JP2012064849A5 - - Google Patents

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Description

本発明の実施形態の半導体装置は、第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成された第２導電型の第２半導体層と、前記第２半導体層の表面に形成された第１導電型の第３半導体層と、前記第１半導体層の上側に形成された第２導電型の第４半導体層と、前記第３半導体層、前記第２半導体層及び前記第１半導体層に接する第１絶縁膜を介して、少なくとも前記第２半導体層に隣接し、第１の間隔で設けられた複数の第１電極と、前記第４半導体層と前記第１半導体層とに接する第２絶縁膜を介して、前記第１半導体層に隣接し、前記第１の間隔よりも広い間隔で設けられた複数の第２電極と、を備えたことを特徴とする。
本発明の他の実施形態の半導体装置は、 縦型ＭＯＳＦＥＴが形成された素子部と、ダイオードが形成されたダイオード部と、を備えた半導体装置であって、第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成された第２導電型の第２半導体層と、前記素子部において、第１絶縁膜を介して、少なくとも前記第２半導体層に隣接し、第１の間隔で設けられた複数の第１電極と、前記ダイオード部において、第２絶縁膜を介して、前記第１半導体層に接し、前記第１の間隔よりも広い間隔で設けられた複数の第２電極と、を有することを特徴とする。
本発明の他の実施形態の半導体装置は、少なくとも２つの第１電極が第１の間隔で配置され縦型ＭＯＳＦＥＴが形成された素子部と、少なくとも２つの第２電極が前記第１の間隔よりも広い間隔で配置されダイオードが形成されたダイオード領域と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
本発明の他の実施形態の半導体装置は、縦型ＭＯＳＦＥＴが形成された素子部と、ダイオードが形成されたダイオード部と、を備えた半導体装置であって、第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成された第２導電型の第２半導体層と、前記素子部において、前記第２半導体層の表面に形成された第１導電型の第３半導体層と、前記素子部において、前記第３半導体層から前記第１半導体層に達し、第１の間隔で設けられた複数の第１トレンチと、前記ダイオード部において、前記第１半導体層に形成され、前記第１の間隔よりも広い間隔で設けられた複数の第２トレンチと、前記第１トレンチに、第１絶縁膜を介して設けられた第１電極と、前記第２トレンチに、第２絶縁膜を介して設けられた第２電極と、を有することを特徴とする。

Claims (1)

  1. 縦型ＭＯＳＦＥＴが形成された素子部と、ダイオードが形成されたダイオード部と、を備えた半導体装置であって、
    第１導電型の第１半導体層と、
    前記第１半導体層上に形成された第２導電型の第２半導体層と、
    前記素子部において、前記第２半導体層の表面に形成された第１導電型の第３半導体層と、
    前記素子部において、前記第３半導体層から前記第１半導体層に達し、第１の間隔で設けられた複数の第１トレンチと、
    前記ダイオード部において、前記第１半導体層に形成され、前記第１の間隔よりも広い間隔で設けられた複数の第２トレンチと、
    前記第１トレンチに、第１絶縁膜を介して設けられた第１電極と、
    前記第２トレンチに、第２絶縁膜を介して設けられた第２電極と、
    を有することを特徴とする半導体装置。
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