JP2018061001A5 - トランジスタ - Google Patents

Claims (5)

1. 第１の酸化物と、
   前記第１の酸化物と同層の第２の酸化物と、
   前記第１の酸化物上の第１の導電体であって、前記第１の導電体の第１の側面は、前記第１の酸化物の第１の側面より後退している前記第１の導電体と、
   前記第２の酸化物上の第２の導電体であって、前記第２の導電体の第１の側面は、前記第２の酸化物の第１の側面より後退している前記第２の導電体と、
   前記第１の導電体の前記第１の側面、前記第１の酸化物の上面及び前記第１の側面、前記第２の導電体の前記第１の側面、並びに前記前記第２の酸化物の上面及び前記第１の側面と接する第３の酸化物と、
   前記第３の酸化物と重なるゲート電極と、を有し、
   前記第３の酸化物の底面は、前記第１の酸化物の上面より下に位置するトランジスタ。
2. 請求項１において、
   前記第１の導電体は、前記第１の酸化物上に接して設けられ、
   前記第２の導電体は、前記第２の酸化物上に接して設けられるトランジスタ。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の導電体の第２の側面は、前記第１の酸化物の第２の側面と面一の形状を有し、
   前記第２の導電体の第２の側面は、前記第２の酸化物の第２の側面と面一の形状を有するトランジスタ。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第３の酸化物は、チャネルとして機能し、
   前記第１の導電体及び前記第２の導電体は、ソース電極及びドレイン電極として機能するトランジスタ。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１乃至第３の酸化物は、酸化物半導体を含むトランジスタ。