其通过湿法混合源材料In2O3-SnO2(4N试剂)(溶剂：乙醇)，锻烧该混合物(1000℃，2小时)，干法压碎，和烧结(1550℃，2小时)该混合物来制备。
衬底保持在室温下。氧分压是5Pa。氮分压是0.1Pa。通过施加200W由氧原子团产生组件来产生氧原子团。
靶和膜保持衬底之间的距离是30mm，KrF受激准分子激光的功率在1.5mJ/cm2/脉冲，脉冲宽度是20nsec，重复频率是10Hz，照射点的尺寸是1×1毫米见方。
膜形成速率是6nm/min。
通过小角度X射线散射方法(SAXS)(薄膜方法，入射角：0.5°)来检查所产生的薄膜：没有观察到清楚的衍射峰值，这表示所获得的In-Sn-O类型氧化物膜是无定形的。
在所获得的In-Sn-O类型无定形氧化物膜中，电子载流子浓度是8×1017/cm3，电子迁移率大约是5cm2/V.sec。膜厚度是100nm。
(通过PLD过程形成In-Ga-O型无定形氧化物膜)
用于形成膜的衬底是SiO2玻璃衬底(Corning公司：1737)。
作为在沉积之前的预处理，用丙酮、乙醇和超纯水以超声方式清洗衬底各5分钟以进行脱脂，并在空气中在100℃下干燥。
该靶是(In2O3)1-x-(Ga2O3)x(x＝0-1)的烧结体(尺寸：直径20mm，厚5mm)。例如，在x＝0.1时，该靶是(In0.9Ga0.1)2O3的多晶烧结体。
该靶通过湿法混合源材料In2O3-Ga2O2(4N试剂)(溶剂：乙醇)，锻烧该混合物(1000℃，2小时)，干法压碎，和烧结(1550℃，2小时)该混合物来制备。
生长腔的最终压力是2×10-6Pa。生长期间的氧分压是1Pa。
衬底保持在室温下。靶和膜保持衬底之间的距离是30mm。KrF受激准分子激光的功率在1.5mJ/cm2/脉冲。脉冲宽度是20nsec。重复频率是10Hz。照射点的尺寸是1×1毫米见方。膜形成速率是6nm/min。
衬底温度是25℃。氧压力是1Pa。通过小角度X射线散射方法(SAXS)(薄膜方法，入射角：0.5°)来检查所产生的薄膜：没有观察到清楚的衍射峰值，这表示所获得的In-Ga-O类型氧化物膜是无定形的。膜厚度是120nm。
在所获得的In-Ga-O类型无定形氧化物膜中，电子载流子浓度是8×1016/cm3，电子迁移率大约是1cm2/V.sec。
(制备具有In-Zn-Ga-O型无定形氧化物膜(玻璃衬底)的TFT元件)
制备如图5所示的顶部栅极类型的TFT元件。
首先，在玻璃衬底1上，通过上述PLS装置用具有InGaO3(ZnO)4成分的多晶烧结体构成的靶在5Pa的氧分压下制备In-Ga-Zn-O型无定形氧化物膜。所形成的In-Ga-Zn-O膜为120nm厚，并用作沟道层2。
此外，在其上通过PLD方法在该腔中低于1Pa的氧分压下分别以30nm的厚度层叠具有更高电导率的另一个In-Ga-Zn-O型无定形膜和金层。通过光刻和剥离方法从其中形成漏极端子5和源极端子6。
最后，通过电子束汽相沉积形成Y2O3膜作为栅极绝缘膜3(厚度：90nm，相对介电常数：大约15，漏电流密度：施加0.5MV/cm时是1×10-3A/cm3)。此外，在该膜上形成金膜，并通过光刻和剥离从其中形成栅极端子4。沟道长度是50μm，沟道宽度是200μm。
TFT元件特性的评估
图6示出TFT元件在室温下的电流-电压特性。漏电流IDS随着漏电压VDS的增加而增大，这表明该沟道是n型导电型。
这与无定形In-Ga-Zn-O型半导体是n型的事实相符。IDS在VDS＝6V时饱和(夹断)，这是半导体晶体管的典型性能。根据对增益特性的检查，发现在施加VDS＝4V的情况下栅电压VGS的阈值大约是-0.5V。在VG＝10V时导致IDS＝1.0×10-5A的电流。这对应于通过栅极偏压在作为绝缘体的In-Ga-Zn-O型无定形半导体薄膜中的载流子感生。
该晶体管的开-关比高于1×103。根据输出特性，计算出在饱和区域中场效应迁移率大约是7cm2(Vs)-1。根据相同的测量，可见光的照射不会改变所制作的元件的晶体管特性。
电子载流子浓度低于1×1018/cm3的无定形氧化物可以用作TFT的沟道层。优选的是，电子载流子浓度小于1×1017/cm3。更为优选的是小于1×1016/cm3。
(制备具有In-Zn-Ga-O型无定形氧化物膜(无定形衬底)的TFT元件)
制备如图5所示的顶部栅极类型的TFT元件。
首先，在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜1上，通过上述PLS装置用具有InGaO3(ZnO)成分的多晶烧结体构成的靶在氧分压为5Pa的气氛中制备In-Ga-Zn-O型无定形氧化物膜。所形成的膜为120nm厚，并用作沟道层2。
此外，在其上通过PLD方法在该腔中低于1Pa的氧分压下分别以30nm的厚度层叠具有更高电导率的另一个In-Ga-Zn-O型无定形膜和金层。通过光刻和剥离方法从其中形成漏极端子5和源极端子6。
最后，通过电子束汽相沉积方法形成栅极绝缘膜3。此外在该膜上形成金膜，并通过光刻和剥离从其中形成栅极端子4。沟道长度是50μm，沟道宽度是200μm。分别利用以下三种栅极绝缘膜的一种来制备上述结构的三种TFT：Y2O3(140nm厚)，Al2O3(130μm厚)，HfO2(140μm厚)。
TFT元件特性的评估
形成在PET膜上的TFT元件在室温下具有类似于图6所示的电流-电压特性。漏电流IDS随着漏电压VDS的增加而增大，这表明该沟道是n型导电型。这与无定形In-Ga-Zn-O型半导体是n型的事实相符。IDS在VDS＝6V时饱和(夹断)，这是半导体晶体管的典型性能。在VG＝0V时导致IDS＝1.0×10-8A的电流，在VG＝10V时导致IDS＝2.0×10-5A的电流。这对应于通过栅极偏压在作为绝缘体的In-Ga-Zn-O型无定形半导体氧化物膜中的载流子感生。
该晶体管的开-关比高于1×103。根据输出特性，计算出在饱和区域中场效应迁移率大约是7cm2(Vs)-1。
形成在PET膜上的元件以30nm的曲率半径弯曲，并在该状态下测量晶体管特性。但是没有观察到晶体管特性的变化。可见光的照射不会改变该晶体管特性。
采用Al2O3膜作为栅极绝缘膜的TFT也具有类似于图6所示的晶体管特性。在VG＝0V时导致IDS＝1.0×10-8A的电流，在VG＝10V时导致IDS＝5.0×10-6A的电流。该晶体管的开-关比高于1×102。根据输出特性，计算出在饱和区域内的场效应迁移率大约是2cm2(Vs)-1。
采用HfO2膜作为栅极绝缘膜的TFT也具有类似于图6所示的晶体管特性。在VG＝0V时导致IDS＝1×10-8A的电流，在VG＝10V时导致IDS＝1.0×10-6A的电流。该晶体管的开-关比高于1×102。根据输出特性，计算出在饱和区域内的场效应迁移率大约是10cm2(Vs)-1。
(通过PLD过程制备采用In2O3无定形氧化物膜的TFT元件)
制备如图5所示的顶部栅极类型的TFT元件。
首先，在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜1上，通过PLD方法形成厚度为80nm的In2O3型无定形氧化物膜作为沟道层2。
此外，在其上通过PLD方法在该腔中的氧分压低于1Pa、向氧原子团产生组件施加零伏的电压时分别以30nm的厚度层叠具有更高电导率的另一个In2O3无定形膜和金层。通过光刻和剥离方法从其中形成漏极端子5和源极端子6。
最后，通过电子束汽相沉积方法形成Y2O3膜作为栅极绝缘体3。此外在该膜上形成金膜，并通过光刻和剥离从其中形成栅极端子4。
TFT元件特性的评估
在室温下检查形成在PET膜上的TFT元件的电流-电压特性。漏电流IDS随着漏电压VDS的增加而增大，这表明该沟道是n型导体。这与无定形In-O型无定形氧化物膜是n型导体的事实相符。IDS在大约VDS＝6V时饱和(夹断)，这是晶体管的典型性能。在VG＝0V时导致IDS＝2×10-8A的电流，在VG＝10V时导致IDS＝2.0×10-6A的电流。这对应于通过栅极偏压在作为绝缘体的In-O型无定形氧化物膜中的电子载流子感生。
该晶体管的开-关比高于1×102。根据输出特性，计算出饱和区域中的场效应迁移率大约是1×10cm2(Vs)-1。形成在玻璃衬底上的TFT元件具有相似的特性。
形成在PET膜上的元件以30nm的曲率半径弯曲，并在该状态下测量晶体管特性。但是没有观察到晶体管特性的变化。
(通过PLD过程制备采用In-Sn-O型无定形氧化物膜的TFT元件)
制备如图5所示的顶部栅极类型的TFT元件。
首先，在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜1上，通过PLD方法形成厚度为100nm的In-Sn-O型无定形氧化物膜作为沟道层2。
此外，在其上通过PLD方法在该腔中的氧分压低于1Pa、向氧原子团产生组件施加零伏的电压时分别以30nm的厚度层叠具有更高电导率的另一个In-Sn-O无定形膜和金层。通过光刻和剥离方法从其中形成漏极端子5和源极端子6。
最后，通过电子束汽相沉积方法形成Y2O3膜作为栅极绝缘膜3。此外在该膜上形成金膜，并通过光刻和剥离从其中形成栅极端子4。
TFT元件特性的评估
在室温下检查形成在PET膜上的TFT元件的电流-电压特性。漏电流IDS随着漏电压VDS的增加而增大，这表示该沟道是n型导体。这与无定形In-Sn-O型无定形氧化物膜是n型导体的事实相符。IDS在大约VDS＝6V时饱和(夹断)，这是晶体管的典型性能。在VG＝0V时导致IDS＝5×10-8A的电流，在VG＝10V时导致IDS＝5.0×10-5A的电流。这对应于通过栅极偏压在作为绝缘体的In-Sn-O型无定形氧化物膜中的电子载流子感生。
该晶体管的开-关比高于1×103。根据输出特性，计算出饱和范围中的场效应迁移率大约是5cm2(Vs)-1。形成在玻璃衬底上的TFT元件具有相似的特性。
形成在PET膜上的元件以30nm的曲率半径弯曲，并在该状态下测量晶体管特性。没有因此导致晶体管特性的变化。
(通过PLD过程制备采用In-Ga-O型无定形氧化物膜的TFT元件)
制备如图5所示的顶部栅极类型的TFT元件。
首先，在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜1上，通过示例6所示的PLD方法形成厚度为120nm的In-Ga-O型无定形氧化物膜作为沟道层2。
此外，在其上通过PLD方法在该腔中的氧分压低于1Pa、向氧原子团产生组件施加零伏的电压时分别以30nm的厚度层叠具有更高电导率的另一个In-Ga-O无定形膜和金层。通过光刻和剥离方法从其中形成漏极端子5和源极端子6。
最后，通过电子束汽相沉积方法形成Y2O3膜作为栅极绝缘膜3。此外在该膜上形成金膜，并通过光刻和剥离从其中形成栅极端子4。
TFT元件特性的评估
在室温下检查形成在PET膜上的TFT元件的电流-电压特性。漏电流IDS随着漏电压VDS的增加而增大，这表明该沟道是n型导体。这与无定形In-Ga-O型无定形氧化物膜是n型导体的事实相符。IDS在大约VDS＝6V时饱和(夹断)，这是晶体管的典型性能。在VG＝0V时导致IDS＝1×10-8A的电流，在VG＝10V时导致IDS＝1.0×10-6A的电流。这对应于通过栅极偏压在作为绝缘体的In-Ga-O型无定形氧化物膜中的电子载流子感生。
该晶体管的开-关比大约是1×102。根据输出特性，计算出饱和范围中的场效应迁移率大约是0.8cm2(Vs)-1。形成在玻璃衬底上的TFT元件具有相似的特性。
形成在PET膜上的元件以30nm的曲率半径弯曲，并在该状态下测量晶体管特性。没有因此导致晶体管特性的变化。
电子载流子浓度低于1×1018/cm3的无定形氧化物可以用作TFT的沟道层。优选的是，电子载流子浓度不高于1×1017/cm3。，更为优选的是不高于1×1016/cm3。
描述上述实施例的例子。本发明不仅覆盖了第一实施例的发明，还覆盖了第一实施例结合第二发明并进一步结合第三实施例的发明。无论如何本发明都不限于下面所给出的例子。
A.第一发明的例子
(示例1：制备无定形In-Ga-Zn-O薄膜)
在玻璃衬底(Corning公司：1737)上，通过采用KrF受激准分子激光的脉冲激光汽相沉积方法，用具有InGaO3(ZnO)4成分的多晶烧结体作为靶，沉积In-Zn-Ga-O型无定形氧化物。
利用该薄膜制备如图5所示的顶部栅极类型的MISEFT元件。
首先，通过上述无定形In-Ga-Zn-O薄膜形成过程在玻璃衬底1上形成40nm厚的半绝缘无定形膜InGaO3(ZnO)4作为沟道层2。
此外在该膜上，通过脉冲激光沉积过程分别以30nm的厚度层叠具有更高电导率的In2O3无定形膜和金层。通过光刻和剥离方法从其中形成漏极端子5和源极端子6。
最后，通过电子束汽相沉积方法形成Y2O3膜作为栅极绝缘膜3(厚100nm，相对介电常数大约15)。此后在该膜上形成金膜，通过光刻和剥离从其中形成栅极端子4。
具体地说，可以通过至少在漏电极和源电极的一个上不形成导电金膜以保持那里透明来使该TFT局部对可见光透明。另外，可以用高导电性的ITO形成源电极、漏电极或栅电极，而不在其上形成金膜。利用这种结构，可以形成在可见光区域透明的TFT。这种TFT优选用于驱动显示器。
优选地，源电极、漏电极和栅电极是透明的，用于电连接的布线由高导电性的金属制成。在该结构中，在源电极、漏电极或栅电极附近，金属布线层叠在透明电极上。
(示例2：制备MISFET元件)
按照与示例1类似的方式制备如图5所示的顶部栅极类型的MISEFT元件。
在玻璃衬底1上形成30nm厚的半绝缘无定形InGaO3(ZnO)4膜作为沟道层2。
此外在该膜上，通过脉冲激光沉积过程层叠40nm厚的、具有更高电导率的SnO2膜。通过光刻和剥离方法从其中形成漏极端子5和源极端子6。
最后，通过电子束汽相沉积方法形成TiO2膜作为栅极绝缘膜3(厚110nm，相对介电常数大约11)。此后在该膜上形成金膜，通过光刻和剥离方法从其中形成栅极端子4。
由此提供了一种在漏极端子和源极端子部分对可见光透明的器件。
B.第二发明的例子
(示例3：制备无定形In-Ga-Zn-O薄膜)
在玻璃衬底(Corning公司：1737)上，通过采用KrF受激准分子激光的脉冲激光汽相沉积方法，用具有InGaO3(ZnO)4成分的多晶烧结体作为靶，沉积In-Zn-Ga-O型无定形氧化物。
通过图7A至7F所示的步骤制备顶部栅极类型的TFT板。
(a)在12cm×12cm的玻璃衬底2700上，通过上述用于形成无定形In-Ga-Zn-O薄膜的过程形成120nm厚的半绝缘无定形InGaO3(ZnO)4膜作为沟道层2701。
(b)将衬底保持在腔中，沟道层2701被掩模2702覆盖，在其上通过脉冲激光沉积方法在该腔中低于1Pa的氧分压下分别以30nm的厚度层叠另一个具有更高电导率的InGaO3(ZnO)4膜和金层，以形成漏电极2703和源电极2704。在附图中，没有区分InGaO3(ZnO)4膜和金膜。
(c)将衬底保持在腔中，去掉掩模2702，通过电子束汽相沉积形成Y2O3膜作为第一栅极绝缘膜2705(厚度：10nm，相对介电常数：大约15)。然后通过电子束汽相沉积形成SiO2膜作为第二栅极绝缘膜2706(厚度：80nm，相对介电常数：大约3.8)。
(d)用光抗蚀剂覆盖该膜，形成至漏电极的通孔2707的图案以及至源电极的通孔2708的图案。然后蚀刻栅极绝缘膜2705、2706来形成通孔2707、2708。
(e)在上面通过电阻加热方法汽相沉积Al，以形成厚度为100nm的导电层2709。
(f)对导电层2709形成图案以形成来自漏电极的引出布线2710、来自源电极的引出布线2711以及栅电极2712。由此完成形成步骤。
通过上述步骤，以均匀的间隔在对象上形成具有两层栅极绝缘层的10×10矩阵形式的100个TFT。
(示例4：TFT板的制作)
通过图8A至8F和9G至9L所示的步骤制备顶部栅极类型的TFT板。
(a)在12cm×12cm的玻璃衬底2800上，形成120nm厚的半绝缘无定形InGaO3(ZnO)4膜作为沟道层2801。
(b)将衬底保持在腔中，通过电子束汽相沉积形成Y2O3膜作为第一栅极绝缘膜2802(厚度：30nm，相对介电常数：大约15)。
(c)该膜被光抗蚀剂2803覆盖。
(d)对光抗蚀剂2803形成图案。
(e)选择性地蚀刻第一栅极绝缘膜2802，以形成用于漏电极的开口2804和用于源电极的开口2805。
(f)在其上通过脉冲激光沉积法在该腔中低于例如1Pa的氧分压下分别以30nm的厚度层叠另一个具有更高电导率的InGaO3(ZnO)4膜和金层，以形成第一导电层2806。在附图中，没有区分InGaO3(ZnO)4膜和金膜。
(g)剥离第一导电层2806的不需要部分。
(h)由此形成漏电极2807和源电极2808。
(i)形成SiO2膜作为第二栅极绝缘膜2809(厚度：30nm，相对介电常数：大约3.8)。
(j)对第二栅极绝缘膜2809形成图案以形成通往漏电极的通孔2810和通往源电极的通孔2811。
(k)在上面通过电阻加热方法汽相沉积Al，以形成厚度为100nm的第二导电层2812。
(l)对第二导电层2812形成图案以形成来自漏电极的引出布线2813、来自源电极的引出布线2814以及栅电极2815。由此形成步骤结束。
通过上述步骤，以均匀的间隔在衬底上形成具有两层栅极绝缘层的10×10矩阵形式的100个TFT。
利用该示例中描述的结构，防止形成诸如栅极短路的缺陷，并阻止电流随时间变化。因此，本发明使得能够制造可靠且适用于驱动大面积液晶板和有机EL板的TFT板。
C.第三发明的例子
(示例5：制备无定形In-Ga-Zn-O薄膜)
在玻璃衬底(Corning公司：1737)上，通过采用KrF受激准分子激光的脉冲激光汽相沉积方法，沉积In-Zn-Ga-O型无定形氧化物薄膜。
制备如图10所示的顶部栅极类型的MISFET元件。
在塑料膜(PET)5001上沉积本发明之一的表面涂层5010(无定形氮化硅层：300nm)。
在该表面涂层上，通过上述用于制造无定形In-Ga-Zn-O薄膜的过程沉积35nm厚的半绝缘无定形InGaO3(ZnO)4膜作为沟道层5002。
此外在该膜上，沉积本发明之一的层间钝化层5100(无定形硅层：3nm)。
此外，在上面分别以30nm的厚度层叠具有高于上述半绝缘无定形氧化物(上述无定形氧化物)的电导率的InGaO3(ZnO)4和金层。通过光刻和剥离方法从其中形成漏极端子5007和源极端子5006。
最后，形成Y2O3膜作为栅极绝缘膜5003(厚度：70nm，相对介电常数：大约15)，在该膜上形成金膜，通过光刻和剥离方法从其中形成栅极端子4。
在上述诸如表面涂层的薄膜的形成过程中，可以使用其它材料如无定形硅、氧化钛、氧化铝和氧化镁。这对提高与衬底之间的粘附性、减小衬底表面的粗糙度和防止该元件中的电流泄漏是优选的。
在上述诸如钝化层的薄膜的形成过程中，可以使用其它材料如无定形氮化硅、氧化钛、氧化铝和氧化镁。这对改善栅极绝缘层和防止电流泄漏是优选的。
在有些情况下，简单的钝化处理就足够了。例如，只对沟道的最外表面进行氧等离子体处理(O2：5sccm，20W，20sec)就足以改善与栅极绝缘层之间的界面以防止该元件中的电流泄漏。优选地，在钝化处理之后，可以另外层叠层间钝化层以防止该元件中的电流泄漏。
采用本发明透明氧化物膜的晶体管可用作LCD和有机EL显示装置的开关元件。本发明可以广泛地用于采用柔性材料如塑料膜、IC卡和ID标签等的柔性显示器。
本申请要求2004年11月10日提交的日本专利申请No.2004-326683的优先权，通过引用将其合并于此。

Claims (18)

1.一种具有源电极、漏电极、栅极绝缘体、栅电极和有源层的场效应晶体管，
该有源层包括电子载流子浓度为1012/cm3或更高但低于1018/cm3、且电子迁移率倾向于随着电子载流子浓度的增加而增大的无定形氧化物半导体，所述无定形氧化物半导体包括晶体状态中具有InGaO3(ZnO)m或InGaO3(Zn1-xMgxO)m的成分的化合物，其中m是小于6的自然数，0＜x≤1；
源电极、漏电极和栅电极中的至少一个对可见光透明；并且
当不施加栅电压时，该场效应晶体管在源电极和漏电极之间提供10微安或更小的电流。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，所述场效应晶体管具有与源电极、漏电极和栅电极中的至少一个连接的金属布线。
3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述无定形氧化物半导体包含选自由Si、Ge、Zr和Sn构成的组的至少一种元素。
4.一种具有源电极、漏电极、栅极绝缘体、栅电极和有源层的场效应晶体管，
该有源层包括电子载流子浓度为1012/cm3或更高但低于1018/cm3、且电子迁移率倾向于随着电子载流子浓度的增加而增大的无定形氧化物半导体，所述无定形氧化物半导体包括晶体状态中具有InGaO3(ZnO)m或InGaO3(Zn1-xMgxO)m的成分的化合物，其中m是小于6的自然数，0＜x≤1；
所述场效应晶体管具有包括第一层和由金属构成的第二层的叠层结构，在第一层中源电极、漏电极和栅电极中的至少一个对可见光透明，或者
所述场效应晶体管具有包括第一层和由金属构成的第二层的叠层结构，在第一层中与源电极、漏电极和栅电极中的至少一个连接的布线对可见光透明；并且
当不施加栅电压时，该场效应晶体管在源电极和漏电极之间提供10微安或更小的电流。
5.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其中所述无定形氧化物半导体包含选自由Si、Ge、Zr和Sn构成的组的至少一种元素。
6.一种具有源电极、漏电极、栅极绝缘体、栅电极和有源层的场效应晶体管，
其中该有源层包括对可见光透明的无定形氧化物半导体，在所述无定形氧化物半导体中，电子载流子浓度为1012/cm3或更高但低于1018/cm3，且电子迁移率倾向于随着电子载流子浓度的增加而增大，所述无定形氧化物半导体包括晶体状态中具有InGaO3(ZnO)m或InGaO3(Zn1-xMgxO)m的成分的化合物，其中m是小于6的自然数，0＜x≤1；
源电极、漏电极和栅电极中的至少一个对可见光透明；并且
当不施加栅电压时，该场效应晶体管在源电极和漏电极之间提供10微安或更小的电流。
7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中对光透明的电极与金属布线连接，该对光透明的电极属于源电极、漏电极或栅电极。
8.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中所述无定形氧化物半导体包含选自由Si、Ge、Zr和Sn构成的组的至少一种元素。
9.一种具有源电极、漏电极、栅极绝缘体、栅电极和有源层的场效应晶体管，
该有源层包括电子载流子浓度为1012/cm3或更高但低于1018/cm3、且电子迁移率倾向于随着电子载流子浓度的增加而增大的无定形氧化物半导体，所述无定形氧化物半导体包括晶体状态中具有InGaO3(ZnO)m或InGaO3(Zn1-xMgxO)m的成分的化合物，其中m是小于6的自然数，0＜x≤1；
该栅极绝缘体包括与该无定形氧化物半导体接触的第一层和不同于该第一层并且层叠在该第一层上的第二层；并且
当不施加栅电压时，该场效应晶体管在源电极和漏电极之间提供10微安或更小的电流。
10.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中第一层是包含HfO2、Y2O3或含有HfO2或Y2O3的混晶化合物的绝缘层。
11.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中所述无定形氧化物半导体包含选自由Si、Ge、Zr和Sn构成的组的至少一种元素。
12.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中第一层是用于改善与有源层的界面特性的界面改善层，第二层是用于防止电流泄漏的电流泄漏防止层。
13.一种具有源电极、漏电极、栅极绝缘体、栅电极和有源层的场效应晶体管，
该有源层包括电子载流子浓度为1012/cm3或更高但低于1018/cm3、且电子迁移率倾向于随着电子载流子浓度的增加而增大的无定形氧化物半导体，所述无定形氧化物半导体包括晶体状态中具有InGaO3(ZnO)m或InGaO3(Zn1-xMgxO)m的成分的化合物，其中m是小于6的自然数，0＜x≤1；
在有源层和栅极绝缘体之间设置了钝化层；并且
当不施加栅电压时，该场效应晶体管在源电极和漏电极之间提供10微安或更小的电流。
14.根据权利要求13所述的场效应晶体管，其中所述无定形氧化物半导体包含选自由Si、Ge、Zr和Sn构成的组的至少一种元素。
15.根据权利要求13所述的场效应晶体管，其中所述钝化层是用于防止电流泄漏的电流泄漏防止层。
16.一种在衬底上设置了源电极、漏电极、栅极绝缘体、栅电极和有源层的场效应晶体管，
该有源层包括电子载流子浓度为1012/cm3或更高但低于1018/cm3、且电子迁移率倾向于随着电子载流子浓度的增加而增大的无定形氧化物半导体，所述无定形氧化物半导体包括晶体状态中具有InGaO3(ZnO)m或InGaO3(Zn1-xMgxO)m的成分的化合物，其中m是小于6的自然数，0＜x≤1；
在有源层和衬底之间设置了表面涂层；并且
当不施加栅电压时，该场效应晶体管在源电极和漏电极之间提供10微安或更小的电流。
17.根据权利要求16所述的场效应晶体管，其中所述无定形氧化物半导体包含选自由Si、Ge、Zr和Sn构成的组的至少一种元素。
18.根据权利要求16所述的场效应晶体管，其中所述表面涂层是用于提高衬底和有源层之间的粘附性的粘附性改善层。
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Families Citing this family (1877)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2585063C (en) 2004-11-10 2013-01-15 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7829444B2 (en) * 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7791072B2 (en) * 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
RU2358355C2 (ru) 2004-11-10 2009-06-10 Кэнон Кабусики Кайся Полевой транзистор
BRPI0517568B8 (pt) * 2004-11-10 2022-03-03 Canon Kk Transistor de efeito de campo
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI505473B (zh) * 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) * 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7928938B2 (en) * 2005-04-19 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus
US7710739B2 (en) 2005-04-28 2010-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US8629819B2 (en) 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
EP1758072A3 (en) * 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP5058469B2 (ja) * 2005-09-06 2012-10-24 キヤノン株式会社 スパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた薄膜の形成方法
JP5006598B2 (ja) * 2005-09-16 2012-08-22 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
EP1938458B1 (en) 2005-09-21 2015-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Cyclic redundancy check circuit and devices having the cyclic redundancy check circuit
EP1998373A3 (en) 2005-09-29 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
CN101278403B (zh) 2005-10-14 2010-12-01 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
JP5037808B2 (ja) * 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
CN101577281B (zh) * 2005-11-15 2012-01-11 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器及包含该显示器的电视机
EP2924498A1 (en) 2006-04-06 2015-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance
KR100785038B1 (ko) * 2006-04-17 2007-12-12 삼성전자주식회사 비정질 ＺｎＯ계 ＴＦＴ
US7443202B2 (en) * 2006-06-02 2008-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic apparatus having the same
US7651896B2 (en) 2006-08-30 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
US7646015B2 (en) * 2006-10-31 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
JP4785721B2 (ja) 2006-12-05 2011-10-05 キヤノン株式会社 エッチング方法、パターン形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及びエッチング液
KR101146574B1 (ko) 2006-12-05 2012-05-16 캐논 가부시끼가이샤 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 및 표시장치
WO2008069255A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
EP2669402A1 (en) 2006-12-13 2013-12-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Sputtering target and oxide semiconductor film
KR101363555B1 (ko) 2006-12-14 2014-02-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100787464B1 (ko) * 2007-01-08 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 및 그 제조방법
JP4662075B2 (ja) * 2007-02-02 2011-03-30 株式会社ブリヂストン 薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR101312259B1 (ko) * 2007-02-09 2013-09-25 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR101410926B1 (ko) * 2007-02-16 2014-06-24 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR101509663B1 (ko) 2007-02-16 2015-04-06 삼성전자주식회사 산화물 반도체층 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자제조방법
US8436349B2 (en) * 2007-02-20 2013-05-07 Canon Kabushiki Kaisha Thin-film transistor fabrication process and display device
JP5121254B2 (ja) * 2007-02-28 2013-01-16 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
CN101680081B (zh) 2007-03-20 2012-10-31 出光兴产株式会社 溅射靶、氧化物半导体膜及半导体器件
JP5320746B2 (ja) * 2007-03-28 2013-10-23 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタ
KR20080088284A (ko) * 2007-03-29 2008-10-02 삼성전자주식회사 플래시 메모리 소자
KR101334181B1 (ko) * 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
WO2008139860A1 (ja) 2007-05-07 2008-11-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 半導体薄膜、半導体薄膜の製造方法、および、半導体素子
JPWO2008136505A1 (ja) 2007-05-08 2010-07-29 出光興産株式会社 半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法
JP5522889B2 (ja) 2007-05-11 2014-06-18 出光興産株式会社 Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｓｎ系酸化物焼結体、及び物理成膜用ターゲット
JP5542296B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP5542297B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP4989309B2 (ja) 2007-05-18 2012-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US7897482B2 (en) * 2007-05-31 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101415561B1 (ko) 2007-06-14 2014-08-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
US7935964B2 (en) * 2007-06-19 2011-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same
JP2010530634A (ja) * 2007-06-19 2010-09-09 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 酸化物半導体及びそれを含む薄膜トランジスタ
US8354674B2 (en) * 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
KR100889688B1 (ko) 2007-07-16 2009-03-19 삼성모바일디스플레이주식회사 반도체 활성층 제조 방법, 그를 이용한 박막 트랜지스터의제조 방법 및 반도체 활성층을 구비하는 박막 트랜지스터
US7988871B2 (en) * 2007-07-20 2011-08-02 Lg Display Co., Ltd. Method of lifting off and fabricating array substrate for liquid crystal display device using the same
KR101072379B1 (ko) * 2007-07-20 2011-10-11 엘지디스플레이 주식회사 리프트오프 방법 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법
WO2009014155A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
US8058096B2 (en) * 2007-07-31 2011-11-15 Hewlett Packard Development Company, L.P. Microelectronic device
KR100959460B1 (ko) * 2007-11-16 2010-05-25 주식회사 동부하이텍 투명 박막 트랜지스터 및 투명 박막 트랜지스터의 제조방법
KR101270174B1 (ko) * 2007-12-03 2013-05-31 삼성전자주식회사 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법
US20110006297A1 (en) * 2007-12-12 2011-01-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Patterned crystalline semiconductor thin film, method for producing thin film transistor and field effect transistor
KR100959109B1 (ko) 2007-12-24 2010-05-26 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법과, 그를 구비하는평판표시장치
KR100976459B1 (ko) * 2007-12-27 2010-08-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 및 제조방법 및 그를 구비하는평판표시장치
NO332409B1 (no) * 2008-01-24 2012-09-17 Well Technology As Anordning og fremgangsmate for a isolere en seksjon av et bronnhull
US8017045B2 (en) 2008-04-16 2011-09-13 Electronics And Telecommunications Research Institute Composition for oxide semiconductor thin film and field effect transistor using the composition
KR101496148B1 (ko) * 2008-05-15 2015-02-27 삼성전자주식회사 반도체소자 및 그 제조방법
US9041202B2 (en) * 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR101468591B1 (ko) * 2008-05-29 2014-12-04 삼성전자주식회사 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
EP2284293B1 (en) 2008-06-10 2019-08-14 JX Nippon Mining & Metals Corporation Sintered-oxide target for sputtering and process for producing the same
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
US20100006837A1 (en) * 2008-07-09 2010-01-14 Electronics And Telecommunications Research Institute Composition for oxide semiconductor thin film, field effect transistor using the composition and method of fabricating the transistor
KR102267235B1 (ko) 2008-07-10 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
TWI500159B (zh) 2008-07-31 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US9666719B2 (en) * 2008-07-31 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI495108B (zh) 2008-07-31 2015-08-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
TWI834207B (zh) 2008-07-31 2024-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP2010056541A (ja) 2008-07-31 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TWI508282B (zh) 2008-08-08 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI642113B (zh) 2008-08-08 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5608347B2 (ja) * 2008-08-08 2014-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5480554B2 (ja) 2008-08-08 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5525778B2 (ja) 2008-08-08 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9082857B2 (en) * 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
TWI606592B (zh) 2008-09-01 2017-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5627071B2 (ja) 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101665734B1 (ko) * 2008-09-12 2016-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 생산 방법
WO2010029865A1 (en) 2008-09-12 2010-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20110056542A (ko) 2008-09-12 2011-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101623224B1 (ko) * 2008-09-12 2016-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101622978B1 (ko) * 2008-09-19 2016-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR101507324B1 (ko) 2008-09-19 2015-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101803264B1 (ko) 2008-09-19 2017-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102275487B1 (ko) * 2008-09-19 2021-07-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
WO2010032640A1 (en) * 2008-09-19 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2010038599A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN103928476A (zh) * 2008-10-03 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
WO2010038820A1 (en) 2008-10-03 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101761108B1 (ko) * 2008-10-03 2017-07-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2172804B1 (en) * 2008-10-03 2016-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Display device
WO2010038596A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Modulation circuit and semiconductor device including the same
CN101719493B (zh) 2008-10-08 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP5484853B2 (ja) 2008-10-10 2014-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101799601B1 (ko) * 2008-10-16 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치
JP5361651B2 (ja) * 2008-10-22 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8741702B2 (en) 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101667909B1 (ko) 2008-10-24 2016-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
JP5616012B2 (ja) 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2180518B1 (en) 2008-10-24 2018-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8106400B2 (en) 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5442234B2 (ja) 2008-10-24 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
KR102251817B1 (ko) 2008-10-24 2021-05-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2010047288A1 (en) 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
KR101603303B1 (ko) 2008-10-31 2016-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법
KR101634411B1 (ko) * 2008-10-31 2016-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 표시 장치 및 전자 장치
KR101631454B1 (ko) 2008-10-31 2016-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리회로
TWI633605B (zh) * 2008-10-31 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI487104B (zh) 2008-11-07 2015-06-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
TWI831050B (zh) 2008-11-07 2024-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
CN101740631B (zh) * 2008-11-07 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及该半导体装置的制造方法
EP2184783B1 (en) 2008-11-07 2012-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI467663B (zh) * 2008-11-07 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和該半導體裝置的製造方法
KR20130138352A (ko) * 2008-11-07 2013-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101432764B1 (ko) 2008-11-13 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
TWI656645B (zh) * 2008-11-13 2019-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8232947B2 (en) 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2010153802A (ja) 2008-11-20 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
KR101291384B1 (ko) 2008-11-21 2013-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI585955B (zh) * 2008-11-28 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 光感測器及顯示裝置
TWI654754B (zh) 2008-11-28 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
TWI606593B (zh) * 2008-11-28 2017-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
KR101643204B1 (ko) * 2008-12-01 2016-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI633371B (zh) 2008-12-03 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP5491833B2 (ja) 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2010140919A (ja) * 2008-12-09 2010-06-24 Hitachi Ltd 酸化物半導体装置及びその製造方法並びにアクティブマトリクス基板
KR101642384B1 (ko) 2008-12-19 2016-07-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터의 제작 방법
WO2010071183A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
EP2202802B1 (en) 2008-12-24 2012-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
US8441007B2 (en) 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR101719350B1 (ko) * 2008-12-25 2017-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8383470B2 (en) 2008-12-25 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8330156B2 (en) 2008-12-26 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with a plurality of oxide clusters over the gate insulating layer
TWI501319B (zh) * 2008-12-26 2015-09-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
KR101064402B1 (ko) * 2009-01-12 2011-09-14 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치
KR101648927B1 (ko) 2009-01-16 2016-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8492756B2 (en) 2009-01-23 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8436350B2 (en) * 2009-01-30 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters
US8367486B2 (en) 2009-02-05 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the transistor
US8174021B2 (en) 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US8749930B2 (en) * 2009-02-09 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device
US8278657B2 (en) * 2009-02-13 2012-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8247812B2 (en) * 2009-02-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
CN101840936B (zh) 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8841661B2 (en) * 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8461582B2 (en) 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20100224878A1 (en) 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20100224880A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101671210B1 (ko) 2009-03-06 2016-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102391280B1 (ko) 2009-03-12 2022-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI485781B (zh) * 2009-03-13 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
US8450144B2 (en) * 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI511288B (zh) 2009-03-27 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
KR101752640B1 (ko) 2009-03-27 2017-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR101681884B1 (ko) 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
TWI485851B (zh) * 2009-03-30 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US8338226B2 (en) * 2009-04-02 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI489628B (zh) * 2009-04-02 2015-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US8441047B2 (en) 2009-04-10 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5724157B2 (ja) * 2009-04-13 2015-05-27 日立金属株式会社 酸化物半導体ターゲット及びそれを用いた酸化物半導体装置の製造方法
TWI476917B (zh) 2009-04-16 2015-03-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
CN102460712A (zh) * 2009-04-17 2012-05-16 株式会社普利司通 薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法
WO2010125986A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5760298B2 (ja) * 2009-05-21 2015-08-05 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ、表示装置、および電子機器
JP5751762B2 (ja) 2009-05-21 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP2256795B1 (en) * 2009-05-29 2014-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for oxide semiconductor device
JP5564331B2 (ja) 2009-05-29 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2256814B1 (en) * 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
US9663405B2 (en) 2009-06-05 2017-05-30 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Oxide sintered compact, its production method, and raw material powder for producing oxide sintered compact
WO2010150446A1 (ja) 2009-06-24 2010-12-29 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法、アクティブマトリクス基板、表示パネル、ならびに表示装置
US8865516B2 (en) 2009-06-29 2014-10-21 Sharp Kabushiki Kaisha Oxide semiconductor, thin film transistor array substrate and production method thereof, and display device
EP2449595B1 (en) 2009-06-30 2017-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101915421B1 (ko) 2009-06-30 2018-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
KR101810699B1 (ko) 2009-06-30 2018-01-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
KR20120031026A (ko) 2009-06-30 2012-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
TW201103090A (en) * 2009-07-01 2011-01-16 Univ Nat Chiao Tung Method for manufacturing a self-aligned thin film transistor and a structure of the same
US20110000175A1 (en) * 2009-07-01 2011-01-06 Husqvarna Consumer Outdoor Products N.A. Inc. Variable speed controller
KR101610606B1 (ko) * 2009-07-03 2016-04-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP5663214B2 (ja) * 2009-07-03 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101476817B1 (ko) 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
CN104835850B (zh) * 2009-07-10 2018-10-26 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101460868B1 (ko) 2009-07-10 2014-11-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101643835B1 (ko) 2009-07-10 2016-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011007682A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
WO2011007677A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011007675A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011010545A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101870460B1 (ko) 2009-07-18 2018-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
CN102576732B (zh) 2009-07-18 2015-02-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置与用于制造半导体装置的方法
WO2011010541A1 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010542A1 (en) * 2009-07-23 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010546A1 (en) 2009-07-24 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011013523A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102215941B1 (ko) 2009-07-31 2021-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN105097946B (zh) * 2009-07-31 2018-05-08 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011013502A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102251729B1 (ko) 2009-07-31 2021-05-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
TWI596741B (zh) * 2009-08-07 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TW202420563A (zh) 2009-08-07 2024-05-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
EP2284891B1 (en) 2009-08-07 2019-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5642447B2 (ja) 2009-08-07 2014-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI528527B (zh) * 2009-08-07 2016-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
TWI559501B (zh) 2009-08-07 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP5663231B2 (ja) * 2009-08-07 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8115883B2 (en) 2009-08-27 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
WO2011027649A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device
US9805641B2 (en) * 2009-09-04 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011027701A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR101791812B1 (ko) 2009-09-04 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011027664A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
WO2011027702A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
WO2011027656A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
KR101746198B1 (ko) 2009-09-04 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 전자기기
KR101988341B1 (ko) 2009-09-04 2019-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
CN105810753A (zh) 2009-09-04 2016-07-27 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR101470811B1 (ko) 2009-09-16 2014-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011034012A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device
KR102618171B1 (ko) 2009-09-16 2023-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
US9715845B2 (en) 2009-09-16 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
KR101785745B1 (ko) * 2009-09-16 2017-10-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011033914A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device and display device
CN105679766A (zh) 2009-09-16 2016-06-15 株式会社半导体能源研究所 晶体管及显示设备
KR101700470B1 (ko) * 2009-09-16 2017-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기
CN102576677B (zh) 2009-09-24 2015-07-22 株式会社半导体能源研究所 半导体元件及其制造方法
KR101713356B1 (ko) 2009-09-24 2017-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 상기 구동 회로를 포함하는 표시 장치, 및 상기 표시 장치를 포함하는 전자 기기
TWI512997B (zh) 2009-09-24 2015-12-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電源電路，和半導體裝置的製造方法
WO2011037050A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102180761B1 (ko) 2009-09-24 2020-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
KR101740943B1 (ko) 2009-09-24 2017-06-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101707260B1 (ko) 2009-09-24 2017-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011037008A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
KR101470785B1 (ko) * 2009-09-24 2014-12-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
KR101883330B1 (ko) * 2009-09-30 2018-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레독스 커패시터 및 그 제작 방법
WO2011040213A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011043163A1 (en) * 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011043182A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device
CN105185837B (zh) 2009-10-08 2018-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体器件、显示装置和电子电器
EP2486594B1 (en) * 2009-10-08 2017-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device
EP2486569B1 (en) 2009-10-09 2019-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device
WO2011043164A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
WO2011043195A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN112242173B (zh) 2009-10-09 2024-08-20 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR102329380B1 (ko) * 2009-10-09 2021-11-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011043170A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011043162A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011043206A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120083341A (ko) * 2009-10-09 2012-07-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함하는 전자 기기
KR101759504B1 (ko) 2009-10-09 2017-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기
KR101680047B1 (ko) * 2009-10-14 2016-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101745747B1 (ko) 2009-10-16 2017-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로 및 반도체 장치
KR102065330B1 (ko) 2009-10-16 2020-01-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 제작 방법
KR101915251B1 (ko) * 2009-10-16 2018-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101844080B1 (ko) 2009-10-16 2018-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치
WO2011046010A1 (en) 2009-10-16 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device
KR20170143023A (ko) 2009-10-21 2017-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
KR101582636B1 (ko) 2009-10-21 2016-01-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 표시 장치를 갖는 전자 기기
WO2011048959A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101751908B1 (ko) 2009-10-21 2017-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전압 조정 회로
WO2011048923A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
KR101893128B1 (ko) 2009-10-21 2018-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
WO2011048945A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
KR101490726B1 (ko) 2009-10-21 2015-02-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
SG10201910510UA (en) 2009-10-29 2020-01-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
WO2011052351A1 (en) 2009-10-29 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120099657A (ko) * 2009-10-30 2012-09-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
CN102484471B (zh) * 2009-10-30 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 驱动器电路、包括该驱动器电路的显示设备和包括该显示设备的电子设备
WO2011052437A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
WO2011052411A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
CN102668096B (zh) * 2009-10-30 2015-04-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
MY163862A (en) 2009-10-30 2017-10-31 Semiconductor Energy Lab Logic circuit and semiconductor device
KR20120091243A (ko) * 2009-10-30 2012-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2494599B1 (en) 2009-10-30 2020-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011052344A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic appliance including the same
EP2494597A4 (en) * 2009-10-30 2015-03-18 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT
WO2011052413A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device, and electronic device
WO2011052382A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101740684B1 (ko) 2009-10-30 2017-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 다이오드, 정류기 및 그것을 가지는 반도체 장치
WO2011052366A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
KR20190066086A (ko) 2009-11-06 2019-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101810254B1 (ko) 2009-11-06 2017-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 동작 방법
WO2011055668A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102612741B (zh) 2009-11-06 2014-11-12 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR102066532B1 (ko) 2009-11-06 2020-01-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102612749B (zh) 2009-11-06 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101727469B1 (ko) 2009-11-06 2017-04-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101930230B1 (ko) 2009-11-06 2018-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
WO2011055769A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and semiconductor device, and deposition apparatus
KR101645680B1 (ko) 2009-11-06 2016-08-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5539846B2 (ja) 2009-11-06 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 評価方法、半導体装置の作製方法
KR101750982B1 (ko) 2009-11-06 2017-06-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
WO2011055474A1 (ja) 2009-11-09 2011-05-12 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びそれを備えた液晶表示パネル、並びにアクティブマトリクス基板の製造方法
KR101113370B1 (ko) * 2009-11-11 2012-02-29 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터 및 이를 구비한 유기전계 발광 표시장치
CN102612714B (zh) 2009-11-13 2016-06-29 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其驱动方法
KR20180014255A (ko) 2009-11-13 2018-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
WO2011058867A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and method for manufacturing the same, and transistor
KR101895561B1 (ko) 2009-11-13 2018-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011058864A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device including nonvolatile memory element
WO2011058913A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102668097B (zh) * 2009-11-13 2015-08-12 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR20120094013A (ko) 2009-11-13 2012-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터
KR101975741B1 (ko) * 2009-11-13 2019-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
WO2011058852A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011062029A1 (en) 2009-11-18 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
CN102598266B (zh) * 2009-11-20 2015-04-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
CN102668063B (zh) * 2009-11-20 2015-02-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101800852B1 (ko) 2009-11-20 2017-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN103151266B (zh) 2009-11-20 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 用于制造半导体器件的方法
WO2011062048A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor
JP5762723B2 (ja) 2009-11-20 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 変調回路及びそれを備えた半導体装置
KR101829176B1 (ko) 2009-11-20 2018-02-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102451852B1 (ko) 2009-11-20 2022-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101800854B1 (ko) * 2009-11-20 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
MY166309A (en) 2009-11-20 2018-06-25 Semiconductor Energy Lab Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same
JP5612299B2 (ja) * 2009-11-20 2014-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
KR101662359B1 (ko) * 2009-11-24 2016-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 셀을 포함하는 반도체 장치
WO2011065258A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101802406B1 (ko) 2009-11-27 2017-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
WO2011065209A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
KR20180059577A (ko) 2009-11-27 2018-06-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101520024B1 (ko) 2009-11-28 2015-05-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101825345B1 (ko) * 2009-11-28 2018-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 적층 산화물 재료, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102304078B1 (ko) 2009-11-28 2021-09-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011065210A1 (en) * 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
CN105739209B (zh) 2009-11-30 2022-05-27 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法
JP2011139052A (ja) 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
KR101840623B1 (ko) * 2009-12-04 2018-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기
CN104795323B (zh) * 2009-12-04 2017-12-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
JP5584103B2 (ja) 2009-12-04 2014-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011068033A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101800038B1 (ko) * 2009-12-04 2017-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011068022A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011068028A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
KR101857693B1 (ko) * 2009-12-04 2018-05-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011068016A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102648526B (zh) 2009-12-04 2015-08-05 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR102153034B1 (ko) 2009-12-04 2020-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011068025A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc converter circuit and power supply circuit
KR101945171B1 (ko) 2009-12-08 2019-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20120106786A (ko) * 2009-12-08 2012-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101273831B1 (ko) * 2009-12-09 2013-06-11 샤프 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101742777B1 (ko) 2009-12-10 2017-06-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
CN104658598B (zh) 2009-12-11 2017-08-11 株式会社半导体能源研究所 半导体器件、逻辑电路和cpu
KR20170116239A (ko) 2009-12-11 2017-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
JP5727204B2 (ja) 2009-12-11 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN104600105B (zh) 2009-12-11 2018-05-08 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011070901A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP5185357B2 (ja) * 2009-12-17 2013-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101282383B1 (ko) 2009-12-18 2013-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
KR101481399B1 (ko) 2009-12-18 2015-01-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011074379A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and driving method thereof
KR101768433B1 (ko) 2009-12-18 2017-08-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
KR20240118180A (ko) * 2009-12-18 2024-08-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
CN102725784B (zh) 2009-12-18 2016-03-23 株式会社半导体能源研究所 具有光学传感器的显示设备及其驱动方法
CN104700890B (zh) 2009-12-18 2017-10-17 株式会社半导体能源研究所 非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用它们的半导体器件
US9057758B2 (en) * 2009-12-18 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group
WO2011074407A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20120115318A (ko) * 2009-12-23 2012-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011077926A1 (en) * 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
WO2011077916A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101874779B1 (ko) * 2009-12-25 2018-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 장치, 반도체 장치, 및 전자 장치
KR101613701B1 (ko) 2009-12-25 2016-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
KR20170142998A (ko) * 2009-12-25 2017-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
KR20210138135A (ko) 2009-12-25 2021-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101473684B1 (ko) 2009-12-25 2014-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8441009B2 (en) * 2009-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011077978A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
KR102063214B1 (ko) * 2009-12-28 2020-01-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치와 반도체 장치
KR101762316B1 (ko) 2009-12-28 2017-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101872678B1 (ko) 2009-12-28 2018-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
KR101436120B1 (ko) 2009-12-28 2014-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011081041A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR101760537B1 (ko) * 2009-12-28 2017-07-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102725841B (zh) * 2010-01-15 2016-10-05 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101943807B1 (ko) 2010-01-15 2019-01-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011086871A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011086847A1 (en) 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102696064B (zh) 2010-01-15 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和电子装置
KR102114011B1 (ko) 2010-01-15 2020-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 구동하는 방법
US8780629B2 (en) * 2010-01-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9984617B2 (en) 2010-01-20 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including light emitting element
WO2011089842A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
KR101889382B1 (ko) 2010-01-20 2018-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기 및 전자 시스템
KR101791829B1 (ko) 2010-01-20 2017-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 휴대 전자 기기
WO2011089847A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving the same
WO2011089843A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device
US8415731B2 (en) * 2010-01-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections
CN102714029B (zh) * 2010-01-20 2016-03-23 株式会社半导体能源研究所 显示装置的显示方法
KR102217907B1 (ko) 2010-01-20 2021-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101851517B1 (ko) * 2010-01-20 2018-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101750126B1 (ko) * 2010-01-20 2017-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치
KR20180043383A (ko) 2010-01-22 2018-04-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
KR102088281B1 (ko) * 2010-01-22 2020-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101773641B1 (ko) 2010-01-22 2017-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101873730B1 (ko) 2010-01-24 2018-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20190093706A (ko) * 2010-01-24 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
TWI525377B (zh) 2010-01-24 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
WO2011093150A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101800850B1 (ko) * 2010-01-29 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
WO2011093151A1 (en) * 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the same
CN105590964B (zh) * 2010-02-05 2019-01-04 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011096153A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011096271A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR101862823B1 (ko) * 2010-02-05 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
US8436403B2 (en) 2010-02-05 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance
US9391209B2 (en) 2010-02-05 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011096270A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101399610B1 (ko) * 2010-02-05 2014-05-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101791713B1 (ko) 2010-02-05 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치
WO2011096264A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
CN106847816A (zh) 2010-02-05 2017-06-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101810261B1 (ko) 2010-02-10 2017-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
US8947337B2 (en) 2010-02-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011099335A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101830196B1 (ko) 2010-02-12 2018-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
WO2011099336A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
CN102742002B (zh) * 2010-02-12 2015-01-28 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其驱动方法
WO2011099376A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
WO2011099368A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
US8617920B2 (en) 2010-02-12 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102197415B1 (ko) * 2010-02-12 2020-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 구동 방법
WO2011099360A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
KR20230145240A (ko) 2010-02-18 2023-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011102217A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011102183A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011102228A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of semiconductor device
JP5740169B2 (ja) * 2010-02-19 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
KR101906151B1 (ko) 2010-02-19 2018-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 이를 이용한 표시 장치
CN102812421B (zh) * 2010-02-19 2016-05-18 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其驱动方法
CN102754163B (zh) * 2010-02-19 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101686089B1 (ko) * 2010-02-19 2016-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011102248A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR102015762B1 (ko) * 2010-02-19 2019-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치, 그 구동 방법, 및 반도체 장치 제작 방법
KR101780748B1 (ko) * 2010-02-19 2017-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복조회로 및 복조회로를 이용한 ｒｆｉｄ 태그
KR102151495B1 (ko) * 2010-02-23 2020-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102500983B1 (ko) 2010-02-26 2023-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
WO2011105198A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011105310A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9000438B2 (en) * 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20130009978A (ko) * 2010-02-26 2013-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자의 제조 방법 및 성막 장치
WO2011105218A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and e-book reader provided therewith
CN113540253A (zh) 2010-02-26 2021-10-22 株式会社半导体能源研究所 制造半导体装置的方法
CN102770902B (zh) * 2010-02-26 2016-11-23 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其驱动方法
KR20190000365A (ko) 2010-02-26 2019-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
CN102783025B (zh) 2010-03-02 2015-10-07 株式会社半导体能源研究所 脉冲信号输出电路和移位寄存器
KR101807734B1 (ko) 2010-03-02 2017-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
WO2011108367A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Boosting circuit and rfid tag including boosting circuit
KR101838628B1 (ko) * 2010-03-02 2018-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
KR101932909B1 (ko) * 2010-03-04 2018-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치 및 반도체 장치
WO2011108374A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2011108382A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011108381A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101878206B1 (ko) * 2010-03-05 2018-07-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막의 제작 방법 및 트랜지스터의 제작 방법
CN102782822B (zh) 2010-03-08 2016-06-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
EP2365417A3 (en) * 2010-03-08 2015-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Electronic device and electronic system
KR20130007597A (ko) * 2010-03-08 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
WO2011111504A1 (en) 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic system
WO2011111490A1 (en) 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2011111549A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101812467B1 (ko) * 2010-03-08 2017-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101761558B1 (ko) * 2010-03-12 2017-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 회로를 구동하는 방법 및 입출력 장치를 구동하는 방법
CN102822978B (zh) * 2010-03-12 2015-07-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011111506A1 (en) 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving circuit and method for driving display device
KR101769970B1 (ko) 2010-03-12 2017-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8900362B2 (en) * 2010-03-12 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of gallium oxide single crystal
KR101770550B1 (ko) * 2010-03-12 2017-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법
WO2011114866A1 (en) * 2010-03-17 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US20110227082A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011114905A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2011114868A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011114867A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of semiconductor device
WO2011114919A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011118351A1 (en) * 2010-03-25 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102834921B (zh) * 2010-03-26 2016-04-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
WO2011118741A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101799757B1 (ko) * 2010-03-26 2017-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하는 방법
WO2011118364A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5731244B2 (ja) * 2010-03-26 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2011122299A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
WO2011122514A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply device and driving method thereof
WO2011122280A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
KR20130069583A (ko) 2010-03-31 2013-06-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 필드 시퀀셜 구동형 표시 장치
CN102884477B (zh) 2010-03-31 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备及其驱动方法
US9147768B2 (en) 2010-04-02 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film
CN105810752B (zh) 2010-04-02 2019-11-19 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9190522B2 (en) 2010-04-02 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor
KR102292523B1 (ko) 2010-04-02 2021-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8884282B2 (en) 2010-04-02 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9196739B2 (en) 2010-04-02 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film
WO2011125432A1 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
KR101810592B1 (ko) 2010-04-07 2017-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
US8653514B2 (en) 2010-04-09 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101803730B1 (ko) 2010-04-09 2017-12-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011125456A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8207025B2 (en) 2010-04-09 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
WO2011125806A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
CN102834861B (zh) 2010-04-09 2016-02-10 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备和驱动该液晶显示设备的方法
KR101321833B1 (ko) 2010-04-09 2013-10-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체 메모리 장치
US8854583B2 (en) 2010-04-12 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device
JP5744366B2 (ja) 2010-04-12 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR20130061678A (ko) 2010-04-16 2013-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전원 회로
US8552712B2 (en) 2010-04-16 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Current measurement method, inspection method of semiconductor device, semiconductor device, and test element group
KR101881729B1 (ko) 2010-04-16 2018-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막 방법 및 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
KR101904445B1 (ko) 2010-04-16 2018-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8692243B2 (en) 2010-04-20 2014-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101887336B1 (ko) 2010-04-23 2018-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 구동 방법
CN103500709B (zh) 2010-04-23 2015-09-23 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
KR101877377B1 (ko) 2010-04-23 2018-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101540039B1 (ko) 2010-04-23 2015-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101826831B1 (ko) 2010-04-23 2018-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011132591A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9537043B2 (en) 2010-04-23 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
WO2011132548A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011135999A1 (en) 2010-04-27 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2011135987A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9349325B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US9697788B2 (en) 2010-04-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8890555B2 (en) 2010-04-28 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring transistor
CN105824397B (zh) 2010-04-28 2018-12-18 株式会社半导体能源研究所 半导体显示装置及其驱动方法
WO2011136018A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
US9478185B2 (en) 2010-05-12 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
US9064473B2 (en) 2010-05-12 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
JP5797449B2 (ja) 2010-05-13 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の評価方法
US8664658B2 (en) 2010-05-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI511236B (zh) 2010-05-14 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
WO2011142371A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011142467A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8588000B2 (en) 2010-05-20 2013-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device having a reading transistor with a back-gate electrode
US8624239B2 (en) 2010-05-20 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9490368B2 (en) 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US8416622B2 (en) 2010-05-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of a semiconductor device with an inverted period having a negative potential applied to a gate of an oxide semiconductor transistor
US9496405B2 (en) 2010-05-20 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer
WO2011145707A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
WO2011145633A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5766012B2 (ja) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
CN105957802A (zh) 2010-05-21 2016-09-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR101808198B1 (ko) 2010-05-21 2017-12-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011145467A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101872188B1 (ko) 2010-05-21 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
WO2011145468A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
JP5852793B2 (ja) 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
WO2011145484A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5714973B2 (ja) 2010-05-21 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011145537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2011145634A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145632A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US8629438B2 (en) 2010-05-21 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5749975B2 (ja) 2010-05-28 2015-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置、及び、タッチパネル
US9123820B2 (en) 2010-05-31 2015-09-01 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor including semiconductor oxide layer having reduced resistance regions
US8895375B2 (en) 2010-06-01 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing the same
CN102884632B (zh) 2010-06-02 2013-12-04 夏普株式会社 接触结构、基板、显示装置及接触结构和基板的制造方法
WO2011152254A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8779433B2 (en) 2010-06-04 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011152286A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101894897B1 (ko) 2010-06-04 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011155295A1 (en) 2010-06-10 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device
CN102939659B (zh) 2010-06-11 2016-08-17 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及半导体器件的制造方法
US8610180B2 (en) 2010-06-11 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gas sensor and method for manufacturing the gas sensor
WO2011155302A1 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5823740B2 (ja) 2010-06-16 2015-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
JP5797471B2 (ja) 2010-06-16 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US9209314B2 (en) 2010-06-16 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
JP5766519B2 (ja) * 2010-06-16 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
KR101783352B1 (ko) 2010-06-17 2017-10-10 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조 방법
US8552425B2 (en) 2010-06-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011158704A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011158703A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8637802B2 (en) 2010-06-18 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor
WO2011162147A1 (en) 2010-06-23 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120000499A (ko) 2010-06-25 2012-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
WO2011162104A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US8912016B2 (en) 2010-06-25 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method and test method of semiconductor device
WO2012002236A1 (en) 2010-06-29 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
WO2012002104A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9473714B2 (en) 2010-07-01 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state imaging device and semiconductor display device
WO2012002040A1 (en) 2010-07-01 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
US8441010B2 (en) 2010-07-01 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR102354354B1 (ko) 2010-07-02 2022-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP5792524B2 (ja) 2010-07-02 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
CN102959713B (zh) 2010-07-02 2017-05-10 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9336739B2 (en) 2010-07-02 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8605059B2 (en) 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
KR20130090405A (ko) 2010-07-02 2013-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI541782B (zh) 2010-07-02 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US8513720B2 (en) 2010-07-14 2013-08-20 Sharp Laboratories Of America, Inc. Metal oxide semiconductor thin film transistors
US8785241B2 (en) 2010-07-16 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012008304A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012008390A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101859361B1 (ko) 2010-07-16 2018-05-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8519387B2 (en) 2010-07-26 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing
WO2012014952A1 (en) 2010-07-27 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR101853516B1 (ko) 2010-07-27 2018-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI565001B (zh) 2010-07-28 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5718072B2 (ja) 2010-07-30 2015-05-13 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ
JP5592952B2 (ja) 2010-07-30 2014-09-17 株式会社日立製作所 酸化物半導体装置
WO2012014786A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semicondcutor device and manufacturing method thereof
JP5540972B2 (ja) 2010-07-30 2014-07-02 日立金属株式会社 酸化物半導体ターゲットおよび酸化物半導体膜の製造方法
KR101842181B1 (ko) 2010-08-04 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8537600B2 (en) 2010-08-04 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Low off-state leakage current semiconductor memory device
US8928466B2 (en) 2010-08-04 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5739257B2 (ja) 2010-08-05 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI545587B (zh) 2010-08-06 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及驅動半導體裝置的方法
JP5671418B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
TWI524347B (zh) 2010-08-06 2016-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其驅動方法
US8467231B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8803164B2 (en) 2010-08-06 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state image sensing device and semiconductor display device
TWI688047B (zh) 2010-08-06 2020-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8792284B2 (en) 2010-08-06 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
JP5832181B2 (ja) 2010-08-06 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
CN103069717B (zh) 2010-08-06 2018-01-30 株式会社半导体能源研究所 半导体集成电路
TWI555128B (zh) 2010-08-06 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
WO2012017844A1 (en) 2010-08-06 2012-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8467232B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9343480B2 (en) 2010-08-16 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5848912B2 (ja) 2010-08-16 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
US8748224B2 (en) 2010-08-16 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9129703B2 (en) 2010-08-16 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor memory device
TWI508294B (zh) 2010-08-19 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8759820B2 (en) 2010-08-20 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8508276B2 (en) 2010-08-25 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including latch circuit
US8883555B2 (en) 2010-08-25 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target
US8685787B2 (en) 2010-08-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9058047B2 (en) 2010-08-26 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013009285A (ja) 2010-08-26 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 信号処理回路及びその駆動方法
JP5727892B2 (ja) 2010-08-26 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8603841B2 (en) 2010-08-27 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device
US8450123B2 (en) 2010-08-27 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body
JP5674594B2 (ja) 2010-08-27 2015-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
KR101979758B1 (ko) 2010-08-27 2019-05-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치, 반도체 장치
JP5806043B2 (ja) 2010-08-27 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20120020073A (ko) 2010-08-27 2012-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 설계 방법
JP5763474B2 (ja) 2010-08-27 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光センサ
JP5702689B2 (ja) 2010-08-31 2015-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法、及び半導体装置
US8634228B2 (en) 2010-09-02 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8575610B2 (en) 2010-09-02 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
KR20130102581A (ko) 2010-09-03 2013-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2012029612A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
US8728860B2 (en) 2010-09-03 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2012029638A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8520426B2 (en) 2010-09-08 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
US8487844B2 (en) 2010-09-08 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device including the same
JP2012256819A (ja) 2010-09-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9142568B2 (en) 2010-09-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting display device
US8766253B2 (en) 2010-09-10 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8797487B2 (en) 2010-09-10 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof
KR101824125B1 (ko) 2010-09-10 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20120026970A (ko) 2010-09-10 2012-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 발광 장치
JP5827520B2 (ja) 2010-09-13 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
JP2012256821A (ja) 2010-09-13 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
TWI543166B (zh) 2010-09-13 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101952235B1 (ko) 2010-09-13 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8546161B2 (en) 2010-09-13 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device
US9496743B2 (en) 2010-09-13 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and wireless power feed system
JP5815337B2 (ja) 2010-09-13 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
KR101872926B1 (ko) 2010-09-13 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101932576B1 (ko) 2010-09-13 2018-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8592879B2 (en) 2010-09-13 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US8835917B2 (en) 2010-09-13 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power diode, and rectifier
US9546416B2 (en) 2010-09-13 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming crystalline oxide semiconductor film
US8664097B2 (en) 2010-09-13 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8871565B2 (en) 2010-09-13 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI539453B (zh) 2010-09-14 2016-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置和半導體裝置
KR20140054465A (ko) 2010-09-15 2014-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
US9230994B2 (en) 2010-09-15 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2012256012A (ja) 2010-09-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR20130106398A (ko) 2010-09-15 2013-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 제작 방법
KR101856722B1 (ko) 2010-09-22 2018-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터
US8767443B2 (en) 2010-09-22 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for inspecting the same
US8792260B2 (en) 2010-09-27 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit and semiconductor device using the same
TWI574259B (zh) 2010-09-29 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置和其驅動方法
TWI539456B (zh) 2010-10-05 2016-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置及其驅動方法
US9437743B2 (en) 2010-10-07 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8716646B2 (en) 2010-10-08 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for operating the same
US8679986B2 (en) 2010-10-14 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US8546892B2 (en) 2010-10-20 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8803143B2 (en) 2010-10-20 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor including buffer layers with high resistivity
TWI543158B (zh) 2010-10-25 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置及其驅動方法
WO2012057296A1 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device
KR101924231B1 (ko) 2010-10-29 2018-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
JP5771505B2 (ja) 2010-10-29 2015-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 受信回路
WO2012060428A1 (ja) 2010-11-02 2012-05-10 宇部興産株式会社 （アミドアミノアルカン）金属化合物、及び当該金属化合物を用いた金属含有薄膜の製造方法
US8916866B2 (en) 2010-11-03 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012060253A1 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9087744B2 (en) 2010-11-05 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving transistor
JP6010291B2 (ja) 2010-11-05 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の駆動方法
KR101952733B1 (ko) 2010-11-05 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8957468B2 (en) 2010-11-05 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Variable capacitor and liquid crystal display device
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI555205B (zh) 2010-11-05 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8902637B2 (en) 2010-11-08 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof
TWI654764B (zh) 2010-11-11 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI541981B (zh) 2010-11-12 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8854865B2 (en) 2010-11-24 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8936965B2 (en) 2010-11-26 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8823092B2 (en) 2010-11-30 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8629496B2 (en) 2010-11-30 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8816425B2 (en) 2010-11-30 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9103724B2 (en) 2010-11-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device
TWI562379B (en) 2010-11-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8809852B2 (en) 2010-11-30 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8461630B2 (en) 2010-12-01 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI632551B (zh) 2010-12-03 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 積體電路，其驅動方法，及半導體裝置
KR20240025046A (ko) 2010-12-03 2024-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
JP5908263B2 (ja) 2010-12-03 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃ−ｄｃコンバータ
JP5856827B2 (ja) 2010-12-09 2016-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI534905B (zh) 2010-12-10 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
JP2012256020A (ja) 2010-12-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
US9202822B2 (en) 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8730416B2 (en) 2010-12-17 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2012142562A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
US8894825B2 (en) 2010-12-17 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device
US9024317B2 (en) 2010-12-24 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5975635B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5864054B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8941112B2 (en) 2010-12-28 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9048142B2 (en) 2010-12-28 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012090973A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5993141B2 (ja) 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP2012151453A (ja) 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の駆動方法
JP6030298B2 (ja) 2010-12-28 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 緩衝記憶装置及び信号処理回路
JP5973165B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5852874B2 (ja) * 2010-12-28 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9911858B2 (en) 2010-12-28 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2012090799A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI562142B (en) 2011-01-05 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Storage element, storage device, and signal processing circuit
US8921948B2 (en) 2011-01-12 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8912080B2 (en) 2011-01-12 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of the semiconductor device
TWI535032B (zh) 2011-01-12 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8536571B2 (en) 2011-01-12 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI570809B (zh) 2011-01-12 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8421071B2 (en) 2011-01-13 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US8575678B2 (en) 2011-01-13 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device with floating gate
TWI657565B (zh) 2011-01-14 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶裝置
JP5859839B2 (ja) 2011-01-14 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子
KR102026718B1 (ko) 2011-01-14 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법
KR101942701B1 (ko) 2011-01-20 2019-01-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체 소자 및 반도체 장치
TWI614747B (zh) 2011-01-26 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
TWI657580B (zh) 2011-01-26 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI552345B (zh) 2011-01-26 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5798933B2 (ja) 2011-01-26 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
WO2012102182A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN103348464B (zh) 2011-01-26 2016-01-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
TWI570920B (zh) 2011-01-26 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR20190007525A (ko) 2011-01-27 2019-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI525619B (zh) 2011-01-27 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路
US8634230B2 (en) 2011-01-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
WO2012102281A1 (en) 2011-01-28 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101984218B1 (ko) 2011-01-28 2019-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치
US9494829B2 (en) 2011-01-28 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same
TWI520273B (zh) 2011-02-02 2016-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US8513773B2 (en) 2011-02-02 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor and semiconductor device including dielectric and N-type semiconductor
US9799773B2 (en) 2011-02-02 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
JP6000560B2 (ja) 2011-02-02 2016-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体メモリ装置
US9431400B2 (en) 2011-02-08 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US8787083B2 (en) 2011-02-10 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit
US9167234B2 (en) 2011-02-14 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8975680B2 (en) 2011-02-17 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device
KR101899880B1 (ko) 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 ｌｓｉ
US8643007B2 (en) 2011-02-23 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709920B2 (en) 2011-02-24 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9443455B2 (en) 2011-02-25 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having a plurality of pixels
US9691772B2 (en) 2011-03-03 2017-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor
US9646829B2 (en) 2011-03-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9023684B2 (en) 2011-03-04 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8659015B2 (en) 2011-03-04 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8841664B2 (en) 2011-03-04 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8785933B2 (en) 2011-03-04 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5898527B2 (ja) 2011-03-04 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8659957B2 (en) 2011-03-07 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US9099437B2 (en) 2011-03-08 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5827145B2 (ja) 2011-03-08 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8625085B2 (en) 2011-03-08 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Defect evaluation method for semiconductor
US8541781B2 (en) 2011-03-10 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8772849B2 (en) 2011-03-10 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2012121265A1 (en) 2011-03-10 2012-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
TWI521612B (zh) 2011-03-11 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI658516B (zh) 2011-03-11 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP2012209543A (ja) 2011-03-11 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8760903B2 (en) 2011-03-11 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit
JP5933300B2 (ja) 2011-03-16 2016-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5933897B2 (ja) 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101995682B1 (ko) 2011-03-18 2019-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
US8859330B2 (en) 2011-03-23 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5839474B2 (ja) 2011-03-24 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8956944B2 (en) 2011-03-25 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8987728B2 (en) 2011-03-25 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US8686416B2 (en) 2011-03-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
TWI545652B (zh) 2011-03-25 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI582999B (zh) 2011-03-25 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路
US9219159B2 (en) 2011-03-25 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US9012904B2 (en) 2011-03-25 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6053098B2 (ja) 2011-03-28 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8927329B2 (en) 2011-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties
JP5879165B2 (ja) 2011-03-30 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9082860B2 (en) 2011-03-31 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI567735B (zh) 2011-03-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路，記憶體單元，及訊號處理電路
US8686486B2 (en) 2011-03-31 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8541266B2 (en) 2011-04-01 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9960278B2 (en) 2011-04-06 2018-05-01 Yuhei Sato Manufacturing method of semiconductor device
US9012905B2 (en) 2011-04-08 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same
JP2012256406A (ja) 2011-04-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置、及び当該記憶装置を用いた半導体装置
US9093538B2 (en) 2011-04-08 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI567736B (zh) 2011-04-08 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體元件及信號處理電路
US9478668B2 (en) 2011-04-13 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US8854867B2 (en) 2011-04-13 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and driving method of the memory device
JP5883699B2 (ja) 2011-04-13 2016-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルｌｓｉ
JP6045176B2 (ja) 2011-04-15 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5890234B2 (ja) 2011-04-15 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
US8878174B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit
US8779488B2 (en) 2011-04-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6001900B2 (ja) 2011-04-21 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
JP5946683B2 (ja) 2011-04-22 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8932913B2 (en) 2011-04-22 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9006803B2 (en) 2011-04-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US10079053B2 (en) 2011-04-22 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and memory device
US9331206B2 (en) 2011-04-22 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide material and semiconductor device
US8916868B2 (en) 2011-04-22 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8878288B2 (en) 2011-04-22 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8941958B2 (en) 2011-04-22 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8809854B2 (en) 2011-04-22 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102760697B (zh) 2011-04-27 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US8729545B2 (en) 2011-04-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9935622B2 (en) 2011-04-28 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Comparator and semiconductor device including comparator
KR101919056B1 (ko) 2011-04-28 2018-11-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 회로
US8681533B2 (en) 2011-04-28 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device
US9614094B2 (en) 2011-04-29 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same
US9111795B2 (en) 2011-04-29 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film
KR101963457B1 (ko) 2011-04-29 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법
US8848464B2 (en) 2011-04-29 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
TWI525615B (zh) 2011-04-29 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US8785923B2 (en) 2011-04-29 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8476927B2 (en) 2011-04-29 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US8446171B2 (en) 2011-04-29 2013-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing unit
RU2466476C1 (ru) * 2011-05-03 2012-11-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова Способ изготовления полупроводникового прибора
TWI671911B (zh) 2011-05-05 2019-09-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI568181B (zh) 2011-05-06 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 邏輯電路及半導體裝置
US9117701B2 (en) 2011-05-06 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8809928B2 (en) 2011-05-06 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and method for manufacturing the semiconductor device
KR101874144B1 (ko) 2011-05-06 2018-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
US8709922B2 (en) 2011-05-06 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012153473A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9443844B2 (en) 2011-05-10 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof
US8946066B2 (en) 2011-05-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI541978B (zh) 2011-05-11 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法
US8847233B2 (en) 2011-05-12 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film
TWI557711B (zh) 2011-05-12 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的驅動方法
US9048788B2 (en) 2011-05-13 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion
US9954110B2 (en) 2011-05-13 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US9466618B2 (en) 2011-05-13 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including two thin film transistors and method of manufacturing the same
WO2012157472A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI536502B (zh) 2011-05-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路及電子裝置
KR101921772B1 (ko) 2011-05-13 2018-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9397222B2 (en) 2011-05-13 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US8897049B2 (en) 2011-05-13 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Semiconductor device and memory device including semiconductor device
JP5886128B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101957315B1 (ko) 2011-05-13 2019-03-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5959296B2 (ja) 2011-05-13 2016-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその製造方法
US9093539B2 (en) 2011-05-13 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
DE112012002113T5 (de) 2011-05-16 2014-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmierbarer Logikbaustein
TWI570891B (zh) 2011-05-17 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI552150B (zh) 2011-05-18 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
TWI571058B (zh) 2011-05-18 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置與驅動半導體裝置之方法
US8837203B2 (en) 2011-05-19 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101991735B1 (ko) 2011-05-19 2019-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
US8581625B2 (en) 2011-05-19 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
KR102081792B1 (ko) 2011-05-19 2020-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 연산회로 및 연산회로의 구동방법
JP6014362B2 (ja) 2011-05-19 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102093909B1 (ko) 2011-05-19 2020-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 및 회로의 구동 방법
US9117920B2 (en) 2011-05-19 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device using oxide semiconductor
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
JP6030334B2 (ja) 2011-05-20 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5886496B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8508256B2 (en) 2011-05-20 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
TWI557739B (zh) 2011-05-20 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP5947099B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN102789808B (zh) 2011-05-20 2018-03-06 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和用于驱动存储器装置的方法
JP6082189B2 (ja) 2011-05-20 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び信号処理回路
KR101922397B1 (ko) 2011-05-20 2018-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI570719B (zh) 2011-05-20 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
JP5951351B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 加算器及び全加算器
JP5892852B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP6013680B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5820336B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6091083B2 (ja) 2011-05-20 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
TWI570730B (zh) 2011-05-20 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6013682B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
WO2012161059A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
TWI614995B (zh) 2011-05-20 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 鎖相迴路及使用此鎖相迴路之半導體裝置
TWI559683B (zh) 2011-05-20 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP5936908B2 (ja) 2011-05-20 2016-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 パリティビット出力回路およびパリティチェック回路
JP5820335B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20120298998A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
KR101912971B1 (ko) 2011-05-26 2018-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 분주 회로 및 분주 회로를 이용한 반도체 장치
US9171840B2 (en) 2011-05-26 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8610482B2 (en) 2011-05-27 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Trimming circuit and method for driving trimming circuit
RU2460172C1 (ru) * 2011-05-30 2012-08-27 Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" Транзистор на основе полупроводникового соединения и способ его изготовления
US8669781B2 (en) 2011-05-31 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5912844B2 (ja) 2011-05-31 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US9467047B2 (en) 2011-05-31 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device
JP5890251B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 通信方法
WO2012169449A1 (en) 2011-06-08 2012-12-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film
JP2013016243A (ja) 2011-06-09 2013-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
JP6104522B2 (ja) 2011-06-10 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6005401B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9112036B2 (en) 2011-06-10 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8958263B2 (en) 2011-06-10 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8891285B2 (en) 2011-06-10 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8804405B2 (en) 2011-06-16 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
TWI557910B (zh) 2011-06-16 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9299852B2 (en) 2011-06-16 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20130007426A (ko) 2011-06-17 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9099885B2 (en) 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
US8901554B2 (en) 2011-06-17 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including channel formation region including oxide semiconductor
KR102546888B1 (ko) 2011-06-17 2023-06-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치
US9166055B2 (en) 2011-06-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8673426B2 (en) 2011-06-29 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit
US8878589B2 (en) 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2013005380A1 (en) 2011-07-01 2013-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9385238B2 (en) 2011-07-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor using oxide semiconductor
US9490241B2 (en) 2011-07-08 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter
US9496138B2 (en) 2011-07-08 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
KR102014876B1 (ko) 2011-07-08 2019-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US9318506B2 (en) 2011-07-08 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9214474B2 (en) 2011-07-08 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8748886B2 (en) 2011-07-08 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8836626B2 (en) 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9200952B2 (en) 2011-07-15 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photodetector and an analog arithmetic circuit
JP2013042117A (ja) 2011-07-15 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8847220B2 (en) 2011-07-15 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8946812B2 (en) 2011-07-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2013015091A1 (en) 2011-07-22 2013-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US8643008B2 (en) 2011-07-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6013685B2 (ja) 2011-07-22 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8716073B2 (en) 2011-07-22 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US9012993B2 (en) 2011-07-22 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8718224B2 (en) 2011-08-05 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
US8994019B2 (en) 2011-08-05 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6006572B2 (ja) 2011-08-18 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI575494B (zh) 2011-08-19 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的驅動方法
JP6128775B2 (ja) 2011-08-19 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6116149B2 (ja) 2011-08-24 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TW202412006A (zh) 2011-08-29 2024-03-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
US9252279B2 (en) 2011-08-31 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6016532B2 (ja) 2011-09-07 2016-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8802493B2 (en) 2011-09-13 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor device
JP5825744B2 (ja) 2011-09-15 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
WO2013039126A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5832399B2 (ja) 2011-09-16 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9082663B2 (en) 2011-09-16 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8952379B2 (en) 2011-09-16 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN103022012B (zh) 2011-09-21 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 半导体存储装置
KR101976228B1 (ko) 2011-09-22 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광 검출 장치 및 광 검출 장치의 구동 방법
WO2013042562A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9431545B2 (en) 2011-09-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8841675B2 (en) 2011-09-23 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute transistor
KR102108572B1 (ko) 2011-09-26 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2013084333A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シフトレジスタ回路
KR101506303B1 (ko) 2011-09-29 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
US8716708B2 (en) 2011-09-29 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN103843146B (zh) 2011-09-29 2016-03-16 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
CN106847929B (zh) 2011-09-29 2020-06-23 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP5806905B2 (ja) 2011-09-30 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8982607B2 (en) 2011-09-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
US20130087784A1 (en) 2011-10-05 2013-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6022880B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2013093561A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
JP2013093565A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9117916B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
US9287405B2 (en) 2011-10-13 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor
US9018629B2 (en) 2011-10-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP5912394B2 (ja) 2011-10-13 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8637864B2 (en) 2011-10-13 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP6026839B2 (ja) 2011-10-13 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20130040706A (ko) 2011-10-14 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
SG10201601757UA (en) 2011-10-14 2016-04-28 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
KR20130042867A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 삼성디스플레이 주식회사 보호막 용액 조성물, 박막 트랜지스터 표시판 및 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
KR20130043063A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI567985B (zh) 2011-10-21 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6045285B2 (ja) 2011-10-24 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101976212B1 (ko) 2011-10-24 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6226518B2 (ja) 2011-10-24 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6082562B2 (ja) 2011-10-27 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20130046357A (ko) 2011-10-27 2013-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2013061895A1 (en) 2011-10-28 2013-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8604472B2 (en) 2011-11-09 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5933895B2 (ja) 2011-11-10 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6076038B2 (ja) 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
KR101984739B1 (ko) 2011-11-11 2019-05-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 신호선 구동 회로 및 액정 표시 장치
JP6122275B2 (ja) 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9082861B2 (en) 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
US8878177B2 (en) 2011-11-11 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8796682B2 (en) 2011-11-11 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
KR20130055521A (ko) 2011-11-18 2013-05-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자, 및 반도체 소자의 제작 방법, 및 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치
US8969130B2 (en) 2011-11-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, formation method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof
JP6125211B2 (ja) 2011-11-25 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8962386B2 (en) 2011-11-25 2015-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6059968B2 (ja) 2011-11-25 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び液晶表示装置
JP6099368B2 (ja) 2011-11-25 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US8951899B2 (en) 2011-11-25 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Method for manufacturing semiconductor device
US9057126B2 (en) 2011-11-29 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
KR102072244B1 (ko) 2011-11-30 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
CN103137701B (zh) 2011-11-30 2018-01-19 株式会社半导体能源研究所 晶体管及半导体装置
TWI556319B (zh) 2011-11-30 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI639150B (zh) 2011-11-30 2018-10-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體顯示裝置
US20130137232A1 (en) 2011-11-30 2013-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US9076871B2 (en) 2011-11-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8981367B2 (en) 2011-12-01 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI621185B (zh) 2011-12-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
WO2013080900A1 (en) 2011-12-02 2013-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6050662B2 (ja) 2011-12-02 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2013137853A (ja) 2011-12-02 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置および記憶装置の駆動方法
US9257422B2 (en) 2011-12-06 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit
US9076505B2 (en) 2011-12-09 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
JP6105266B2 (ja) 2011-12-15 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
WO2013089115A1 (en) 2011-12-15 2013-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2013149953A (ja) 2011-12-20 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8785258B2 (en) 2011-12-20 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8748240B2 (en) 2011-12-22 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2013130802A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
US8907392B2 (en) 2011-12-22 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including stacked sub memory cells
JP6012450B2 (ja) 2011-12-23 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6033071B2 (ja) 2011-12-23 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI613824B (zh) 2011-12-23 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2013094547A1 (en) 2011-12-23 2013-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI569446B (zh) 2011-12-23 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置
US8704221B2 (en) 2011-12-23 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI580189B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 位準位移電路及半導體積體電路
JP6053490B2 (ja) 2011-12-23 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2013099537A1 (en) 2011-12-26 2013-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Motion recognition device
TWI584383B (zh) 2011-12-27 2017-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102100425B1 (ko) 2011-12-27 2020-04-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102103913B1 (ko) 2012-01-10 2020-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8969867B2 (en) 2012-01-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013168926A (ja) 2012-01-18 2013-08-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 回路、センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
US9040981B2 (en) 2012-01-20 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9099560B2 (en) 2012-01-20 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9653614B2 (en) 2012-01-23 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102433736B1 (ko) 2012-01-23 2022-08-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101302481B1 (ko) * 2012-01-25 2013-09-02 삼성코닝정밀소재 주식회사 산화물 반도체 타겟, 이를 통해 증착된 액티브층을 갖는 박막 트랜지스터 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
KR102295888B1 (ko) 2012-01-25 2021-08-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI605597B (zh) 2012-01-26 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8956912B2 (en) 2012-01-26 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6091905B2 (ja) 2012-01-26 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9006733B2 (en) 2012-01-26 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US9419146B2 (en) 2012-01-26 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI561951B (en) 2012-01-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Power supply circuit
TWI604609B (zh) 2012-02-02 2017-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9362417B2 (en) 2012-02-03 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9196741B2 (en) 2012-02-03 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102101167B1 (ko) 2012-02-03 2020-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8916424B2 (en) 2012-02-07 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9859114B2 (en) 2012-02-08 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer
JP5981157B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9112037B2 (en) 2012-02-09 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6125850B2 (ja) 2012-02-09 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US20130207111A1 (en) 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
US8817516B2 (en) 2012-02-17 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit and semiconductor device
JP2014063557A (ja) 2012-02-24 2014-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置及び半導体装置
US20130221345A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6220526B2 (ja) 2012-02-29 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8988152B2 (en) 2012-02-29 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9312257B2 (en) 2012-02-29 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
US8975917B2 (en) 2012-03-01 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP6046514B2 (ja) 2012-03-01 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013183001A (ja) 2012-03-01 2013-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
US9287370B2 (en) 2012-03-02 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same
US9176571B2 (en) 2012-03-02 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Microprocessor and method for driving microprocessor
JP6100559B2 (ja) 2012-03-05 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
JP6041707B2 (ja) 2012-03-05 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 ラッチ回路および半導体装置
US8995218B2 (en) 2012-03-07 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981370B2 (en) 2012-03-08 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013133143A1 (en) 2012-03-09 2013-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
CN104170001B (zh) 2012-03-13 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其驱动方法
JP6168795B2 (ja) 2012-03-14 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9117409B2 (en) 2012-03-14 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer
US9058892B2 (en) 2012-03-14 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and shift register
KR102108248B1 (ko) 2012-03-14 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 트랜지스터, 및 반도체 장치
US9541386B2 (en) 2012-03-21 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Distance measurement device and distance measurement system
US9349849B2 (en) 2012-03-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
JP6169376B2 (ja) 2012-03-28 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置
US9324449B2 (en) 2012-03-28 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
US9786793B2 (en) 2012-03-29 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements
JP2013229013A (ja) 2012-03-29 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アレイコントローラ及びストレージシステム
JP6139187B2 (ja) 2012-03-29 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102044725B1 (ko) 2012-03-29 2019-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전원 제어 장치
US8941113B2 (en) 2012-03-30 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element
US8999773B2 (en) 2012-04-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device
US9711110B2 (en) 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
JP2013232885A (ja) 2012-04-06 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体リレー
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP5975907B2 (ja) 2012-04-11 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9276121B2 (en) 2012-04-12 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9208849B2 (en) 2012-04-12 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device
JP6059566B2 (ja) 2012-04-13 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
SG10201610711UA (en) 2012-04-13 2017-02-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US9030232B2 (en) 2012-04-13 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Isolator circuit and semiconductor device
JP6128906B2 (ja) 2012-04-13 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6143423B2 (ja) 2012-04-16 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP6001308B2 (ja) 2012-04-17 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6076612B2 (ja) 2012-04-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9029863B2 (en) 2012-04-20 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9219164B2 (en) 2012-04-20 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor channel
US9230683B2 (en) 2012-04-25 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9236408B2 (en) 2012-04-25 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
US9006024B2 (en) 2012-04-25 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9285848B2 (en) 2012-04-27 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power reception control device, power reception device, power transmission and reception system, and electronic device
US8860022B2 (en) 2012-04-27 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US9331689B2 (en) 2012-04-27 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply circuit and semiconductor device including the same
JP6199583B2 (ja) 2012-04-27 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048323B2 (en) 2012-04-30 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6100071B2 (ja) 2012-04-30 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6228381B2 (ja) 2012-04-30 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9007090B2 (en) 2012-05-01 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving semiconductor device
JP6035195B2 (ja) 2012-05-01 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9703704B2 (en) 2012-05-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6227890B2 (ja) 2012-05-02 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路および制御回路
JP6243136B2 (ja) 2012-05-02 2017-12-06 株式会社半導体エネルギー研究所 スイッチングコンバータ
KR102025722B1 (ko) 2012-05-02 2019-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치
KR101978932B1 (ko) 2012-05-02 2019-05-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그램 가능한 로직 디바이스
JP6100076B2 (ja) 2012-05-02 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プロセッサ
US8866510B2 (en) 2012-05-02 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9261943B2 (en) 2012-05-02 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR20130125717A (ko) 2012-05-09 2013-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR20210109658A (ko) 2012-05-10 2021-09-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스
KR102380379B1 (ko) 2012-05-10 2022-04-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102069158B1 (ko) 2012-05-10 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102087443B1 (ko) 2012-05-11 2020-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
DE102013022449B3 (de) 2012-05-11 2019-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
US8994891B2 (en) 2012-05-16 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
US8929128B2 (en) 2012-05-17 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and writing method of the same
US9817032B2 (en) 2012-05-23 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measurement device
CN104321967B (zh) 2012-05-25 2018-01-09 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置及半导体装置
JP6050721B2 (ja) 2012-05-25 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6250955B2 (ja) 2012-05-25 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
KR102164990B1 (ko) 2012-05-25 2020-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자의 구동 방법
JP2014003594A (ja) 2012-05-25 2014-01-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
US9147706B2 (en) 2012-05-29 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit
JP6377317B2 (ja) 2012-05-30 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
CN107591316B (zh) 2012-05-31 2021-06-08 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP6158588B2 (ja) 2012-05-31 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8785928B2 (en) 2012-05-31 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102119914B1 (ko) 2012-05-31 2020-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8995607B2 (en) 2012-05-31 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
US9048265B2 (en) 2012-05-31 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer
US8872174B2 (en) 2012-06-01 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
KR20150023547A (ko) 2012-06-01 2015-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 경보 장치
US9916793B2 (en) 2012-06-01 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving the same
US9135182B2 (en) 2012-06-01 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central processing unit and driving method thereof
US9343120B2 (en) 2012-06-01 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. High speed processing unit with non-volatile register
US8901557B2 (en) 2012-06-15 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014027263A (ja) 2012-06-15 2014-02-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9059219B2 (en) 2012-06-27 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR102315695B1 (ko) 2012-06-29 2021-10-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102082794B1 (ko) 2012-06-29 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
KR102161077B1 (ko) 2012-06-29 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8873308B2 (en) 2012-06-29 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit
KR102099445B1 (ko) 2012-06-29 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US9190525B2 (en) 2012-07-06 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer
US9054678B2 (en) 2012-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9083327B2 (en) 2012-07-06 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
KR102099262B1 (ko) 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
JP2014032399A (ja) 2012-07-13 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP6006558B2 (ja) 2012-07-17 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその製造方法
KR102262323B1 (ko) 2012-07-20 2021-06-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
DE112013007837B3 (de) 2012-07-20 2023-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
KR102081468B1 (ko) 2012-07-20 2020-02-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
JP6185311B2 (ja) 2012-07-20 2017-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 電源制御回路、及び信号処理回路
KR102004398B1 (ko) 2012-07-24 2019-07-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2014042004A (ja) 2012-07-26 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR20140013931A (ko) 2012-07-26 2014-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
JP6224931B2 (ja) 2012-07-27 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6134598B2 (ja) 2012-08-02 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014045175A (ja) 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
EP2880690B1 (en) 2012-08-03 2019-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor stacked film
CN108054175A (zh) 2012-08-03 2018-05-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9885108B2 (en) 2012-08-07 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming sputtering target
US10557192B2 (en) 2012-08-07 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for using sputtering target and method for forming oxide film
US9245958B2 (en) 2012-08-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014199899A (ja) 2012-08-10 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6220597B2 (ja) 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8937307B2 (en) 2012-08-10 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102171650B1 (ko) 2012-08-10 2020-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2014057298A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
TWI581404B (zh) 2012-08-10 2017-05-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法
KR102099261B1 (ko) 2012-08-10 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9929276B2 (en) 2012-08-10 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014057296A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
CN104584229B (zh) 2012-08-10 2018-05-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US8872120B2 (en) 2012-08-23 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and method for driving the same
KR102069683B1 (ko) 2012-08-24 2020-01-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
KR20140029202A (ko) 2012-08-28 2014-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
DE102013216824A1 (de) 2012-08-28 2014-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9625764B2 (en) 2012-08-28 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
TWI575663B (zh) 2012-08-31 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
SG11201504939RA (en) 2012-09-03 2015-07-30 Semiconductor Energy Lab Microcontroller
US8947158B2 (en) 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
DE102013217278B4 (de) 2012-09-12 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung
US8981372B2 (en) 2012-09-13 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
KR102484987B1 (ko) 2012-09-13 2023-01-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9018624B2 (en) 2012-09-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
TWI831522B (zh) 2012-09-14 2024-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI671910B (zh) 2012-09-24 2019-09-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2014046222A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6290576B2 (ja) 2012-10-12 2018-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその駆動方法
JP6351947B2 (ja) 2012-10-12 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
KR102226090B1 (ko) 2012-10-12 2021-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
TWI681233B (zh) 2012-10-12 2020-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
KR102046996B1 (ko) 2012-10-16 2019-11-21 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
JP6021586B2 (ja) 2012-10-17 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9166021B2 (en) 2012-10-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI591966B (zh) 2012-10-17 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法
JP6059501B2 (ja) 2012-10-17 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2014061762A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014082388A (ja) 2012-10-17 2014-05-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
WO2014061535A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014061761A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microcontroller and method for manufacturing the same
JP6283191B2 (ja) 2012-10-17 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5951442B2 (ja) 2012-10-17 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014061567A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
KR102220279B1 (ko) 2012-10-19 2021-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6204145B2 (ja) 2012-10-23 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014065343A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6300489B2 (ja) 2012-10-24 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102130184B1 (ko) 2012-10-24 2020-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI637517B (zh) 2012-10-24 2018-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102279459B1 (ko) 2012-10-24 2021-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2014065389A1 (en) 2012-10-25 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central control system
JP6219562B2 (ja) 2012-10-30 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
WO2014073374A1 (en) 2012-11-06 2014-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
CN109065553A (zh) 2012-11-08 2018-12-21 株式会社半导体能源研究所 金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法
TWI608616B (zh) 2012-11-15 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI605593B (zh) 2012-11-15 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6220641B2 (ja) 2012-11-15 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI620323B (zh) 2012-11-16 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6285150B2 (ja) 2012-11-16 2018-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6317059B2 (ja) 2012-11-16 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
TWI613813B (zh) 2012-11-16 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI757837B (zh) 2012-11-28 2022-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9263531B2 (en) 2012-11-28 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device
US9412764B2 (en) 2012-11-28 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
WO2014084153A1 (en) 2012-11-28 2014-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI627483B (zh) 2012-11-28 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電視接收機
CN116207143A (zh) 2012-11-30 2023-06-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9594281B2 (en) 2012-11-30 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
TWI582993B (zh) 2012-11-30 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2014130336A (ja) 2012-11-30 2014-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9246011B2 (en) 2012-11-30 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9153649B2 (en) 2012-11-30 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device
JP6320009B2 (ja) 2012-12-03 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
KR102207028B1 (ko) 2012-12-03 2021-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9406810B2 (en) 2012-12-03 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6254834B2 (ja) 2012-12-06 2017-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9577446B2 (en) 2012-12-13 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device
FR2999806A1 (fr) 2012-12-19 2014-06-20 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une structure, notamment de type mis, en particulier pour diode electroluminescente.
TWI611419B (zh) 2012-12-24 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
DE112013006219T5 (de) 2012-12-25 2015-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren
US9905585B2 (en) 2012-12-25 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising capacitor
KR102241249B1 (ko) 2012-12-25 2021-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기
KR102209871B1 (ko) 2012-12-25 2021-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2014142986A (ja) 2012-12-26 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6329762B2 (ja) 2012-12-28 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI607510B (zh) 2012-12-28 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
CN110137181A (zh) 2012-12-28 2019-08-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
WO2014104267A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014143410A (ja) 2012-12-28 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9316695B2 (en) 2012-12-28 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9391096B2 (en) 2013-01-18 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI614813B (zh) 2013-01-21 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP6223198B2 (ja) 2013-01-24 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5807076B2 (ja) 2013-01-24 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9190172B2 (en) 2013-01-24 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9466725B2 (en) 2013-01-24 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI619010B (zh) 2013-01-24 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9076825B2 (en) 2013-01-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US8981374B2 (en) 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI593025B (zh) 2013-01-30 2017-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體層的處理方法
TWI618252B (zh) 2013-02-12 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102112367B1 (ko) 2013-02-12 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9231111B2 (en) 2013-02-13 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9190527B2 (en) 2013-02-13 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
US8952723B2 (en) 2013-02-13 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
KR102125593B1 (ko) 2013-02-13 2020-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치
US9318484B2 (en) 2013-02-20 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI611566B (zh) 2013-02-25 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
JP6329779B2 (ja) * 2013-02-25 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9293544B2 (en) 2013-02-26 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having buried channel structure
TWI612321B (zh) 2013-02-27 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置
US9373711B2 (en) 2013-02-27 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI611567B (zh) 2013-02-27 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置
JP2014195241A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6141777B2 (ja) 2013-02-28 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102238682B1 (ko) 2013-02-28 2021-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP2014195243A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9276125B2 (en) 2013-03-01 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014195060A (ja) 2013-03-01 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
KR102153110B1 (ko) 2013-03-06 2020-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체막 및 반도체 장치
US9269315B2 (en) 2013-03-08 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
JP2014175503A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、薄膜トランジスタおよび表示装置
US8947121B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI644433B (zh) 2013-03-13 2018-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102290247B1 (ko) 2013-03-14 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP6298662B2 (ja) 2013-03-14 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014199709A (ja) 2013-03-14 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、半導体装置
KR20150128823A (ko) 2013-03-14 2015-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 구동 방법 및 반도체 장치
JP6283237B2 (ja) 2013-03-14 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20150128820A (ko) 2013-03-14 2015-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 구동 방법 및 반도체 장치
US9294075B2 (en) 2013-03-14 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9245650B2 (en) 2013-03-15 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9786350B2 (en) 2013-03-18 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9153650B2 (en) 2013-03-19 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor
US9577107B2 (en) 2013-03-19 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film
US9007092B2 (en) 2013-03-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6355374B2 (ja) 2013-03-22 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6093726B2 (ja) 2013-03-22 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6272713B2 (ja) 2013-03-25 2018-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置
WO2014157019A1 (en) 2013-03-25 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10347769B2 (en) 2013-03-25 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes
JP6316630B2 (ja) 2013-03-26 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6376788B2 (ja) 2013-03-26 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP6395409B2 (ja) 2013-03-27 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP2014209209A (ja) 2013-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN105308208A (zh) 2013-03-29 2016-02-03 吉坤日矿日石金属株式会社 Igzo溅射靶和igzo膜
US9368636B2 (en) 2013-04-01 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers
JP6300589B2 (ja) 2013-04-04 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9112460B2 (en) 2013-04-05 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device
JP6198434B2 (ja) 2013-04-11 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP6224338B2 (ja) 2013-04-11 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法
TWI620324B (zh) 2013-04-12 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6280794B2 (ja) 2013-04-12 2018-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
US9915848B2 (en) 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP6333028B2 (ja) 2013-04-19 2018-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び半導体装置
JP6456598B2 (ja) 2013-04-19 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9893192B2 (en) 2013-04-24 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014175296A1 (en) 2013-04-24 2014-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6396671B2 (ja) 2013-04-26 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6401483B2 (ja) 2013-04-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI644434B (zh) 2013-04-29 2018-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI631711B (zh) 2013-05-01 2018-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102222344B1 (ko) 2013-05-02 2021-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9882058B2 (en) 2013-05-03 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9231002B2 (en) 2013-05-03 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
WO2014181785A1 (en) 2013-05-09 2014-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9246476B2 (en) 2013-05-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit
US9704894B2 (en) 2013-05-10 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including pixel electrode including oxide
TWI621337B (zh) 2013-05-14 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 信號處理裝置
TWI618058B (zh) 2013-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI690085B (zh) 2013-05-16 2020-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9312392B2 (en) 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI809474B (zh) 2013-05-16 2023-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10032872B2 (en) 2013-05-17 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device
US9209795B2 (en) 2013-05-17 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device and measuring method
JP6298353B2 (ja) 2013-05-17 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI638519B (zh) 2013-05-17 2018-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
US9754971B2 (en) 2013-05-18 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102537022B1 (ko) 2013-05-20 2023-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9343579B2 (en) 2013-05-20 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9647125B2 (en) 2013-05-20 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
SG10201707381WA (en) 2013-05-20 2017-10-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
DE102014208859B4 (de) 2013-05-20 2021-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
TWI664731B (zh) 2013-05-20 2019-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9293599B2 (en) 2013-05-20 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10416504B2 (en) 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2014188983A1 (en) 2013-05-21 2014-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and formation method thereof
US9806198B2 (en) 2013-06-05 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI624936B (zh) 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
JP2015195327A (ja) 2013-06-05 2015-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI687748B (zh) 2013-06-05 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6400336B2 (ja) 2013-06-05 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9773915B2 (en) 2013-06-11 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI641112B (zh) 2013-06-13 2018-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6368155B2 (ja) 2013-06-18 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
TWI652822B (zh) 2013-06-19 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體膜及其形成方法
US9035301B2 (en) 2013-06-19 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
TWI633650B (zh) 2013-06-21 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9515094B2 (en) 2013-06-26 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and semiconductor device
KR20210079411A (ko) 2013-06-27 2021-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6352070B2 (ja) 2013-07-05 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9666697B2 (en) 2013-07-08 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer
JP6435124B2 (ja) 2013-07-08 2018-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US20150008428A1 (en) 2013-07-08 2015-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9424950B2 (en) 2013-07-10 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9293480B2 (en) 2013-07-10 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6018607B2 (ja) 2013-07-12 2016-11-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9818763B2 (en) 2013-07-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
JP6322503B2 (ja) 2013-07-16 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6516978B2 (ja) 2013-07-17 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI621130B (zh) 2013-07-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及用於製造半導體裝置之方法
US9395070B2 (en) 2013-07-19 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Support of flexible component and light-emitting device
TWI608523B (zh) 2013-07-19 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device
US9379138B2 (en) 2013-07-19 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity
TWI636309B (zh) 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
US10529740B2 (en) 2013-07-25 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer
TWI632688B (zh) 2013-07-25 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
TWI641208B (zh) 2013-07-26 2018-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 直流對直流轉換器
JP6410496B2 (ja) 2013-07-31 2018-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 マルチゲート構造のトランジスタ
JP6460592B2 (ja) 2013-07-31 2019-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃｄｃコンバータ、及び半導体装置
US9343288B2 (en) 2013-07-31 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI635750B (zh) 2013-08-02 2018-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置以及其工作方法
US9496330B2 (en) 2013-08-02 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP2015053477A (ja) 2013-08-05 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6345023B2 (ja) 2013-08-07 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9601591B2 (en) 2013-08-09 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9299855B2 (en) 2013-08-09 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having dual gate insulating layers
JP6329843B2 (ja) 2013-08-19 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9374048B2 (en) 2013-08-20 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device, and driving method and program thereof
TWI643435B (zh) 2013-08-21 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置
KR102232133B1 (ko) 2013-08-22 2021-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9443987B2 (en) 2013-08-23 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102244553B1 (ko) 2013-08-23 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 용량 소자 및 반도체 장치
TWI803081B (zh) 2013-08-28 2023-05-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
WO2015030150A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit and semiconductor device
US9590109B2 (en) 2013-08-30 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6426402B2 (ja) 2013-08-30 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9360564B2 (en) 2013-08-30 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US9552767B2 (en) 2013-08-30 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP6406926B2 (ja) 2013-09-04 2018-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9449853B2 (en) 2013-09-04 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer
US10008513B2 (en) 2013-09-05 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9607991B2 (en) 2013-09-05 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6345544B2 (ja) 2013-09-05 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102294507B1 (ko) 2013-09-06 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6401977B2 (ja) 2013-09-06 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590110B2 (en) 2013-09-10 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ultraviolet light sensor circuit
TWI640014B (zh) 2013-09-11 2018-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置、半導體裝置及電子裝置
US9269822B2 (en) 2013-09-12 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9893194B2 (en) 2013-09-12 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI646690B (zh) 2013-09-13 2019-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP2015079946A (ja) 2013-09-13 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102307142B1 (ko) 2013-09-13 2021-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9461126B2 (en) 2013-09-13 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit
US9805952B2 (en) 2013-09-13 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9887297B2 (en) 2013-09-17 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer
JP6347704B2 (ja) 2013-09-18 2018-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9269915B2 (en) 2013-09-18 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI677989B (zh) 2013-09-19 2019-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9425217B2 (en) 2013-09-23 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6570817B2 (ja) 2013-09-23 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI678740B (zh) * 2013-09-23 2019-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2015084418A (ja) 2013-09-23 2015-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6383616B2 (ja) 2013-09-25 2018-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102213515B1 (ko) 2013-09-26 2021-02-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스위치 회로, 반도체 장치, 및 시스템
JP6392603B2 (ja) 2013-09-27 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6581765B2 (ja) 2013-10-02 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置
JP6386323B2 (ja) 2013-10-04 2018-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TW202339281A (zh) 2013-10-10 2023-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
KR102183763B1 (ko) 2013-10-11 2020-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6591739B2 (ja) 2013-10-16 2019-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 演算処理装置の駆動方法
TWI642170B (zh) 2013-10-18 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
TWI621127B (zh) 2013-10-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 運算處理裝置及其驅動方法
WO2015060133A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2015109424A (ja) 2013-10-22 2015-06-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、該半導体装置の作製方法、及び該半導体装置に用いるエッチング溶液
DE102014220672A1 (de) 2013-10-22 2015-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9455349B2 (en) 2013-10-22 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion
CN110571278A (zh) 2013-10-22 2019-12-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP2015179247A (ja) 2013-10-22 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN105659370A (zh) 2013-10-22 2016-06-08 株式会社半导体能源研究所 显示装置
US9583516B2 (en) 2013-10-25 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6457239B2 (ja) 2013-10-31 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6440457B2 (ja) 2013-11-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6478562B2 (ja) 2013-11-07 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9385054B2 (en) 2013-11-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and manufacturing method thereof
JP2015118724A (ja) 2013-11-13 2015-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP6426437B2 (ja) 2013-11-22 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6393590B2 (ja) 2013-11-22 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6486660B2 (ja) 2013-11-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9882014B2 (en) 2013-11-29 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20150155313A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2016001712A (ja) 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9601634B2 (en) 2013-12-02 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20240068746A (ko) 2013-12-02 2024-05-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제조방법
KR102264987B1 (ko) 2013-12-02 2021-06-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9991392B2 (en) 2013-12-03 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016027597A (ja) 2013-12-06 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9349751B2 (en) 2013-12-12 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9627413B2 (en) 2013-12-12 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
TWI642186B (zh) 2013-12-18 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI666770B (zh) 2013-12-19 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9379192B2 (en) 2013-12-20 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6444714B2 (ja) 2013-12-20 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102283814B1 (ko) 2013-12-25 2021-07-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI637484B (zh) 2013-12-26 2018-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9960280B2 (en) 2013-12-26 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20240042562A (ko) 2013-12-26 2024-04-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6402017B2 (ja) 2013-12-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015097596A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9349418B2 (en) 2013-12-27 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9577110B2 (en) 2013-12-27 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device
JP6446258B2 (ja) 2013-12-27 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
JP6506961B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
WO2015097595A1 (en) 2013-12-27 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP6488124B2 (ja) 2013-12-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102320576B1 (ko) 2013-12-27 2021-11-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6444723B2 (ja) 2014-01-09 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9300292B2 (en) 2014-01-10 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit including transistor
US9401432B2 (en) 2014-01-16 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9379713B2 (en) 2014-01-17 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and driving method thereof
KR102306200B1 (ko) 2014-01-24 2021-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2015114476A1 (en) 2014-01-28 2015-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9929044B2 (en) 2014-01-30 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
US9929279B2 (en) 2014-02-05 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI665778B (zh) 2014-02-05 2019-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組及電子裝置
JP6523695B2 (ja) 2014-02-05 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6473626B2 (ja) 2014-02-06 2019-02-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6534530B2 (ja) 2014-02-07 2019-06-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI658597B (zh) 2014-02-07 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6420165B2 (ja) 2014-02-07 2018-11-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN105960633B (zh) 2014-02-07 2020-06-19 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、装置及电子设备
JP2015165226A (ja) 2014-02-07 2015-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
JP6545970B2 (ja) 2014-02-07 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
TWI803431B (zh) 2014-02-11 2023-05-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
KR102317297B1 (ko) 2014-02-19 2021-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물, 반도체 장치, 모듈, 및 전자 장치
JP2015172991A (ja) 2014-02-21 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
JP6506566B2 (ja) 2014-02-21 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 電流測定方法
JP6629509B2 (ja) 2014-02-21 2020-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物半導体膜
WO2015128774A1 (en) 2014-02-28 2015-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9294096B2 (en) 2014-02-28 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6542542B2 (ja) 2014-02-28 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9564535B2 (en) 2014-02-28 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
US10074576B2 (en) 2014-02-28 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
KR20150104518A (ko) 2014-03-05 2015-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레벨 시프터 회로
JP6474280B2 (ja) 2014-03-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9537478B2 (en) 2014-03-06 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9397637B2 (en) 2014-03-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device
US10096489B2 (en) 2014-03-06 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6625328B2 (ja) 2014-03-06 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
WO2015132697A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6442321B2 (ja) 2014-03-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9653611B2 (en) 2014-03-07 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6585354B2 (ja) 2014-03-07 2019-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9419622B2 (en) 2014-03-07 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
US9711536B2 (en) 2014-03-07 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9443872B2 (en) 2014-03-07 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015136413A1 (en) 2014-03-12 2015-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9640669B2 (en) 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
US9324747B2 (en) 2014-03-13 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
WO2015136418A1 (en) 2014-03-13 2015-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6560508B2 (ja) 2014-03-13 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6525421B2 (ja) 2014-03-13 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6541376B2 (ja) 2014-03-13 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
JP6677449B2 (ja) 2014-03-13 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US10361290B2 (en) 2014-03-14 2019-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising adding oxygen to buffer film and insulating film
US9887212B2 (en) 2014-03-14 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9299848B2 (en) 2014-03-14 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RF tag, and electronic device
JP2015188071A (ja) 2014-03-14 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102252213B1 (ko) 2014-03-14 2021-05-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 시스템
JP6509596B2 (ja) 2014-03-18 2019-05-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20160132982A (ko) 2014-03-18 2016-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
US9887291B2 (en) 2014-03-19 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module
US9842842B2 (en) 2014-03-19 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same
TWI657488B (zh) 2014-03-20 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置
JP6495698B2 (ja) 2014-03-20 2019-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
KR102400212B1 (ko) 2014-03-28 2022-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
JP6487738B2 (ja) 2014-03-31 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品
TWI695375B (zh) 2014-04-10 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
JP6541398B2 (ja) 2014-04-11 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6635670B2 (ja) 2014-04-11 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9674470B2 (en) 2014-04-11 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device
TWI646782B (zh) 2014-04-11 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 保持電路、保持電路的驅動方法以及包括保持電路的半導體裝置
KR20160144492A (ko) 2014-04-18 2016-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 장치
KR102511325B1 (ko) 2014-04-18 2023-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 동작 방법
US9768315B2 (en) 2014-04-18 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having the same
JP6613044B2 (ja) 2014-04-22 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
KR102380829B1 (ko) 2014-04-23 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
KR102330412B1 (ko) 2014-04-25 2021-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
US9780226B2 (en) 2014-04-25 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI643457B (zh) 2014-04-25 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6468686B2 (ja) 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US10043913B2 (en) 2014-04-30 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device
US10656799B2 (en) 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
TWI679624B (zh) 2014-05-02 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6537341B2 (ja) 2014-05-07 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6653997B2 (ja) 2014-05-09 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示補正回路及び表示装置
KR102333604B1 (ko) 2014-05-15 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6612056B2 (ja) 2014-05-16 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、及び監視装置
JP2015233130A (ja) 2014-05-16 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板および半導体装置の作製方法
JP6580863B2 (ja) 2014-05-22 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、健康管理システム
TWI672804B (zh) 2014-05-23 2019-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP6616102B2 (ja) 2014-05-23 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
KR20170003674A (ko) * 2014-05-27 2017-01-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US10020403B2 (en) 2014-05-27 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP6525722B2 (ja) 2014-05-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、電子部品、及び電子機器
JP6653129B2 (ja) 2014-05-29 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
KR20150138026A (ko) 2014-05-29 2015-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102418666B1 (ko) 2014-05-29 2022-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 소자, 전자 기기, 촬상 소자의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법
JP6615490B2 (ja) 2014-05-29 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
KR102398950B1 (ko) 2014-05-30 2022-05-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이의 제조 방법, 및 전자 장치
JP6538426B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
KR102373263B1 (ko) 2014-05-30 2022-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 제조하기 위한 방법
US9831238B2 (en) 2014-05-30 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion
TWI663726B (zh) 2014-05-30 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置、模組及電子裝置
JP6537892B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
TWI646658B (zh) 2014-05-30 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2016015475A (ja) 2014-06-13 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
WO2015189731A1 (en) 2014-06-13 2015-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
KR102344782B1 (ko) 2014-06-13 2021-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 장치 및 입출력 장치
TWI663733B (zh) 2014-06-18 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電晶體及半導體裝置
TWI666776B (zh) 2014-06-20 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
KR20150146409A (ko) 2014-06-20 2015-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기
US9722090B2 (en) 2014-06-23 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
JP6545541B2 (ja) 2014-06-25 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US10002971B2 (en) 2014-07-03 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9647129B2 (en) 2014-07-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9461179B2 (en) 2014-07-11 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure
CN106537604B (zh) 2014-07-15 2020-09-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法以及包括该半导体装置的显示装置
JP6581825B2 (ja) 2014-07-18 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
KR102422059B1 (ko) 2014-07-18 2022-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 촬상 장치, 및 전자 기기
KR102352633B1 (ko) 2014-07-25 2022-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발진 회로 및 그것을 포함하는 반도체 장치
US9312280B2 (en) 2014-07-25 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10115830B2 (en) 2014-07-29 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
JP6555956B2 (ja) 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
WO2016016765A1 (en) 2014-07-31 2016-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US9705004B2 (en) 2014-08-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9595955B2 (en) 2014-08-08 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including power storage elements and switches
JP6652342B2 (ja) 2014-08-08 2020-02-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6553444B2 (ja) 2014-08-08 2019-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10147747B2 (en) 2014-08-21 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US10032888B2 (en) 2014-08-22 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device
US10559667B2 (en) 2014-08-25 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device
KR102388997B1 (ko) 2014-08-29 2022-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
KR102393272B1 (ko) 2014-09-02 2022-05-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
KR102329498B1 (ko) 2014-09-04 2021-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2016066065A (ja) 2014-09-05 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および電子機器
US9766517B2 (en) 2014-09-05 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display module
US9722091B2 (en) 2014-09-12 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6676316B2 (ja) 2014-09-12 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9401364B2 (en) 2014-09-19 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR20160034200A (ko) 2014-09-19 2016-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP2016066788A (ja) 2014-09-19 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体膜の評価方法および半導体装置の作製方法
KR102513878B1 (ko) 2014-09-19 2023-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10071904B2 (en) 2014-09-25 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
WO2016046685A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP2016111677A (ja) 2014-09-26 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、無線センサ、及び電子機器
US10170055B2 (en) 2014-09-26 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US10141342B2 (en) 2014-09-26 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US9450581B2 (en) 2014-09-30 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR20170068511A (ko) 2014-10-06 2017-06-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9698170B2 (en) 2014-10-07 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
WO2016055903A1 (en) 2014-10-10 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
CN112671388B (zh) 2014-10-10 2024-07-05 株式会社半导体能源研究所 逻辑电路、处理单元、电子构件以及电子设备
US9991393B2 (en) 2014-10-16 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, module, and electronic device
JP6645793B2 (ja) 2014-10-17 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016063159A1 (en) 2014-10-20 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, module, and electronic device
JP6501385B2 (ja) * 2014-10-22 2019-04-17 日本放送協会 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US10068927B2 (en) 2014-10-23 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP6615565B2 (ja) 2014-10-24 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI652362B (zh) 2014-10-28 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物及其製造方法
US9704704B2 (en) 2014-10-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
WO2016067144A1 (en) 2014-10-28 2016-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method of display device, and electronic device
US9793905B2 (en) 2014-10-31 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10680017B2 (en) 2014-11-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device
US9584707B2 (en) 2014-11-10 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9548327B2 (en) 2014-11-10 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device having a selenium containing photoelectric conversion layer
JP6563313B2 (ja) 2014-11-21 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
TWI699897B (zh) 2014-11-21 2020-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9438234B2 (en) 2014-11-21 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device including logic circuit
TWI711165B (zh) 2014-11-21 2020-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
TWI669819B (zh) 2014-11-28 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組以及電子裝置
JP6647841B2 (ja) 2014-12-01 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物の作製方法
JP6613116B2 (ja) 2014-12-02 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP6647846B2 (ja) 2014-12-08 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6667267B2 (ja) 2014-12-08 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016092427A1 (en) 2014-12-10 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9773832B2 (en) 2014-12-10 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP6689062B2 (ja) 2014-12-10 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6833315B2 (ja) 2014-12-10 2021-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
WO2016092416A1 (en) 2014-12-11 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and electronic device
JP6676354B2 (ja) 2014-12-16 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016116220A (ja) 2014-12-16 2016-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
TWI791952B (zh) 2014-12-18 2023-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、感測裝置和電子裝置
US10396210B2 (en) 2014-12-26 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
TWI686874B (zh) 2014-12-26 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法
KR20170101233A (ko) 2014-12-26 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링용 타깃의 제작 방법
KR20170098839A (ko) 2014-12-29 2017-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 가지는 표시 장치
US10522693B2 (en) 2015-01-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
US9443564B2 (en) 2015-01-26 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6857447B2 (ja) 2015-01-26 2021-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9954112B2 (en) 2015-01-26 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9647132B2 (en) 2015-01-30 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
TWI710124B (zh) 2015-01-30 2020-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及電子裝置
CN107207252B (zh) 2015-02-02 2021-04-30 株式会社半导体能源研究所 氧化物及其制造方法
KR102669385B1 (ko) 2015-02-04 2024-05-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 또는 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
TWI683365B (zh) 2015-02-06 2020-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 裝置及其製造方法以及電子裝置
US9660100B2 (en) 2015-02-06 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9954113B2 (en) 2015-02-09 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor including oxide semiconductor, semiconductor device including the transistor, and electronic device including the transistor
JP6717604B2 (ja) 2015-02-09 2020-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、中央処理装置及び電子機器
TWI685113B (zh) 2015-02-11 2020-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9818880B2 (en) 2015-02-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US10439068B2 (en) 2015-02-12 2019-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP2016154225A (ja) 2015-02-12 2016-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP6758844B2 (ja) 2015-02-13 2020-09-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US10403646B2 (en) 2015-02-20 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9991394B2 (en) 2015-02-20 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US9489988B2 (en) 2015-02-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
JP6711642B2 (ja) 2015-02-25 2020-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6739185B2 (ja) 2015-02-26 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 ストレージシステム、およびストレージ制御回路
US9653613B2 (en) 2015-02-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6744108B2 (ja) 2015-03-02 2020-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、トランジスタの作製方法、半導体装置および電子機器
KR102509582B1 (ko) 2015-03-03 2023-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 또는 그를 포함하는 표시 장치
WO2016139560A1 (en) 2015-03-03 2016-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device including the oxide semiconductor film, and display device including the semiconductor device
TWI718125B (zh) 2015-03-03 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6681117B2 (ja) 2015-03-13 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9882061B2 (en) 2015-03-17 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN114546158A (zh) 2015-03-17 2022-05-27 株式会社半导体能源研究所 触摸屏
US9964799B2 (en) 2015-03-17 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10008609B2 (en) 2015-03-17 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
JP2016177280A (ja) 2015-03-18 2016-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法
JP6662665B2 (ja) 2015-03-19 2020-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
US10147823B2 (en) 2015-03-19 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102582523B1 (ko) 2015-03-19 2023-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9634048B2 (en) 2015-03-24 2017-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR20160114511A (ko) 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9842938B2 (en) 2015-03-24 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including semiconductor device
US10429704B2 (en) 2015-03-26 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
US10096715B2 (en) 2015-03-26 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device
US9806200B2 (en) 2015-03-27 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI695513B (zh) 2015-03-27 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
JP6736321B2 (ja) 2015-03-27 2020-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
TW202316486A (zh) 2015-03-30 2023-04-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9716852B2 (en) 2015-04-03 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Broadcast system
US10389961B2 (en) 2015-04-09 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR102440302B1 (ko) 2015-04-13 2022-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US10372274B2 (en) 2015-04-13 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
US10056497B2 (en) 2015-04-15 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10460984B2 (en) 2015-04-15 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating electrode and semiconductor device
JP2016206659A (ja) 2015-04-16 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法
US10192995B2 (en) 2015-04-28 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10002970B2 (en) 2015-04-30 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same
KR102549926B1 (ko) 2015-05-04 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기
US10671204B2 (en) 2015-05-04 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and data processor
JP6681780B2 (ja) 2015-05-07 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システムおよび電子機器
TWI693719B (zh) 2015-05-11 2020-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
DE102016207737A1 (de) 2015-05-11 2016-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand
JP6935171B2 (ja) 2015-05-14 2021-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11728356B2 (en) 2015-05-14 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element and imaging device
US9627034B2 (en) 2015-05-15 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US9837547B2 (en) 2015-05-22 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device
CN113990756A (zh) 2015-05-22 2022-01-28 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
JP6773453B2 (ja) 2015-05-26 2020-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
JP2016225614A (ja) 2015-05-26 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10139663B2 (en) 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
KR102553553B1 (ko) 2015-06-12 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
DE112016002769T5 (de) 2015-06-19 2018-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren dafür und elektronisches Gerät
US9860465B2 (en) 2015-06-23 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9935633B2 (en) 2015-06-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10290573B2 (en) 2015-07-02 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9917209B2 (en) 2015-07-03 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including step of forming trench over semiconductor
KR102548001B1 (ko) 2015-07-08 2023-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US10955976B2 (en) 2015-07-09 2021-03-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Flexible display
JP2017022377A (ja) 2015-07-14 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10501003B2 (en) 2015-07-17 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, lighting device, and vehicle
US10985278B2 (en) 2015-07-21 2021-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
US11189736B2 (en) 2015-07-24 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US10424671B2 (en) 2015-07-29 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
JP6802656B2 (ja) 2015-07-30 2020-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 メモリセルの作製方法及び半導体装置の作製方法
CN106409919A (zh) 2015-07-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US10585506B2 (en) 2015-07-30 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with high visibility regardless of illuminance of external light
US9825177B2 (en) 2015-07-30 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask
US9876946B2 (en) 2015-08-03 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9911861B2 (en) 2015-08-03 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device
JP6791661B2 (ja) 2015-08-07 2020-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル
WO2017029576A1 (en) 2015-08-19 2017-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP2017041877A (ja) 2015-08-21 2017-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、および電子機器
US9666606B2 (en) 2015-08-21 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9773919B2 (en) 2015-08-26 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2017037564A1 (en) 2015-08-28 2017-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device
JP2017050537A (ja) 2015-08-31 2017-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9911756B2 (en) 2015-08-31 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage
JP6807683B2 (ja) 2015-09-11 2021-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力パネル
SG10201607278TA (en) 2015-09-18 2017-04-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic device
JP2017063420A (ja) 2015-09-25 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9935143B2 (en) 2015-09-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2017064590A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2017064587A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
US9852926B2 (en) 2015-10-20 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
JP2017102904A (ja) 2015-10-23 2017-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および電子機器
CN107273973B (zh) 2015-10-23 2022-07-05 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电子设备
US10007161B2 (en) 2015-10-26 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
SG10201608814YA (en) 2015-10-29 2017-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9773787B2 (en) 2015-11-03 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
US9741400B2 (en) 2015-11-05 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device
US10312373B2 (en) * 2015-11-17 2019-06-04 Ricoh Company, Ltd. Field-effect transistor (FET) having oxide insulating layer disposed on gate insulating film and between source and drain electrodes, and display element, display and system including said FET, and method of manufacturing said FET
JP6796461B2 (ja) 2015-11-18 2020-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
CN105573549B (zh) * 2015-12-08 2018-12-25 上海天马微电子有限公司 阵列基板、触控屏和触控显示装置及其制作方法
JP6607013B2 (ja) * 2015-12-08 2019-11-20 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
US10868045B2 (en) 2015-12-11 2020-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
JP2018032839A (ja) 2015-12-11 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器
JP2017112374A (ja) 2015-12-16 2017-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、半導体装置、および電子機器
KR20180095836A (ko) 2015-12-18 2018-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함한 표시 장치
US10177142B2 (en) 2015-12-25 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device
CN114361180A (zh) 2015-12-28 2022-04-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置
JP6851814B2 (ja) 2015-12-29 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
CN108473334B (zh) 2015-12-29 2021-03-12 株式会社半导体能源研究所 金属氧化物膜以及半导体装置
JP2017135698A (ja) 2015-12-29 2017-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
JP6827328B2 (ja) 2016-01-15 2021-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
CN108474106B (zh) 2016-01-18 2021-02-26 株式会社半导体能源研究所 金属氧化物膜、半导体装置以及显示装置
US9905657B2 (en) 2016-01-20 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9887010B2 (en) 2016-01-21 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and driving method thereof
US10411013B2 (en) 2016-01-22 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
RU168641U1 (ru) * 2016-01-26 2017-02-13 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП") Конструкция высокочастотного полевого транзистора с дополнительным полевым электродом
US10700212B2 (en) 2016-01-28 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof
US10115741B2 (en) 2016-02-05 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10250247B2 (en) 2016-02-10 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6970511B2 (ja) 2016-02-12 2021-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
WO2017137869A1 (en) 2016-02-12 2017-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9954003B2 (en) 2016-02-17 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP7130209B2 (ja) 2016-03-02 2022-09-05 国立大学法人東京工業大学 酸化物半導体化合物の層、酸化物半導体化合物の層を備える半導体素子、および積層体
WO2017149413A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2017149428A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device
US10263114B2 (en) 2016-03-04 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
JP6904730B2 (ja) 2016-03-08 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US9882064B2 (en) 2016-03-10 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and electronic device
US10096720B2 (en) 2016-03-25 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
US10942408B2 (en) 2016-04-01 2021-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite oxide semiconductor, semiconductor device using the composite oxide semiconductor, and display device including the semiconductor device
US10236875B2 (en) 2016-04-15 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the semiconductor device
WO2017178923A1 (en) 2016-04-15 2017-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR102492209B1 (ko) 2016-05-19 2023-01-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터
CN109196656B (zh) 2016-06-03 2022-04-19 株式会社半导体能源研究所 金属氧化物及场效应晶体管
KR102330605B1 (ko) 2016-06-22 2021-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10411003B2 (en) 2016-10-14 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN114115609B (zh) 2016-11-25 2024-09-03 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其工作方法
JP7258754B2 (ja) 2017-07-31 2023-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および半導体装置の作製方法
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
WO2019175704A1 (ja) 2018-03-16 2019-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 電気モジュール、表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置、電気モジュールの作製方法
US11610998B2 (en) 2018-07-09 2023-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP7399857B2 (ja) 2018-07-10 2023-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 二次電池の保護回路
WO2020128743A1 (ja) 2018-12-20 2020-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および電池パック
KR102180242B1 (ko) * 2019-02-19 2020-11-18 한양대학교 산학협력단 고유전율 트랜지스터 및 그 제조방법
WO2020174540A1 (ja) * 2019-02-25 2020-09-03 株式会社ニコン 半導体装置、ｐＨセンサ及びバイオセンサ並びに半導体装置の製造方法
US12040007B2 (en) 2019-04-26 2024-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
KR20220006541A (ko) 2019-05-10 2022-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US11948945B2 (en) 2019-05-31 2024-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and wireless communication device with the semiconductor device
JP2020112821A (ja) * 2020-03-30 2020-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3066944B2 (ja) * 1993-12-27 2000-07-17 キヤノン株式会社 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム
JP3573363B2 (ja) 1994-07-14 2004-10-06 キヤノン株式会社 薄膜半導体太陽電池の製造方法
JP3308785B2 (ja) * 1995-11-10 2002-07-29 キヤノン株式会社 光起電力素子
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2003050405A (ja) * 2000-11-15 2003-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
US6642131B2 (en) * 2001-06-21 2003-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of forming a silicon-containing metal-oxide gate dielectric by depositing a high dielectric constant film on a silicon substrate and diffusing silicon from the substrate into the high dielectric constant film
JP4090716B2 (ja) * 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP4164562B2 (ja) * 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP3792579B2 (ja) * 2002-01-29 2006-07-05 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2003298062A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
TWI227529B (en) * 2002-05-22 2005-02-01 Kawasaki Masashi Semiconductor device and display device using the same
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
US7242039B2 (en) 2004-03-12 2007-07-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US8314420B2 (en) 2004-03-12 2012-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device with multiple component oxide channel
US7642573B2 (en) 2004-03-12 2010-01-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
EP1737044B1 (en) 2004-03-12 2014-12-10 Japan Science and Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7250627B2 (en) 2004-03-12 2007-07-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7863611B2 (en) * 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
CA2585063C (en) 2004-11-10 2013-01-15 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7453065B2 (en) * 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7791072B2 (en) * 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7829444B2 (en) * 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
RU2358355C2 (ru) 2004-11-10 2009-06-10 Кэнон Кабусики Кайся Полевой транзистор
BRPI0517568B8 (pt) 2004-11-10 2022-03-03 Canon Kk Transistor de efeito de campo

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Kenji Nomura, et al..Thin-Film Transistor Fabricated in Single-CrystallineTransparent Oxide Semiconductor.Science300.2003,1269-1272. *
Satoru Narushima, et al..A p-Type Amorphous Oxide Semiconductor and RoomTemperature Fabrication of Amorphous Oxide p-nHeterojunction Diodes.Advanced Materials15 17.2003,15(17),1409-1413.
Satoru Narushima, et al..A p-Type Amorphous Oxide Semiconductor and RoomTemperature Fabrication of Amorphous Oxide p-nHeterojunction Diodes.Advanced Materials15 17.2003,15(17),1409-1413. *

Also Published As

Publication number Publication date
BRPI0517560B8 (pt) 2018-12-11
JP2006173580A (ja) 2006-06-29
WO2006051995A1 (en) 2006-05-18
US20060113539A1 (en) 2006-06-01
RU2007121702A (ru) 2008-12-20
US20110012107A1 (en) 2011-01-20
BRPI0517560B1 (pt) 2017-12-12
US8168974B2 (en) 2012-05-01
BRPI0517560A (pt) 2008-10-14
KR100889796B1 (ko) 2009-03-20
AU2005302964A1 (en) 2006-05-18
KR100911698B1 (ko) 2009-08-10
KR20080106368A (ko) 2008-12-04
CN101057338A (zh) 2007-10-17
CA2585071A1 (en) 2006-05-18
EP1815530A1 (en) 2007-08-08
JP5118812B2 (ja) 2013-01-16
EP1815530B1 (en) 2021-02-17
RU2358355C2 (ru) 2009-06-10
AU2005302964B2 (en) 2010-11-04
KR20070085828A (ko) 2007-08-27
US7868326B2 (en) 2011-01-11

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Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20071017

Assignee: BOE Technology Group Co., Ltd.

Assignor: Independent Administrative Corporation Japan Science & Tech Corp.

Contract record no.: 2012990000753

Denomination of invention: Field effect transistor employing an amorphous oxide

Granted publication date: 20110316

License type: Common License

Record date: 20121015

LICC Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model