JP2009194216A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 153
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 246
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 158
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 156
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 124
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 100
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 100
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 94
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 70
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 50
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 49
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 151
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 54
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 54
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 40
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 36
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 36
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 30
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 20
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 98
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 30
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 21
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 21
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 19
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 11
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 6
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 6
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- -1 aluminum ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- 244000000626 Daucus carota Species 0.000 description 1
- 235000002767 Daucus carota Nutrition 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 238000000624 total reflection X-ray fluorescence spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/6606—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7827—Vertical transistors
- H01L29/7828—Vertical transistors without inversion channel, e.g. vertical ACCUFETs, normally-on vertical MISFETs
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Abstract
【解決手段】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。
【選択図】図1
Description
金属不純物が捕らえられた基底面転位の密度が低減したことは、耐圧不良品の数を減らし、良品率を向上させることにも寄与した可能性がある。
なお、本実施例では、二酸化シリコンを主成分とする膜の形成には、ドライエッチング装置による酸素プラズマ処理を用いたが、アッシャ装置等、他の装置を用いて酸素プラズマ処理を実施することも可能である。本実施例でドライエッチング装置を用いた理由は、反応室のクリーニングが可能なためである。本実施例の装置では、本実施例の酸素プラズマ処理を完了した後に、塩素と酸素の混合ガスのプラズマで反応室内をクリーニングした。清浄なシリコン基板に対するアルゴンプラズマ処理を施して金属汚染を検査したところ、処理前の清浄度と同レベルであり、この処理に用いたことよる装置汚染の影響はなかった。クリーニング機構のない装置を用いる場合には、装置の清浄度の維持が困難となる。酸化方法として、陽極酸化、熱酸化、オゾンによる酸化等を用いることも可能である。ただし、熱酸化の場合には温度が1000℃程度の高温となるため、装置の清浄度維持がさらに困難となる欠点がある。オゾンを用いた酸化の場合には、通常の酸素を用いた熱酸化よりも低温化が可能である。オゾンは、熱酸化で用いる他、紫外線照射と併用したり、酸素プラズマ処理と併用することで、炭化珪素単結晶基板表面の酸化を促す効果を有する。
図10に酸素プラズマ処理を用いない従来の製造方法による炭化珪素炭化珪素単結晶基板の表面の金属汚染を分析した結果を示す。従来の製造方法による基板表面には、鉄、亜鉛の元素が残存しているが、本発明の製造方法による基板表面では、鉄、亜鉛を含む全ての元素が検出限界以下しか存在していない。残存する金属汚染の違いは、炭化珪素単結晶基板表面の酸化の有無によると考えられる。すなわち、本発明の製造方法による場合には、酸素プラズマに晒されることで基板表面に薄い二酸化シリコンを主成分とする膜が形成される。元々、基板表面に存在していた金属元素は、この酸化膜の上に持ち上げられたり、酸化膜中に取り込まれたりする場合が多い。フッ酸水溶液でこの酸化膜を除去すると、酸化膜上や酸化膜中の金属元素も同時に除去される。これに対して、シリコン半導体素子の製造で用いられていた従来の製造方法を炭化珪素半導体素子の製造にそのまま適用すると、シリコンシリコン単結晶基板の場合とは異なり、炭化珪素単結晶基板では、過酸化水素を含む薬液中に浸漬しても、二酸化シリコンを主成分とする膜が殆ど形成されない。このため、上記のような金属汚染除去の機構が実現しないと考えられる。
次に、炭化珪素単結晶基板111の表面、裏面が、高温で変質するのを防止するため、図11Cに示すように、基板111の表面、裏面に厚さ100nmのカーボン膜115、116を形成した。カーボン膜の形成には、スパッタ法を用いたが、メタンを原料とするプラズマCVD法等、他の成膜方法で形成してもよい。基板の裏面にもカーボン膜116を形成するのは、裏面のコンタクト抵抗を低減する効果があるためと、裏面電極の基板111に対する接着力を強化するのに有効だからである。この状態で、次に、真空中で、1800℃で活性化アニールを行った。1,800℃に保った時間は1分である。
その後、カーボン膜を酸素を用いたドライエッチングにより除去したところ、図11Dのようになった。処理の条件は、酸素流量100sccm、反応室内圧力10Pa、RF電力50Wで時間は表面、裏面共に90秒である。単位面積当りのRF電力は、0.1W/cm2とした。炭化珪素単結晶基板に損傷が導入されないように、RF電力は十分に低く設定している。カーボン膜が除去された後に、炭化珪素単結晶基板111の表面は、酸素プラズマに晒される。炭化珪素単結晶基板111の表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜の厚さは、シリコン面からなる表面では2nm未満であった。しかる後、フッ酸水溶液、アンモニア・過酸化水素水混合液による薬液洗浄を基板に施した。用いた薬液の成分や洗浄の条件は、本実施例1の本発明による炭化珪素単結晶基板に対する洗浄と同様である。
次に、二酸化シリコン膜117に開口部を形成すると図11Fのようになった。二酸化シリコン膜117のエッチングには、ウェットエッチング技術を用いた。次に、図11Gに示すように表面側には厚さ50nmのニッケル膜119と厚さ3μmのアルミニウム膜119の積層膜からなる電極を形成した。ニッケル膜、アルミニウム膜の形成にはスパッタ装置を用い、公知のリソグラフィ工程とウェットエッチング技術によりパターニングを施した。裏面には、スパッタ装置を用いて、厚さ100nmのニッケル膜121を形成し、裏面電極とした。最後に、ポリイミド樹脂からなる保護膜を形成したが、図9Fには図示していない。以上のように、本発明の製造方法により、本実施例のJBSダイオードを作製した。
なお、本実施例で用いた(0001)面の他、(000−1)面や(11−20)面の基板を用いてもよい。また、オフ角は4°に限らず、0〜8°程度であれば他の角度でも構わない。また、基板の直径や厚さは他の寸法でも構わない。これらの基板を用いても、本発明と同様の効果がもたらされる。
なお、本実施例で用いた(0001)面の他、(000−1)面や(11−20)面の基板を用いてもよい。また、オフ角は4°に限らず、0〜8°程度であれば他の角度でも構わない。また、基板の直径や厚さは他の寸法でも構わない。これらの基板を用いても、本発明と同様の効果がもたらされる。
なお、本実施例で用いた(0001)面の他、(000−1)面や(11−20)面の基板を用いてもよい。また、オフ角は4°に限らず、0〜8°程度であれば他の角度でも構わない。また、基板の直径や厚さは他の寸法でも構わない。これらの基板を用いても、本発明と同様の効果がもたらされる。
Claims (13)
- 炭化珪素単結晶基板の表面の金属汚染を除去する金属汚染除去工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記金属汚染除去工程が、
前記炭化珪素単結晶基板の表面を酸化することにより、前記炭化珪素単結晶基板の表面に二酸化シリコンを主成分とする膜を形成する薄膜形成工程と、
前記二酸化シリコンを主成分とする膜を除去する薄膜除去工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記薄膜形成工程における前記炭化珪素単結晶基板の表面の酸化は、前記炭化珪素単結晶基板の表面を酸素プラズマに晒すことによって行われ、
前記薄膜除去工程における前記炭化珪素単結晶基板に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜の除去は、前記炭化珪素単結晶基板を、フッ酸を含むエッチング液に浸漬することによって行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記薄膜形成工程の後に、前記炭化珪素単結晶基板の表面の酸化に用いた前記酸素プラズマ装置の反応室を、前記酸素プラズマ装置が有するクリーニング機構によりクリーニングする工程を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記二酸化シリコンを主成分とする膜の膜厚が、5nm未満であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記炭化珪素単結晶基板の表面の酸化が、熱酸化により行われ、
前記炭化珪素単結晶基板に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜の除去は、前記炭化珪素単結晶基板を、フッ酸を含むエッチング液に浸漬することによって行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記炭化珪素単結晶基板の表面の酸化が、オゾンを用いて行われ、
前記炭化珪素単結晶基板に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜の除去は、前記炭化珪素単結晶基板を、フッ酸を含むエッチング液に浸漬することによって行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記金属汚染除去工程が、前記炭化珪素単結晶基板の表面を研磨する工程の後に挿入されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属汚染除去工程が、前記炭化珪素単結晶基板の表面上に炭化珪素層をエピタキシャル成長する工程の前に挿入されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属汚染除去工程が、イオン注入した不純物を活性化するために前記炭化珪素単結晶基板を熱処理する工程の前に挿入されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属汚染除去工程が、前記炭化珪素単結晶基板の表面上にゲート絶縁膜を形成する工程の前に挿入されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属汚染除去工程が、前記炭化珪素単結晶基板の表面上に薄膜を形成する工程の前に挿入されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属汚染除去工程が、前記炭化珪素単結晶基板の表面上に形成された薄膜を化学機械研磨により研磨する工程の後に挿入されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属汚染除去工程が、前記炭化珪素単結晶基板または前記炭化珪素単結晶基板の表面上に形成された薄膜をドライエッチングにより加工する工程の後に挿入されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008034699A JP2009194216A (ja) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | 半導体装置の製造方法 |
US12/268,538 US8445352B2 (en) | 2008-02-15 | 2008-11-11 | Manufacturing method of semiconductor device |
US13/874,468 US9449814B2 (en) | 2008-02-15 | 2013-04-30 | Manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008034699A JP2009194216A (ja) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | 半導体装置の製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2012158519A Division JP5529217B2 (ja) | 2012-07-17 | 2012-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009194216A true JP2009194216A (ja) | 2009-08-27 |
Family
ID=40955510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008034699A Pending JP2009194216A (ja) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8445352B2 (ja) |
JP (1) | JP2009194216A (ja) |
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---|---|
US9449814B2 (en) | 2016-09-20 |
US8445352B2 (en) | 2013-05-21 |
US20130244407A1 (en) | 2013-09-19 |
US20090209090A1 (en) | 2009-08-20 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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