JP2009231513A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 拡散層が形成される半導体基板の上部に、少なくとも２層の配線層が対向して形成された半導体装置であって、
   所定電位を保持する信号を伝送するために前記２層の配線層に形成された信号配線と、
   前記信号配線を遮蔽するために一定の電位に固定され、前記２層の配線層に前記信号配線と隣接して形成されたシールド配線と、
   前記半導体基板の上部に絶縁膜を挟んで形成されるゲート電極と、
   を備え、前記２層の配線層のうち下層の配線層に形成された前記信号配線は、積層方向に対向する前記ゲート電極と電気的に接続され、
   前記信号配線は、前記２層の配線層のうち上層の配線層に形成された第１の信号配線と、前記下層の配線層に形成された第２の信号配線とを含み、
   前記シールド配線は、前記上層の配線層に形成された第１のシールド配線と、前記下層の配線層に形成され前記拡散層と電気的に接続される第２のシールド配線とを含むことを特徴とする半導体装置。
2. 前記上層の配線層において、前記第１の信号配線と前記第１のシールド配線とが交互に並んで配置されるとともに、前記下層の配線層において、前記第２の信号配線と前記第２のシールド配線とが交互に並んで配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１の信号配線の下方に前記第２のシールド配線が対向配置され、前記第１のシールド配線の下方に前記第２の信号配線が対向配置されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記第１の信号配線及び前記第１のシールド配線の延伸方向と、前記第２の信号配線及び前記第２のシールド配線の延伸方向とが、互いに直交することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記２層の配線層の下方には、前記所定電位を保持する信号と異なる信号の配線が形成された一又は複数の配線層が積層され、前記第２の信号配線は、前記一又は複数の配線層を経由して連結される複数のコンタクトプラグにより前記ゲート電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
6. 前記下層の配線層には、前記第２のシールド配線に隣接して所定の電源電圧を供給するための電源配線が形成され、当該電源配線は前記ゲート電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
7. 前記拡散層は、Ｐ型の前記半導体基板の上部に予め形成されたＮ型ウェルの表面に形成され、前記ゲート電極と前記Ｎ型ウェルが対向配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
8. 半導体基板と、
   前記半導体基板の表面とゲート絶縁膜を介して対向配置されるゲート電極配線と、
   前記ゲート電極配線の上部に第１の絶縁膜を介して配置される第１の配線層と、
   前記第１の配線層の上部表面と第２の絶縁膜を介して対向配置される第２の配線層と、
   前記第１の配線層の側面と前記第２の絶縁膜の一部を介して対向配置される第３の配線層と、
   を備え、前記第１の配線層は第１の定電圧を供給するための第１の電位配線であり、前記第１の配線層は前記ゲート電極配線と電気的に接続され、前記第２の配線層及び前記第３の配線層は第２の定電圧に固定されたシールド配線であることを特徴とする半導体装置。
9. 前記半導体基板に形成された拡散層を更に備え、
   前記第３の配線層は前記拡散層と電気的に接続されることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
10. 前記第２の配線層と同じ高さに形成され、前記第２の配線層の側面と対向配置され、前記第３の配線層の上部表面と前記第２の絶縁膜を介して対向配置される第４の配線層を更に備え、
    前記第４の配線層は、第３の定電圧を供給するための第２の電位配線であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
11. 前記第１の定電圧と前記第３の定電圧はともに同一の基準電位であり、前記第１の配線層と前記第４の配線層は、内部回路に前記基準電位を供給するためのリファレンス信号であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
12. 前記第１の定電圧は電源電圧であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
13. 前記第２の定電圧は接地電位であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
14. 前記第２のシールド配線は、前記第１の信号配線と対向配置され、前記下層の配線層に形成された前記信号配線のうち少なくとも１本の信号配線は、前記第１のシールド配線と対向配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
15. 前記信号は、内部回路に基準電位を供給するためのリファレンス信号であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。