JP2016058498A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、n型SiC基板1と、n-型SiC層2と、n-型SiC層2の表面層に選択的に形成されたp型領域3と、p型領域3内に形成されたn+型ソース領域4と、p型領域21内に形成されたp+型領域22と、p+型領域22に電気的に接続するソース電極23と、n+型ソース領域4からp型領域21の上に形成されたゲート絶縁膜24と、ゲート絶縁膜24上のゲート電極25と、n型SiC基板1の裏面側のドレイン電極9を備える。n-型SiC層2と、ゲート電極25下のn-型SiC層2内に形成されたp型領域21と、p型領域21の表面に形成されたp+型領域22とによってPNダイオードが形成され、ソース電極8につながる金属電極23と、金属電極23の表面をゲート絶縁膜24によって電気的に分離しゲート電極7につながるゲート金属電極25とを備える。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかるMOSFETの断面図である。なお、平面図は、図10と同様であり、図10のA−A線断面図が図1である。活性領域MOSFETの形成は上述した図9および図12に示したように従来と同様に形成される。そして、この実施の形態1では、ゲートパッド下にPNダイオードを形成する。
図2は、本発明の実施の形態2にかかるMOSFETの断面図である。実施の形態2において、実施の形態1と異なるのはゲートパッド25下に形成するPNダイオードの表面電極(ソース電極23)をMOSFETの活性領域のバリアメタルと共用している点である。
図3は、本発明の実施の形態3にかかるMOSFETの断面図である。この実施の形態3が実施の形態1と異なるのはゲートパッド25下のn-型SiC層2表面を掘り下げている点である。これにより、p型領域21の抵抗を低減し、PNダイオードのVfをより低減することが可能になる。また、実施の形態1と同様、ゲートパッド25下を内蔵PNダイオードとして有効に動作させることでMOSFETの特性に影響を与えることなく、内蔵ダイオードのVf低減が可能である。
図4は、本発明の実施の形態4にかかるMOSFETの断面図である。MOSFET活性部は、上述した図9又は図12に示したように従来同様に形成される。そして、本実施の形態4では、ゲートパッド25下にSBD(Schottky Barrier Diode)を形成する。
図5は、本発明の実施の形態5にかかるMOSFETの断面図である。この実施の形態5が実施の形態4と異なるのはゲートパッド25下のn-型SiC層2表面を掘り下げている点である。これによりSBDの動作におけるn-型SiC層2の抵抗を低減し、SBDのVfをより低減することが可能になる。また、実施の形態4と同様、ゲートパッド25下にSBDを形成しているため、MOSFETの特性に影響を与えることなく、内蔵ダイオードのVf低減が可能である。
図6は、本発明の実施の形態6にかかるMOSFETの断面図である。MOSFET活性部は、図9又は図12に示す従来と同様に形成される。そして、本実施の形態6では、ゲートパッド25下にSBDとPNダイオードを形成する。
図8は、本発明の実施の形態7にかかるMOSFETの断面図である。実施の形態8で実施の形態7と異なるのは、ゲートパッド25下のn-型SiC層2表面を掘り下げている点である。これにより、SBDでは動作におけるn型SiC層2の抵抗を低減することによりSBDのVfをより低減でき、PNダイオードではp型領域26の抵抗を低減することによりPNダイオードのVfをより低減することが可能になる。また、実施の形態4と同様、ゲートパッド25下にSBDを形成しているため、MOSFETの特性に影響を与えることなく、内蔵ダイオードのVf低減が可能である。
2 n-型炭化珪素層
3 p型領域
4 n+型ソース領域
5 p+型コンタクト領域
6 ゲート絶縁膜
7 ゲート電極
8 ソース電極
9 ドレイン電極
10 p型ベース領域
11 p型炭化珪素層
12 n型領域
13 絶縁膜
14 層間絶縁膜
21 p型領域
22 p+型コンタクト領域
23 ソース電極
24 層間絶縁膜
25 ゲート金属電極
26 p型領域
27 p+型コンタクト領域
Claims (6)
- 第1導電型炭化珪素基板と、前記第1導電型炭化珪素基板表面に形成された低濃度の第1導電型炭化珪素層と、前記第1導電型炭化珪素層の表面層に選択的に形成された第2導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域内に形成された第1導電型ソース領域と、前記第1半導体領域内に形成された高濃度の第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域及び前記第1導電型ソース領域に電気的に接続するソース電極と、前記第1導電型ソース領域から前記第1半導体領域を経由して前記第1導電型炭化珪素層に至る領域の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記第1導電型炭化珪素基板の裏面側にドレイン電極を備えた半導体装置において、
前記第2半導体領域の表面に前記ソース電極につながるよう形成された金属電極と、
前記金属電極の表面を層間絶縁膜によって電気的に分離し前記ゲート電極につながるゲート金属電極と、
前記第1導電型炭化珪素層と、前記ゲート金属電極下の第1導電型炭化珪素層内に形成された第2導電型の第3半導体領域と、前記第1半導体領域の表面に形成された前記第2半導体領域とによって形成されるPNダイオードと、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型炭化珪素基板と、前記第1導電型炭化珪素基板表面に形成された低濃度の第1導電型炭化珪素層と、前記第1導電型炭化珪素層の表面層に選択的に形成された第2導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域内に形成された第1導電型ソース領域と、前記第1半導体領域内に形成された高濃度の第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域及び前記第1導電型ソース領域に電気的に接続するソース電極と、前記第1導電型ソース領域から前記第1半導体領域を経由して前記第1導電型炭化珪素層に至る領域の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記第1導電型炭化珪素基板の裏面側にドレイン電極を備えた半導体装置において、
ゲート金属電極下の前記第1導電型炭化珪素層内に複数形成された第2導電型の第3半導体領域と、前記第3半導体領域の表面に前記ソース電極につながるよう形成された金属電極とによって形成されるJBS構造のSBDを有し、
前記ゲート金属電極は、前記金属電極の表面を層間絶縁膜によって電気的に分離し前記ゲート電極につながる
ことを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型炭化珪素基板と、前記第1導電型炭化珪素基板表面に形成された低濃度の第1導電型炭化珪素層と、前記第1導電型炭化珪素層の表面層に選択的に形成された第2導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域内に形成された第1導電型ソース領域と、前記第1半導体領域内に形成された高濃度の第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域及び前記第1導電型ソース領域に電気的に接続するソース電極と、前記第1導電型ソース領域から前記第1半導体領域を経由して前記第1導電型炭化珪素層に至る領域の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記第1導電型炭化珪素基板の裏面側にドレイン電極を備えた半導体装置において、
ゲート金属電極下の前記第1導電型炭化珪素層内に複数形成された第2導電型の第3半導体領域と、前記第3半導体領域の表面に前記ソース電極につながるよう形成された金属電極とによって形成されるJBS構造のSBDと、
前記第1導電型炭化珪素層と、前記第1導電型炭化珪素層内に形成された第1導電型半導体領域と、前記第1導電型半導体領域の表面に形成された前記第2半導体領域とによって形成されるPNダイオードとを有し、
前記ゲート金属電極は、前記SBDと前記PNダイオードとを並列に接続し、前記PNダイオードの金属電極の表面を前記ゲート絶縁膜で電気的に分離し、前記ゲート電極につながる、
ことを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型炭化珪素基板と、前記第1導電型炭化珪素基板表面に形成された低濃度の第1導電型炭化珪素層と、前記第1導電型炭化珪素層の表面層に選択的に形成された第2導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域内に形成された第1導電型ソース領域と、前記第1半導体領域内に形成された高濃度の第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域及び前記第1導電型ソース領域に電気的に接続するソース電極と、前記第1導電型ソース領域から前記第1半導体領域を経由して前記第1導電型炭化珪素層に至る領域の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記第1導電型炭化珪素基板の裏面側にドレイン電極を備えた半導体装置の製造方法において、
ゲート金属電極を設ける配置位置下の前記第1導電型炭化珪素層内に前記第1半導体領域を形成し、前記第1半導体領域の表面に前記第2半導体領域を形成することでPNダイオードを形成し、
表面に前記ソース電極につながるよう金属電極を形成し、前記金属電極の表面を層間絶縁膜によって電気的に分離し前記ゲート電極につながる前記ゲート金属電極を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1導電型炭化珪素基板と、前記第1導電型炭化珪素基板表面に形成された低濃度の第1導電型炭化珪素層と、前記第1導電型炭化珪素層の表面層に選択的に形成された第2導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域内に形成された第1導電型ソース領域と、前記第1半導体領域内に形成された高濃度の第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域及び前記第1導電型ソース領域に電気的に接続するソース電極と、前記第1導電型ソース領域から前記第1半導体領域を経由して前記第1導電型炭化珪素層に至る領域の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記第1導電型炭化珪素基板の裏面側にドレイン電極を備えた半導体装置の製造方法において、
ゲート金属電極を設ける配置位置下の前記第1導電型炭化珪素層内に第2導電型の第3半導体領域を複数形成し、前記第3半導体領域の表面に前記ソース電極につながるよう金属電極を形成することによりJBS構造のSBDを形成し、
前記金属電極の表面を層間絶縁膜によって電気的に分離し前記ゲート電極につながる前記ゲート金属電極を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1導電型炭化珪素基板と、前記第1導電型炭化珪素基板表面に形成された低濃度の第1導電型炭化珪素層と、前記第1導電型炭化珪素層の表面層に選択的に形成された第2導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域内に形成された第1導電型ソース領域と、前記第1半導体領域内に形成された高濃度の第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域及び前記第1導電型ソース領域に電気的に接続するソース電極と、前記第1導電型ソース領域から前記第1半導体領域を経由して前記第1導電型炭化珪素層に至る領域の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記第1導電型炭化珪素基板の裏面側にドレイン電極を備えた半導体装置の製造方法において、
ゲート金属電極を設ける配置位置下の前記第1導電型炭化珪素層内に第2導電型の第3半導体領域を複数形成し、前記第3半導体領域の表面に前記ソース電極につながるよう金属電極を形成することによりJBS構造のSBDを形成し、
第1導電型炭化珪素層内に第1導電型半導体領域を形成し、前記第1導電型半導体領域の表面に前記第2半導体領域を形成することによってPNダイオードを形成し、
前記SBDと前記PNダイオードとを並列に接続し、前記PNダイオードの金属電極の表面を層間絶縁膜で電気的に分離し、前記ゲート電極につながる前記ゲート金属電極を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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