JP2015216266A - 基台をクリーニングする方法、半導体ウエハの熱処理方法、及び固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱処理を行う装置における処理対象物を支持するための基台をクリーニングする方法であって、前記基台は炭化ケイ素を含み、前記方法は、酸化膜を有する基台を準備する第1工程と、第1工程の後に、水蒸気を含むガス雰囲気の下で基台を熱処理する第2工程と、を有する。
【選択図】図1
Description
図1は、第1実施形態に係る基台STのクリーニング方法の例を説明するためのフローチャートである。本実施形態に係るクリーニング方法は、ステップS101〜S103の工程を含む。なお、以下では、ステップS101等を単に「S101」等と示す。
図4を参照しながら第2実施形態を述べる。本実施形態では、主に、水蒸気熱処理(S103)のみを行っている点で、前述の第1実施形態と異なる。即ち、何らかの理由で基台STの簡易なクリーニングを行う場合には、S101の洗浄処理やS102の酸素熱処理を省略してもよい。該理由としては、例えば、基台STに付着している不純物3が比較的少ないことや、基台STの表面に酸化膜2が予め形成されていること等が挙げられる。
第1、第2実施形態におけるクリーニングは、例えば半年ごと等、所定の周期で為されてもよいし、定期的に行う処理装置の検査の結果が所定の基準を満たさなかった場合に為されてもよい。例えば、6か月以上12カ月以下程度である。また、処理装置の修理等を行った場合には、Fe等の金属の他、有機物等の不純物が基台に付着する虞があるため、該修理の後に本クリーニングを行うことが望ましい。
Claims (13)
- 熱処理を行う装置における処理対象物を支持するための基台をクリーニングする方法であって、
前記基台は炭化ケイ素を含み、
前記方法は、
酸化膜を有する前記基台を準備する第1工程と、
前記第1工程の後に、水蒸気を含むガス雰囲気の下で前記基台を熱処理する第2工程と、を有する
ことを特徴とする方法。 - 前記第2工程を、1000℃以上の温度条件の下で行う
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記第2工程を、前記水蒸気の流量が5[slm]以上、且つ、熱処理時間が10時間以上の条件の下で行う
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の方法。 - 前記第1工程において、前記酸化膜は酸素を含むガス雰囲気の下で前記基台を熱処理することで形成されている
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法。 - 前記第1工程を、1000℃以上の温度条件の下で行う
ことを特徴とする請求項4に記載の方法。 - 前記第1工程を、前記酸素の流量が10[slm]以上、且つ、熱処理時間が10時間以上行う
ことを特徴とする請求項4または請求項5に記載の方法。 - 前記第1工程、及び前記第2工程は、前記熱処理を行う装置とは異なる他の熱処理を行う装置にて行われる ことを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1工程、及び前記第2工程の前に、前記熱処理を行う装置に前記基台を設置する第3工程を行う
ことを特徴とする請求項4乃至7のいずれか1項に記載の方法。 - 前記第1工程の前に、洗浄液を用いて前記基台を洗浄する第4工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の方法。 - 前記第3工程の前に、洗浄液を用いて前記基台を洗浄する第4工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 前記第4工程では、前記洗浄液としてフッ酸を用いる
ことを特徴とする請求項9または請求項10に記載の方法。 - 半導体ウエハの熱処理方法であって、
請求項1乃至11のいずれか1項に記載の方法で前記基台をクリーニングする工程と、
前記基台に半導体ウエハを載せて該半導体ウエハを熱処理する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体ウエハの熱処理方法。 - 請求項12に記載の方法で前記半導体ウエハを熱処理する工程と、
前記半導体ウエハに、光電変換素子を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
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