JP2014120758A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 炭化ケイ素装置であって、
   炭化ケイ素基材の一部の上に配設されたゲート電極と、
   ゲート電極の上に配設された誘電フィルムと、
   ゲート電極の近傍に配設された当該炭化ケイ素装置の接触領域であって、（ｉ）接触領域が炭化ケイ素基材のウェルのベースであって、第１の導電型でドープされたウェルのベースと、（ｉｉ）ウェルのベースの両側の２つの領域であって、第１の導電型とは逆の第２の導電型でドープされた２つの領域とを含む接触領域と、
   誘電フィルム及び接触領域の上に配設され、ウェルのベース及びウェルベースの両側の２つの領域の各々の少なくとも一部に延在する層であって、前記層が、誘電フィルム上に配設された部分にニッケルを含み、接触領域におけるウェルのベースの上面全体の上にウェルのベースの上面と直接接して配設された部分にケイ化ニッケルを含んでおり、ケイ化ニッケル層が当該炭化ケイ素装置の接触領域にオーミック接触をもたらすように構成されている層と
   を備える、炭化ケイ素装置。
2. 前記ケイ化ニッケル層がゲート電極の近傍に配設されており、誘電スペーサによってゲート電極から離隔されている、請求項１記載の装置。
3. 前記誘電スペーサが、ケイ化ニッケル層を当該炭化ケイ素装置の接触領域及びゲート電極に自己整列させるように構成されている、請求項２記載の装置。
4. 前記ケイ化ニッケル層が、Ｎｉ₃₁Ｓｉ₁₂、Ｎｉ₂Ｓｉ、ＮｉＳｉ又はこれらの組合せを含む、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の装置。
5. 前記オーミック接触が１０^-3Ωｃｍ²未満の接触抵抗を有する、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の装置。
6. 前記オーミック接触が１０^-6Ωｃｍ²未満の接触抵抗を有する、請求項５記載の装置。
7. 当該炭化ケイ素装置が炭化ケイ素電力装置である、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の装置。
8. 当該炭化ケイ素装置が炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴ又はＪＦＥＴ装置である、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の装置。
9. 炭化ケイ素装置であって、
   炭化ケイ素基材の一部の上に配設されたゲート電極と、
   ゲート電極の上に配設された誘電フィルムと、
   誘電フィルムの上に配設されたニッケル層と、
   ゲート電極の近傍に配設された当該炭化ケイ素装置の接触領域であって、（ｉ）接触領域が炭化ケイ素基材のウェルのベースであって、第１の導電型でドープされたウェルのベースと、（ｉｉ）ウェルのベースの両側の２つの領域であって、第１の導電型とは逆の第２の導電型でドープされた２つの領域とを含む接触領域と、
   当該炭化ケイ素装置の接触領域の上に配設された１以上の層であって、前記１以上の層が当該炭化ケイ素装置の接触領域にオーミック接触をもたらすように構成されているとともに、ケイ化ニッケル層を含んでいて、ケイ化ニッケル層が、ウェルのベースの上面全体の上にウェルのベースの上面と直接接して延在しているとともに、ウェルベースの両側の２つの領域の各々の少なくとも一部の上に延在している、１以上の層と
   を備える炭化ケイ素装置。
10. 接触領域がゲート電極から一定の距離に隔設されるように構成されている、請求項９記載の装置。
11. ゲート電極と接触領域との間に配設されていて、ゲート電極に対して接触領域を自己整列させるように構成されている誘電スペーサを含む、請求項１１記載の装置。
12. 誘電スペーサが、当該炭化ケイ素装置の接触領域に対して接点バイアを自己整列させるように構成されている、請求項１１記載の装置。
13. ケイ化ニッケル層のニッケル対ケイ素比が２．６〜１．０である、請求項９乃至請求項１２のいずれか１項記載の装置。
14. 当該炭化ケイ素装置が炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）又は接合型ゲート電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）電力装置である、請求項９乃至請求項１３のいずれか１項記載の装置。