JP2005223292A - 半導体熱処理用治具の高純度化方法 - Google Patents
半導体熱処理用治具の高純度化方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 基材表面にCVD法により炭化ケイ素膜が被覆された半導体熱処理用治具、あるいはCVD法による炭化ケイ素膜からなる半導体熱処理用治具に対して、高温酸化熱処理を施して炭化ケイ素膜表面に酸化膜を形成した後、該酸化膜を洗浄処理により除去する。これにより、不純物汚染の少ない半導体用熱処理治具を得ることができ、熱処理時に半導体用熱処理治具からウェーハ表面へのFe汚染を抑制することができる。
【選択図】 図1
Description
2 枠部材
3 ウェーハ支持部材
4 ウェーハ挿入溝
Claims (4)
- 基材表面にCVD法により炭化ケイ素膜が被覆された半導体熱処理用治具、あるいはCVD法による炭化ケイ素膜からなる半導体熱処理用治具に対して、高温酸化熱処理を施して炭化ケイ素膜表面に酸化膜を形成した後、該酸化膜を除去することを特徴とする半導体熱処理用治具の高純度化方法。
- 前記高温熱処理により少なくとも前記炭化ケイ素表面が0.1μm以上エッチングされることを特徴とする請求項1記載の半導体熱処理用治具の高純度化方法。
- 前記高温酸化熱処理が酸化雰囲気中で1150℃〜1350℃の温度範囲で5時間以上の熱処理であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体熱処理用治具の高純度化方法。
- 前記酸化膜は洗浄処理により除去されることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載の半導体熱処理用治具の高純度化方法。
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