TWI656751B - 電子裝置 - Google Patents

Abstract

提出一種甚至在經由藉由電磁感應的非接觸式充電所供應之電力為低時仍可操作之可攜式電子裝置。此可攜式電子裝置包括反射式液晶顯示器(其包括具有氧化物半導體的電晶體)、包括可藉由非接觸式充電而充電之可再充電電池之電源部、以及包括非揮發性半導體記憶體裝置之訊號處理部。在此可攜式電子裝置中，此可再充電電池中所儲存的電力係使用於此反射式液晶顯示器及此訊號處理部中。

Description

電子裝置

本發明的技術領域係有關於能夠非接觸式充電的可攜式電子裝置。

能夠藉由將電腦化的書籍資料顯示於顯示器上來讀取之諸如電子書閱讀器的可攜式電子裝置已被擴展。此類裝置係假設被可攜式地使用，且可藉由併入於主體中的電池來予以驅動。因此，這些裝置較佳係以藉由使用外部電源供應裝置的電力來予以供應。

在專利文件1中，藉由使用交流電轉接器(AC adapter)的電源供應電壓所供應之電子書閱讀器被提出。

在專利文件2中，顯示裝置被提出。此顯示裝置包括顯示部分、用以操作及來自外部的輸入之控制台部、用以發送及接收無線訊號的天線部、用以控制於此控制台部中所輸入的訊號及藉由此天線部所發送及接收的訊號之控制器部、以及用以將藉由此天線部所接收到的無線訊號轉變成電力且用以將其儲存做為用以驅動此顯示部的電力之電 池部。

[參考] [專利文件]

[專利文件1]日本公告專利申請案號2007-147871

[專利文件2]日本公告專利申請案號2008-181108

為了自交流電轉接器中供應電源供應電壓，諸如金屬電極的接點需要被設置於可攜式電子裝置側上。此接點需要耐用。此外，由於短路、濕氣等等，需要對接點故障或漏洩的產生進行量測。

此外，為了可攜式電子裝置即使在經由藉由電磁感應的非接觸式充電所供應之電力為低時仍可操作，此可攜式電子裝置的功耗需要被降低。

本發明的一個實施例之目的在於提出一種即使在經由藉由電磁感應的非接觸式充電所供應之電力為低時仍可操作之可攜式電子裝置。

本發明的一個實施例為包括反射式液晶顯示器、電源部、及訊號處理部的可攜式電子裝置。此反射式液晶顯示器包括具有氧化物半導體的電晶體，此電源部包括可藉由非接觸式充電而充電之可再充電電池，而此訊號處理部包括非揮發性半導體記憶體裝置。

本發明的另一個實施例為包括反射式液晶顯示器、電源部、及非揮發性半導體記憶體裝置的可攜式電子裝置。 此反射式液晶顯示器包括具有第一氧化物半導體的第一電晶體，此電源部包括可藉由非接觸式充電而充電之可再充電電池，而此非揮發性半導體記憶體裝置包括第二電晶體、第三電晶體、及電容器。第二電晶體的第一端係電氣連接至第一接線，第二電晶體的第二端係電氣連接至第二接線，而第二電晶體的閘極係電氣連接至第三電晶體的第一端及此電容器的其中一個電極。第三電晶體的第二端係電氣連接至該第三接線，而第三電晶體的閘極係電氣連接至第四接線。此電容器的另一個電極係電氣連接至第五接線。

第三電晶體可為包括第二氧化物半導體的電晶體。第二氧化物半導體可為與第一氧化物半導體相同，或與第一氧化物半導體不同。

此可再充電電池中所儲存的電力可被使用於此反射式液晶顯示器及此訊號處理部中。

此電源部可包括太陽能電池。

此氧化物半導體為本質的或實質上為本質的，且在室溫時，電晶體之每單位通道寬度的關閉狀態電流為小於或等於100aA/μm(「a」為10^-18)，較佳為小於或等於1aA/μm，更佳為小於或等於1zA/μm(「a」為10^-21)。要注意的是，在此說明書中，「本質」意謂具有小於1×10¹²/cm³的載子濃度之半導體的狀態，而「實質上本質」意謂具有大於或等於1×10¹²/cm³且小於1×10¹⁴/cm³的載子濃度之半導體的狀態。

因為可實施非接觸式充電，所以不需設置可攜式電子裝置側上的金屬端子。此外，可提出一種即使在經由藉由電磁感應的非接觸式充電所供應之電力為低時仍可操作之可攜式電子裝置。

1‧‧‧可攜式電子裝置

10‧‧‧顯示器

20‧‧‧電源部

21‧‧‧天線

22‧‧‧整流器電路

23‧‧‧可再充電電池

24‧‧‧直流-直流轉換器

25‧‧‧太陽能電池

30‧‧‧訊號處理部

31‧‧‧天線

32‧‧‧降頻轉換器

33‧‧‧訊號處理電路

34‧‧‧NVM(非揮發性記憶體)

35‧‧‧顯示控制器

40‧‧‧電池充電器

41‧‧‧功率傳送線圈

50‧‧‧接線

51‧‧‧接線

52‧‧‧接線

53‧‧‧接線

54‧‧‧接線

60‧‧‧顯示面板

61‧‧‧像素部

62‧‧‧閘極訊號線

62D‧‧‧閘極訊號線驅動器電路

63‧‧‧資料訊號線

63D‧‧‧資料訊號線驅動器電路

64‧‧‧像素

65‧‧‧共同電極

66‧‧‧電容器線路

67‧‧‧端子部

71‧‧‧電晶體

72‧‧‧電晶體

73‧‧‧電容器

75‧‧‧電晶體

76‧‧‧液晶元件

77‧‧‧儲存電容器

400‧‧‧基板

402‧‧‧閘極絕緣層

407‧‧‧絕緣層

410‧‧‧電晶體

411‧‧‧閘極電極

412‧‧‧氧化物半導體層

414a‧‧‧接線層

414b‧‧‧接線層

415a‧‧‧第一電極

415b‧‧‧第二電極

421a‧‧‧開口

421b‧‧‧開口

圖1係可攜式電子裝置的方塊圖。

圖2係可攜式電子裝置及電池充電器的結構範例之圖式。

圖3係非揮發性半導體記憶體裝置的電路結構之範例的圖形。

圖4A及4B係液晶顯示裝置的顯示面板之範例的概圖，而圖4C係用以驅動此顯示面板的方法之範例的圖形。

圖5係可攜式電子裝置的方塊圖。

圖6係天線、太陽能電池、與可再充電電池之間的連接關係之圖形。

圖7係可攜式電子裝置的結構範例之圖式。

圖8A及8B係電晶體的結構範例之圖式。

圖9A至9E係顯示用以製造電晶體的方法之範例的圖式。

圖10係顯示電晶體的電氣特徵之圖形。

在此所述之本發明的實施例將參考圖式來予以說明。要注意的是，本發明不受限於下面的說明，且熟習此項技術者可輕易瞭解的是，在不脫離本發明的目的及範圍之下，可以不同的方式改變本發明的模式及細節。因此，本發明不應該被解讀為受限於下面之實施例的說明。

[實施例1]

在此實施例中，此實施例之可攜式電子裝置的硬體之結構係參考圖1、圖2、圖3、及圖4A至4C來予以說明。

圖1為此實施例之可攜式電子裝置的方塊圖。可攜式電子裝置1包括顯示器10、電源部20、及訊號處理部30。要注意的是，可攜式電子裝置1被使用作為電子書閱讀器(也稱為電子書終端裝置)的範例被敘述於下。

(電源部20)

電源部20包括天線21、整流器電路22、可再充電電池23、及直流-直流(DC-DC)轉換器24。

(天線21)

天線21為用於非接觸式充電的功率接收線圈。

在圖2中，此可攜式電子裝置及電池充電器的結構範例被繪示。如圖2中所繪示，可攜式電子裝置1包括天線21，而電池充電器40包括功率傳送線圈41。此非接觸式 充電係藉由線圈之間的電磁感應之電力的非接觸式傳輸來予以實施，且金屬端子未被設置於線圈之間。

此非接觸式充電不需要用以在可攜式電子裝置1與電池充電器40之間的充電之諸如金屬端子的接點。因此，沒有接點故障。或者，由於短路、濕氣等等的漏洩等幾乎不會發生。

(整流器電路22)

由天線21所接收到的電力被整流於整流器電路22中，且被儲存於可再充電電池23中。

(可再充電電池23)

可再充電電池23為可藉由充電來儲存電力，且可被重複地使用作為電池的電容器。可使用例如鋰離子電池、鋰離子電容器等等做為可再充電電池23。此外，可再充電電池23包括用以防止過充電及過放電的控制電路。

(直流-直流轉換器24)

可再充電電池23中所儲存的電力係經由直流-直流轉換器24而被傳送至顯示器10及訊號處理部30，且被使用作為在此的電源供應電壓。

(訊號處理部30)

訊號處理部30包括天線31、降頻轉換器32、訊號處 理電路33、NVM(非揮發性記憶體)34、及顯示控制器35。

(天線31)

天線31發送用以開始下載伺服器之由可攜式電子裝置1的使用者所選取之電腦化書籍資料(下面被稱為「電子書資料」)之請求，且回應於此請求而接收自此伺服器所送出的電子書資料。

(降頻轉換器32及訊號處理電路33)

由天線31所接收到的電子書資料被降頻轉換於降頻轉換器32中，且被轉換成基頻訊號。此基頻訊號被處理於訊號處理電路33中。

(NVM 34)

因為由天線31所接收到的電子書資料之數量大於供此顯示器的一個螢幕之用的資料之數量，所以所接收到的資料被儲存於NVM 34中。

在此，可被應用於NVM 34之非揮發性半導體記憶體裝置的電路之結構的範例係參考圖3來予以說明。

圖3中所繪示的非揮發性半導體記憶體裝置包括電晶體71、電晶體72、及電容器73。

包括除了氧化物半導體之外的材料之電晶體係適用於電晶體71。除了氧化物半導體之外的材料料之範例包括 單晶矽、結晶矽等等。包括除了氧化物半導體之外的材料之電晶體可以高速操作，使得資料可以高速自此非揮發性半導體記憶體裝置中被讀取出。

反之，包括氧化物半導體的電晶體係適用於電晶體72。包括氧化物半導體的電晶體具有極低關閉狀態電流的特徵。因此，此非揮發性半導體記憶體裝置中所儲存的資料可被保持一段長的時間。因此，刷新(refresh)操作是不必要的或較少被實施，且可降低此非揮發性半導體記憶體裝置的功耗。

電晶體71的閘極係連接至電晶體72之源極及汲極的其中一個，電晶體71的源極係連接至接線50(源極線)，而電晶體71的汲極係連接至接線51(位元線)。電晶體72之源極及汲極的另一個係連接至接線52(第一訊號線)，而電晶體72的閘極係連接至接線53(第二訊號線)。此外，電容器73的其中一個電極係連接至電晶體71的閘極，及電晶體72之源極及汲極的該其中一個，而電容器73的另一個電極係連接至接線54(字元線)。

接著，說明圖3中所繪示的非揮發性半導體記憶體裝置之資料寫入操作。

首先，電壓被施加至電晶體72的閘極(其係連接至接線53)，使得電晶體72被導通。因此，使接線52與電晶體71相導通，且電壓被施加至電晶體71的閘極及電容器73，使得資料被寫入。

在此之後，電晶體72被關閉，使得施加至電晶體71 的閘極之電壓被保持且此資料被儲存。此時，當導通電晶體71的電壓被施加至電晶體71的閘極時，電晶體71的導通狀態被保持一段長的時間。反之，當關閉電晶體71的電壓被施加至電晶體71的閘極時，電晶體71的關閉狀態被保持一段長的時間。

接著，說明圖3中所繪示的非揮發性半導體記憶體裝置之資料讀取操作。

在電晶體71的導通或關閉狀態之情況中，固定電壓被施加至接線50，而讀取電壓被施加至接線54。因此，在電晶體71為導通的情況中，接線51的電壓改變。反之，在電晶體71為關閉的情況中，接線51的電壓不改變。因此，藉由比較接線50與接線51之間的電壓。可讀取非揮發性半導體記憶體裝置中所儲存的資料。

圖3中所繪示的非揮發性半導體記憶體裝置之資料覆寫操作係與資料寫入操作相類似。

(顯示控制器35)

顯示控制器35傳送資料，其內容係即將被顯示於顯示器10上。

大部分的電子書資料為靜態影像資料；因此，資料覆寫速度不需為非常高。因此，降頻轉換器32、訊號處理電路33、NVM 34、及顯示控制器35的高速操作並不需要。因此，這些電路可以低電壓來予以驅動。因此，即使當經由藉由電磁感應的非接觸式充電所供應之電力為低 時，可攜式電子裝置1仍可操作。

(顯示器10)

顯示器10顯示電子書資料的的內容。要注意的是，使用本身不會發光的顯示器(諸如，反射式液晶顯示器或電泳顯示器)，顯示器10的功耗可被設定於10mW或更低。因此，甚至當經由藉由電磁感應的非接觸式充電所供應之電力為低時，可攜式電子裝置1仍可操作。

在此，可被應用於顯示器的電路結構之範例係參考圖4A及4B來予以說明。

圖4A為液晶顯示裝置的顯示面板之範例的概圖。顯示面板60包括像素部61、閘極訊號線62、閘極訊號線驅動器電路62D、資料訊號線63、資料訊號線驅動器電路63D、像素64、共同電極65、電容器線路66、及端子部67。

圖4B為圖4A中所繪示的像素64之視圖。像素64包括具有氧化物半導體的電晶體75、液晶元件76、及儲存電容器77。

接著，用以驅動顯示面板的方法之範例係參考圖4C來予以說明。

首先，為了將影像訊號BK/W寫入至像素，電晶體75被導通，且提供週期T(之後稱為「寫入週期T1」)，而在寫入週期T期間，根據此影像訊號的電壓被施加至液晶元件76的像素電極。在寫入週期T1中，驅動器電路控制 訊號被供應至顯示器10的驅動器電路及顯示控制器35，使得這些電路操作。

在寫入週期T1之後，電壓V_pix被產生於液晶元件76的像素電極中。然後，電晶體75被關閉，使得電壓V_pix被保持於液晶元件76的像素電極中。

在後續的週期T2(之後稱為「保持週期T2」)中，影像訊號BK/W不會被寫入，而在保持週期T2期間，電壓V_pix被保持於液晶元件76的像素電極中。此外，此驅動器電路控制訊號不會被供應至顯示器10的驅動器電路及顯示控制器35，使得這些電路不會操作。

保持週期T2的長度根據電晶體75的關閉狀態電流I₇₅及流經液晶元件76的電流I₇₆而改變。為了防止由於這些電流的變化所導致之螢幕閃爍，需要刷新操作，而藉由此刷新操作，螢幕上所顯示的資料係以規律的間隔被覆寫。

要注意的是，包括氧化物半導體的電晶體75之關閉狀態電流I₇₅為極低。因此，保持週期T2的長度係僅視流經液晶元件76的I₇₆而定。因此，要被顯示於此螢幕上的資料之覆寫操作的數量可約為一般覆寫操作(每秒60次)的數量之1/1000。

如上所述，在保持週期T2中，可停止顯示器10的驅動器電路及顯示控制器35之操作。因此，顯示器10及顯示控制器35的功耗可約為一般功耗的1/1000。

接著，說明此電晶體中所包括的氧化物半導體。

用作為施體之諸如氫、濕氣、羥基、或氫氧化物(也稱為氫化合物)的雜質係有意地自此電晶體中所包括的此氧化半導體中去除、然後供應去除這些雜質的步驟中所同時降低的氧，使得此氧化半導體被高度純化，且變成電氣上的i型(本質的)。這是用以抑制此電晶體的電氣特徵之變動。

此氧化物半導體中所含有的氫被盡可能地去除；因此，此氧化物半導體的載子濃度為低於1×10¹⁴/cm³，較佳為低於1×10¹²/cm³，或更佳為低於1×10¹⁰/cm³。

在氧化物半導體(其為寬帶隙半導體)中，少數載子的密度為低的，且此少數載子難以被感應。因此，在包括此氧化物半導體的電晶體中，穿隧電流難以被產生；因此，關閉狀態電流難以流動。

此外，在包括此氧化物半導體(其為寬帶隙半導體)的電晶體中，撞擊游離及累增崩潰較不可能發生。因此，包括此氧化物半導體的電晶體具有抗熱載子劣化。此熱載子劣化主要係藉由由於累增崩潰所導致之載子的數量增加，及藉由加速至高速的載子注入到閘極絕緣膜所產生。

要注意的是，此說明書中的「關閉狀態電流」意謂當高於或等於-20V且低於或等於-5V的給定閘極電壓於室溫下被施加時，在具有正臨限電壓(Vth)的n通道電晶體之源極與汲極之間流動的電流。也要注意的是，「室溫」為高於或等於15℃且低於或等於25℃。

此說明書中所揭示之包括此氧化物半導體的電晶體於 室溫時具有100aA/μm或更低，較佳為1aA/μm或更低，更佳為10zA/μm或更低之每微米通通道寬度(1μm)的電流值。

如上所述，藉由使用被高度純化，且變成電氣上的i型(本質的)之氧化物半導體，可提供具有極小關閉狀態電流的電晶體。測試元件群組(也稱為TEG)被製造，且關閉狀態電流特徵的量測結果被說明於下。

在此TEG中，兩百個電晶體(各個電晶體具有L/W=3μm/50μm(厚度d為30nm))被並聯連接，以提供具有L/W=3μm/10000μm的電晶體。要注意的是，W代表通道寬度，而L代表通道長度。

圖10為顯示此TEG中所設置之電晶體的電氣特徵(log(I_d)-V_g)之圖形。在圖10中，水平軸代表閘極電壓V_g[V]，而垂直軸代表汲極電流I_d[A]。要注意的是，基板溫度為室溫，而源極與汲極之間的電壓V_d為1V(此圖中的虛線)或10V(此圖中的實線)。在以上的條件中，源極與汲極之間的電壓V_g係自-20V而被改變至+20V，且汲極電流I_d的轉移特性被量測。

如圖10中所顯示，當V_d為1V或10V時，具有10000μm的通道寬度W之電晶體的關閉狀態電流值為1×10^-13A或更低。此值係低於或等於量測裝置(由安捷倫(Agilent)科技公司所製造的安捷倫(Agilent)4156C之半導體參數分析儀)的解析度(100fA)。此關閉狀態電流值相當於每微米通通道寬度(1μm)10aA/μm。

[實施例2]

在此實施例中，與實施例1之可攜式電子裝置的硬體之結構不同之可攜式電子裝置的硬體之結構係參考圖5、圖6、及圖7來予以說明。

圖5為此實施例之可攜式電子裝置的方塊圖。可攜式電子裝置2具有太陽能電池25被加入至圖1中所繪示之可攜式電子裝置1的電源部20之結構。具有包括太陽能電池25的結構，當可攜式電子裝置2係曝露於陽光或照明光時，電力可使用太陽能電池25而被儲存於可再充電電池23中。

在圖6中，天線、太陽能電池、與可再充電電池之間的連接關係被繪示。逆流防止二極體係設置於天線21與可再充電電池23之間，及太陽能電池25與可再充電電池23之間。

包括太陽能電池的可攜式電子裝置之結構範例係參考圖7來予以說明。

圖7中所繪示之可攜式電子裝置2在可攜式電子裝置2為打開的狀態中，具有電子書資料被顯示於顯示器10上的結構。因此，當在可攜式電子裝置2為打開的狀態中，太陽能電池25係設置以致於被曝露於外部時，太陽能電池25可實施充電，而此電子書資料被顯示於顯示器10上。

因為太陽能電池25可實施充電，所以本身不會發射 光的顯示器(諸如，反射式液晶顯示器或電泳顯示器)係特別適合用於顯示器10。

[實施例3]

在此實施例中，包括本質的或實質上本質的氧化物半導體之電晶體的結構範例，及其製造方法的範例係參考圖8A及8B，及圖9A至9E來予以說明。

圖8A及8B為電晶體的平面結構之範例，及剖面結構的範例。圖8A為頂部閘極電晶體的平面圖。圖8B為圖8A中之沿著直線C1-C2所取得的部分之剖面圖。

電晶體410於基板400之上包括絕緣層407、氧化物半導體層412、第一電極415a、第二電極415b、閘極絕緣層402、及閘極電極411。第一電極415a係與接線層414a相接觸，而第二電極415b係與接線層414b相接觸。

要注意的是，圖8A及8B中所繪示的電晶體410為單閘極電晶體；然而，此電晶體的結構不受限於此。例如，可應用多閘極電晶體。

接著，電晶體410的製程係參考圖9A至9E來予以說明。

首先，用作為基底膜的絕緣層407係形成於基板400之上。絕緣層407較佳被形成，而同時仍在處理室中的濕氣被去除。這是用以防止氫、水、羥基、氫氧化物等等被包含於絕緣層407中。

然後，氧化物半導體層係藉由濺鍍法而被形成於絕緣層407之上。要注意的是，在形成此氧化物半導體層之前，基板400(絕緣層407係形成於其之上)較佳被預先加熱。這是用以盡可能地防止氫、濕氣、及羥基被包含於此氧化物半導體層中。藉由預先加熱，諸如基板400上所吸收的氫或濕氣之雜質被消除及耗盡。

就用以形成此氧化物半導體層的靶材而言，可使用含有氧化鋅作為其主要成份的金屬氧化物靶材。例如，可使用具有In₂O₃：Ga₂O₃：ZnO=1：1：1(亦即，In：Ga：Zn=1：1：0.5)的成份比之靶材。另一種是，可使用具有In：Ga：Zn=1：1：1或In：Ga：Zn=1：1：2的成份比之靶材。

另一種是，可使用諸如以In-Sn-Ga-Zn-O為基礎的金屬氧化物、以In-Sn-Zn-O為基礎的金屬氧化物、以In-Al-Zn-O為基礎的金屬氧化物、以Sn-Ga-Zn-O為基礎的金屬氧化物、以Al-Ga-Zn-O為基礎的金屬氧化物、以Sn-Al-Zn-O為基礎的金屬氧化物、以In-Zn-O為基礎的金屬氧化物、以Sn-Zn-O為基礎的金屬氧化物、以Al-Zn-O為基礎的金屬氧化物、以Zn-Mg-O為基礎的金屬氧化物、以Sn-Mg-O為基礎的金屬氧化物、以In-Mg-O為基礎的金屬氧化物、以In-O為基礎的金屬氧化物、以Sn-O為基礎的金屬氧化物、或以Zn-O為基礎的金屬氧化物之金屬氧化物的靶材。

要注意的是，就此氧化物半導體層，可使用含有由 InMO₃(ZnO)_m(m>0)所表示的氧化物半導體之薄膜。在此，M代表選自Ga、Al、Mn、及Co的其中一個或多個金屬元素。例如，可給定Ga、Ga與Al、Ga與Mn、或Ga與Co做為M。

此氧化物半導體層被處理於第一微影步驟中，以便形成島形氧化物半導體層412(見圖9A)。在此之後，為了自氧化物半導體層412中去除氫、水、及羥基，基板400(氧化物半導體層412係形成於其之上)被放入電爐內且受到熱處理。在氧化物半導體層412上，此熱處理具有除水或除氫的效果。

此熱處理的溫度為高於或等於400℃且低於或等於750℃，較佳為高於或等於400℃且低於此基板的應變點。此外，此熱處理的氛圍不包含水、氫等等。

在此熱處理之後，連續的熱處理較佳被實施於氧氛圍，或含有氮及氧的氛圍(例如，氮對氧的體積比為4比1)中。這是用以修補氧化物半導體層412中所產生的缺氧。

在圖9B中，第一電極415a及第二電極415b係形成於絕緣層407及氧化物半導體層412之上的狀態被繪示。第一電極415a用作為源極電極及汲極電極的其中一個電極。第二電極415b用作為源極電極及汲極電極的另一個電極。

在圖9C中，閘極絕緣層402係形成於絕緣層407、氧化物半導體層412、第一電極415a、及第二電極415b 之上的狀態被繪示。要注意的是，氫不包含於使用來形成閘極絕緣層402的氛圍中係較佳的。

在圖9D中，到達第一電極415a的開口421a及到達第二電極415b的開口421b係藉由去除閘極絕緣層402的部分來予以形成之狀態被繪示。

在圖9E中，閘極電極411、第一接線層414a、及第二接線層414b係形成於閘極絕緣層402之上，及開口421a及開口421b中的狀態被繪示。

以上述的方式，可製造出包括本質的或實質上本質的氧化物半導體之電晶體。

此申請案係根據2010年1月20日向日本專利局所申請之日本專利申請案序號2010-010382，其全部內容在此被併入作為參考。

Claims (3)

1. 一種電子裝置，包含：顯示器，包括第一電晶體；電路，儲存訊號

   

   ；以及可再充電電池，其中，該顯示器及該電路由儲存在該可再充電電池中的電力驅動，其中，該電路包括第二電晶體、第三電晶體及電容器，其中，該第二電晶體的源極與汲極之一者電連接至第一佈線，其中，該第二電晶體的該源極與該汲極之另一者電連接至第二佈線，其中，該第二電晶體的閘極電連接至該第三電晶體的源極與汲極之一者，以及至該電容器之一電極，其中，該第三電晶體的該源極與該汲極之另一者電連接至第三佈線，其中，該第三電晶體的閘極電連接至第四電晶體，其中，該電容器之另一電極電連接至第五佈線，其中，該第一電晶體的通道含有第一氧化物半導體，其中，該第二電晶體的通道含有矽，並且其中，該第三電晶體的通道含有第二氧化物半導體。
2. 一種電子裝置，包含：顯示器，包括第一電晶體；電路，儲存訊號

   

   ；以及可再充電電池，能非接觸式充電，其中，該顯示器及該電路由儲存在該可再充電電池中的電力驅動，其中，該電路包括第二電晶體、第三電晶體及電容器，其中，該第二電晶體的源極與汲極之一者電連接至第一佈線，其中，該第二電晶體的該源極與該汲極之另一者電連接至第二佈線，其中，該第二電晶體的閘極電連接至該第三電晶體的源極與汲極之一者，以及至該電容器之一電極，其中，該第三電晶體的該源極與該汲極之另一者電連接至第三佈線，其中，該第三電晶體的閘極電連接至第四電晶體，其中，該電容器之另一電極電連接至第五佈線，其中，該第一電晶體的通道含有第一氧化物半導體，其中，該第二電晶體的通道含有矽，並且其中，該第三電晶體的通道含有第二氧化物半導體。
3. 如申請專利範圍第1或2項之電子裝置，其中，該電子裝置為電子書閱讀器。