JP2009182233A - アニールウェーハの洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】アニールウェーハの熱処理後の洗浄による表面粗さの悪化を防止することで、該アニールウェーハに薄い酸化膜を形成した場合であっても、表面粗さに基づく酸化膜耐圧の劣化のないアニールウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハを熱処理したアニールウェーハの洗浄方法において、少なくとも、前記シリコン単結晶ウェーハ表面の前記熱処理後に形成された自然酸化膜を除去した後、RCA洗浄を行うことを特徴とするアニールウェーハの洗浄方法を提供する。
【選択図】図1
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハを熱処理したアニールウェーハの洗浄方法において、少なくとも、前記シリコン単結晶ウェーハ表面の前記熱処理後に形成された自然酸化膜を除去した後、RCA洗浄を行うことを特徴とするアニールウェーハの洗浄方法を提供する。
【選択図】図1
Description
本発明は、酸化膜を形成する前にアニールウェーハ表面を平坦にする洗浄方法および酸化膜耐圧の評価方法に関する。
半導体デバイスの製造における工程としては、多様な工程があるが、たとえばシリコン単結晶ウェーハの熱処理後に、洗浄する工程がある。このような洗浄工程は、粒子状汚染物、有機物、金属を除去するために行われるが、除去しない場合にはこれらの汚染物は後続の処理に悪影響を及ぼす。特に洗浄が不十分であると、たとえばゲート酸化膜の特性、さらにはデバイス全体の特性に悪影響を及ぼす。
半導体デバイス製造におけるウェーハの洗浄方法としては、RCA洗浄が幅広く用いられている。RCA洗浄とは、まずアンモニア水と過酸化水素の混合溶液(SC1溶液)によりウェーハ表面に付着している有機物の除去を行う。その後純水リンスを行い塩酸水と過酸化水素水の混合溶液(SC2溶液)により、金属不純物を溶解、除去し、さらに純水リンスを行い最後に乾燥を行うというものである。
この方法によれば、SC1溶液により有機物の除去および金属不純物の酸化を行い、SC1溶液により除去できなった金属不純物を、その後のSC2溶液により除去できる。またオプションとして、SC1溶液による処理とSC2溶液による処理の間に、フッ酸処理を行い、SC1溶液処理で形成される化学酸化膜中に取り込まれた不純物を、化学酸化膜とともに溶解、除去する場合もある。
ここで、最近のCMOS等では、ゲート酸化膜の厚さが数nmと酸化膜の厚さを極めて薄くすることが求められている。このような薄い酸化膜では、ウェーハ表面の凹凸が酸化膜形成後にも酸化膜の凹凸として相似的に伝達される。このため、従来の25nmの酸化膜厚さ(SEMI規格)のウェーハでGOI評価の測定を行った場合検出されなかったGOIの劣化が、上記のような薄いゲート酸化膜では検出される。GOIはウェーハ表面の平坦性が高いほど均一性が向上するため、ウェーハ表面はできるだけ平坦にしなければならない(特許文献1参照)。
しかし、アニールウェーハの熱処理後に上述のRCA洗浄を行った場合に、アニールウェーハの表面が荒れ、薄いゲート酸化膜を形成してGOI評価の測定を行った場合、エピタキシャルウェーハ等に薄いゲート酸化膜を形成したものよりも、GOIが劣るという問題があった。
そこで本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、アニールウェーハの熱処理後の洗浄による表面粗さの悪化を防止することで、該アニールウェーハに薄い酸化膜を形成した場合であっても、表面粗さに基づく酸化膜耐圧の劣化のないアニールウェーハの洗浄方法を提供する。
上記目的を達成するために、本発明は、シリコン単結晶ウェーハを熱処理したアニールウェーハの洗浄方法において、少なくとも、前記シリコン単結晶ウェーハ表面の前記熱処理後に形成された自然酸化膜を除去した後、RCA洗浄を行うことを特徴とするアニールウェーハの洗浄方法を提供する(請求項1)。
このようなアニールウェーハの洗浄方法であれば、RCA洗浄前にウェーハ表面の不均一な自然酸化膜を除去することができる。これにより、アニールウェーハをRCA洗浄する際の不均一な自然酸化膜によるエッチングむらを防止することができ、アニールウェーハの表面粗さを悪化させないように洗浄することができる。
また、本発明の洗浄方法によりアニールウェーハを洗浄することで、表面の平坦度が高いまま維持されるため、薄いゲート酸化膜を形成した場合でも、表面粗さに基づく酸化膜耐圧の劣化がほとんどないアニールウェーハとすることができる。
また、本発明の洗浄方法によりアニールウェーハを洗浄することで、表面の平坦度が高いまま維持されるため、薄いゲート酸化膜を形成した場合でも、表面粗さに基づく酸化膜耐圧の劣化がほとんどないアニールウェーハとすることができる。
このとき、前記自然酸化膜を除去する方法を、フッ酸で洗浄することにより除去することが好ましい(請求項2)。
フッ酸であれば、アニールウェーハ表面全体の自然酸化膜を、比較的容易にかつ確実に除去することができ、また、除去する際のシリコンへのエッチングがほとんどないため、アニールウェーハの表面粗さの悪化も防ぐことができる。
フッ酸であれば、アニールウェーハ表面全体の自然酸化膜を、比較的容易にかつ確実に除去することができ、また、除去する際のシリコンへのエッチングがほとんどないため、アニールウェーハの表面粗さの悪化も防ぐことができる。
本発明のアニールウェーハの洗浄方法によれば、該洗浄されたアニールウェーハ表面の表面粗さがRa<0.11nmであるアニールウェーハとすることができる(請求項3)。
本発明の洗浄方法であれば、洗浄の際のエッチングむらによるアニールウェーハの表面粗さの悪化が防止できるため、洗浄後の表面粗さがRa<0.11nmである表面が平坦なアニールウェーハとすることができる。また、表面粗さがRa<0.11nmのアニールウェーハであれば、表面粗さに基づく酸化膜耐圧の劣化のないゲート酸化膜を形成することができる。
本発明の洗浄方法であれば、洗浄の際のエッチングむらによるアニールウェーハの表面粗さの悪化が防止できるため、洗浄後の表面粗さがRa<0.11nmである表面が平坦なアニールウェーハとすることができる。また、表面粗さがRa<0.11nmのアニールウェーハであれば、表面粗さに基づく酸化膜耐圧の劣化のないゲート酸化膜を形成することができる。
また、本発明のアニールウェーハの洗浄方法により洗浄された前記アニールウェーハ表面に8nm以下のゲート酸化膜を形成して、該酸化膜の酸化膜耐圧を評価することができる(請求項4)。
本発明の洗浄方法により洗浄されたアニールウェーハであれば、アニールウェーハ表面の平坦度が高いため、8nm以下の薄いゲート酸化膜を形成して酸化膜耐圧を評価した場合でも表面粗さに基づく劣化はほとんどないので、結晶起因等の酸化膜耐圧を正確に測定評価することができる。
本発明の洗浄方法により洗浄されたアニールウェーハであれば、アニールウェーハ表面の平坦度が高いため、8nm以下の薄いゲート酸化膜を形成して酸化膜耐圧を評価した場合でも表面粗さに基づく劣化はほとんどないので、結晶起因等の酸化膜耐圧を正確に測定評価することができる。
以上のように、本発明のアニールウェーハの洗浄方法によれば、熱処理後にアニールウェーハ表面に不均一に形成される自然酸化膜をRCA洗浄前に除去できる。これにより、RCA洗浄時のエッチングむらを防止することができ、アニールウェーハ表面の平坦度が高いまま維持されるため、薄いゲート酸化膜を形成した場合でも表面粗さに基づく酸化膜耐圧の劣化のないアニールウェーハとすることができる。従って、例えゲート酸化膜の厚さが薄くても、アニールウェーハの正確な酸化膜耐圧の評価ができる。
アニールウェーハに薄いゲート酸化膜を形成した場合に、酸化膜耐圧の劣化が確認されるという問題があったため、発明者らはこの原因について鋭意調査を行った。
図2は従来の熱処理後の洗浄工程の一例を示すフロー図である。
図2は従来の熱処理後の洗浄工程の一例を示すフロー図である。
まず、直接200mmの窒素ドープシリコン単結晶アニールウェーハ、全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハ、エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハに5nmのゲート酸化膜を形成し、酸化膜耐圧であるTDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)特性を評価した結果、窒素ドープシリコン単結晶アニールウェーハは全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハ、エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハに比べて絶縁破壊に至る電荷量(Qbd)が低い結果となった。このときのそれぞれのウェーハについて表面粗さを比較すると窒素ドープシリコン単結晶アニールウェーハはRa値が大きい結果となっていた。
そこで、この窒素ドープシリコン単結晶アニールウェーハの表面を0.3μm研磨してからTDDB特性の評価をすると、全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハ、エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハと同程度のQbd値まで改善し、このときの表面粗さも全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハ、エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハと同程度のRa値となっていた。
従って、発明者らは、窒素ドープシリコン単結晶アニールウェーハのQbd値が低かったのは、ウェーハの結晶性の問題ではなくゲート酸化膜形成前の表面粗さの問題であると考えた。
従って、発明者らは、窒素ドープシリコン単結晶アニールウェーハのQbd値が低かったのは、ウェーハの結晶性の問題ではなくゲート酸化膜形成前の表面粗さの問題であると考えた。
次に、直径200mmの窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハと全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハの両方にアニール前洗浄工程を行い、1200℃で1時間のアニール工程後、アニール後洗浄工程を行った。その際、それぞれの工程の後にウェーハの表面粗さ測定(AFM(Ra))と5nmのゲート酸化膜を形成しTDDB特性の評価を行った。
その結果、窒素ドープシリコン単結晶アニールウェーハ、全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハともにアニール後洗浄工程の後にウェーハの表面粗さが悪化し、Qbd値が低下することが判明した。このため、ウェーハの品種に関係なくアニール後の洗浄をすることによってウェーハの表面粗さを悪化させていることを見出した。
その結果、窒素ドープシリコン単結晶アニールウェーハ、全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハともにアニール後洗浄工程の後にウェーハの表面粗さが悪化し、Qbd値が低下することが判明した。このため、ウェーハの品種に関係なくアニール後の洗浄をすることによってウェーハの表面粗さを悪化させていることを見出した。
これらの事実から、図2(a)に示すように、アニール後に無欠陥層(DZ層)15が形成されたウェーハ22の表面に不均一に形成された自然酸化膜21が、その後のSC1洗浄を行う際、ウェーハ表面にエッチングむらを生じさせ図2(b)のように、ウェーハの表面粗さを悪化させるのではないかと推定された。そして、さらにその表面の荒れたアニールウェーハ表面に薄いゲート酸化膜を形成した場合に、図2(c)のようにアニールウェーハ22の表面の凹凸がゲート酸化膜23に反映されて、不均一なゲート酸化膜となることで酸化膜耐圧が劣化してしまうのではないかと考えた。
そこで、本発明者らは、このようなアニールウェーハ特有の課題を解決するために、アニール後のRCA洗浄(SC1+SC2)前にウェーハ表面に形成されている自然酸化膜を除去することによって、RCA洗浄の際のエッチングむらを防止することができることを見出し、本発明を完成させた。
そこで、本発明者らは、このようなアニールウェーハ特有の課題を解決するために、アニール後のRCA洗浄(SC1+SC2)前にウェーハ表面に形成されている自然酸化膜を除去することによって、RCA洗浄の際のエッチングむらを防止することができることを見出し、本発明を完成させた。
以下、本発明のアニールウェーハの洗浄方法について、実施態様の一例として、アニールウェーハである窒素ドープシリコン単結晶アニールウェーハを洗浄する場合について図1を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図1は、アニールウェーハの熱処理から本発明の洗浄工程、ゲート酸化膜形成までの流れの一例を示すフロー図である。
図1は、アニールウェーハの熱処理から本発明の洗浄工程、ゲート酸化膜形成までの流れの一例を示すフロー図である。
まず、図1(a)のような窒素のドープされたシリコン単結晶ウェーハ11を準備し、熱処理して、図1(b)のようなアニールウェーハ12を作製する。
シリコン単結晶ウェーハの作製方法としては、たとえば、チョクラルスキー法により所望抵抗を有する窒素をドープしたシリコン単結晶を育成し、育成されたシリコン単結晶を円筒研削し所定の長さにブロック切断する。次に、ブロックにされたシリコン単結晶を内周刃スライサー、バンドソー、ワイヤーソー等でスライスして、窒素のドープされたシリコン単結晶ウェーハ11とする。
シリコン単結晶ウェーハの作製方法としては、たとえば、チョクラルスキー法により所望抵抗を有する窒素をドープしたシリコン単結晶を育成し、育成されたシリコン単結晶を円筒研削し所定の長さにブロック切断する。次に、ブロックにされたシリコン単結晶を内周刃スライサー、バンドソー、ワイヤーソー等でスライスして、窒素のドープされたシリコン単結晶ウェーハ11とする。
このシリコン単結晶ウェーハ11に、水素ガス、不活性ガスのうちいずれか1以上を含む雰囲気下で熱処理を施す。この時、例えば熱処理温度が1100〜1300℃で、熱処理時間が20分〜1時間の熱処理を施す。熱処理に用いる熱処理炉は、熱処理条件に適合するものであれば、縦型熱処理炉、横型熱処理炉等のいずれであっても構わない。この熱処理により、無欠陥層15を有するアニールウェーハ12が作製される。
この熱処理の終了後、熱処理炉から取り出す時に、図1(c)に示すような自然酸化膜13が不均一にシリコン単結晶ウェーハ12の表面に形成される。
この熱処理の終了後、熱処理炉から取り出す時に、図1(c)に示すような自然酸化膜13が不均一にシリコン単結晶ウェーハ12の表面に形成される。
尚、スライス後、熱処理前に、通常法に基づき、ラッピング、平面研削、エッチング等が必要に応じて行われる。
また、熱処理前にシリコン単結晶ウェーハをアニール前洗浄してもよい。この際パーティクル等の物理吸着にはRCA洗浄が、金属汚染等は酸系の混合液が有効である。これにより、熱処理の工程で汚染物が基板内部に拡散することを防止できる。
また、熱処理前にシリコン単結晶ウェーハをアニール前洗浄してもよい。この際パーティクル等の物理吸着にはRCA洗浄が、金属汚染等は酸系の混合液が有効である。これにより、熱処理の工程で汚染物が基板内部に拡散することを防止できる。
次に、熱処理されたシリコン単結晶ウェーハ12を洗浄する。
本発明では、図1(d)に示すように、このアニール後洗浄において、まずシリコン単結晶ウェーハ12の熱処理後に形成された自然酸化膜13を除去した後に、RCA洗浄を行う。
これにより、熱処理後にシリコン単結晶ウェーハ12表面に不均一に形成された自然酸化膜によるRCA洗浄の際のエッチングむらを防止することができる。そのため、アニールウェーハ12の表面粗さが悪化せず、図1(e)に示すように、その後のゲート酸化膜形成時に平坦なゲート酸化膜14が形成されるため、GOI劣化を防ぐことができる。
本発明では、図1(d)に示すように、このアニール後洗浄において、まずシリコン単結晶ウェーハ12の熱処理後に形成された自然酸化膜13を除去した後に、RCA洗浄を行う。
これにより、熱処理後にシリコン単結晶ウェーハ12表面に不均一に形成された自然酸化膜によるRCA洗浄の際のエッチングむらを防止することができる。そのため、アニールウェーハ12の表面粗さが悪化せず、図1(e)に示すように、その後のゲート酸化膜形成時に平坦なゲート酸化膜14が形成されるため、GOI劣化を防ぐことができる。
また、自然酸化膜の除去方法としては、自然酸化膜が除去できればどのような方法によっても構わないが、フッ酸で洗浄することにより除去することが好ましい。
フッ酸であれば、自然酸化膜を除去する際のシリコンへのエッチングがほとんどないため、ウェーハの表面粗さを悪化させずに自然酸化膜の除去が可能である。
このときのフッ酸洗浄としては、ウェーハ表面の自然酸化膜を除去できればどのような洗浄条件であっても構わないが、例えば、HF濃度1.5%の希フッ酸溶液で30秒〜90秒洗浄することによって自然酸化膜を除去することができる。
フッ酸であれば、自然酸化膜を除去する際のシリコンへのエッチングがほとんどないため、ウェーハの表面粗さを悪化させずに自然酸化膜の除去が可能である。
このときのフッ酸洗浄としては、ウェーハ表面の自然酸化膜を除去できればどのような洗浄条件であっても構わないが、例えば、HF濃度1.5%の希フッ酸溶液で30秒〜90秒洗浄することによって自然酸化膜を除去することができる。
自然酸化膜13除去後のRCA洗浄としては、一般的に行われる洗浄工程によることができる。つまり、まず、SC−1溶液(アンモニア+過酸化水素混合溶液)により洗浄する。この際本発明では、予めアニールウェーハ表面に形成された不均一な自然酸化膜を除去しているため、SC−1溶液によるエッチングむらが生じず、ウェーハの表面粗さがほとんど悪化しない。
次に、SC−2溶液(塩酸+過酸化水素混合溶液)により洗浄するが、洗浄の各工程の間に純水リンスを施してもよい。
上記の工程で洗浄されたアニールウェーハ12は洗浄の際の表面粗さの悪化がないため、表面粗さがRa<0.11nmのアニールウェーハとなる。このような表面が平坦なアニールウェーハであれば、薄いゲート酸化膜を形成した場合であっても、表面粗さに基づく酸化膜耐圧の劣化はほとんど認められない。
上記の工程で洗浄されたアニールウェーハ12は洗浄の際の表面粗さの悪化がないため、表面粗さがRa<0.11nmのアニールウェーハとなる。このような表面が平坦なアニールウェーハであれば、薄いゲート酸化膜を形成した場合であっても、表面粗さに基づく酸化膜耐圧の劣化はほとんど認められない。
ここで、上記工程で作製され、洗浄されたアニールウェーハにゲート酸化膜を形成して酸化膜耐圧の評価を行う。
本発明では、8nm以下の薄いゲート酸化膜を形成して酸化膜耐圧の評価を行うことで、酸化膜耐圧の劣化を精密に評価することができる。従来の25nm程度の厚いゲート酸化膜を形成されたものに比べ、ゲート酸化膜の薄い方が酸化膜耐圧の劣化が明確に判明する。このとき、本発明の洗浄方法により洗浄されたアニールウェーハであれば、表面の平坦度が高いため、薄いゲート酸化膜を形成して酸化膜耐圧を評価した場合でもほとんど表面粗さに基づく劣化は認められない。従って、ウェーハの結晶性等に基づく酸化膜耐圧を正確に評価することができる。この酸化膜耐圧の評価方法としては、例えば、TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)法や、TZDB(Time Zero Dielectric Breakdown)法により評価することができる。
本発明では、8nm以下の薄いゲート酸化膜を形成して酸化膜耐圧の評価を行うことで、酸化膜耐圧の劣化を精密に評価することができる。従来の25nm程度の厚いゲート酸化膜を形成されたものに比べ、ゲート酸化膜の薄い方が酸化膜耐圧の劣化が明確に判明する。このとき、本発明の洗浄方法により洗浄されたアニールウェーハであれば、表面の平坦度が高いため、薄いゲート酸化膜を形成して酸化膜耐圧を評価した場合でもほとんど表面粗さに基づく劣化は認められない。従って、ウェーハの結晶性等に基づく酸化膜耐圧を正確に評価することができる。この酸化膜耐圧の評価方法としては、例えば、TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)法や、TZDB(Time Zero Dielectric Breakdown)法により評価することができる。
こうして、本発明によれば、熱処理後に形成された自然酸化膜による洗浄時のアニールウェーハの表面粗さの悪化を防止できるため、平坦度の高いアニールウェーハを作製できる。これにより、アニールウェーハ表面に形成するゲート酸化膜が薄い場合でも、表面粗さに基づく酸化膜耐圧の劣化はほとんどない。
以下、本発明を実施例、比較例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。
(実施例1)
まず、直径200mmの窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハと全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハを準備した。
次に、窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハのみを1200℃で1時間縦型炉で熱処理を施し、アニールウェーハを作製した。この熱処理されたアニールウェーハをHF濃度1.5%の希フッ酸溶液で60秒洗浄し、その後RCA洗浄(SC1+SC2)を行った。
このとき、洗浄後のアニールウェーハ表面の表面粗さ(Ra)を原子間力顕微鏡(AFM)で測定した結果、窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハ、全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハのいずれも0.10nmであった。
まず、直径200mmの窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハと全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハを準備した。
次に、窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハのみを1200℃で1時間縦型炉で熱処理を施し、アニールウェーハを作製した。この熱処理されたアニールウェーハをHF濃度1.5%の希フッ酸溶液で60秒洗浄し、その後RCA洗浄(SC1+SC2)を行った。
このとき、洗浄後のアニールウェーハ表面の表面粗さ(Ra)を原子間力顕微鏡(AFM)で測定した結果、窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハ、全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハのいずれも0.10nmであった。
洗浄されたアニールウェーハと全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハに、熱酸化により5nmの厚さのゲート酸化膜を形成し、その酸化膜耐圧を評価するためにTDDB特性を測定した。このとき、アニールウェーハとアニールされていない全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハとは同程度の酸化膜耐圧となった。測定結果を酸化膜の寿命を示すワイブルプロットとして図3に示す。
(比較例1)
まず、直径200mmの窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハと全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハを準備した。
次に、窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハのみを1200℃で1時間縦型炉で熱処理を施し、アニールウェーハを作製した。この熱処理されたアニールウェーハにRCA洗浄(SC1+SC2)のみを行った。
このとき、洗浄後のアニールウェーハ表面の表面粗さ(Ra)をAFMで測定した結果、窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハは0.18nm、全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハは0.10nmであった。
まず、直径200mmの窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハと全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハを準備した。
次に、窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハのみを1200℃で1時間縦型炉で熱処理を施し、アニールウェーハを作製した。この熱処理されたアニールウェーハにRCA洗浄(SC1+SC2)のみを行った。
このとき、洗浄後のアニールウェーハ表面の表面粗さ(Ra)をAFMで測定した結果、窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハは0.18nm、全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハは0.10nmであった。
洗浄されたアニールウェーハと全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハに、熱酸化により25nmの厚さのゲート酸化膜を形成し、その酸化膜耐圧を評価するためにTDDB特性を測定した。このとき、アニールウェーハとアニールされていない全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハとは同程度の酸化膜耐圧となり、酸化膜耐圧の劣化が検出できなかった。このように、ゲート酸化膜の厚さが25nmの場合は、ウェーハ表面の表面粗さ(Ra)が比較的大きくても、酸化膜耐圧の劣化は顕在化しない。測定結果を酸化膜の寿命を示すワイブルプロットとして図4に示す。
(比較例2)
まず、直径200mmの窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハと全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハを準備した。
次に、窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハのみを1200℃で1時間縦型炉で熱処理を施し、アニールウェーハを作製した。この熱処理されたアニールウェーハにRCA洗浄(SC1+SC2)のみを行った。
このとき、洗浄後のアニールウェーハ表面の表面粗さ(Ra)をAFMで測定した結果、窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハは0.18nm、全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハは0.10nmであった。
まず、直径200mmの窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハと全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハを準備した。
次に、窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハのみを1200℃で1時間縦型炉で熱処理を施し、アニールウェーハを作製した。この熱処理されたアニールウェーハにRCA洗浄(SC1+SC2)のみを行った。
このとき、洗浄後のアニールウェーハ表面の表面粗さ(Ra)をAFMで測定した結果、窒素ドープのシリコン単結晶ウェーハは0.18nm、全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハは0.10nmであった。
洗浄されたアニールウェーハと全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハに、熱酸化により5nmの厚さのゲート酸化膜を形成し、その酸化膜耐圧を評価するためにTDDB特性を測定した。このとき、アニールされていない全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハの酸化膜耐圧と比べ、アニールウェーハの酸化膜耐圧の劣化が検出された。測定結果を酸化膜の寿命を示すワイブルプロットとして図5に示す。
以上のように、比較例1の図4のように厚さ25nmのゲート酸化膜が形成されている場合には検出できない酸化膜耐圧の劣化も、比較例2の図5に示すように、5nmの薄いゲート酸化膜を形成した場合には、表面の平坦なアニールされていない全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハよりも酸化膜耐圧の劣化が検出された。
これに対して、本発明では、実施例1に示すように、予め自然酸化膜を除去してRCA洗浄を行うため、全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハと同程度の平坦性のアニールウェーハが作製され、それにより、図3に示すように酸化膜耐圧の劣化は認められなかった。従って、本発明では、洗浄により表面粗さの劣化による要因を排除して、正確に酸化膜耐圧を評価することができる。
これに対して、本発明では、実施例1に示すように、予め自然酸化膜を除去してRCA洗浄を行うため、全面N領域の無欠陥シリコン単結晶ウェーハと同程度の平坦性のアニールウェーハが作製され、それにより、図3に示すように酸化膜耐圧の劣化は認められなかった。従って、本発明では、洗浄により表面粗さの劣化による要因を排除して、正確に酸化膜耐圧を評価することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
11…窒素ドープシリコン単結晶ウェーハ、 12、22…アニールウェーハ、
13、21…自然酸化膜、 14、23…ゲート酸化膜、 15…無欠陥層。
13、21…自然酸化膜、 14、23…ゲート酸化膜、 15…無欠陥層。
Claims (4)
- シリコン単結晶ウェーハを熱処理したアニールウェーハの洗浄方法において、少なくとも、前記シリコン単結晶ウェーハ表面の前記熱処理後に形成された自然酸化膜を除去した後、RCA洗浄を行うことを特徴とするアニールウェーハの洗浄方法。
- 前記自然酸化膜を除去する方法を、フッ酸で洗浄することにより除去することを特徴とする請求項1に記載のアニールウェーハの洗浄方法。
- 請求項1または請求項2に記載のアニールウェーハの洗浄方法により洗浄されたアニールウェーハであって、該アニールウェーハ表面の表面粗さがRa<0.11nmであることを特徴とするアニールウェーハ。
- 請求項1または請求項2に記載のアニールウェーハの洗浄方法により洗浄されたアニールウェーハに形成されたゲート酸化膜の酸化膜耐圧の評価方法であって、前記アニールウェーハ表面に8nm以下のゲート酸化膜を形成して、該酸化膜の酸化膜耐圧を評価することを特徴とする酸化膜耐圧の評価方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2020107674A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハのバッチ式洗浄方法並びにその洗浄方法を用いたシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの洗浄条件決定方法 |
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JP2006066532A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
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- 2008-01-31 JP JP2008021316A patent/JP2009182233A/ja active Pending
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