TW201626350A - 具有顯示部驅動器電路之驅動器電路及其操作方法，具有該驅動器電路之顯示裝置及具有該顯示裝置之電子裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之一目的係，當將其通道係使用非晶半導體形成之薄膜電晶體用於僅使用n-通道電晶體或p-通道電晶體形成的驅動器電路時，提供臨界電壓係依據該臨界電壓的改變程度而受補償的驅動器電路。在包括單極電晶體的該驅動器電路中，該單極電晶體包括以絕緣層設置於其間的方式設置在半導體層之上及之下的第一閘極及第二閘極，將用於控制該電晶體之切換的第一訊號輸入至該第一閘極，將用於控制該電晶體之臨界電壓的第二訊號輸入至該第二閘極，且該第二訊號係依據包括在該電晶體的源極及汲極之間流動的電流之電流消耗值而受控制。

Description

具有顯示部驅動器電路之驅動器電路及其操作方法，具有該驅動器電路之顯示裝置及具有該顯示裝置之電子裝置
本發明相關於驅動器電路。本發明也相關於包括該驅動器電路的顯示裝置，以及包括該顯示裝置的電子裝置。
當大型顯示裝置變得廣泛時，諸如液晶電視，顯示裝置需要更高的附加價值且其發展已進行。特別係已主動地發展使用其通道區域係使用非晶半導體(特別係氧化物半導體)形成之薄膜電晶體(TFT)，將驅動器電路，諸如掃描線驅動器電路，形成在與像素部相同之基材上方的技術。
通常將其通道區域係使用非晶半導體形成之薄膜電晶體用於僅使用n-通道電晶體或p-通道電晶體形成的驅動器電路。例如，提供揭示於專利文件1的結構。
[參考文件]
[專利文件1]日本已公告專利申請案案號第2005-251348號
當將其通道區域係使用非晶半導體形成之薄膜電晶體用於僅使用n-通道電晶體或p-通道電晶體形成的驅動器電路時，該電晶體可能由於臨界電壓中的改變等而變為空乏型(也稱為常態開啟)電晶體。在使用常態開啟電晶體的情形中，有功率消耗及故障增加的問題，諸如由來自電晶體之漏電流所導致的不正常輸出訊號。
在部分情形中，臨界電壓的改變程度在基材之間不同。在預先採用反制電晶體變為常態開啟電晶體的情形之措施的電路設計中，可能有反變異措施難以採用的問題。因此，必須使用與使薄膜電晶體為常態開啟之臨界電壓中的改變程度無關之不導致功率消耗及故障增加之驅動器電路的電路設計。
將至少包括下列四個終端的元件提供為其臨界電壓可受控制之薄膜電晶體的範例：第一閘極終端(稱為第一閘極)；第二閘極終端(稱為第二閘極)；汲極終端(也稱為汲極)；以及源極終端(也稱為源極)。包括該等四個終端的薄膜電晶體具有在汲極區域及源極區域之間的通道區域，且電流可經由通道區域在汲極區域及源極區域之間 流動。在包括該等四個終端的薄膜電晶體中，將第一閘極及第二閘極設置在該通道區域之上及之下。將用於控制薄膜電晶體的導通及非導通之切換的訊號(也稱為第一訊號)供應至第一閘極。將用於控制薄膜電晶體之臨界電壓的訊號(也稱為第二訊號)供應至第二閘極。
在包括該等四個終端的薄膜電晶體中，在部分情形中，將連接至用於供應高電源供應電位Vdd之佈線的終端描述為汲極電極，並將連接至用於供應低電源供應電位Vss之佈線的終端描述為源極電極。在此說明書中將源極電極稱為第一終端並將汲極電極稱為第二終端。可能將供應至第一閘極及第二閘極的訊號顛倒。亦即，可能將第一訊號供應至第二閘極並可能將第二訊號供應至第一閘極。
圖8A係描繪包括該等四個終端之薄膜電晶體的結構之範例的橫剖面圖。如圖8A所描繪的，將薄膜電晶體900形成如下：將第一閘極901設置在基材907上方；將閘極絕緣膜902設置在第一閘極901上方；將氧化物半導體膜903設置在閘極絕緣膜902上方；將使用導電膜形成之源極終端904A及汲極終端904B設置成覆蓋氧化物半導體膜903的一部分；將絕緣層905設置成覆蓋氧化物半導體膜903、源極終端904A、以及汲極終端904B；並將第二閘極906設置在絕緣層905上方。
圖8B描繪於圖8A描繪之薄膜電晶體900的電路符號，其中將第一閘極901及第二閘極906設置在通道區域之上及之下。如圖8B所描繪的，薄膜電晶體900包括第一閘極 901、第二閘極906、源極終端904A、以及汲極終端904B。在薄膜電晶體900中，將用於控制源極終端904A及汲極終端904B之間的導通及非導通之切換的第一訊號G1輸入至第一閘極901，並將用於控制薄膜電晶體之臨界電壓的第二訊號G2輸入至第二閘極906。須注意描繪於圖8B中之薄膜電晶體900的符號代表由四個終端控制的薄膜電晶體。
第一訊號G1係在源極終端904A及汲極終端904B之間實施電性控制(切換)的訊號。第二訊號G2係控制薄膜電晶體之臨界電壓的訊號。在n-通道電晶體中，第二訊號G2係作為藉由應用負電壓將空乏型(常態開啟)電晶體改變為增強型(常態關閉)電晶體的訊號使用。須注意在下文中也將第二訊號G2稱為背閘極電壓Vbg。
圖9係描繪於圖8A及8B描繪之n-通道薄膜電晶體的汲極電流Id及閘極電壓Vg之間的關係之圖。圖9之曲線911顯示在空乏型電晶體之情形中的關係。即使在由第一訊號G1施加至第一閘極的電壓為0V時，汲極電流Id仍流動。在使用複數個薄膜電晶體形成的電路中，諸如驅動器電路，即使當施加至第一閘極的電壓為0V時，亦即，即使在驅動器電路未受驅動時，仍累積流動電流，導致不可忽視之功率消耗的增加。另一方面，當將負電壓施加至背閘極時，曲線911如圖9之曲線912所示地朝向正側移位，使得該電晶體可係增強型電晶體。在該增強型電晶體中，當由第一訊號G1施加至第一閘極的電壓為0V時，汲極電流Id甚小； 因此，可減少該驅動器電路的功率消耗。然而，在曲線911朝向正側移位的情形中，如曲線913所示，藉由使背閘極電壓Vbg在負方向上較大，當藉由第一訊號使薄膜電晶體導通時，必須施加較高電壓至第一閘極。因此，導致功率消耗增加。此外，在部分情形中該驅動器電路故障。
圖10將使用複數個n-通道電晶體形成的自舉型反相器電路描繪為包括在該驅動器電路中之電路的範例。描繪於圖10中的反相器電路包括薄膜電晶體921、薄膜電晶體922、薄膜電晶體923、薄膜電晶體924、以及電容器925。佈線926供應高電源供應電位Vdd且佈線927供應低電源供應電位Vss。將薄膜電晶體921至924的第二閘極連接至用於供應背閘極電壓Vbg的佈線928。將作為第一訊號使用的輸入訊號In供應至薄膜電晶體921至923的第一閘極。將輸出訊號Out從薄膜電晶體924及薄膜電晶體923彼此連接的節點輸出。
如參考至圖9所描述的，在將空乏型電晶體包括在描繪於圖10之反相器電路中的情形中，使佈線926及佈線927導通；因此，大量的漏電流流動。即使在將背閘極電壓施加至該等薄膜電晶體各者，使得該等電晶體變為增強型電晶體並減少漏電流時，取決於輸入訊號In的電壓，薄膜電晶體921及薄膜電晶體923不開啟並導致故障。另外，當輸入訊號In的電壓甚高時，功率消耗增加。
本發明之一實施例的目的係當將其通道係使用非晶半導體形成的薄膜電晶體用於僅使用n-通道電晶體或p-通道 電晶體形成之驅動器電路時，提供臨界電壓係依據使該電晶體變成空乏型電晶體之臨界電壓中的改變程度而補償之驅動器電路；因此，可抑制功率消耗及故障的增加。
本發明之一實施例係包括單極電晶體之驅動器電路，該單極電晶體包括以絕緣層設置於其間的方式設置在半導體層之上及之下的第一閘極及第二閘極。在該驅動器電路中，將用於控制該電晶體之切換的第一訊號輸入至該第一閘極，並將用於控制該電晶體之臨界電壓的第二訊號輸入至該第二閘極。該第二訊號係依據包括在該電晶體的源極及汲極間流動之電流的電流消耗值而受控制。
根據本發明之一實施例，可提供描述如下的驅動器電路：該臨界電壓係依據該臨界電壓中的改變程度而受補償，使得當將可變成空乏型電晶體之薄膜電晶體用於僅使用n-通道電晶體或p-通道電晶體形成的驅動器電路時，可抑制功率消耗及故障的增加。
須注意此說明書中的「單極電晶體」係指包括具有相同導電型之電晶體元件的電路。具體地說，此說明書中的「單極電晶體」係指包括n-通道電晶體的電路或包括p-通道電晶體之電路。
10‧‧‧脈衝輸出電路
11‧‧‧第一佈線
12‧‧‧第二佈線
13‧‧‧第三佈線
14‧‧‧第四佈線
15‧‧‧第五佈線
16‧‧‧第六佈線
17‧‧‧第七佈線
18‧‧‧第八佈線
21‧‧‧第一輸入終端
22‧‧‧第二輸入終端
23‧‧‧第三輸入終端
24‧‧‧第四輸入終端
25‧‧‧第五輸入終端
26‧‧‧第一輸出終端
27‧‧‧第二輸出終端
28‧‧‧第六輸入終端
31‧‧‧第一電晶體
32‧‧‧第二電晶體
33‧‧‧第三電晶體
34‧‧‧第四電晶體
35‧‧‧第五電晶體
36‧‧‧第六電晶體
37‧‧‧第七電晶體
38‧‧‧第八電晶體
39‧‧‧第九電晶體
40‧‧‧第十電晶體
41‧‧‧第十一電晶體
51、52、926、927、928、5604、5605‧‧‧佈線
53‧‧‧電源供應線
61、62、T‧‧‧週期
100‧‧‧驅動器電路
101‧‧‧顯示部驅動器電路
102‧‧‧控制電路
103A‧‧‧閘極線驅動器電路
103B‧‧‧訊號線驅動器電路
104、1013、1032、1053‧‧‧顯示部
105、706、907‧‧‧基材
106‧‧‧訊號產生電路
107‧‧‧背閘極電壓控制電路
108‧‧‧電流值偵測電路
109‧‧‧判斷電路
110‧‧‧校正電壓記憶電路
111‧‧‧校正電壓輸出電路
201、202、203、204、205、206‧‧‧步驟
701、703、900、921、922、923、924、5603‧‧‧薄膜電晶體
702、925‧‧‧電容器
704‧‧‧像素電極層
705、707、905‧‧‧絕緣層
708‧‧‧相對電極層
709‧‧‧著色層
710‧‧‧相對基材
711‧‧‧液晶層
712a、712b‧‧‧偏振板
713‧‧‧第一終端
714‧‧‧連接電極
715、717‧‧‧終端電極
716‧‧‧第二終端
718、720‧‧‧導電層
719b‧‧‧汲極電極層
721‧‧‧閘極電極層
722‧‧‧閘極絕緣層
723‧‧‧半導體層
724‧‧‧氧化物絕緣層
901‧‧‧第一閘極
902‧‧‧閘極絕緣膜
903‧‧‧氧化物半導體膜
204A、904A‧‧‧源極終端
204B、904B‧‧‧汲極終端
906‧‧‧第二閘極
911、912、913‧‧‧曲線
1011、1052‧‧‧外殼
1012‧‧‧支撐
1031、1051‧‧‧主體
1033‧‧‧影像接收部
1034‧‧‧操作鍵
1035、1055‧‧‧外部連接埠
1036‧‧‧快門鍵
1054‧‧‧鍵盤
1056‧‧‧指標裝置
1101‧‧‧箭號
5601‧‧‧移位暫存器
5602‧‧‧切換電路
CK‧‧‧時鐘訊號
CK1‧‧‧第一時鐘訊號
CK2‧‧‧第二時鐘訊號
CK3‧‧‧第三時鐘訊號
CK4‧‧‧第四時鐘訊號
DATA‧‧‧視訊訊號資料
G1‧‧‧第一訊號
G2‧‧‧第二訊號
Id‧‧‧汲極電流
In‧‧‧輸入訊號
Isvdd、Isvss‧‧‧電流消耗
NA、NB‧‧‧節點
OUT‧‧‧前級訊號
S‧‧‧訊號線
SP‧‧‧開始脈衝
SP1‧‧‧第一開始脈衝
SP2‧‧‧第二開始脈衝
SP3‧‧‧第三開始脈衝
Sout、Vdata‧‧‧訊號
Vbg‧‧‧背閘極電壓
Vdd‧‧‧高電源供應電位
Vg‧‧‧閘極電壓
Vss‧‧‧低電源供應電位
在該等隨附圖式中：圖1係描繪顯示裝置之範例的方塊圖；圖2係基於背閘極電壓之電流值(電壓值)的改變之 設定操作的流程圖；圖3A至3C係描繪包括在移位暫存器電路中的電路之範例的圖；圖4係移位暫存器之時序圖的範例；圖5係描繪顯示裝置之範例的橫剖面圖；圖6A係描繪訊號線驅動器(來源驅動器)電路之範例的方塊圖，且圖6B係其之時序圖的範例；圖7A至7C各者係描繪顯示裝置之範例的圖；圖8A係描繪薄膜電晶體之範例的橫剖面圖且圖8B係其之電路符號的範例；圖9係描繪薄膜電晶體的Id-Vg特徵及背閘極電壓Vbg之間的關係之圖；圖10係描繪使用單極(n-通道)電晶體之啟動型反相器電路的電路圖；以及圖11係描繪背閘極電壓及電流消耗之間的關係之圖。
在下文中，將參考該等圖式描述本發明之實施例及範例。須注意本發明可用各種不同方式實作，且熟悉本發明之入士將輕易地領會本發明的模式及細節可無須脫離本發明之精神及範圍而以各種方式改變。因此，不應將本發明理解為受下列實施例及範例的描述限制。須注意在下文描述之本發明的結構中，指示相同部位的參考數字在不同的圖式中共用。
須注意在實施例中描繪於圖式等中的尺寸、層厚度、或各結構中之區域在部分情形中係為了簡化而誇大。因此，本發明之實施例未受限於此種比例。
須注意在此說明書中，使用術語，諸如「第一」、「第二」、「第三」、以及「第N」(N係自然數)，以避免組件之間的混淆且未限制組件的數量。
(實施例1)
在此實施例中，將描述接近驅動器電路之電路的方塊圖。圖1描繪顯示裝置之驅動器電路的範例。
此實施例的驅動器電路100包括顯示部驅動器電路101及控制電路102。
顯示部驅動器電路101包括，例如，閘極線驅動器電路103A及訊號線驅動器電路103B。閘極線驅動器電路103A及訊號線驅動器電路103B各者係驅動包括複數個像素之顯示部104的驅動器電路。閘極線驅動器電路103A、訊號線驅動器電路103B、以及顯示部104係使用形成在基材105上方的薄膜電晶體形成。
須注意包括在閘極線驅動器電路103A、訊號線驅動器電路103B、以及顯示部104中的薄膜電晶體係單極電晶體，具體地說，n-通道薄膜電晶體。將氧化物半導體用於半導體層的薄膜電晶體使用為n-通道薄膜電晶體為佳。將氧化物半導體用於薄膜電晶體的半導體層，相較於矽基半導體材料，諸如非晶矽，可使得場效遷移率增加。例如， 須注意可將氧化鋅(ZnO)或氧化錫(SnO2)使用為該氧化物半導體。另外，可將In、Ga等加至ZnO。
可將以InMO3(ZnO)x(x>0)表示的薄膜使用為該氧化物半導體。須注意M代表選自鎵(Ga)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、錳(Mn)、以及鈷(Co)之一或多種金屬元素。例如，M可能係Ga或可能包括除了Ga以外的上述金屬元素，例如，M可能係Ga及Ni或Ga及Fe。另外，在氧化物半導體中，在部分情形中，除了包含為M的該金屬元素以外，將過渡金屬元素，諸如Fe或Ni，或該過渡金屬元素的氧化物包含為雜質元素。例如，可將In-Ga-Zn-O-基薄膜用於該氧化物半導體層。
可能將InMO3(ZnO)x(x>0)膜使用為氧化物半導體膜(InMO3(ZnO)x(x>0)膜)，其中M係不同的金屬元素，取代In-Ga-Zn-O-基膜。除了上述氧化物半導體外，可將任何下列氧化物半導體使用為該氧化物半導體：In-Sn-Zn-O-基氧化物半導體、In-Al-Zn-O-基氧化物半導體、Sn-Ga-Zn-O-基氧化物半導體、Al-Ga-Zn-O-基氧化物半導體、Sn-Al-Zn-O-基氧化物半導體、In-Zn-O-基氧化物半導體、Sn-Zn-O-基氧化物半導體、Al-Zn-O-基氧化物半導體、In-O-基氧化物半導體、Sn-O-基氧化物半導體、以及Zn-O-基氧化物半導體。
閘極線驅動器電路103A及訊號線驅動器電路103B包括單極電晶體。該單極電晶體包括第一閘極及第二閘極。該第一閘極以將絕緣層設置於其間的方式設置在半導體層 之下，而該第二閘極以將絕緣層設置於其間的方式設置在半導體層之上，如圖8A所描繪的。須注意該第一閘極及該第二閘極的位置可能顛倒。
包括在描述於此說明書中之驅動器電路中的電晶體係如圖8A所示之至少包括第一閘極、第二閘極、汲極、以及源極的四個終端之元件，且電流可經由通道區域在汲極及源極之間流動。輸入至第一閘極的第一訊號係用於控制電晶體之切換的訊號。輸入至第二閘極的第二訊號係用於控制電晶體之臨界電壓的訊號。須注意在部分情形中也將第二訊號稱為背閘極電壓Vbg。
控制電路102供應用於控制顯示部驅動器電路101的訊號。驅動顯示部驅動器電路101以在顯示部104中實施顯示。控制電路102包括訊號產生電路及背閘極電壓控制電路107。訊號產生電路106經由顯示部驅動器電路101輸出用於在顯示部104中實施面板顯示的訊號。背閘極電壓控制電路107控制包括在顯示部驅動器電路中之單極電晶體的臨界電壓。
訊號產生電路106經由佈線將用於在顯示部104中實施面板顯示的脈衝訊號輸出至顯示部驅動器電路101。該脈衝訊號通過閘極線驅動器電路103A及訊號線驅動器電路103B並輸出至顯示部104。具體地說，將訊號產生電路106操作如下：將係電源供應電壓的高電源供應電位Vdd及低電源供應電位Vss供應至閘極線驅動器電路103A及訊號線驅動器電路103B：產生用於閘極線驅動器電路的開始脈衝 SP及時鐘訊號CK，並輸出至閘極線驅動器電路103A及/或產生用於訊號線驅動器電路的開始脈衝SP及時鐘訊號CK，並輸出至訊號線驅動器電路103B。須注意訊號產生電路106可能產生其他訊號，諸如影像訊號或鎖存訊號。
背閘極電壓控制電路107包括電流值偵測電路108、判斷電路109、校正電壓記憶電路110、以及校正電壓輸出電路111。
在電流值偵測電路108中，電流值在每一給定週期量測並輸出至判斷電路109。電流值偵測電路108中的量測並未受限於電流值，並可能偵測串聯連接在電流值偵測電路108中的固定值電阻器之二終端的電壓值。說明將用於供應電源供應電位(Vdd、Vss)之佈線及用於供應時鐘訊號及開始脈衝的佈線連接至電流值偵測電路108之結構；然而，電流值偵測電路108的結構並未受限於此。例如，電流值偵測電路108可能僅設有用於供應電源供應電位的佈線。該電源供應電位係直流電訊號，且因此，易於偵測由於漏電流所導致的電流值增加，其係較佳的。
背閘極電壓設定處理開始的時機，亦即，當電流值或電壓值在電流值偵測電路108中量測時的時間週期(也稱為電流值量測週期)，可能係在驅動器電路100的電源供應之後，或可能係在驅動器電路100操作時的每個給定週期。
判斷電路109判斷在電流值偵測電路108中量測之電流值或電壓值的強度X是否小於預先設定之參考值的強度 A。在強度X大於強度A的情形中，在電流值量測週期中之背閘極電壓Vbg的值處，在包括在該驅動器電路中之電晶體的源極及汲極之間流動的電流甚大，包括在該驅動器電路中的複數個單極電晶體之Id-Vg特徵為常態開啟，包括在電晶體的源極及汲極之間流動的電流之電流消耗甚大，該電晶體包括在顯示部驅動器電路101中。
須注意電路在此實施例中使用電流值或電壓值表示強度X，使用其他物理值表示的強度X可能與該參考值之強度A比較。
電流消耗的降低可在未實施電晶體之切換的情形中發生。例如，當使背閘極電壓極低並施加至第二閘極時，電流消耗減少且不能得到期望脈衝波型。因此，當設定背閘極電壓時，當背閘極電壓設定處理開始時，將足夠高的電壓，例如，將電晶體確定地變為空乏型電晶體的電壓，施加為背閘極電壓的初值為佳。如上文所述，將n-通道電晶體中的背閘極電壓的初值設定成足夠高，使得可將背閘極電壓設定至即使因為該電晶體已係臨界電壓極端地朝向高電位側移位之增強型電晶體而難以正常操作時，該電晶體的操作仍可更穩定。
校正電壓記憶電路110係用於設定背閘極電壓Vbg的電路。校正電壓記憶電路110在判斷電路109之判斷結果的基礎上，將輸出為來自校正電壓輸出電路111的背閘極電壓Vbg之電壓的位準設定並儲存。具體地說，在判斷電路109的結果係強度X強度A的情形中，將預先設定的Vstep加 至Vbg之值，亦即，Vbg-Vstep之值，儲存為Vbg的新值。另一方面，在判斷電路109的結果係強度X<強度A的情形中，儲存此設定處理中的Vbg之值並結束Vbg的設定處理操作。
然後，從校正電壓輸出電路111將儲存在校正電壓記憶電路110中之背閘極電壓Vbg的值輸出為背閘極電壓Vbg。換言之，在預期背閘極電壓設定處理週期的時間週期中，在儲存於校正電壓記憶電路110中的背閘極電壓Vbg之值的基礎上，將固定的背閘極電壓Vbg持續地從校正電壓輸出電路111輸出。
校正電壓記憶電路110包括非揮發性記憶體裝置為佳。當電源供應未供應時，將儲存在校正電壓記憶電路110中的背閘極電壓Vbg儲存在該非揮發性記憶體裝置中；因此，具有與電源供應未供應前之值相同的值之背閘極電壓Vbg可從校正電壓輸出電路111輸出。因此，當驅動器電路100的電源供應開啟時，背閘極電壓Vbg可立即輸出，無須背閘極電壓設定處理。
訊號產生電路106及背閘極電壓控制電路107使用在不係閘極線驅動器電路103A、訊號線驅動器電路103B、以及顯示部104形成於其上方之基材的基材上方形成之電晶體形成為佳。例如，將使用單晶半導體形成的電晶體用於訊號產生電路1006及背閘極電壓控制電路107為佳。使用單晶半導體形成的電晶體之臨界電壓的移位甚小；因此，故障不容易發生且可輸出穩定訊號。
須注意高電源供應電位係指具有高於參考電位之電位的訊號，且低電源供應電位係指具有低於或等於參考電位之電位的訊號。高電源供應電位及低電源供應電位各者係電晶體可操作且退化、崩潰、或功率消耗無關緊要的電位。參考電位係指接地電位GND等。
須注意在許多情形中電壓係指給定電位及參考電位(例如，接地電位)之間的電位差。因此，電壓、電位、及電位差可分別稱為電位、電壓、及電壓差。
將參考圖2所描繪之流程圖描述在描繪於圖1中的驅動器電路中之背閘極電壓控制電路107的操作。另外，將描述此實施例中之具有較少的功率消耗及較少故障的驅動器電路，即使係在包括在該驅動器電路中之電晶體在常態開啟狀態中具有變異的情形中。
首先，將電源供應電壓施加至顯示部驅動器電路並將背閘極電壓Vbg施加至第二閘極(圖2，步驟201)。可能預先將施加至第二閘極之背閘極電壓Vbg的初值設定在圖1所描繪之校正電壓記憶電路110中。或者，當電源供應未供應時，可能將儲存在校正電壓記憶電路110中的背閘極電壓Vbg照現狀輸出。背閘極電壓Vbg係從描繪於圖1中的校正電壓輸出電路111施加至包括在驅動器電路中之電晶體的第二閘極。
其次，在描繪於圖1之背閘極電壓控制電路107的電流值偵測電路108中，量測從訊號產生電路106供應之流經佈線的電流位準或串聯連接的固定值電阻器之二終端的電壓 位準(圖2，步驟202)。如上文所述，當電晶體係空乏型電晶體時，在電流值偵測電路中偵測的電流值(或電壓值)比增強型電晶體大。
然後，在圖1描繪的判斷電路109中，判斷電流值或電壓值的強度X是否小於參考值的強度A(圖2，步驟203)。此時，在該電晶體藉由在步驟201中應用背閘極電壓Vbg而變成增強型電晶體且電流值或電壓值的強度X小於參考值之強度A的情形中，判斷包括流經電晶體之漏電流的電流消耗甚小；因此，將此設定處理中之背閘極電壓Vbg的值儲存在校正電壓記憶電路110中。
另一方面，在判斷電路109中，在電流值或電壓值的強度X大於或等於參考值之強度A的情形中，判斷包括流經包括在顯示部驅動器電路101中的電晶體之漏電流的電流甚大。在該情形中，將預先設定的Vstep自背閘極電壓減去的該值，亦即，Vbg-Vstep之值，設定為Vbg的新值並施加至第二閘極(圖2，步驟204)。
用於設定背閘極電壓Vbg之Vstep的位準係依據用於設定背閘極電壓Vbg之後續操作的數量而設定。
其次，以與步驟202之方式相似的方式，在圖1描繪之背閘極電壓控制電路107的電流值偵測電路108中，量測經由佈線從訊號產生電路106供應之電流的位準或電壓之位準(圖2，步驟205)。
然後，以與步驟203之方式相似的方式，在圖1描繪的判斷電路109中，實施電流值或電壓值是否小於參考值的 判斷(圖2，步驟206)。此時，在該電晶體藉由在步驟204中應用背閘極電壓Vbg而變成增強型電晶體且電流值或電壓值的強度X小於參考值之強度A的情形中，判斷包括流經電晶體之漏電流的電流消耗甚小；因此，將此設定處理中之背閘極電壓Vbg的值儲存在校正電壓記憶電路110中。
為實現該驅動器電路之更穩定的正常操作，將預先設定的額外電壓(容限)另外加至已判斷待將電流消耗降低之背閘極電壓Vbg的值，並將加有該額外電壓的該值儲存在校正電壓記憶電路110中為佳。以此方式，在背閘極電壓Vbg具有容限的情形中，即使在TFT特徵因為背閘極電壓設定處理的長間距而有若干程度之改變時，可更肯定地實現該正常操作。
再度在判斷電路109中，在電流值或電壓值的強度X大於或等於參考值之強度A的情形中，判斷包括流經包括在顯示部驅動器電路101中的電晶體之漏電流的電流甚大。在該情形中，步驟係返回至圖2所示的步驟204並接著次一步驟。
根據上述操作，當將可變為空乏型電晶體之薄膜電晶體用於僅使用n-通道電晶體或p-通道電晶體形成的驅動器電路時，該臨界電壓依據臨界電壓的改變程度而補償，使得可抑制功率消耗或故障的增加。
其次，圖3A至3C描繪包括在顯示部驅動器電路中的移位暫存器之結構的範例。
描繪於圖3A的移位暫存器包括第一至第N脈衝輸出電路10_1至10_N(N係大於或等於3的自然數)。在描繪於圖3A之移位暫存器中的第一至第N脈衝輸出電路10_1至10_N中，第一時鐘訊號CK1、第二時鐘訊號CK2、第三時鐘訊號CK3、以及第四時鐘訊號CK4係分別供應自第一佈線11、第二佈線12、第三佈線13、以及第四佈線14。開始脈衝SP1(第一開始脈衝)係從第五佈線15輸入至第一脈衝輸出電路10_1。將來自前級之脈衝輸出電路的訊號(將此種訊號稱為前級訊號OUT(n-1))輸入至第二或後級之第n個脈衝輸出電路10_n(n係大於或等於2且少於或等於N的自然數)。將來自次級之後級的第三脈衝輸出電路10_3之訊號輸入至第一脈衝輸出電路10_1。相似地，將來自次級之後級的第(n+2)脈衝輸出電路10_(n+2)之訊號(將此種訊號稱為後級訊號OUT(n+2))輸入至第二或後級的第n脈衝輸出電路10_n。因此，將待輸入至後級及/或前級之前級的脈衝輸出電路之第一輸出訊號OUT(1)(SR)至OUT(N)(SR)及待電性連接至不同佈線的第二輸出訊號OUT(1)至OUT(N)等從個別級之脈衝輸出電路輸出。另外，背閘極電壓Vbg係經由第六佈線16從背閘極電壓控制電路107供應至個別級的脈衝輸出電路。須注意因為未將後級訊號OUT(n+2)輸入至於圖3A描繪之移位暫存器的最後二級，例如，可能分別從第七佈線17及第八佈線18將第二開始脈衝SP2及第三開始脈衝SP3輸入至對應的最後二級。或者，訊號可能在內側產生。例 如，可能設置不協助將脈衝輸出至顯示部的第(n+1)脈衝輸出電路10_(n+1)及第(n+2)脈衝輸出電路10_(n+2)(此種電路也稱為虛擬級)，且對應於第二開始脈衝(SP2)及第三開始脈衝(SP3)的訊號可能從虛擬級產生。
須注意第一至第四時鐘訊號(CK1)至(CK4)各者係以規律間距在H位準訊號及L位準訊號之間振盪的訊號。另外，第一至第四時鐘訊號(CK1)至(CK4)係以1/4週期循序地延遲。在此實施例中，脈衝輸出電路的驅動係使用第一至第四時鐘訊號(CK1)至(CK4)控制。須注意在部分情形中，取決於輸入時鐘訊號的驅動器電路，也將時鐘訊號稱為GCK或SCK，且在以下描述中將時鐘訊號稱為CK。
須注意當明顯地描述「A與B連接」時，A及B係電性連接的情形、A及B係功能連接之情形、以及A及B係直接連接的情形係包括在其中。此處，A及B係物件(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、終端、導電膜、或層)。因此，其他元件可能插入在具有描繪於圖式及文字中之連接關係的元件之間，而無須限制為預定連接關係，例如，描繪於圖式及文字中之連接關係。
第一至第N脈衝輸出電路10_1至10_N各者包括第一輸入終端21、第二輸入終端22、第三輸入終端23、第四輸入終端24、第五輸入終端25、第一輸出終端26、第二輸出終端27、以及第六輸入終端28(見圖3B)。
將第一輸入終端21、第二輸入終端22、以及第三輸入終端23電性連接至任何的第一至第四佈線11至14。例如，在圖3A及3B的第一脈衝輸出電路10_1中，將第一輸入終端21電性連接至第一佈線11；將第二輸入終端22電性連接至第二佈線12；並將第三輸入終端23電性連接至第三佈線13。在第二脈衝輸出電路10_2中，將第一輸入終端21電性連接至第二佈線12；將第二輸入終端22電性連接至第三佈線13；並將第三輸入終端23電性連接至第四佈線14。
在圖3A及3B的第一脈衝輸出電路10_1中，將開始脈衝輸入至第四輸入終端24；將後級訊號OUT(3)輸入至第五輸入終端25；第一輸出訊號OUT(1)(SR)從第一輸出終端26輸出；第二輸出訊號OUT(1)從第二輸出終端27輸出；且背閘極電壓Vbg從第六輸入終端28輸入。
其次，參考圖3C描述脈衝輸出電路之具體電路結構的範例。
在圖3C中，將第一電晶體31的第一終端電性連接至佈線51。將第一電晶體31之第二終端電性連接至第九電晶體39的第一終端。將第一電晶體31之閘極電極電性連接至第四輸入終端24。將第二電晶體32之第一終端電性連接至電源供應線53。將第二電晶體32之第二終端電性連接至第九電晶體39的第一終端。將第二電晶體32之閘極電極電性連接至第四電晶體34的閘極電極。將第三電晶體33之第一終端電性連接至第一輸入終端21。將第三電晶體33之第二終端電性連接至第一輸出終端26。將第四電晶體34之第一終 端電性連接至電源供應線53。將第四電晶體34之第二終端電性連接至第一輸出終端26。將第五電晶體35之第一終端電性連接至電源供應線53。將第五電晶體35之第二終端電性連接至第二電晶體32之閘極電極及第四電晶體34的閘極電極。將第五電晶體35之閘極電極電性連接至第四輸入終端24。將第六電晶體36之第一終端電性連接至佈線51。將第六電晶體36之第二終端電性連接至第二電晶體32的閘極電極以及第四電晶體34之閘極電極，並將第六電晶體36之閘極電極電性連接至第五輸入終端25。將第七電晶體37之第一終端電性連接至佈線51。將第七電晶體37之第二終端電性連接至第八電晶體38的第二終端。將第七電晶體37之閘極電極電性連接至第三輸入終端23。將第八電晶體38之第一終端電性連接至第二電晶體32的閘極電極及第四電晶體34之閘極電極。將第八電晶體38之閘極電極電性連接至第二輸入終端22。將第九電晶體39之第一終端電性連接至第一電晶體31的第二終端以及第二電晶體32之第二終端。將第九電晶體39之第二終端電性連接至第三電晶體33的閘極電極及第十電晶體40之閘極電極。將第九電晶體39之閘極電極電性連接至佈線51。將第十電晶體40之第一終端電性連接至第一輸入終端21。將第十電晶體40之第二終端電性連接至第二輸出終端27。將第十電晶體40之閘極電極電性連接至第九電晶體39的第二終端。將第十一電晶體41之第一終端電性連接至電源供應線53。將第十一電晶體41之第二終端電性連接至第二輸出終端27。將第十一電晶體41 之閘極電極電性連接至第二電晶體32的閘極電極及第四電晶體34之閘極電極。將第一至第十一電晶體31至41的第二閘極電性連接至用於供應背閘極電壓Vbg的佈線52。
在圖3C中，將第三電晶體33之閘極電極、第十電晶體40的閘極電極、以及第九電晶體39之第二終端的連接點稱為節點NA。另外，將第二電晶體32之閘極電極、第四電晶體34的閘極電極、第五電晶體35之第二終端、第六電晶體36的第二終端、第八電晶體38之第一終端、以及第十一電晶體41的閘極電極的連接點稱為節點NB。
在圖3C的脈衝輸出電路係第一脈衝輸出電路10_1的情形中，將第一時鐘訊號CK1輸入至第一輸入終端21；將第二時鐘訊號CK2輸入至第二輸入終端22；將第三時鐘訊號CK3輸入至第三輸入終端23；將開始脈衝SP輸入至第四輸入終端24；將後級訊號OUT(3)輸入至第五輸入終端25；第一輸出訊號OUT(1)(SR)從第一輸出終端26輸出；第二輸出訊號OUT(1)從第二輸出終端27輸出；並將判斷訊號JS輸入至第六輸入終端28。
圖4描繪包括描繪於圖3C的複數個脈衝輸出電路之移位暫存器的時序圖。須注意當將該移位暫存器包括在掃描線驅動器電路中時，圖4中的週期61對應於垂直回掃週期且圖4中的週期62對應於閘極選擇週期。
當包括在驅動器電路中的電晶體係空乏型電晶體時，使佈線51及佈線53導通，導致漏電流。在使用作為範例之描繪於圖3A至3C以及圖4的複數個n-通道電晶體製造之驅 動器電路中，可藉由應用背閘極電壓Vbg將由於此種漏電流導致的功率消耗降低。另外，藉由應用背閘極電壓Vbg，該薄膜電晶體可係不岔斷驅動器電路之操作的增強型電晶體，而不係臨界電壓極端朝向高電位側移位的增強型電晶體。因此，當將可變為空乏型電晶體之薄膜電晶體用於僅使用n-通道電晶體或p-通道電晶體形成的驅動器電路時，該臨界電壓依據臨界電壓的改變程度而補償，使得可抑制功率消耗或故障的增加。
此實施例可視情況組合描述於其他實施例中的任何結構。
(實施例2)
在此實施例中，將參考圖5描述於上述實施例描述之驅動器電路以及包括由該驅動器電路控制的顯示部之顯示裝置的橫剖面圖。另外，在此實施例中，將液晶顯示裝置的範例描述為該顯示裝置；然而，本發明可用於包含發光元件，諸如有機EL元件，或用於包括電泳元件之電子紙的驅動器電路之其他顯示裝置。須注意除了顯示裝置的驅動器電路外，可將描述於上述實施例中的該結構施用至不同裝置，諸如用於光學感測器的驅動器電路。
將係本發明之一實施例的液晶顯示裝置描繪於圖5中。在圖5的液晶顯示裝置中，設有包括薄膜電晶體701及電容器702之像素部、包括薄膜電晶體703的驅動器電路部、像素電極層704、以及作為對準膜使用的絕緣層705之 基材706以及設有作為對準膜使用的絕緣層707、相對電極層708、以及作為彩色濾波器使用的著色層709之相對基材710以液晶層711置於該等基材之間的方式彼此相對。基材706在與液晶層711相對之側上設有偏振板(包括偏振器的層，也簡稱為偏振器)712a，且相對基材710在與液晶層711相對之側上設有偏振板712b。將第一終端713、連接電極714、以及用於連接的終端電極715設置在用於閘極佈線的終端部中，並將第二終端716及用於連接的終端電極717設置在用於源極佈線的終端部中。
在驅動器電路部的薄膜電晶體703中，將半導體層723設置在閘極電極層721及閘極絕緣層722上方，將氧化物絕緣層724設置在半導體層723上方，並將導電層718設置在氧化物絕緣層724上方。將汲極電極層719b電性連接至與閘極電極層721在相同步驟中形成的導電層720。在該像素部中，將薄膜電晶體701的汲極電極層電性連接至像素電極層704。
將氧化物半導體用於薄膜電晶體導致製造成本下降。使用氧化物半導體形成的薄膜電晶體具有高場效遷移率且有利地使用在顯示裝置之像素部及驅動器電路中。另一方面，即使未加入外來雜質，由於缺乏氧所導致的空乏缺陷，氧化物半導體仍傾向於具有n-型導電性。當將氧化物絕緣膜形成為與氧化物半導體層接觸時，可得到具有穩定電性特徵的薄膜電晶體。即使使氧化物半導體具有n-型導電性，使得常態開啟薄膜電晶體形成，在此實施例的驅動 器電路中，臨界電壓係依據臨界電壓的改變程度而受補償；因此，可抑制功率消耗及故障的增加。
須注意雖然在此實施例中描述其半導體層係使用實施例1之薄膜電晶體中的氧化物半導體形成之薄膜電晶體的範例，在描述於實施例1的結構中，可變為包括在驅動器電路中之空乏型電晶體的薄膜電晶體具有第一閘極及第二閘極。因此，例如，當使用非晶矽形成之薄膜電晶體的半導體層有意地或無意地包含賦予n-型導電性的雜質時，可將描述於實施例1的結構用於常態開啟薄膜電晶體。
使用其結構與實施例1之結構相同或實質相同的驅動器電路，當將可變為空乏型電晶體之薄膜電晶體用於僅使用n-通道電晶體或p-通道電晶體形成的驅動器電路時，該臨界電壓依據臨界電壓的改變程度而補償，使得可抑制功率消耗或故障的增加。
此實施例可視情況組合描述於其他實施例中的任何結構。
(實施例3)
在此實施例中，將於下文描述將至少部分之驅動器電路及設置在像素部中的薄膜電晶體形成在相同基材上方的範例。須注意可能將形成在基材上方的薄膜電晶體形成如實施例2之橫剖面圖所描繪的。
訊號線驅動器電路包括移位暫存器5601及切換電路5602。切換電路5602包括複數個切換電路5602_1至5602_N (N係自然數)。切換電路5602_1至5602_N各者包括複數個薄膜電晶體5603_1至5603_k(k係自然數)。於下文描述薄膜電晶體5603_1至5603_k係n-通道TFT的範例。
將切換5602_1使用為範例，描述該訊號線驅動器電路中的連接關係。將薄膜電晶體5603_1至5603_k的第一終端分別連接至佈線5604_1至5604_k。將薄膜電晶體5603_1至5603_k的第二終端分別連接至訊號線S1至Sk。將薄膜電晶體5603_1至5603_k的閘極連接至佈線5605_1。
移位暫存器5601具有藉由循序地將H位準訊號(也稱為H訊號或在高電源供應電位位準的訊號)輸出至佈線5605_1及5605_2至5605_N而循序地選擇切換電路5602_1至5602_N的功能。
切換電路5602_1具有控制佈線5604_1至5604_k及訊號線S1至Sk之間的導電狀態之功能(第一終端及第二終端之間的電連接性)，亦即，控制是否將佈線5604_1至5604_k的電位供應至訊號線S1至Sk之功能。以此方式，切換電路5602_1的功能如同選擇器。以相似方式，薄膜電晶體5603_1至5603_k分別具有控制佈線5604_1至5604_k及訊號線S1至Sk之間的導通狀態之功能，亦即，將佈線5604_1至5604_k的電位分別供應至訊號線S1至Sk的功能。以此方式，薄膜電晶體5603_1至5603_k各者的功能如同開關。
將視訊訊號資料(DATA)輸入至各佈線5604_1至5604_k。在許多情形中，該視訊訊號資料(DATA)係對應於影像資料或影像訊號的類比訊號。
其次，參考圖6B的時序圖描述圖6A之訊號線驅動器電路的操作。圖6B描繪訊號Sout_1至Sout_N及訊號Vdata_1至Vdata_k的範例。訊號Sout_1至Sout_N係從移位暫存器5601輸出之訊號的範例。訊號Vdata_1至Vdata_k係輸入至佈線5604_1至5604_k之訊號的範例。須注意該訊號線驅動器電路的一操作週期對應於顯示裝置中的一閘極選擇週期。例如，將一閘極選擇週期分割為週期T1至TN。週期T1至TN各者係在其期間將視訊訊號資料(DATA)寫至選擇列之像素的週期。
在週期T1至TN中，移位暫存器5601將H位準訊號循序地輸出至佈線5605_1至5605_N。例如，在週期T1中，移位暫存器5601將H位準訊號輸出至佈線5605_1。然後，將薄膜電晶體5603_1至5603_k開啟，使得佈線5604_1至5604_k與訊號線S1至Sk導通。此時，將Data(S1)至Data(Sk)分別輸入至佈線5604_1至5604_k。分別經由薄膜電晶體5603_1至5603_k將Data(S1)至Data(Sk)寫至在已選擇列之第一至第k行中的像素。以此方式，在週期T1至TN中，將視訊訊號資料(DATA)循序地寫至每k行之已選擇列中的像素。
當如上文所述地將視訊訊號資料(DATA)寫至複數行的像素時，可減少視訊訊號資料(DATA)的數量或佈線數量。因此，可減少與外部電路的連接數量。另外，當將視訊訊號寫至複數行的像素時，可延長寫入時間；因此可防止視訊訊號的不充份寫入。
描述掃描線驅動器電路的結構。掃描線驅動器電路可能包括移位暫存器、或緩衝器等。此外，該掃描線驅動器電路在部分情形中可能包括位準移位器。在該掃描線驅動器電路中，當將時鐘訊號(CLK)及開始脈衝訊號(SP)輸入至該移位暫存器時，選擇訊號產生。該已產生之選擇訊號在該緩衝器緩衝及放大，並將所產生的訊號供應至對應掃描線。將一線之像素中的電晶體之閘極連接至該掃描線。因為在一線之像素中的該等電晶體必須同時開啟，使用可供應大量電流的緩衝器。
將描述於上述實施例的控制電路使用在此實施例的驅動器電路中，使得臨界電壓係依據臨界電壓的改變程度而受補償。因此，可抑制功率消耗或故障的增加。
此實施例可視情況組合描述於其他實施例中的任何結構。
(實施例4)
在此實施例中，將描述將描述於上述實施例之顯示裝置包括在顯示部中的各電子裝置之範例。
可將描述於上述實施例之各圖式中的內容(或部分內容)施用至各種電子裝置。具體地說，可施用至電子裝置的顯示部。作為此種電子裝置的有攝影機，諸如視訊攝影機及數位相機、蛙鏡型顯示器、導航系統、音訊再生裝置(例如，汽車音訊裝備及音訊組件機)、電腦、遊戲機、可攜式資訊終端(例如，行動電腦、行動電話、可攜式遊 戲機、或電子書閱讀器)、及設有記錄媒體(具體地說，再生記錄媒體之內容，諸如數位多樣化光碟(DVD)，並具有顯示再生影像之顯示器的裝置)的影像再生裝置等。
圖7A描繪顯示器，其包括外殼1011、支撐1012、以及顯示部1013。描繪於圖7A的顯示器具有將各類資訊(例如，靜態影像、動畫、及文字影像)顯示在顯示部上的功能。須注意描繪於圖7A的顯示器並未受限於具有此功能。描繪於圖7A的顯示器可具有各種功能。
圖7B描繪攝影機，其包括主體1031、顯示部1032、影像接收部1033、操作鍵1034、外部連接埠1035、以及快門鍵1036。描繪於圖7B的攝影機具有拍攝靜態影像的功能，並可能具有拍攝動畫的功能。須注意描繪於圖7B的攝影機並未受限於具有此等功能。描繪於圖7B的攝影機可具有各種功能。
圖7C描繪電腦，其包括主體1051、外殼1052、顯示部1053、鍵盤1054、外部連接埠1055、以及指標裝置1056。描繪於圖7C的電腦具有將各類資訊(例如，靜態影像、動畫、及文字影像)顯示在顯示部上的功能。須注意描繪於圖7C的電腦並未受限於具有此功能。描繪於圖7C的電腦可具有各種功能。
將描述於上述實施例的顯示裝置使用在此實施例的顯示部中，使得臨界電壓係依據臨界電壓的改變程度而受補償。因此，可抑制功率消耗或故障的增加，其導致具有較少功率消耗及更高顯示品質的電子裝置。
此實施例可視情況組合描述於其他實施例中的任何結構。
[範例]
圖11係水平軸代表在連接至驅動器電路之佈線中施加至第二閘極的背閘極電壓Vbg，且垂直軸代表在用於供應高電源供應電位Vdd及低電源供應電位Vss之佈線中的電流消耗的圖。在圖11中，菱形代表在用於供應高電源供應電位之佈線中的電流消耗(在下文中稱為Isvdd)，且三角形代表在用於供應低電源供應電位之佈線中的電流消耗(在下文中稱為Isvss)。供應圖11的高電源供應電位Vdd及低電源供應電位Vss之驅動器電路的結構對應於描繪於圖3A至3C中之該驅動器電路的結構。
如圖11所示，當背閘極電壓Vbg朝向小於0V的負側移位時，電流消耗減少。該Isvdd及Isvss在圖11之-3.5V至-2.0V的範圍中大幅減少。將包括在驅動器電路中之電晶體的臨界電壓移位並將空乏型電晶體改變為增強型電晶體，使得電流消耗減少。當將電晶體改變為增強型電晶體時，漏電流減少。當電流消耗係使用驅動器電路之脈衝輸出的波形確認時，驅動器電路在-7.0V至-3.5V的範圍內正常地操作(在-6.0V至-4.0V較佳：由圖11之箭號1101所指示的範圍)。在該情形中，在參考圖1及圖2於實施例1描述的背閘極電壓設定處理中，當使用Isvdd時，將參考值的強度A預先設定在1.5mA，且當使用Isvss時，設定在4.0mA。當 背閘極電壓Vbg為-3.5V時，電流值的強度X小於參考值之強度A；因此，可將背閘極電壓Vbg設定在-3.5V。
須注意在此範例中描述電流消耗的減少係在參考圖1及圖2於實施例1描述之背閘極電壓設定處理中判斷的結構；然而，如從圖11所見，為更肯定地實現該驅動器電路的正常操作，將約-1.5V的額外電壓(容限)加至判斷電流消耗減少之背閘極電壓Vbg的值，使得背閘極電壓Vbg為-5.0V為佳。
如從圖11所見，當背閘極電壓的應用值小於或等於-7.0V時，電流消耗更行減少。電流消耗的減少係由不能實施切換的電晶體所導致。當確認該驅動器電路之脈衝輸出的波形時，在背閘極電壓的應用值小於或等於-7.0V的情形中，未得到可取之脈衝波形。因此，當設定背閘極電壓時，預先施加高電壓，例如，在圖11的情形中為0V，作為背閘極電壓之初值為佳。
此範例可視情況組合描述於其他實施例中的任何結構。
本申請案基於2009年10月30日向日本特許廳申請的日本專利申請案編號第2009-249631號，該專利之教示全文以提及之方式併入本文中。
100‧‧‧驅動器電路
101‧‧‧顯示部驅動器電路
102‧‧‧控制電路
103A‧‧‧閘極線驅動器電路
103B‧‧‧訊號線驅動器電路
104‧‧‧顯示部
105‧‧‧基材
106‧‧‧訊號產生電路
107‧‧‧背閘極電壓控制電路
108‧‧‧電流值偵測電路
109‧‧‧判斷電路
110‧‧‧校正電壓記憶電路
111‧‧‧校正電壓輸出電路
SP‧‧‧開始脈衝
CK‧‧‧時鐘訊號
Vdd‧‧‧高電源供應電位
Vss‧‧‧低電源供應電位

Claims (21)

  1. 一種驅動器電路，包含：第一電晶體；以及第二電晶體，該第一電晶體及該第二電晶體各具有相同導電型且各包含：第一閘極；第一絕緣層，在該第一閘極上方；半導體層，在該第一絕緣層上方；第二絕緣層，在該半導體層上方；以及第二閘極，在該第二絕緣層上方，其中該第一電晶體的第一終端係電連接至第一佈線，其中該第一電晶體的第二終端係電連接至該第二電晶體的第一終端，其中該第二電晶體的第二終端係電連接至第二佈線，其中用於控制該第一電晶體及該第二電晶體之至少一者的切換之第一訊號被輸入至該第一電晶體及該第二電晶體之至少一者的該第一閘極，其中用於控制該第一電晶體之臨界電壓及該第二電晶體之臨界電壓的第二訊號被輸入至該第一電晶體之該第二閘極及該第二電晶體之該第二閘極，其中該第二訊號係依據在該第一佈線及該第二佈線之間流動之電流的值而受控制，以及其中該電流包含該第一電晶體及該第二電晶體的漏電流。
  2. 如申請專利範圍第1項之驅動器電路，其中該第一電晶體及該第二電晶體係n-通道電晶體。
  3. 如申請專利範圍第1項之驅動器電路，其中該第一電晶體及該第二電晶體係p-通道電晶體。
  4. 如申請專利範圍第1項之驅動器電路，其中該第二訊號係依據該電流的該值的改變程度供應自用於補償施加至該第一電晶體之該第二閘極及該第二電晶體之該第二閘極的電壓位準之背閘極電壓控制電路。
  5. 如申請專利範圍第4項之驅動器電路，其中該背閘極電壓控制電路包含：電流值偵測電路，配置以偵測該電流的該值，校正電壓記憶電路，配置以依據該電流的該值來儲存用於補償的電壓，以及校正電壓輸出電路，配置以將用於補償的該電壓輸出至該第一電晶體之該第二閘極及該第二電晶體之該第二閘極。
  6. 一種顯示裝置，包含如申請專利範圍第1項的驅動器電路。
  7. 一種電子裝置，包含如申請專利範圍第6項的顯示裝置。
  8. 一種用於操作驅動器電路的方法，該驅動器電路包含第一電晶體及第二電晶體，該第一電晶體及該第二電晶體各包含第一閘極、第二閘極及在該第一閘極及該第二閘極之間的氧化物半導體層，該方法包含： 將用於控制該第一電晶體及該第二電晶體之至少一者的切換之第一訊號輸入至該第一電晶體及該第二電晶體之至少該一者的該第一閘極；以及將用於控制該第一電晶體之臨界電壓及該第二電晶體之臨界電壓的第二訊號輸入至該第一電晶體之該第二閘極及該第二電晶體之該第二閘極，其中該第一電晶體的第一終端係電連接至第一佈線，其中該第一電晶體的第二終端係電連接至該第二電晶體的第一終端，其中該第二電晶體的第二終端係電連接至第二佈線，其中該第二訊號係依據在該第一佈線及該第二佈線之間流動之電流的值而受控制，其中該電流包含該第二電晶體的漏電流，以及其中該第一電晶體及該第二電晶體具有相同導電型。
  9. 如申請專利範圍第8項之用於操作該驅動器電路的方法，其中該第一電晶體及該第二電晶體係n-通道電晶體。
  10. 如申請專利範圍第8項之用於操作該驅動器電路的方法，其中該第一電晶體及該第二電晶體係p-通道電晶體。
  11. 如申請專利範圍第8項之用於操作該驅動器電路的方法，其中該第二訊號係依據該電流的該值的改變程度供應自用於補償施加至該第一電晶體之該第二閘極及該第二電 晶體之該第二閘極的電壓位準之背閘極電壓控制電路。
  12. 如申請專利範圍第11項之用於操作該驅動器電路的方法，其中該背閘極電壓控制電路包含電流值偵測電路、校正電壓記憶電路、以及校正電壓輸出電路，其中該電流值偵測電路偵測該電流的該值，其中該校正電壓記憶電路依據該電流的該值來儲存用於補償的電壓，以及其中該校正電壓輸出電路將用於補償的該電壓輸出至該第一電晶體之該第二閘極及該第二電晶體之該第二閘極。
  13. 如申請專利範圍第8項之用於操作該驅動器電路的方法，其中顯示裝置包含該驅動器電路。
  14. 如申請專利範圍第13項之用於操作該驅動器電路的方法，其中電子裝置包含該顯示裝置。
  15. 一種用於控制第一電晶體之臨界電壓及第二電晶體之臨界電壓的方法，該第一電晶體及該第二電晶體各設置於驅動器電路中，該第一電晶體及該第二電晶體各包含第一閘極、第二閘極及氧化物半導體層，該方法包含：將電源供應電壓輸入至該驅動器電路；將訊號輸入至該第一電晶體之該第二閘極及該第二電晶體之該第二閘極； 量測在第一佈線及第二佈線之間流動之電流的值；以及依據該電流的該值控制該訊號，其中該第一電晶體的第一終端係電連接至該第一佈線，其中該第一電晶體的第二終端係電連接至該第二電晶體的第一終端，其中該第二電晶體的第二終端係電連接至該第二佈線，其中該電流包含該第一電晶體及該第二電晶體的漏電流，以及其中該第一電晶體及該第二電晶體具有相同導電型。
  16. 如申請專利範圍第15項之用於控制該第一電晶體之臨界電壓及該第二電晶體之臨界電壓的方法，其中該第一電晶體及該第二電晶體係n-通道電晶體。
  17. 如申請專利範圍第15項之用於控制該第一電晶體之臨界電壓及該第二電晶體之臨界電壓的方法，其中該第一電晶體及該第二電晶體係p-通道電晶體。
  18. 如申請專利範圍第15項之用於控制該第一電晶體之臨界電壓及該第二電晶體之臨界電壓的方法，其中該訊號係依據該電流的該值的改變程度供應自用於補償施加至該第一電晶體之該第二閘極及該第二電晶體之該第二閘極的電壓位準之背閘極電壓控制電路。
  19. 如申請專利範圍第18項之用於控制該第一電晶體 之臨界電壓及該第二電晶體之臨界電壓的方法，其中該背閘極電壓控制電路包含電流值偵測電路、校正電壓記憶電路、以及校正電壓輸出電路，其中該電流值偵測電路偵測該電流的該值，其中該校正電壓記憶電路依據該電流的該值來儲存用於補償的電壓，以及其中該校正電壓輸出電路將用於補償的該電壓輸出至該第一電晶體之該第二閘極及該第二電晶體之該第二閘極。
  20. 如申請專利範圍第15項之用於控制該第一電晶體之臨界電壓及該第二電晶體之臨界電壓的方法，其中顯示裝置包含該驅動器電路。
  21. 如申請專利範圍第20項之用於控制該第一電晶體之臨界電壓及該第二電晶體之臨界電壓的方法，其中電子裝置包含該顯示裝置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011033909A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic device including the display device
CN106298794B (zh) 2010-08-27 2019-07-30 株式会社半导体能源研究所 存储器件及半导体器件
US9024317B2 (en) 2010-12-24 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device
JP5933897B2 (ja) 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8891285B2 (en) 2011-06-10 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8718224B2 (en) * 2011-08-05 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
TWI761910B (zh) * 2011-08-29 2022-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2013084333A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シフトレジスタ回路
US8988152B2 (en) * 2012-02-29 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102254731B1 (ko) 2012-04-13 2021-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
DE102013207324A1 (de) * 2012-05-11 2013-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
US9742378B2 (en) * 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
TWI600022B (zh) 2012-07-20 2017-09-21 半導體能源研究所股份有限公司 脈衝輸出電路、顯示裝置、及電子裝置
KR102013158B1 (ko) * 2012-08-22 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시장치
US8947158B2 (en) * 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9397649B2 (en) 2012-09-11 2016-07-19 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and display device
CN104620211A (zh) * 2012-09-14 2015-05-13 夏普株式会社 触摸面板和触摸面板一体型的显示装置
KR101441958B1 (ko) * 2012-09-28 2014-09-18 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 보상회로를 포함하는 액정표시장치
CN102968229A (zh) * 2012-11-07 2013-03-13 江苏美琪威电子科技有限公司 电容式触摸屏感应器的充电电流补偿方法及系统
WO2014141800A1 (ja) * 2013-03-12 2014-09-18 シャープ株式会社 シフトレジスタ回路、駆動回路、及び表示装置
US9041453B2 (en) * 2013-04-04 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse generation circuit and semiconductor device
WO2014174889A1 (ja) * 2013-04-25 2014-10-30 シャープ株式会社 表示装置及びその駆動方法
US20140374744A1 (en) * 2013-06-19 2014-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6406926B2 (ja) 2013-09-04 2018-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9455349B2 (en) * 2013-10-22 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion
US9136864B1 (en) * 2014-02-26 2015-09-15 Maxim Integrated Products, Inc. Method for trimming segment currents in current steering DAC based on most back gate voltage modulation
JP2015169811A (ja) * 2014-03-07 2015-09-28 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置、及び、表示装置を備えた電子機器
WO2015136413A1 (en) 2014-03-12 2015-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015186832A1 (ja) * 2014-06-06 2015-12-10 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及び表示パネル
JP6652342B2 (ja) 2014-08-08 2020-02-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102281755B1 (ko) * 2014-09-16 2021-07-27 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR102278875B1 (ko) * 2015-01-14 2021-07-20 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시장치
KR102431311B1 (ko) 2015-01-15 2022-08-12 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 표시 장치
KR102244015B1 (ko) * 2015-01-29 2021-04-27 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로를 포함하는 표시 장치
US10553690B2 (en) 2015-08-04 2020-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102457156B1 (ko) * 2015-09-09 2022-10-24 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로를 포함하는 표시 장치 및 그것의 구동 방법
US10297331B2 (en) * 2015-10-30 2019-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10177142B2 (en) * 2015-12-25 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device
KR102481068B1 (ko) 2016-01-04 2022-12-27 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
SG10201701689UA (en) 2016-03-18 2017-10-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device, semiconductor wafer, and electronic device
US10810962B2 (en) 2016-07-20 2020-10-20 Mitsubishi Electric Corporation Shift register circuit and display panel
CN106683631B (zh) * 2016-12-30 2018-06-22 深圳市华星光电技术有限公司 一种igzo薄膜晶体管的goa电路及显示装置
US10504470B2 (en) 2017-02-07 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device
WO2019025893A1 (ja) 2017-07-31 2019-02-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および半導体装置の作製方法
KR102527817B1 (ko) * 2018-04-02 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11626875B2 (en) * 2018-04-20 2023-04-11 Texas Instruments Incorporated Stress reduction on stacked transistor circuits
WO2020062230A1 (zh) * 2018-09-30 2020-04-02 深圳市柔宇科技有限公司 阵列基板栅极驱动电路、薄膜晶体管及显示装置
JP2022078757A (ja) * 2020-11-13 2022-05-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の駆動方法
CN115909978B (zh) * 2021-09-30 2024-08-06 乐金显示有限公司 栅极驱动电路以及包括栅极驱动电路的显示装置

Family Cites Families (160)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5159260A (en) 1978-03-08 1992-10-27 Hitachi, Ltd. Reference voltage generator device
FR2524679B1 (fr) * 1982-04-01 1990-07-06 Suwa Seikosha Kk Procede d'attaque d'un panneau d'affichage a cristaux liquides a matrice active
JPS5919486A (ja) * 1982-07-22 1984-01-31 Sony Corp 画像表示装置
JPH0756542B2 (ja) 1985-09-25 1995-06-14 カシオ計算機株式会社 液晶駆動回路
US4922240A (en) * 1987-12-29 1990-05-01 North American Philips Corp. Thin film active matrix and addressing circuitry therefor
JP2653099B2 (ja) 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
EP0438138B1 (en) * 1990-01-17 1995-03-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid-crystal display device of active matrix type
KR950001360B1 (ko) * 1990-11-26 1995-02-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 전기 광학장치와 그 구동방법
JPH04191723A (ja) 1990-11-27 1992-07-10 Toshiba Corp 液晶駆動装置
JP2688548B2 (ja) 1991-09-10 1997-12-10 シャープ株式会社 液晶パネル駆動用半導体装置
JP2997356B2 (ja) 1991-12-13 2000-01-11 京セラ株式会社 液晶表示装置の駆動方法
JP3212352B2 (ja) 1992-04-09 2001-09-25 カシオ計算機株式会社 表示駆動装置
JPH06180564A (ja) * 1992-05-14 1994-06-28 Toshiba Corp 液晶表示装置
US5807772A (en) 1992-06-09 1998-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming semiconductor device with bottom gate connected to source or drain
JP3254007B2 (ja) * 1992-06-09 2002-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜状半導体装置およびその作製方法
DE69410682T2 (de) 1993-03-30 1999-01-21 Asahi Glass Co. Ltd., Tokio/Tokyo Anzeigevorrichtung und Steuerverfahren für Anzeigevorrichtung
US5477073A (en) 1993-08-20 1995-12-19 Casio Computer Co., Ltd. Thin film semiconductor device including a driver and a matrix circuit
US5574475A (en) 1993-10-18 1996-11-12 Crystal Semiconductor Corporation Signal driver circuit for liquid crystal displays
JPH07131030A (ja) 1993-11-05 1995-05-19 Sony Corp 表示用薄膜半導体装置及びその製造方法
JPH07134572A (ja) 1993-11-11 1995-05-23 Nec Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動回路
US7081938B1 (en) * 1993-12-03 2006-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
US5570105A (en) 1993-12-25 1996-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving circuit for driving liquid crystal display device
JP3442449B2 (ja) 1993-12-25 2003-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその駆動回路
JP2734962B2 (ja) 1993-12-27 1998-04-02 日本電気株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP3253808B2 (ja) 1994-07-07 2002-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JPH10512081A (ja) 1994-10-19 1998-11-17 インテル・コーポレーション フラッシュ・メモリ用電圧源
JP3630489B2 (ja) * 1995-02-16 2005-03-16 株式会社東芝 液晶表示装置
US6396078B1 (en) * 1995-06-20 2002-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with a tapered hole formed using multiple layers with different etching rates
JP3286152B2 (ja) 1995-06-29 2002-05-27 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ回路および画像表示装置
WO1997006554A2 (en) * 1995-08-03 1997-02-20 Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JP3708554B2 (ja) 1995-08-04 2005-10-19 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP3647523B2 (ja) * 1995-10-14 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 マトリクス型液晶表示装置
JP3409542B2 (ja) 1995-11-21 2003-05-26 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US5814834A (en) 1995-12-04 1998-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co. Thin film semiconductor device
JP3625598B2 (ja) * 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP3516424B2 (ja) * 1996-03-10 2004-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体装置
JP3759999B2 (ja) * 1996-07-16 2006-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、液晶表示装置、ｅｌ装置、ｔｖカメラ表示装置、パーソナルコンピュータ、カーナビゲーションシステム、ｔｖプロジェクション装置及びビデオカメラ
JP3424891B2 (ja) * 1996-12-27 2003-07-07 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタの製造方法および表示装置
JPH10229197A (ja) 1997-02-17 1998-08-25 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法
US6569716B1 (en) * 1997-02-24 2003-05-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of manufacturing a polycrystalline silicon film and thin film transistor using lamp and laser anneal
US6010923A (en) * 1997-03-31 2000-01-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device utilizing annealed semiconductor layer as channel region
JP3376247B2 (ja) * 1997-05-30 2003-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタを用いた半導体装置
US6197624B1 (en) * 1997-08-29 2001-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of adjusting the threshold voltage in an SOI CMOS
JP3552500B2 (ja) * 1997-11-12 2004-08-11 セイコーエプソン株式会社 論理振幅レベル変換回路，液晶装置及び電子機器
JP3117684B2 (ja) * 1998-05-14 2000-12-18 ヨンス チョー 自動車用ステアリングホイールリムの製造方法
US5917199A (en) * 1998-05-15 1999-06-29 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Solid state imager including TFTS with variably doped contact layer system for reducing TFT leakage current and increasing mobility and method of making same
JP2001051292A (ja) * 1998-06-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体表示装置
JP2006237624A (ja) * 1998-06-12 2006-09-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びインバータ回路
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP4386978B2 (ja) * 1998-08-07 2009-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6512271B1 (en) * 1998-11-16 2003-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
EP1020839A3 (en) * 1999-01-08 2002-11-27 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and driving circuit therefor
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP2001284592A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその駆動方法
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) * 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
US7061014B2 (en) * 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4083486B2 (ja) * 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) * 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP4069648B2 (ja) * 2002-03-15 2008-04-02 カシオ計算機株式会社 半導体装置および表示駆動装置
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4339103B2 (ja) * 2002-12-25 2009-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) * 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP2005251348A (ja) 2004-03-08 2005-09-15 Casio Comput Co Ltd シフトレジスタ回路及びその駆動制御方法
JP4620046B2 (ja) 2004-03-12 2011-01-26 独立行政法人科学技術振興機構 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7211825B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) * 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
TWI648719B (zh) * 2004-09-16 2019-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 具有圖素的顯示裝置和電子裝置
US7285501B2 (en) * 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) * 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7453065B2 (en) * 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7829444B2 (en) * 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7863611B2 (en) * 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7791072B2 (en) * 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
WO2006051995A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
CA2708335A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
AU2005302963B2 (en) * 2004-11-10 2009-07-02 Cannon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
KR101142996B1 (ko) * 2004-12-31 2012-05-08 재단법인서울대학교산학협력재단 표시 장치 및 그 구동 방법
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI562380B (en) * 2005-01-28 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7608531B2 (en) * 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7858451B2 (en) * 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) * 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) * 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP5116225B2 (ja) * 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) * 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP2007073705A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
EP3614442A3 (en) * 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
JP5037808B2 (ja) * 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) * 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
TWI292281B (en) * 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) * 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) * 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) * 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) * 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) * 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) * 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
EP1895545B1 (en) 2006-08-31 2014-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5079425B2 (ja) * 2006-08-31 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP4332545B2 (ja) * 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) * 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) * 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4932415B2 (ja) * 2006-09-29 2012-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7622371B2 (en) * 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
KR101340512B1 (ko) * 2006-12-01 2013-12-12 삼성디스플레이 주식회사 반도체 칩 패키지 및 이를 포함하는 인쇄 회로 기판어셈블리
JP2008140684A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) * 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) * 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
WO2008133345A1 (en) * 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5049691B2 (ja) * 2007-08-06 2012-10-17 株式会社日立製作所 半導体集積回路
JP2009094927A (ja) * 2007-10-11 2009-04-30 Seiko Epson Corp バッファ、レベルシフト回路及び表示装置
JP5344449B2 (ja) * 2007-12-14 2013-11-20 国立大学法人島根大学 半導体多結晶薄膜及び半導体装置
JP5215158B2 (ja) * 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP5264197B2 (ja) * 2008-01-23 2013-08-14 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ
JP2009207041A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Seiko Epson Corp 電気回路、電気光学装置、電子機器、および電気回路の制御方法
JP2009251205A (ja) * 2008-04-04 2009-10-29 Sony Corp 表示装置と電子機器
JP5602390B2 (ja) * 2008-08-19 2014-10-08 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板、及び撮像装置
JP4623179B2 (ja) * 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) * 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
US8106400B2 (en) * 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102386236B (zh) * 2008-10-24 2016-02-10 株式会社半导体能源研究所 半导体器件和用于制造该半导体器件的方法
KR101432764B1 (ko) * 2008-11-13 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법

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