CN102484471B - 驱动器电路、包括该驱动器电路的显示设备和包括该显示设备的电子设备 - Google Patents

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Abstract

一个目的是当将使用非晶半导体形成其沟道的薄膜晶体管用于仅使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成的驱动器电路时，提供一种驱动器电路，其中根据阈值电压的改变程度补偿阈值电压。该驱动器电路包括单极晶体管，该单极晶体管包含布置在半导体层上下的第一栅极和第二栅极，它们之间提供有绝缘层，在该驱动器电路中，用于控制晶体管的切换的第一信号输入到第一栅极，用于控制晶体管的阈值电压的第二信号输入到第二栅极，并且根据包括在晶体管的源极和漏极之间流动的电流在内的电流消耗的值控制所述第二信号。

Description

驱动器电路、包括该驱动器电路的显示设备和包括该显示设备的电子设备
技术领域
本发明涉及驱动器电路。本发明还涉及包括驱动器电路的显示设备，以及包括该显示设备的电子设备。
背景技术
诸如液晶电视的大显示设备变得普遍，显示设备需要更高的附加值，并且已经进行了这方面的开发。具体地说，已经积极开发了用于使用薄膜晶体管(TFT)在与像素部分相同的衬底上形成驱动器电路(诸如，扫描线驱动器电路)的技术，所述薄膜晶体管的沟道区域使用非晶半导体(特别地，氧化物半导体)形成。
其沟道区域使用非晶半导体形成的薄膜晶体管通常被用于仅使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成的驱动器电路。例如，给出了专利文献1中公开的结构。
[参考文献]
[专利文献1]日本公开专利申请No.2005-251348。
发明内容
当使用非晶半导体形成其沟道区域的薄膜晶体管被用于仅使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成的驱动器电路时，由于阈值电压的改变等，晶体管可以成为耗尽型(也被称为常导通)晶体管。在使用常导通晶体管的情况下，存在功耗增加并且来自晶体管的泄漏电流引发诸如异常输出信号的故障的问题。
阈值电压的变化程度在某些情况下随着衬底而改变。在事先采取防止晶体管变为常导通晶体管的情况的对策的电路设计中，可能存在难以相对于改变采取对策的问题。因此，需要采用不论使得薄膜晶体管常导通的阈值电压的改变程度如何，不会引发故障和功耗增加的驱动器电路的电路设计。
作为其阈值电压可被控制的薄膜晶体管的例子，给出了至少包括下面四个端子的元件：第一栅极端子(也被称为第一栅极)；第二栅极端子(也被称为第二栅极)；漏极端子(也被称为漏极)；和源极端子(也被称为源极)。包括所述四个端子的薄膜晶体管具有在漏极区域和源极区域之间的沟道区域，并且电流可以通过沟道区域在漏极区域和源极区域之间流动。在包括所述四个端子的薄膜晶体管中，第一栅极和第二栅极被布置在沟道区域上下。用于控制薄膜晶体管的导通和不导通的切换的信号(也被称为第一信号)被提供给第一栅极。用于控制薄膜晶体管的阈值电压的信号(也被称为第二信号)被提供给第二栅极。
在包括所述四个端子的薄膜晶体管中，在某些情况下，连接到用于提供高电源电势Vdd的导线的端子被描述为漏极端子，连接到用于提供低电源电势Vss的导线的端子被描述为源极端子。在本说明书中，源极端子被称为第一端子，而漏极端子被称为第二端子。提供给第一栅极和第二栅极的信号可被颠倒。即，第一信号可被提供给第二栅极，并且第二信号可被提供给第一栅极。
图8A是示出包括所述四个端子的薄膜晶体管的结构的例子的截面图。如图8A所示，如下形成薄膜晶体管900：在衬底907上设置第一栅极901；在第一栅极901上设置栅极绝缘膜902；在栅极绝缘膜902上设置氧化物半导体膜903；将使用导电膜形成的源极端子904A和漏极端子904B设置成覆盖氧化物半导体膜903的一部分；将绝缘层905设置成覆盖氧化物半导体膜903、源极端子904A和漏极端子904B；和在绝缘层905上设置第二栅极906。
图8B示出了图8A所示的薄膜晶体管900的电路符号，其中第一栅极901和第二栅极906被布置在沟道区域上下。如图8B所示，薄膜晶体管900包括第一栅极901、第二栅极906、源极端子904A和漏极端子904B。在薄膜晶体管900中，用于控制源极端子904A和漏极端子904B之间的导通和不导通的切换的第一信号G1被输入到第一栅极901，并且用于控制薄膜晶体管的阈值电压的第二信号G2被输入到第二栅极906。注意，图8B所示的薄膜晶体管900的符号表示以四个端子控制的薄膜晶体管。
第一信号G1是执行源极端子904A和漏极端子904B之间的电控制(切换)的信号。第二信号G2是控制薄膜晶体管的阈值电压的信号。在n沟道晶体管中，第二信号G2作为通过施加负电压，将耗尽型(常导通)晶体管改变为增强型(常截止)晶体管的信号。注意，第二信号G2在下面还被称为背栅电压(back-gate voltage)Vbg。
图9是示出图8A和8B所示的n沟道薄膜晶体管的漏极电流Id和栅极电压Vg之间的关系的图。图9的曲线911示出了在耗尽型晶体管情况下的关系。即使在通过第一信号G1施加于第一栅极的电压为0V时，也有漏极电流Id流动。在诸如驱动器电路的使用多个薄膜晶体管形成的电路中，即使当施加于第一栅极的电压为0V时，即，即使当驱动器电路未被驱动时，流动电流也被积累，导致不能被忽略的功耗增加。在另一方面，当向背栅(back gate)施加负电压时，如图9中的曲线912所示，曲线911移向正侧，从而使得晶体管可以是增强型晶体管。在增强型晶体管中，当通过第一信号G1施加于第一栅极的电压是0V时，漏极电流Id是小的；因此，可以减小驱动器电路的功耗。然而，如曲线913所示，在通过使得背栅电压Vbg在负方向上较大，曲线911移向正侧的情况下，当第一信号使得薄膜晶体管导通时，需要给第一栅极施加较高的电压。因此，引发功耗的增加。另外，在某些情况下，驱动器电路会出现故障。
图10示出了作为包括在驱动器电路中的电路的例子，使用多个n沟道晶体管形成的自举式反相器(bootstrap-type inverter)电路。图10所示的反相器电路包括薄膜晶体管921、薄膜晶体管922、薄膜晶体管923、薄膜晶体管924和电容器925。导线926提供高电源电势Vdd，并且导线927提供低电源电势Vss。薄膜晶体管921到薄膜晶体管924的第二栅极被连接到用于提供背栅电压Vbg的导线928。作为第一信号的输入信号In被提供给薄膜晶体管921和923的第一栅极。从薄膜晶体管924和薄膜晶体管923彼此连接的节点输出输出信号Out。
如参考图9所述，在图10所示的反相器电路中包括耗尽型晶体管的情况下，使导线926和导线927导通；因此，大量的泄漏电流流动。即使当给每个薄膜晶体管施加背栅电压使得晶体管成为增强型晶体管并且泄漏电流减小时，取决于输入信号In的电压，薄膜晶体管921和薄膜晶体管923不被导通，并且引发故障。另外，当输入信号In的电压为高时，功耗增加。
本发明的一个实施例的目的是：当其沟道使用非晶半导体形成的薄膜晶体管被用于仅使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成的驱动器电路时，提供一种驱动器电路，在该驱动器电路中，阈值电压根据所述晶体管变为耗尽型晶体管的阈值电压的改变程度进行补偿；由此，可以抑制故障和功耗的增加。
本发明的一个实施例是一种驱动器电路，其包括单极晶体管，所述单极晶体管包括布置在半导体层上下的第一栅极和第二栅极，在它们之间提供有绝缘层。在该驱动器电路中，用于控制所述晶体管的切换的第一信号被输入到第一栅极，并且用于控制所述晶体管的阈值电压的第二信号被输入到第二栅极。根据包括在所述晶体管的源极和漏极之间流动的电流的电流消耗值控制第二信号。
根据本发明的一个实施例，可以提供如下描述的驱动器电路：根据阈值电压的改变程度补偿阈值电压，从而使得当可以变为耗尽型晶体管的薄膜晶体管用于仅使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成的驱动器电路时，可以抑制故障和功耗的增加。
注意，本说明书中的“单极电路”指包括具有相同传导类型的晶体管元件的电路。具体地说，本说明书中的“单极电路”指包括n沟道晶体管的电路或包括p沟道晶体管的电路。
附图说明
在附图中：
图1是示出显示设备的例子的框图；
图2是基于背栅电压的当前值(电压值)的改变的设置操作的流程图；
图3A到3C是示出包括在移位寄存器电路中的电路的例子的图；
图4是移位寄存器的时序图的例子；
图5是示出显示设备的例子的横截面图；
图6A是示出信号线驱动器(源极驱动器)电路的例子的框图，并且图6B是其时序图的例子；
图7A到7C中的每一个是示出显示设备的例子的图；
图8A是示出薄膜晶体管的例子的横截面图，并且图8B是其电路符号的例子；
图9是示出薄膜晶体管的Id-Vg特性和背栅电压Vbg之间的关系的图；
图10是示出使用单极(n沟道)晶体管的自举型反相器电路的电路图；以及
图11是示出背栅电压和电流消耗之间的关系的图。
具体实施方式
下面，将参考附图描述本发明的实施例和例子。注意本发明可以以各种不同方式实现，并且本领域技术人员容易理解本发明的模式和细节可以以各种方式改变，而不脱离本发明的精神和范围。因此，本发明不应被认为局限于对实施例和例子的下列描述。注意，在下面描述的本发明的结构中，在不同附图中公共地使用表示相同部分的附图标记。
注意，在某些情况下，在实施例中图中示出的每个结构的层或区域的大小、厚度等出于简化的目的放大了。因此，本发明的实施例不限于这些比例。
注意，在本说明书中，使用诸如“第一”、“第二”、“第三”和“第n个”(N是自然数)的术语，以便避免组件之间的混淆，并且不限于组件的编号。
(实施例1)
在这个实施例中，将描述驱动器电路附近的电路的框图。图1示出了显示设备的驱动器电路的例子。
这个实施例中的驱动器电路100包括显示部分驱动器电路101和控制电路102。
显示部分驱动器电路101包括例如栅极线驱动器电路103A和信号线驱动器电路103B。栅极线驱动器电路103A和信号线驱动器电路103B中的每一个都是驱动包括多个像素的显示部分104的驱动器电路。栅极线驱动器电路103A、信号线驱动器电路103B和显示部分104使用形成在衬底105上的薄膜晶体管形成。
注意包括在栅极线驱动器电路103A、信号线驱动器电路103B和显示部分104中的薄膜晶体管是单极晶体管，特别地，是n沟道薄膜晶体管。作为n沟道薄膜晶体管，优选地使用氧化物半导体被用于半导体层的薄膜晶体管。氧化物半导体被用于薄膜晶体管的半导体层，从而使得与基于硅的半导体材料(诸如非晶硅)相比，可以增加场效应迁移率。注意，例如，可以使用氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)作为氧化物半导体。另外，可以向ZnO添加In、Ga等。
作为氧化物半导体，可以使用由InMO3(ZnO)x(x＞0)表示的薄膜。注意，M表示从镓(Ga)、铁(Fe)、镍(Ni)、锰(Mn)和钴(Co)中选择的一种或多种金属元素。作为例子，M可以是Ga，或除了Ga之外，可以包括上述金属元素，例如，M可以是Ga和Ni或Ga和Fe。另外，在氧化物半导体中，在某些情况下，除了作为M包含的金属元素之外，可以包含过渡金属元素(诸如Fe或Ni)，或过渡金属的氧化物作为杂质元素。例如，可以将基于In-Ga-Zn-O的膜用于氧化物半导体层。
作为氧化物半导体膜(InMO3(ZnO)x(x＞0)膜)，可以替代基于In-Ga-Zn-O的膜，使用M是不同金属元素的InMO3(ZnO)x(x＞0)膜。作为氧化物半导体，除了上述之外，可以使用下列氧化物半导体中的任意一种：基于In-Sn-Zn-O的氧化物半导体；基于In-Al-Zn-O的氧化物半导体；基于Sn-Ga-Zn-O的氧化物半导体；基于Al-Ga-Zn-O的氧化物半导体；基于Sn-Al-Zn-O的氧化物半导体；基于In-Zn-O的氧化物半导体；基于Sn-Zn-O的氧化物半导体；基于Al-Zn-O的氧化物半导体；基于In-O的氧化物半导体；基于Sn-O的氧化物半导体；和基于Zn-O的氧化物半导体。
栅极线驱动器电路103A和信号线驱动器电路103B包括单极晶体管。该单极晶体管包括第一栅极和第二栅极。如图8A所示，第一栅极被布置在半导体层之下，在它们之间提供有绝缘层，并且第二栅极被布置在半导体层之上，在它们之间提供有绝缘层。注意，第一栅极和第二栅极的位置可以颠倒。
在本说明书中描述的包括在驱动器电路中的晶体管是如图8A所示至少包括第一栅极、第二栅极、漏极和源极的四个端子的元件，并且电流可以通过沟道区域在漏极和源极之间流动。输入到第一栅极的第一信号是用于控制晶体管的切换的信号。输入到第二栅极的第二信号是用于控制晶体管的阈值电压的信号。注意，第二信号在某些情况下被称为背栅电压Vbg。
控制电路102提供用于控制显示部分驱动器电路101的信号。显示部分驱动器电路101被驱动以便在显示部分104中执行显示。控制电路102包括信号产生电路106和背栅电压控制电路107。信号产生电路106通过显示部分驱动器电路101输出用于在显示部分104中执行面板显示的信号。背栅电压控制电路107控制包括在显示部分驱动器电路中的单极晶体管的阈值电压。
信号产生电路106通过导线向显示部分驱动器电路101输出用于在显示部分104中执行面板显示的脉冲信号。脉冲信号通过栅极线驱动器电路103A和信号线驱动器电路103B，并且输出到显示部分104。特别地，信号产生电路106如下操作：作为电源电压的高电源电势Vdd和低电源电势Vss被提供给栅极线驱动器电路103A和信号线驱动器电路103B：产生用于栅极线驱动器电路的开始脉冲SP和时钟信号CK，并且将其输出到栅极线驱动器电路103A，和/或产生用于信号线驱动器电路的开始脉冲SP和时钟信号CK，并且将其输出到信号线驱动器电路103B。注意，信号产生电路106可以产生另一个信号，诸如图像信号或锁存信号。
背栅电压控制电路107包括电流值检测电路108、判断电路109、校正电压存储器电路110和校正电压输出电路111。
在电流值检测电路108中，在每个给定周期测量电流值，并且将其输出到判断电路109。电流值检测电路108中的测量不限于电流值，并且可以检测与电流值检测电路108串联连接的固定值电阻器的两个端子的电压值。示出了用于提供电源电势(Vdd、Vss)的导线和用于提供时钟信号和开始脉冲的导线被连接到电流值检测电路108的结构；然而，电流值检测电路108的结构不限于此。例如，可以仅给电流值检测电路108提供用于提供电源电势的导线。电源电势是直流信号，并且因此容易地检测由于泄漏电流而导致的电流值增加，这是优选的。
背栅电压设置处理开始的定时，即，在电流值检测电路108中测量电流值或电压值的时间段(也被称为电流值测量周期)可以在提供驱动器电路100的功率之后，或可以是在驱动器电路100操作时的每个给定周期。
判断电路109判断在电流值检测电路108中测量的电流值或电压值的强度X是否小于事先设置的参考值的强度A。在强度X大于强度A的情况下，在电流值测量周期内在背栅电压Vbg的值下，在包括在驱动器电路中的晶体管的源极和漏极之间流动的电流大，包括在驱动器电路中的多个单极晶体管的Id-Vg特性为常导通，电流消耗大，所述电流消耗包含在包括在显示部分驱动器电路101中的晶体管的源极和漏极之间流动的电流。
注意虽然在这个实施例中使用电流值或电压值表示强度X，但是可以将使用另一种物理值表示的强度X与参考值的强度A进行比较。
在不执行晶体管的切换的情况下，会发生电流消耗的减小。例如，当使得背栅电压极低并且将其施加到第二栅极时，电流消耗减小，并且不能获得所希望的脉冲波形图案。因此，当设置背栅电压时，优选地施加足够高的电压，例如，晶体管确实变为耗尽型晶体管的电压，作为背栅电压设置处理开始时的背栅电压的初始值。如上所述，n沟道晶体管中的背栅电压的初始值被设置为足够高，从而使得即使当由于晶体管已经成为阈值电压极度偏向高电势侧的增强型晶体管，正常操作困难时，也可以设置晶体管的操作可以更稳定的背栅电压。
校正电压存储器电路110是用于设置背栅电压Vbg的电路。校正电压存储器电路110基于判断电路109的判断结果，设置并且存储从校正电压输出电路11 1作为背栅电压Vbg输出的电压的电平。特别地，在判断电路109的结果是强度X≥强度A的情况下，将事先设置的Vstep添加到Vbg的值的值，即，Vbg-Vstep的值被存储为Vbg的新值。在另一方面，在判断电路109的结果是强度X＜强度A的情况下，存储该设置处理中的Vbg的值，并且结束Vbg设置处理的操作。
存储在校正电压存储器电路110中的背栅电压Vbg的值从校正电压输出电路111作为背栅电压Vbg输出。换言之，在预期的背栅电压设置处理周期的时间段中，基于存储在校正电压存储器电路110中的背栅电压Vbg的值，从校正电压输出电路111持续输出恒定的背栅电压Vbg。
校正电压存储器电路110优选地包括非易失存储器设备。当不供电时，存储在校正电压存储器电路110中的背栅电压Vbg被存储在非易失存储器设备中；因此，可以从校正电压输出电路111输出具有与不供电之前的背栅电压相同的值的背栅电压Vbg。因此，当驱动器电路100的电源被接通时，可以立刻输出该背栅电压Vbg，而没有背栅电压设置处理。
优选地，使用形成在衬底上的晶体管形成信号产生电路106和背栅电压控制电路107，所述衬底不是栅极线驱动器电路103A、信号线驱动器电路103B和显示部分104被形成在其上的衬底。作为例子，使用单晶半导体形成的晶体管优选地用于信号产生电路106和背栅电压控制电路107。使用单晶半导体形成的晶体管的阈值电压的偏移小；因此，不容易发生故障，并且可以输出稳定的信号。
注意，高电源电势指具有高于参考电势的电势的信号，而低电源电势指具有低于或等于参考电势的电势的信号。优选地，高电源电势和低电源电势中的每一个是晶体管可以操作，并且劣化、击穿或功耗不成为问题的电势。参考电势指地电势GND等。
注意，电压在许多情况下指给定电势和参考电势(例如，地电势)之间的电势差。因此，电压、电势和电势差可被分别称为电势、电压和电压差。
将参考图2所示的流程图描述图1所示的驱动器电路中的背栅电压控制电路107的操作。另外，将描述本实施例中的即使在包括在驱动器电路中的晶体管具有常导通状态的变化的情况下，也具有较少的功耗和较少的故障的驱动器电路。
首先，电源电压被施加到显示部分驱动器电路，并且背栅电压Vbg被施加到第二栅极(图2，步骤201)。可以事先在图1所示的校正电压存储器电路110中设置施加到第二栅极的背栅电压Vbg的初始值。另选地，当不被供电时存储在校正电压存储器电路110中的背栅电压Vbg可被原样输出。背栅电压Vbg被从图1所示的校正电压输出电路111施加到包括在驱动器电路中的晶体管的第二栅极。
接着，在图1所示的背栅电压控制电路107中的电流值检测电路108中，测量流动通过由信号产生电路106提供的导线的电流水平或串联连接的固定值电阻器的两个端子的电压电平(图2，步骤202)。如上所述，当晶体管是耗尽型晶体管时，在电流值检测电路中检测到的电流值(或电压值)比增强型晶体管大。
然后，在图1所示的判断电路109中，判断该电流值或电压值的强度X是否小于参考值的强度A(图2，步骤203)。此时，在通过步骤201中的背栅电压Vbg的施加，晶体管变为增强型晶体管，并且该电流值或电压值的强度X小于参考值的强度A的情况下，判断包括流过晶体管的泄漏电流在内的电流消耗小；因此该设置处理中的背栅电压Vbg的值被存储在校正电压存储器电路110中。
在另一方面，在判断电路109中，在该电流值或电压值的强度X大于或等于参考值的强度A的情况下，判断包括流过包含在显示部分驱动器电路101中的晶体管的泄漏电流在内的电流消耗大。在该情况下，将事先设置的Vstep添加到背栅电压的值，即，Vbg-Vstep的值设置为Vbg的新值，并且将其施加到第二栅极(图2，步骤204)。
根据用于设置背栅电压Vbg的连续操作的次数，设置用于设置背栅电压Vbg的Vstep的电平。
接着，以类似于步骤202的方式，在图1所示的背栅电压控制电路107中的电流值检测电路108中，测量由来自信号产生电路106的导线提供的电流水平或电压电平(图2，步骤205)。
然后，以类似于步骤203的方式，在图1所示的判断电路109中，执行电流值或电压值是否小于参考值的判断(图2，步骤206)。此时，在晶体管通过步骤204中的背栅电压Vbg的施加变为增强型晶体管，并且电流值或电压值的强度X小于参考值的强度A的情况下，判断包括流过晶体管的泄漏电流在内的电流消耗小；因此，该设置处理中的背栅电压Vbg的值被存储在校正电压存储器电路110中。
为了实现驱动器电路的更稳定的正常操作，优选地，进一步将事先设置的额外电压(裕度)添加到被判断为将在电流消耗中减小的背栅电压Vbg的值，并且将添加有该额外电压的值存储在校正电压存储器电路110中。以类似的方式，在背栅电压Vbg具有裕度的情况下，即使在TFT特性由于背栅电压设置处理的长的时间间隔而在某个程度上改变时，也可以以更大的确定性实现正常操作。
另外，在判断电路109中，在电流值或电压值的强度X大于或等于参考值的强度A的情况下，判断包括流过包含在显示部分驱动器电路101中的晶体管的泄漏电流在内的电流消耗大。在该情况下，步骤返回图2所示的步骤204，并且继续下一个步骤。
根据上述操作，当可以成为耗尽型晶体管的薄膜晶体管被用于显示部分驱动器电路中的仅使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成的驱动器电路时，根据阈值电压的改变程度补偿阈值电压，从而可以抑制故障或功耗的增加。
接着，图3A到3C示出了包括在显示部分驱动器电路中的移位寄存器的结构的例子。
图3A所示的移位寄存器包括第一到第N脉冲输出电路10_1到10_N(N是大于或等于3的自然数)。在图3A所示的移位寄存器中的第一到第N脉冲输出电路10_1到10_N中，分别从第一导线11、第二导线12、第三导线13和第四导线14提供第一时钟信号CK1、第二时钟信号CK2、第三时钟信号CK3和第四时钟信号CK4。开始脉冲SP1(第一开始脉冲)从第五导线15输入到第一脉冲输出电路10_1。来自前一级的脉冲输出电路的信号(这种信号被称为前级信号OUT(n-1))被输入第二或后级的第n脉冲输出电路10_n(n是大于或等于2并且小于或等于N的自然数)。来自该下一级之后的一级的第三脉冲输出电路10_3的信号被输入到第一脉冲输出电路10_1。类似地，来自该下一级之后的一级的第(n+2)脉冲输出电路10_(n+2)的信号(这种信号被称为后级信号OUT(n+2))被输入到第二或后级的第n脉冲输出电路10_n。因此，从相应级的脉冲输出电路，输出将被输入到后级和/或前级之前的级的脉冲输出电路的第一输出信号OUT(1)(SR)到OUT(N)(SR)和将被电连接到不同导线等的第二输出信号OUT(1)到OUT(N)。另外，背栅电压Vbg从背栅电压控制电路107通过第六导线16提供给相应级的脉冲输出电路。注意如图3A所示，由于后级信号OUT(n+2)不被输入到移位寄存器的最后两级，因此例如，第二开始脉冲SP2和第三开始脉冲SP3可被分别从第七导线17和第八导线18输入到对应的最后两级。另选地，信号可被在内部产生。例如，可以提供不对显示部分的脉冲输出产生贡献的第(n+1)脉冲输出电路10_(n+1)和第(n+2)脉冲输出电路10_(n+2)(这种电路也被称为哑级)，并且可以从哑级产生对应于第二开始脉冲(SP2)和第三开始脉冲(SP3)的信号。
注意，第一到第四时钟信号(CK1)到(CK4)中的每一个是以规则间隔在H电平信号和L电平信号之间振荡的信号。另外，第一到第四时钟信号(CK1)到(CK4)被顺序延迟1/4周期。在这个实施例中，通过第一到第四时钟信号(CK1)到(CK4)控制脉冲输出电路的驱动。注意，在某些情况下，取决于时钟信号输入的驱动器电路，时钟信号还被称为GCK或SCK，并且在下面的描述中，时钟信号被称为CK。
注意，当明确地描述“A和B连接”时，其中包括A和B电连接的情况，A和B功能连接的情况，以及A和B直接连接的情况。此处，A和B中的每一个是一个对象(例如，设备、元件、电路、导线、电极、端子、导电膜或层)。因此，另一个元件可被安插在具有图中和文本中所示的连接关系的元件之间，而不限于预定的连接关系，例如，图中和文本中所示的连接关系。
第一到第N脉冲输出电路10_1到10_N中的每一个包括第一输入端子21、第二输入端子22、第三输入端子23、第四输入端子24、第五输入端子25、第一输出端子26、第二输出端子27和第六输入端子28(见图3B)。
第一输入端子21、第二输入端子22和第三输入端子23被电连接到第一到第四导线11到14中的任意一个。例如，在图3A和3B的第一脉冲输出电路10_1中，第一输入端子21电连接到第一导线11；第二输入端子22电连接到第二导线12；并且第三输入端子23电连接到第三导线13。在第二脉冲输出电路10_2中，第一输入端子21电连接到第二导线12；第二输入端子22电连接到第三导线13；并且第三输入端子23电连接到第四导线14。
在图3A和3B的第一脉冲输出电路10_1中，开始脉冲被输入到第四输入端子24；后级信号OUT(3)被输入到第五输入端子25；第一输出信号OUT(1)(SR)从第一输出端子26输出；第二输出信号OUT(1)从第二输出端子27输出；并且背栅电压Vbg从第六输入端子28输入。
接下来，参考图3C描述脉冲输出电路的特定电路结构的例子。
在图3C中，第一晶体管31的第一端子电连接到导线51。第一晶体管31的第二端子电连接到第九晶体管39的第一端子。第一晶体管31的栅极电极电连接到第四输入端子24。第二晶体管32的第一端子电连接到电源线53。第二晶体管32的第二端子电连接到第九晶体管39的第一端子。第二晶体管32的栅极电极电连接到第四晶体管34的栅极电极。第三晶体管33的第一端子电连接到第一输入端子21。第三晶体管33的第二端子电连接到第一输出端子26。第四晶体管34的第一端子电连接到电源线53。第四晶体管34的第二端子电连接到第一输出端子26。第五晶体管35的第一端子电连接到电源线53。第五晶体管35的第二端子电连接到第二晶体管32的栅极电极和第四晶体管34的栅极电极。第五晶体管35的栅极电极电连接到第四输入端子24。第六晶体管36的第一端子电连接到导线51。第六晶体管36的第二端子电连接到第二晶体管32的栅极电极和第四晶体管34的栅极电极，并且第六晶体管36的栅极电极电连接到第五输入端子25。第七晶体管37的第一端子电连接到导线51。第七晶体管37的第二端子电连接到第八晶体管38的第二端子。第七晶体管37的栅极电极电连接到第三输入端子23。第八晶体管38的第一端子电连接到第二晶体管32的栅极电极和第四晶体管34的栅极电极。第八晶体管38的栅极电极电连接到第二输入端子22。第九晶体管39的第一端子电连接到第一晶体管31的第二端子和第二晶体管32的第二端子。第九晶体管39的第二端子电连接到第三晶体管33的栅极电极和第十晶体管40的栅极电极。第九晶体管39的栅极电极电连接到导线51。第十晶体管40的第一端子电连接到第一输入端子21。第十晶体管40的第二端子电连接到第二输出端子27。第十晶体管40的栅极电极电连接到第九晶体管39的第二端子。第十一晶体管41的第一端子电连接到电源线53。第十一晶体管41的第二端子电连接到第二输出端子27。第十一晶体管41的栅极电极电连接到第二晶体管32的栅极电极和第四晶体管34的栅极电极。第一到第十一晶体管31到41的第二栅极电连接到用于提供背栅电压Vbg的导线52。
在图3C中，第三晶体管33的栅极电极、第十晶体管40的栅极电极以及第九晶体管39的第二端子的连接点被称为节点NA。另外，第二晶体管32的栅极电极、第四晶体管34的栅极电极、第五晶体管35的第二端子、第六晶体管36的第二端子、第八晶体管38的第一端子、以及第十一晶体管41的栅极电极的连接点被称为节点NB。
在图3C中的脉冲输出电路是第一脉冲输出电路10_1的情况下，第一时钟信号CK1被输入到第一输入端子21；第二时钟信号CK2被输入到第二输入端子22；第三时钟信号CK3被输入到第三输入端子23；开始脉冲SP被输入到第四输入端子24；后级信号OUT(3)被输入到第五输入端子25；第一输出信号OUT(1)(SR)从第一输出端子26输出；第二输出信号OUT(1)从第二输出端子27输出；并且判断信号JS被输入到第六输入端子28。
图4示出了包括图3C所示的多个脉冲输出电路的移位寄存器的时序图。注意当移位寄存器被包括在扫描线驱动器电路中时，图4的周期61对应于垂直回描周期，并且图4的周期62对应于栅极选择周期。
当包括在驱动器电路中的晶体管是耗尽型晶体管时，导线51和导线53导通，导致泄漏电流。在作为例子使用多个图3A到3C和图4所示的n沟道晶体管制造的驱动器电路中，可以通过施加背栅电压Vbg减小由于这种泄漏电流导致的功耗。另外，通过施加背栅电压Vbg，薄膜晶体管可以是不中断驱动器电路的操作的增强型晶体管，而不是其阈值电压极其偏向高电势侧的增强型晶体管。因此，当可以成为耗尽型晶体管的薄膜晶体管被用于显示部分驱动器电路中的仅使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成的驱动器电路时，阈值电压被根据阈值电压的改变程度进行补偿，从而可以抑制故障或功耗的增加。
该实施例可以适当地与在其它实施例中描述的任意结构组合。
(实施例2)
在这个实施例中，将参考图5描述上面实施例中描述的驱动器电路和包括被该驱动器电路控制的显示部分的显示设备的横截面图。另外，在这个实施例中，将描述液晶显示设备的例子作为该显示设备；然而，本发明可用于包括发光元件(诸如有机EL元件)的其它显示设备，或用于包括电泳元件的电子纸的驱动器电路。注意，除了显示设备的驱动器电路之外，上面实施例中描述的结构可被应用于不同设备，诸如用于光学扫描仪的驱动器电路。
图5示出作为本发明的一个实施例的液晶显示设备。在图5的液晶显示设备中，设置有包括薄膜晶体管701和电容器702的像素部分的衬底706、包括薄膜晶体管703的驱动器电路部分、像素电极层704和作为取向膜的绝缘层705、以及设置有作为取向膜的绝缘层707的对置衬底710、对置电极层708、作为彩色滤光器的着色层709彼此面对，液晶层711被定位在衬底之间。衬底706在与液晶层711相反的一侧上设置有偏振板(包括偏振器的层，也被简称为偏振器)712a，并且对置衬底710在与液晶层711相反的一侧上设置有偏振板712b。第一端子713、连接电极714和用于连接的端子电极715被提供在用于栅极导线的端子部分中，并且用于连接的第二端子716和端子电极717被提供在用于源极导线的端子部分中。
在驱动器电路部分的薄膜晶体管703中，半导体层723被设置在栅极电极层721和栅极绝缘层722上，氧化绝缘层724被设置在半导体层723上，并且导电层718被设置在氧化物半导体层724上。漏极电极层719b电连接到与栅极电极层721在相同步骤中形成的导电层720。在像素部分中，薄膜晶体管701的漏极电极层电连接到像素电极层704。
将氧化物半导体用于薄膜晶体管导致制造成本的减少。使用氧化物半导体形成的薄膜晶体管具有高的场效应迁移率，并且适合用于显示设备的像素部分和驱动器电路中。在另一方面，即使在不添加外来的杂质时，氧化物半导体也往往由于缺少氧造成的空穴欠缺具有n型传导性。当氧化绝缘膜被形成为与氧化物半导体层接触时，可以获得具有稳定电特性的薄膜晶体管。即使使氧化物半导体具有n型传导性，从而形成常导通薄膜晶体管，在本实施例的驱动器电路中，也根据阈值电压的改变程度补偿阈值电压；因此，可以抑制故障和功耗的增加。
注意虽然在这个实施例中描述了实施例1的使用薄膜晶体管中的氧化物半导体形成其半导体层的薄膜晶体管的例子，在实施例1中描述的结构中，可以成为包括在驱动器电路中的耗尽型晶体管的薄膜晶体管具有第一栅极和第二栅极。因此，例如，当使用非晶硅形成的薄膜晶体管的半导体层有意或无意地包含赋予n型导电性的杂质时，实施例1中描述的结构可用于常导通薄膜晶体管。
采用其结构与实施例1相同或大体相同的驱动器电路，当可以成为耗尽型晶体管的薄膜晶体管被用于显示部分驱动器电路中的仅使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成的驱动器电路时，根据阈值电压的改变程度补偿阈值电压，从而可以抑制故障或功耗的增加。
该实施例可适当地与在其它实施例中描述的任意结构组合。
(实施例3)
在这个实施例中，下面将描述在相同衬底上形成至少某些驱动器电路和提供在像素部分中的薄膜晶体管的例子。注意，可以如实施例2中的横截面图所示形成在该衬底上形成的薄膜晶体管。
信号线驱动器电路包括移位寄存器5601和开关电路5602。开关电路5602包括多个开关电路5602_1到5602_N(N是自然数)。开关电路5602_1到5602_N中的每一个包括多个薄膜晶体管5603_1到5603_k(k是自然数)。下面描述薄膜晶体管5603_1到5603_k是n沟道TFT的例子。
使用开关电路5602_1作为例子描述信号线驱动器电路中的连接关系。薄膜晶体管5603_1到5603_k的第一端子分别连接到导线5604_1到5604_k。薄膜晶体管5603_1到5603_k的第二端子分别连接到信号线S1到Sk。薄膜晶体管5603_1到5603_k的栅极连接到导线5605_1。
移位寄存器5601具有通过向导线5605_1和导线5605_2到5605_N顺序输出H电平信号(也被称为H信号或高电源电势电平的信号)，顺序选择开关电路5602_1到5602_N的功能。
开关电路5602_1具有控制导线5604_1到5604_k和信号线S1到Sk之间的传导状态的功能(第一端子和第二端子之间的电连通性)，即，控制是否将导线5604_1到5604_k的电势提供给信号线S1到Sk的功能。以这种方式，开关电路5602_1起选择器的功能。以类似方式，薄膜晶体管5603_1到5603_k具有分别控制导线5604_1到5604_k和信号线S1到Sk之间的传导状态的功能，即，分别将导线5604_1到5604_k的电势提供给信号线S1到Sk的功能。以这种方式，每个薄膜晶体管5603_1到5603_k起开关的功能。
视频信号数据(DATA)被输入到每个导线5604_1到5604_k。在许多情况下，视频信号数据(DATA)是对应于图像数据或图像信号的模拟信号。
接着，参考图6B中的时序图描述图6A中的信号线驱动器电路的操作。图6B示出了信号Sout_1到Sout_N和信号Vdata_1到Vdata_k的例子。信号Sout_1到Sout_N是从移位寄存器5601输出的信号的例子。信号Vdata_1到Vdata_k是输入到导线5604_1到5604_k的信号的例子。注意，信号线驱动器电路的一个操作周期对应于显示设备中的一个栅极选择周期。例如，一个栅极选择周期被划分为周期T1到TN。周期T1到TN中的每一个是视频信号数据(DATA)写到所选择行内的像素的周期。
在周期T1到TN中，移位寄存器5601顺序地向导线5605_1到5605_N输出H电平信号。例如，在周期T1中，移位寄存器5601向导线5605_1输出H电平信号。然后，薄膜晶体管5603_1到5603_k导通，从而使导线5604_1到5604_k和信号线S1到Sk传导。此时，Data(S1)到Data(Sk)被分别输入到导线5604_1到5604_K。Data(S1)到Data(Sk)分别通过薄膜晶体管5603_1到5603_k写到所选择的行内的第一到第k列内的像素。以这种方式，在周期T1到TN，视频信号数据(DATA)以k个列顺序写到所选择行内的像素。
当视频信号数据(DATA)被如上所述以多个列写到像素时，可以减少视频信号数据(DATA)的数目或导线的数目。由此，可以减少与外部电路的连接的数目。另外，当以多个列将视频信号写到像素时，可以延长写入时间；因此，可以防止视频信号的不充分的写入。
描述扫描线驱动器电路的结构。扫描线驱动器电路可以包括移位寄存器、缓冲器等。另外，扫描线驱动器电路在某些情况下可以包括电平转换器。在扫描线驱动器电路中，当时钟信号(CLK)和开始脉冲信号(SP)被输入到移位寄存器时，产生选择信号。产生的选择信号在缓冲器中缓冲并且放大，结果信号被提供给对应的扫描线。一行像素中的晶体管的栅极电极被连接到扫描线。由于一行像素中的晶体管必须同时导通，因此使用可以提供大量电流的缓冲器。
在本实施例中的驱动器电路中采用在上面实施例中描述的控制电路，从而根据阈值电压的改变程度补偿阈值电压。因此，可以抑制故障或功耗的增加。
该实施例可以适当地与在其它实施例中描述的任意结构组合。
(实施例4)
在这个实施例中，将描述电子设备的例子，每个电子设备在显示部分中包括在上面实施例中描述的显示设备。
在上面实施例中在每个图中描述的内容(或内容部分)可被应用于各种电子设备。特别地，其可被应用于电子设备的显示部分。作为这种电子设备，存在照相机，诸如视频摄像机和数字照相机、护目镜类型的显示器、导航系统、音频再现设备(例如，汽车音频设备或音频组件装置)、计算机、游戏机、便携式信息终端(例如，移动计算机、移动电话、便携式游戏机或电子书阅读器)、提供有记录介质的图像再现设备(特别地，再现诸如数字万用盘(DVD)的记录介质的内容，并且具有用于显示再现的图像的显示器的设备)等。
图7A示出了一个显示器，其包括壳体1011、支架1012和显示部分1013。图7A所示的显示器具有在显示部分上显示各种类型的信息(例如，静态图像、运动图像和文本图像)的功能。注意，图7A所示的显示器不限于具有这种功能。图7A所示的显示器可以具有各种功能。
图7B示出了一个照相机，其包括主体1031、显示部分1032、图像接收部分1033、操作键1034、外部连接端口1035和快门按钮1036。图7B所示的照相机具有拍摄静态图像的功能，并且可以具有拍摄运动图像的功能。注意，图7B所示的照相机不限于具有这些功能。图7B所示的照相机可以具有各种功能。
图7C示出了一个计算机，其包括主体1051、壳体1051、显示部分1053、键盘1054、外部连接端口1055和指点设备1056。图7C所示的计算机具有在显示部分上显示各种类型的信息(例如，静态图像、运动图像和文本图像)的功能。注意，图7C所示的计算机不限于具有这种功能。图7C所示的显示器可以具有各种功能。
在上面实施例中描述的显示设备被用在本实施例中的显示部分中，从而可以根据阈值电压的改变程度补偿阈值电压。因此，可以抑制故障或功耗的增加，这导致较低功耗和较高显示质量的电子设备。
该实施例可以适当地与在其它实施例中描述的任意结构组合。
[例子]
图11是横轴表示连接到驱动器电路的导线中的施加于第二栅极的背栅电压Vbg，并且纵轴表示用于提供高电源电势Vdd和低电源电势Vss的导线中的电流消耗的图。在图11中，菱形表示用于提供高电源电势的导线内的电流消耗(下面称为Isvdd)，并且三角表示用于提供低电源电势的导线内的电流消耗(下面称为Isvss)。图11中的提供高电源电势Vdd和低电源电势Vss的驱动器电路的结构对应于图3A到3C所示的驱动器电路的结构。
如图11所示，当背栅电压Vbg移向小于0V的负侧时，电流消耗减小。在图11中Isvdd和Isvss在从-3.5V到-2.0V的范围中显著减小。包括在驱动器电路中的晶体管的阈值电压移动，并且耗尽型晶体管改变为增强型晶体管，从而使得电流消耗减小。当晶体管改变为增强型晶体管时，泄漏电流减小。当以驱动器电路的脉冲输出的波形检查电流消耗时，驱动器电路在从-7.0V到-3.5V的范围中(优选地，-6.0V到-4.0V：该范围在图11中被以箭头1101表示)正常操作。在该情况下，在参考图1和图2在实施例1中描述的背栅电压设置处理中，当使用Isvdd时，参考值的强度A被事先设置为1.5mA，并且当使用Isvss时，被设置为4.0mA。当背栅电压Vbg为-3.5V时，电流值的强度X小于参考值的强度A；因此，背栅电压Vbg可被设置为-3.5V。
注意，在这个例子中描述了参考图1和图2在实施例1中描述的背栅电压设置处理中判断电流消耗的减小的结构；然而，如从图11可见，为了以更大的确定性实现驱动器电路的正常操作，优选地，将大约-1.5V的额外电压(裕度)添加到被判断为电流消耗减小的背栅电压Vbg的值，从而背栅电压Vbg为-5.0V。
如从图11可见，当背栅电压的施加值小于或等于-7.0V时，电流消耗进一步减小。由不能执行切换的晶体管引起电流消耗的减小。当检查驱动器电路的脉冲输出的波形时，在背栅电压的施加值小于或等于-7.0V的情况下，无法获得所希望的脉冲波形。因此，当设置背栅电压时，优选地事先施加高电压，例如，在图11的情况下0V，作为背栅电压的初始值。
这个例子可以适当地与在实施例中描述的任意结构组合。
本申请基于序列号为2009-249631的2009年10月30日提交日本专利局的日本专利申请，该申请的全部内容通过引用包含于此。

Claims (21)

1.一种驱动器电路，包括：
第一晶体管；和
第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管均具有相同的传导类型，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个包括：
第一栅极；
所述第一栅极上的第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的氧化物半导体层；
所述氧化物半导体层上的第二绝缘层；和
所述第二绝缘层上的第二栅极，
其中所述第一晶体管的第一端子被电连接到第一导线，
其中所述第一晶体管的第二端子被电连接到所述第二晶体管的第一端子，
其中所述第二晶体管的第二端子被电连接到第二导线，
其中用于控制所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个的切换的第一信号被输入到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个的第一栅极，
其中用于控制所述第一晶体管的阈值电压和所述第二晶体管的阈值电压的第二信号被输入到所述第一晶体管的第二栅极和所述第二晶体管的第二栅极，
其中根据在所述第一导线和所述第二导线之间流动的电流的值控制所述第二信号，以及
其中所述电流包括所述第一晶体管以及所述第二晶体管的泄漏电流。
2.如权利要求1所述的驱动器电路，
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是n沟道晶体管。
3.如权利要求1所述的驱动器电路，
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是p沟道晶体管。
4.如权利要求1所述的驱动器电路，
其中从背栅电压控制电路提供所述第二信号，所述背栅电压控制电路用于根据所述电流的值的改变程度补偿施加到所述第一晶体管的第二栅极和所述第二晶体管的第二栅极的电压的电平。
5.如权利要求4所述的驱动器电路，其中所述背栅电压控制电路包括：
电流值检测电路，被配置为检测所述电流的值；
校正电压存储器电路，被配置为存储用于根据所述电流的值进行补偿的电压；和
校正电压输出电路，被配置为向所述第一晶体管的第二栅极和所述第二晶体管的第二栅极输出用于进行补偿的电压。
6.一种包括如权利要求1所述的驱动器电路的显示设备。
7.一种包括如权利要求6所述的显示设备的电子设备。
8.一种用于操作驱动器电路的方法，所述驱动器电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个包括第一栅极、第二栅极和在所述第一栅极和第二栅极之间的氧化物半导体层，所述方法包括：
将用于控制所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个的切换的第一信号输入到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的所述至少一个的第一栅极，
将用于控制所述第一晶体管的阈值电压和所述第二晶体管的阈值电压的第二信号输入到所述第一晶体管的第二栅极和所述第二晶体管的第二栅极，
其中所述第一晶体管的第一端子被电连接到第一导线，
其中所述第一晶体管的第二端子被电连接到所述第二晶体管的第一端子，
其中所述第二晶体管的第二端子被电连接到第二导线，
其中根据在所述第一导线和所述第二导线之间流动的电流的值控制所述第二信号，
其中所述电流包括所述第一晶体管以及所述第二晶体管的泄漏电流，
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有相同的传导类型。
9.如权利要求8所述的用于操作驱动器电路的方法，
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是n沟道晶体管。
10.如权利要求8所述的用于操作驱动器电路的方法，
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是p沟道晶体管。
11.如权利要求8所述的用于操作驱动器电路的方法，
其中从背栅电压控制电路提供所述第二信号，所述背栅电压控制电路用于根据所述电流的值的改变程度，补偿施加到所述第一晶体管的第二栅极和所述第二晶体管的第二栅极的电压的电平。
12.如权利要求11所述的用于操作驱动器电路的方法，
其中所述背栅电压控制电路包括电流值检测电路、校正电压存储器电路和校正电压输出电路，
其中所述电流值检测电路检测所述电流的值，
其中所述校正电压存储器电路存储用于根据所述电流的值进行补偿的电压，以及
其中所述校正电压输出电路向所述第一晶体管的第二栅极和所述第二晶体管的第二栅极输出用于进行补偿的电压。
13.如权利要求8所述的用于操作驱动器电路的方法，
其中显示设备包括所述驱动器电路。
14.如权利要求13所述的用于操作驱动器电路的方法，
其中电子设备包括所述显示设备。
15.一种用于控制第一晶体管的阈值电压和第二晶体管的阈值电压的方法，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个设置在驱动器电路中，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个包括第一栅极、第二栅极和氧化物半导体层，该方法包括：
向所述驱动器电路输入电源电压；
向所述第一晶体管的第二栅极和所述第二晶体管的第二栅极输入信号；
测量在第一导线和第二导线之间流动的电流的值；以及
根据所述电流的值控制所述信号，
其中所述第一晶体管的第一端子被电连接到所述第一导线，
其中所述第一晶体管的第二端子被电连接到所述第二晶体管的第一端子，
其中所述第二晶体管的第二端子被电连接到所述第二导线，
其中所述电流包括在所述第一晶体管以及所述第二晶体管的泄漏电流，以及
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有相同的传导类型。
16.如权利要求15所述的用于控制第一晶体管的阈值电压和第二晶体管的阈值电压的方法，
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是n沟道晶体管。
17.如权利要求15所述的用于控制第一晶体管的阈值电压和第二晶体管的阈值电压的方法，
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是p沟道晶体管。
18.如权利要求15所述的用于控制第一晶体管的阈值电压和第二晶体管的阈值电压的方法，
其中从背栅电压控制电路提供所述信号，所述背栅电压控制电路用于根据所述电流的值的改变程度补偿施加到所述第一晶体管的第二栅极和所述第二晶体管的第二栅极的电压的电平。
19.如权利要求18所述的用于控制第一晶体管的阈值电压和第二晶体管的阈值电压的方法，
其中所述背栅电压控制电路包括电流值检测电路、校正电压存储器电路和校正电压输出电路，
其中所述电流值检测电路检测所述电流的值，
其中所述校正电压存储器电路存储用于根据所述电流的值进行补偿的电压，以及
其中所述校正电压输出电路向所述第一晶体管的第二栅极和所述第二晶体管的第二栅极输出用于进行补偿的电压。
20.如权利要求15所述的用于控制第一晶体管的阈值电压和第二晶体管的阈值电压的方法，
其中显示设备包括所述驱动器电路。
21.如权利要求20所述的用于控制第一晶体管的阈值电压和第二晶体管的阈值电压的方法，
其中电子设备包括所述显示设备。
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