JP2014165311A - エピタキシャル成長装置の汚染検出方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】先ず、汚染評価用のエピタキシャルウェーハ(サンプルウェーハ)の基板となるシリコンウェーハを準備し(S1)、シリコンウェーハを評価対象のエピタキシャル成長装置の反応炉に搬入する(S2)。次に、水素雰囲気でシリコンウェーハを熱処理する(S3)。次に、原料ガス、キャリアガスを反応炉内に流して、製品のエピタキシャルウェーハを製造する時よりも高温のエピタキシャル成長温度でシリコンウェーハ上にエピタキシャル膜を成長させ(S4)、汚染評価用のエピタキシャルウェーハを作製する。次に、反応炉内から、作製した汚染評価用のエピタキシャルウェーハを搬出し(S5)、搬出したエピタキシャルウェーハのライフタイム値を測定する(S6)。次に、測定したライフタイム値から評価対象のエピタキシャル成長装置の汚染度を評価する(S7)。
【選択図】図2
Description
先ず、シリコンウェーハとして、直径が200mm、結晶方位<100>、抵抗率が10Ωcm、厚みが725μmのP型シリコンウェーハを多数準備した。次に、評価対象の気相成長装置を二台準備し、それぞれ大気開放していわゆるメンテナンス作業を行った。その際、一台は大気解放直後直ちにメンテナンス作業を行い(以下、通常メンテナンスと呼ぶ)、もう一台は大気解放したまま一日放置し、その後メンテナンス作業を行った(以下、一日開放後メンテナンスと呼ぶ)。
次に、比較例として、従来のように製品製造時と同じ反応温度でエピタキシャル膜を成膜し、汚染評価用のエピタキシャルウェーハを作製する例を説明する。図4は、従来(比較例)における気相成長装置の汚染評価方法の概略の一例を示したフローチャートである。なお、図4において、図2と同じ工程には同一符号を付している。図4の方法では、S4’の工程(サンプル製造工程)が図2のS4の工程と異なっており、それ以外の工程は図2と同じである。
12 反応炉
17 サセプタ
24、25 ヒーター
Claims (4)
- ウェーハ上にエピタキシャル膜を成長させるエピタキシャル成長装置の汚染を検出する方法であって、
前記エピタキシャル成長装置を用いて、製品のエピタキシャルウェーハを製造する時よりも高温のエピタキシャル成長温度でウェーハ上にエピタキシャル膜を成長させてサンプルウェーハを製造するサンプル製造工程と、
そのサンプル製造工程で製造されたサンプルウェーハの汚染度を前記エピタキシャル成長装置の汚染度として測定する測定工程と、
を含むことを特徴とするエピタキシャル成長装置の汚染検出方法。 - 前記測定工程では、前記サンプルウェーハのライムタイム値を前記エピタキシャル成長装置の汚染度として測定することを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル成長装置の汚染検出方法。
- 前記サンプル製造工程では、製品のエピタキシャルウェーハを製造する時よりも10℃以上高温でかつ1190℃以下のエピタキシャル成長温度で前記サンプルウェーハを製造することを特徴とする請求項2に記載のエピタキシャル成長装置の汚染検出方法。
- 請求項1ないし3のいずれか1項に記載のエピタキシャル成長装置の汚染検出方法により検出される汚染度が基準値を下回るように管理されたエピタキシャル成長装置を用いてエピタキシャルウェーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
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