JP2013021240A - ダイオードおよび半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本明細書は、カソード電極と、第1導電型の半導体からなるカソード領域と、低濃度の第1導電型の半導体からなるドリフト領域と、第2導電型の半導体からなるアノード領域と、アノード電極を備えるダイオードを開示する。そのダイオードは、ドリフト領域とアノード領域の間に形成された、ドリフト領域よりも濃度が高い第1導電型の半導体からなるバリア領域と、アノード電極と接触するように形成された、第1導電型の半導体からなるコンタクト領域と、コンタクト領域とバリア領域の間のアノード領域に対して絶縁膜を挟んで対向する制御電極を備えている。そのダイオードでは、制御電極に電圧が印加されると、コンタクト領域とバリア領域の間のアノード領域に第1導電型のチャネルが形成される。
【選択図】 図1
Description
図1に示すように、本実施例のダイオード2は、シリコンの半導体基板4を用いて形成されている。半導体基板4には、高濃度n型半導体領域であるn+カソード領域6と、n型半導体領域であるnバッファ領域8と、低濃度n型半導体領域であるn−ドリフト領域10と、n型半導体領域であるnバリア領域12と、p型半導体領域であるpアノード領域14が順に積層されている。本実施例では、n型半導体領域には不純物として例えばリンが添加されており、p型半導体領域には不純物として例えばボロンが添加されている。本実施例では、n+カソード領域の不純物濃度は1×1017〜5×1020[cm-3]程度であり、nバッファ領域8の不純物濃度は1×1016〜1×1019[cm-3]程度であり、n−ドリフト領域10の不純物濃度は1×1012〜1×1015[cm-3]程度であり、nバリア領域12の不純物濃度は1×1015〜1×1018[cm-3]程度であり、pアノード領域14の不純物濃度は1×1016〜1×1019[cm-3]程度である。また、nバリア領域12の縦幅は0.5〜3.0[μm]程度である。半導体基板4の上側には、複数のトレンチ16が所定の間隔で形成されている。それぞれのトレンチ16は、pアノード領域14の上側表面からnバリア領域12の内部まで達している。トレンチ16の内部には、絶縁膜18を介してトレンチ電極20が充填されている。pアノード領域14の上側表面において、トレンチ16に隣接する箇所には、高濃度n型半導体領域であるn+コンタクト領域22が形成されている。また、pアノード領域14の上側表面の他の箇所には、高濃度p型半導体領域であるp+コンタクト領域24が形成されている。本実施例においては、n+コンタクト領域22の不純物濃度は1×1017〜1×1020[cm-3]程度であり、p+コンタクト領域24の不純物濃度は1×1017〜1×1020[cm-3]程度である。
図2に示すように、本実施例のダイオード32は、シリコンの半導体基板34を用いて形成されている。半導体基板34には、高濃度n型半導体領域であるn+カソード領域6と、n型半導体領域であるnバッファ領域8と、低濃度n型半導体領域であるn−ドリフト領域10と、p型半導体領域であるp電界進展防止領域36と、n型半導体領域であるnバリア領域12と、p型半導体領域であるpアノード領域14が順に積層されている。本実施例では、p電界進展防止領域36の不純物濃度は1×1015〜1×1019[cm-3]程度である。半導体基板34の上側には、複数のトレンチ16が所定の間隔で形成されている。それぞれのトレンチ16は、pアノード領域14の上側表面からnバリア領域12の内部まで達している。トレンチ16の内部には、絶縁膜18を介してトレンチ電極20が充填されている。pアノード領域14の上側表面において、トレンチ16に隣接する箇所には、高濃度n型半導体領域であるn+コンタクト領域22が形成されている。また、pアノード領域14の上側表面において、隣接するn+コンタクト領域22の間には、高濃度p型半導体領域であるp+コンタクト領域24が形成されている。
図3に示すように、本実施例のダイオード42は、実施例2のダイオード32とほぼ同様の構成を備えている。本実施例のダイオード42では、それぞれのトレンチ16が、pアノード領域14の上側表面からnバリア領域12を貫通してp電界進展防止領域36の内部まで達している。
図4に示すように、本実施例のダイオード52は、実施例3のダイオード42とほぼ同様の構成を備えている。本実施例のダイオード52では、それぞれのトレンチ電極20とアノード電極28の間に層間絶縁膜54が形成されており、トレンチ電極20とアノード電極28は絶縁されている。それぞれのトレンチ電極20は図示しない制御電極端子に導通している。
図5に示すように、本実施例の半導体装置102は、シリコンの半導体基板104を用いて形成されている。半導体装置102は、IGBT領域106と、ダイオード領域108を備えている。IGBT領域106において、半導体基板104は、高濃度p型半導体領域であるp+コレクタ領域110と、n型半導体領域であるnバッファ領域112と、低濃度n型半導体領域であるn−ドリフト領域114と、p型半導体領域であるp電界進展防止領域116と、n型半導体領域であるnバリア領域118と、p型半導体領域であるpボディ領域120が順に積層されている。ダイオード領域108において、半導体基板104は、高濃度n型半導体領域であるn+カソード領域122と、nバッファ領域112と、n−ドリフト領域114と、p電界進展防止領域116と、nバリア領域118と、p型半導体領域であるpアノード領域124が順に積層されている。半導体基板4の上側には、複数の第1トレンチ126が所定の間隔で形成されている。また、隣接する第1トレンチ126の間には、第2トレンチ128が形成されている。
図6に示すように、本実施例の半導体装置172は、実施例5の半導体装置102とほぼ同様の構成を備えている。本実施例の半導体装置172では、IGBT領域106とダイオード領域108のそれぞれの第2トレンチ128が、nバリア領域118を貫通してp電界進展防止領域116の内部まで達している。本実施例の半導体装置172も、実施例5の半導体装置102と同様に、ダイオード領域108の逆回復特性を向上し、スイッチング損失を改善することが出来る。また、IGBT領域106の寄生ダイオードについても、逆回復特性を向上し、スイッチング損失を改善することが出来る。さらに、逆バイアスに対する耐圧を向上することが出来る。加えて、IGBT領域106の飽和電流を低減することが出来る。
図7に示すように、本実施例の半導体装置182は、実施例6の半導体装置172とほぼ同様の構成を備えている。本実施例の半導体装置182では、IGBT領域106において第2トレンチ電極136とエミッタ/アノード電極158の間に層間絶縁膜184が形成されており、ダイオード領域108において第2トレンチ電極150とエミッタ/アノード電極158の間に層間絶縁膜186が形成されている。第2トレンチ電極136および第2トレンチ電極150は、図示しない第3制御電極端子に導通している。
図8に示すように、本実施例の半導体装置202は、シリコンの半導体基板204を用いて形成されている。半導体装置202は、IGBT領域206と、ダイオード領域208を備えている。半導体基板204は、n型半導体領域であるnバッファ領域112と、低濃度n型半導体領域であるn−ドリフト領域114が順に積層されている。
図9に示すように、本実施例の半導体装置272は、実施例8の半導体装置202とほぼ同様の構成を備えている。本実施例の半導体装置272では、IGBT領域206のトレンチ216がnバリア領域212を貫通してp電界進展防止領域210の内部まで達しており、ダイオード領域208のトレンチ234が、nバリア領域230を貫通してp電界進展防止領域228の内部まで達している。本実施例の半導体装置272も、実施例8の半導体装置202と同様に、ダイオード領域208の逆回復特性を向上し、スイッチング損失を改善することが出来る。また、IGBT領域206の寄生ダイオードについても、逆回復特性を向上し、スイッチング損失を改善することが出来る。さらに、逆バイアスに対する耐圧を向上することが出来る。加えて、IGBT領域206の飽和電流を低減することが出来る。
図10に示すように、本実施例の半導体装置282は、実施例9の半導体装置272とほぼ同様の構成を備えている。本実施例の半導体装置282では、IGBT領域206においてトレンチ電極220とエミッタ/アノード電極158の間に層間絶縁膜284が形成されており、ダイオード領域208においてトレンチ電極238とエミッタ/アノード電極158の間に層間絶縁膜286が形成されている。トレンチ電極220およびトレンチ電極238は、図示しない第1制御電極端子に導通している。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
Claims (4)
- カソード電極と、第1導電型の半導体からなるカソード領域と、低濃度の第1導電型の半導体からなるドリフト領域と、第2導電型の半導体からなるアノード領域と、アノード電極を備えるダイオードであって、
前記ドリフト領域と前記アノード領域の間に形成された、前記ドリフト領域よりも濃度が高い第1導電型の半導体からなるバリア領域と、
前記アノード電極と接触するように形成された、第1導電型の半導体からなるコンタクト領域と、
前記コンタクト領域と前記バリア領域の間の前記アノード領域に対して絶縁膜を挟んで対向する制御電極を備えており、
前記制御電極に電圧が印加されると、前記コンタクト領域と前記バリア領域の間の前記アノード領域に第1導電型のチャネルが形成されることを特徴とするダイオード。 - 前記バリア領域と前記ドリフト領域の間に形成された、第2導電型の半導体からなる電界進展防止領域をさらに備えることを特徴とする請求項1のダイオード。
- 請求項1または2のダイオードとIGBTが一体化された半導体装置であって、
前記IGBTが、コレクタ電極と、第2導電型の半導体からなるコレクタ領域と、前記ドリフト領域から連続しており、低濃度の第1導電型の半導体からなる第2ドリフト領域と、第2導電型の半導体からなるボディ領域と、第1導電型の半導体からなるエミッタ領域と、エミッタ電極と、前記エミッタ領域と前記第2ドリフト領域の間の前記ボディ領域に対して絶縁膜を挟んで対向する第2制御電極を備えており、
前記IGBTが、前記第2ドリフト領域と前記ボディ領域の間に形成された、前記第2ドリフト領域よりも濃度が高い第1導電型の半導体からなる第2バリア領域と、前記エミッタ電極と接触するように形成された、第1導電型の半導体からなる第2コンタクト領域と、前記第2コンタクト領域と前記第2バリア領域の間の前記エミッタ領域に対して絶縁膜を挟んで対向する第3制御電極を備えており、
前記第3制御電極に電圧が印加されると、前記第2コンタクト領域と前記第2バリア領域の間の前記エミッタ領域に第1導電型の第2チャネルが形成されることを特徴とする半導体装置。 - 前記IGBTが、前記第2バリア領域と前記第2ドリフト領域の間に形成された、第2導電型の半導体からなる第2電界進展防止領域をさらに備えることを特徴とする請求項3の半導体装置。
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