JP5433927B2 - 貼り合わせウェーハの製造方法 - Google Patents
貼り合わせウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5433927B2 JP5433927B2 JP2007064482A JP2007064482A JP5433927B2 JP 5433927 B2 JP5433927 B2 JP 5433927B2 JP 2007064482 A JP2007064482 A JP 2007064482A JP 2007064482 A JP2007064482 A JP 2007064482A JP 5433927 B2 JP5433927 B2 JP 5433927B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- wafer
- manufacturing
- bonding
- ozone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 118
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 57
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 43
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 82
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76256—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques using silicon etch back techniques, e.g. BESOI, ELTRAN
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
Description
本発明は、貼り合わせウェーハの製造方法に関する。さらに詳細には、本発明は、数nm程度の均一な厚みの酸化膜を有する、貼り合わせウェーハの製造方法に関する。
通常、酸化膜を介して貼り合わせウェーハを作製する場合、酸化膜は、酸素ガス雰囲気中の熱処理を行うことにより形成し、得られる酸化膜は、通常、厚さ１００nm以上であることが一般的である（特開平１１−２６３３６号公報（特許文献１）参照）。
しかし、近年、デバイスの微細化や低消費電力化により、BOXとなる酸化膜の膜厚が薄くなり、更に、例えば、BOXのない直接貼り貼り合わせの開発も行われている。ところが、上記従来の熱処理による酸化膜形成では、数nm程度の酸化膜を均一に形成させることは困難である。特にバッチタイプの熱処理炉では、ロードロックタイプの移載設備や、また、たとえば、オゾンガスを供給させるための設備が必要になる等、高額な設備費用が必要である。
また、熱処理によりシリコン表面に形成された酸化膜は、酸化珪素（SiO2）であって、膜質としては、安定した状態である。そのため、その後の作製工程（熱処理工程）において、外方に拡散することなく、酸化膜が界面内で、凝縮・縮小し、貼り合わせ界面に局所的な酸化物として残存する。その結果、デバイス作製不良や、特性を劣化させる等、問題が生じてしまう。これは、熱処理により、貼り合わせ界面の酸化物が外方へ拡散しようとするが、完全に拡散できず界面に残留してしまうことにより、発生する。
上記後の作製工程における熱処理は、貼り合わせ界面の強度を向上させるための熱処理や、表面の平坦度を向上させるための熱処理等である。例えば、貼り合わせ界面の強度を向上させるための熱処理では、１１００℃以上の温度で１時間以上保持される。また、表面の平坦度を向上させるための熱処理としては、アルゴンや水素ガス等による１１００℃以上の熱処理がある（特開２００５−１９７５２４号公報（特許文献２）参照）。
また、酸化膜を介することなく、直接貼り合わせる場合は、通常の洗浄（ＳＣ１）を行った後、ウェーハ同士を貼り合わせることとなる。しかし、この場合も一般的な洗浄では、シリコンウェーハ表面に２nm以上の酸化膜が形成され、上記のような、貼り合わせ工程の熱処理により、貼り合わせ界面に局所的な酸化物が残留してしまう。
特開平１１−２６３３６号公報
特開２００５−１９７５２４号公報
そこで本発明の目的は、貼り合わせ工程の熱処理により、貼り合わせ界面に局所的な酸化物が残留しない、貼り合わせウェーハの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明者らが研究した結果、２枚のシリコンウェーハを直接貼り合わせる場合、シリコン表面の酸化膜をオゾン水処理にて厚さを２．２nm以下に形成することにより、貼り合わせウェーハの作製工程（熱処理）に於いて発生する、貼り合わせ界面の局所的な酸化物の発生を抑制することができることを見いだして、本発明を完成させた。オゾン洗浄で形成された酸化膜は、熱処理により形成された酸化膜に比べて、後の工程における熱処理により分解しやすいという特性を有し、そのため、貼り合わせ工程の熱処理でも局所的に集中することなく、拡散させることができるため、貼り合わせ界面の局所的な酸化物の発生を抑制することができると推察される。オゾン洗浄で形成された酸化膜は、熱処理により形成された酸化膜に比べて、後の工程における熱処理により分解しやすいという知見は、これまでに知られていない新たな知見である。
本発明は、以下のとおりである。
[１]貼り合わせウェーハの製造方法であって、
２枚のシリコンウェーハをオゾン洗浄することにより前記シリコンウェーハの表面に膜厚２．２nm以下の酸化膜を形成し、
形成した酸化膜を介して前記２枚のシリコンウェーハを貼り合わせて１０００℃以上の温度での熱処理を行うことにより、貼り合わせ界面の酸化膜を外方拡散させて貼り合わせ界面に局所的な酸化物を有さない貼り合わせウェーハを得る
ことを含む、上記製造方法。
[２]オゾン洗浄には、オゾン濃度が１〜５０ｐｐｍの範囲にあるオゾン水を用いる［１］に記載の製造方法。
[３]オゾン洗浄の前に、シリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去し、その後にオゾン洗浄を行なう［１］または［２］に記載の製造方法。
[４]酸化膜形成後、貼り合わせ前にプラズマ処理を行い、その後、貼り合わせを行う［１］〜［３］のいずれかに記載の製造方法。
[５]プラズマ処理は、窒素、酸素、アルゴン、希釈水素またはそれらの混合ガスによるプラズマ処理である［４］に記載の製造方法。
[６]貼り合わせたウェーハを薄膜化する工程をさらに含む、［１］〜［５］のいずれかに記載の製造方法。
[７]薄膜化する工程は、研削および研磨の工程、またはイオン注入剥離の工程である、［６］に記載の製造方法。
[１]貼り合わせウェーハの製造方法であって、
２枚のシリコンウェーハをオゾン洗浄することにより前記シリコンウェーハの表面に膜厚２．２nm以下の酸化膜を形成し、
形成した酸化膜を介して前記２枚のシリコンウェーハを貼り合わせて１０００℃以上の温度での熱処理を行うことにより、貼り合わせ界面の酸化膜を外方拡散させて貼り合わせ界面に局所的な酸化物を有さない貼り合わせウェーハを得る
ことを含む、上記製造方法。
[２]オゾン洗浄には、オゾン濃度が１〜５０ｐｐｍの範囲にあるオゾン水を用いる［１］に記載の製造方法。
[３]オゾン洗浄の前に、シリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去し、その後にオゾン洗浄を行なう［１］または［２］に記載の製造方法。
[４]酸化膜形成後、貼り合わせ前にプラズマ処理を行い、その後、貼り合わせを行う［１］〜［３］のいずれかに記載の製造方法。
[５]プラズマ処理は、窒素、酸素、アルゴン、希釈水素またはそれらの混合ガスによるプラズマ処理である［４］に記載の製造方法。
[６]貼り合わせたウェーハを薄膜化する工程をさらに含む、［１］〜［５］のいずれかに記載の製造方法。
[７]薄膜化する工程は、研削および研磨の工程、またはイオン注入剥離の工程である、［６］に記載の製造方法。
本発明によれば、貼り合わせウェーハの作製工程（熱処理）に於いて発生する、貼り合わせ界面の局所的な酸化物の発生を抑制することができる、貼り合わせシリコンウェーハを提供できる。
本発明は、貼り合わせウェーハの製造方法である。本発明の製造方法で得られる貼り合わせウェーハは、２枚のシリコンウェーハの貼り合わせ界面の局所的な酸化物を有さないシリコンウェーハである。
本発明の、貼り合わせウェーハの製造方法は、
２枚のシリコンウェーハをオゾン洗浄して、前記シリコンウェーハの表面に膜厚２．２nm以下の酸化膜を形成する工程、および
形成した酸化膜を介して前記２枚のシリコンウェーハを貼り合わせて、貼り合わせウェーハを得る工程を含む。
２枚のシリコンウェーハをオゾン洗浄して、前記シリコンウェーハの表面に膜厚２．２nm以下の酸化膜を形成する工程、および
形成した酸化膜を介して前記２枚のシリコンウェーハを貼り合わせて、貼り合わせウェーハを得る工程を含む。
酸化膜を形成する工程では、２枚のシリコンウェーハをオゾン洗浄して、前記シリコンウェーハの表面に膜厚２．２nm以下の酸化膜を形成する。形成される酸化膜の膜厚が２．２nmを超えると、貼り合わせ界面の局所的な酸化物の発生を抑制することができなくなる。オゾン洗浄で形成された酸化膜は、熱処理により形成された酸化膜に比べて、後の工程における熱処理により分解しやすいという特性を有する。そのため、貼り合わせ工程の熱処理でも局所的に集中することなく、拡散させることができる。しかし、オゾン洗浄で形成された酸化膜でも厚みが２．２nmを超えると、貼り合わせウェーハを作製する工程の熱処理で完全に拡散させることができず、貼り合わせ界面に局所的に残留してしまう。一方、形成される酸化膜の膜厚の下限は、例えば、０．５nmである。膜厚０．５nm未満の酸化膜の形成は制御が容易でなく、膜厚０．５nm以上の酸化膜であれば、貼り合わせの際に酸化膜として十分に機能する。
シリコンウェーハの表面に形成された酸化膜の膜厚は、例えば、偏光解析法（エリプソメトリ法）を用いて測定することができる。エリプソメトリ法は、平らな試料の表面に偏光を入射させ、反射光の偏光状態の変化を測定し、試料の屈折率を知ることにより、酸化膜の膜厚を計測する方法である。
シリコンウェーハの表面に膜厚２．２nm以下の酸化膜を形成するため、本発明では、２枚のシリコンウェーハをオゾン洗浄する。このオゾン洗浄には、オゾン濃度が１〜５０ｐｐｍの範囲にあるオゾン水を用いることが適当である。オゾン濃度が１ｐｐｍ未満では、所定の膜厚の酸化膜を形成するのに、時間がかかりすぎる場合がある。また、オゾン濃度が５０ｐｐｍを超えると、膜厚２．２nm以下の酸化膜を形成するのに、厳密な時間の制御が必要となる場合がある。オゾン濃度は、好ましくは、５〜４０ｐｐｍの範囲である。オゾン濃度は、より好ましくは、１０〜３０ｐｐｍの範囲である。
オゾン洗浄の時間は、形成する酸化膜の膜厚、使用するオゾン水のオゾン濃度等を考慮して適宜決定できる。オゾン洗浄の時間は、例えば、１０秒〜１０分の範囲とすることができ、好ましくは３０秒〜５分の範囲である。但し、この範囲に限定される意図は無い。
オゾン洗浄は、オゾン（O3）を所定濃度含んだ純水を供給するための装置を具備したバッチタイプの洗浄機、または枚葉タイプの洗浄機を用いて行うことができる。さらに、オゾン洗浄は、オゾン水を加温することなく、室温（例えば、１０〜３０℃、好ましくは１５〜２５℃）にて行うことができる。
尚、オゾン洗浄には、酸化膜形成以外に、シリコンウェーハ表面の有機物を除去する効果もある。従って、オゾン洗浄により、貼り合わせ時に発生する有機物起因のボイド等の欠陥を抑制することも可能である。また、イオン注入剥離法による薄膜化を用いる場合に於いても、同じように、ボイドやブリスターの発生を抑制することができる。
尚、上記オゾン洗浄の前に、シリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去し、その後にオゾン洗浄を行なうこともできる。自然酸化膜はシリコンウェーハの最終洗浄、およびその後の大気中での保管期間により形成されるもので、最終洗浄条件や、保管状況により厚みが異なる。そこで、２．２ｎｍ超える自然酸化膜を形成されている場合は、一端、自然酸化膜を除去することが適当である。自然酸化膜の除去は、ＨＦ処理により行なうことができる。ＨＦ処理は、例えば、１％に希釈されたＨＦ溶液中に（バッチタイプの洗浄機）５分間浸すことで完全に除去することが可能である。この場合、ＨＦ濃度および洗浄機の種類（バッチ、枚葉）に関しては、特に限定するものではなく、完全に自然酸化膜が除去できていれば同様の効果が得られる。
酸化膜を形成した後、形成した酸化膜を介して前記２枚のシリコンウェーハを貼り合わせて、貼り合わせウェーハを得る。ウェーハの貼り合わせは、形成した酸化膜を介して前記２枚のシリコンウェーハを重ね合わせ、次いで、１０００℃以上の温度で熱処理を行い、接着強度を強めて、貼り合わせウェーハを得る。本発明の製造方法では、オゾン洗浄により表面に形成した膜厚２．２nm以下の酸化膜を有する２枚のシリコンウェーハを貼り合わせて、上記熱処理を行うことで、貼り合わせ界面の局所的な酸化物の発生を抑制することができる。この熱処理の温度としては、１０００℃以上が適当であり、１０００℃未満の場合は十分な結合力が得られず、薄膜化工程やデバイス工程での剥がれ等、不良の原因となる場合がある。また、高温領域、特に１２００℃を超える場合には、スリップの問題が生じる場合があり、温度範囲としては１０５０℃〜１１５０℃が好ましい。次に、時間に関しては、３０分以上の熱処理が適当であり、３０分未満の場合、上記同様の不良が発生する場合がある。更に、この熱処理の雰囲気は、例えば、アルゴンガス雰囲気や酸素と窒素の混合ガス等であることができるが、特にこれらに限定するものではない。
また、酸化膜形成後、貼り合わせ前にシリコンウェーハ表面をプラズマ処理し、その後、貼り合わせを行うこともできる。貼り合わせ前にシリコンウェーハ表面をプラズマ処理することで、シリコンウェーハ表面に付着した有機物を除去することができ、ボイド欠陥の不良率を改善することができる。さらに、プラズマ処理により、表面を活性化させることで、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理温度を低温化させ、スループット短縮による作製コスト低減が可能となるという利点もある。プラズマ処理は、例えば、窒素、酸素、アルゴン、希釈水素や、前記ガスの混合ガス等のガスを用いて行うことができる。プラズマ処理の方法は、例えば、プラズマチャンバー内にウェーハを入れた後、所定のガス（例えば窒素ガス）で完全に置換した後プラズマチャンバー内を、例えば、０．１kPA以下まで引いた状態で、数十秒から数分の間、プラズマを発生させ、ウェーハ表面を活性化させる方法であることができる。ただし、この方法に限定される意図ではない。
更に、本手法を用いることで、結晶方位の異なるシリコンウェーハ同士の直接貼り合わせ、例えば、（１１０）と（１００）の貼り合わせ、（１１１）と（１００）の貼り合わせも、容易に行うことができる。
本発明の製造方法は、貼り合わせたウェーハを薄膜化する工程をさらに含むことができる。薄膜化する工程は、例えば、研削および研磨の工程、またはイオン注入剥離の工程であることができる。イオン注入剥離の工程は、例えば、酸化膜形成前のシリコンウェーハに水素イオンまたは希ガスイオンを注入して、活性層側となるシリコンウェーハを作製し、これに酸化膜を形成して貼り合わせたウェーハを得、その上で、貼り合わせたウェーハを薄膜化する。シリコンウェーハへの水素イオンの注入は、例えば、加速電圧：50keV，ドーズ量：1e17/cm2とすることができ、これにより、300mmの活性層側となるシリコンウェーハを形成できる。イオン注入剥離の工程を含む薄膜化したシリコンウェーハの作製方法については、特許文献２を参照することができる。
以下に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
［実施例１］
300mmの２枚のシリコンウェーハを、バッチタイプの洗浄機を用いて、オゾン濃度が３０ｐｐｍのオゾン（Ｏ3）水（室温）に２分間浸すことにより、厚さ２．０nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。酸化膜形成後、２枚のシリコンウェーハを直接貼り合わせた。貼り合わせ強度を向上させるための熱処理（アルゴンガス雰囲気にて、１１００℃、２ｈｒ）を施し、更に、活性層側のウェーハを研削および研磨により所定の厚さまで加工を行い貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
300mmの２枚のシリコンウェーハを、バッチタイプの洗浄機を用いて、オゾン濃度が３０ｐｐｍのオゾン（Ｏ3）水（室温）に２分間浸すことにより、厚さ２．０nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。酸化膜形成後、２枚のシリコンウェーハを直接貼り合わせた。貼り合わせ強度を向上させるための熱処理（アルゴンガス雰囲気にて、１１００℃、２ｈｒ）を施し、更に、活性層側のウェーハを研削および研磨により所定の厚さまで加工を行い貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
［実施例２］
水素イオンを注入（加速電圧：50keV, ドーズ量：1e17/cm2）した300mmの活性層側となるシリコンウェーハを、実施例１と同様の方法および条件で処理して、厚さ２．０nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。これとは別に、水素イオンを注入行なわないシリコンウェーハにも、実施例１と同様の方法および条件で処理して、厚さ２．０nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。このシリコンウェーハを支持側のウェーハとして、上記活性層側となるシリコンウェーハと貼り合わせた。その後、５００℃の熱処理を施し、イオン注入層で剥離させ、貼り合わせウェーハを作製した。次いで、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理（アルゴンガス雰囲気にて、１１００℃、２ｈｒ）を施し、更に、活性層側のウェーハを研磨により所定の厚さまで加工を行った。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。ところ、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
水素イオンを注入（加速電圧：50keV, ドーズ量：1e17/cm2）した300mmの活性層側となるシリコンウェーハを、実施例１と同様の方法および条件で処理して、厚さ２．０nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。これとは別に、水素イオンを注入行なわないシリコンウェーハにも、実施例１と同様の方法および条件で処理して、厚さ２．０nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。このシリコンウェーハを支持側のウェーハとして、上記活性層側となるシリコンウェーハと貼り合わせた。その後、５００℃の熱処理を施し、イオン注入層で剥離させ、貼り合わせウェーハを作製した。次いで、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理（アルゴンガス雰囲気にて、１１００℃、２ｈｒ）を施し、更に、活性層側のウェーハを研磨により所定の厚さまで加工を行った。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。ところ、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
［実施例３］
300mmの２枚のシリコンウェーハを、一端、ＨＦ洗浄により自然酸化膜を完全に除去した後、実施例１と同様の方法および条件で処理して、厚さ２．０nmの酸化膜を形成し、直接貼り合わせた。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。その後、実施例１と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。作製した、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
300mmの２枚のシリコンウェーハを、一端、ＨＦ洗浄により自然酸化膜を完全に除去した後、実施例１と同様の方法および条件で処理して、厚さ２．０nmの酸化膜を形成し、直接貼り合わせた。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。その後、実施例１と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。作製した、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
［実施例４］
300mmの２枚のシリコンウェーハを、実施例１と同様の方法および条件で処理して、厚さ２．０nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。次いで、窒素ガス雰囲気でプラズマ処理（２５Ｐａ、２０秒間）を施した後、直接貼り合わせた。その後、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理（アルゴンガス雰囲気にて、１１００℃、２ｈｒ）を施し、更に、活性層側のウェーハを研削および研磨により所定の厚さまで加工を行い貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
300mmの２枚のシリコンウェーハを、実施例１と同様の方法および条件で処理して、厚さ２．０nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。次いで、窒素ガス雰囲気でプラズマ処理（２５Ｐａ、２０秒間）を施した後、直接貼り合わせた。その後、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理（アルゴンガス雰囲気にて、１１００℃、２ｈｒ）を施し、更に、活性層側のウェーハを研削および研磨により所定の厚さまで加工を行い貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
［実施例５］
300mmの２枚のシリコンウェーハを、バッチタイプの洗浄機を用いて、オゾン濃度が１０ｐｐｍのオゾン（Ｏ3）水（室温）に１分間浸すことにより、厚さ０．５nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。酸化膜形成後、２枚のシリコンウェーハを直接貼り合わせた。貼り合わせ強度を向上させるための熱処理（アルゴンガス雰囲気にて、１１００℃、２ｈｒ）を施し、更に、活性層側のウェーハを研削および研磨により所定の厚さまで加工を行い貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
300mmの２枚のシリコンウェーハを、バッチタイプの洗浄機を用いて、オゾン濃度が１０ｐｐｍのオゾン（Ｏ3）水（室温）に１分間浸すことにより、厚さ０．５nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。酸化膜形成後、２枚のシリコンウェーハを直接貼り合わせた。貼り合わせ強度を向上させるための熱処理（アルゴンガス雰囲気にて、１１００℃、２ｈｒ）を施し、更に、活性層側のウェーハを研削および研磨により所定の厚さまで加工を行い貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
［実施例６］
水素イオンを注入（加速電圧：50keV, ドーズ量：1e17/cm2）した300mmの活性層側となるシリコンウェーハを、実施例５と同様の方法および条件で処理して、厚さ０．５nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。これとは別に、水素イオンを注入行なわないシリコンウェーハにも、実施例５と同様の方法および条件で処理して、厚さ０．５nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。このシリコンウェーハを支持側のウェーハとして、上記活性層側となるシリコンウェーハと貼り合わせた。その後、５００℃の熱処理を施し、イオン注入層で剥離させ、貼り合わせウェーハを作製した。次いで、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理（アルゴンガス雰囲気にて、１１００℃、２ｈｒ）を施し、更に、活性層側のウェーハを研磨により所定の厚さまで加工を行った。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。ところ、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
水素イオンを注入（加速電圧：50keV, ドーズ量：1e17/cm2）した300mmの活性層側となるシリコンウェーハを、実施例５と同様の方法および条件で処理して、厚さ０．５nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。これとは別に、水素イオンを注入行なわないシリコンウェーハにも、実施例５と同様の方法および条件で処理して、厚さ０．５nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。このシリコンウェーハを支持側のウェーハとして、上記活性層側となるシリコンウェーハと貼り合わせた。その後、５００℃の熱処理を施し、イオン注入層で剥離させ、貼り合わせウェーハを作製した。次いで、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理（アルゴンガス雰囲気にて、１１００℃、２ｈｒ）を施し、更に、活性層側のウェーハを研磨により所定の厚さまで加工を行った。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。ところ、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
［実施例７］
300mmの２枚のシリコンウェーハを、一端、ＨＦ洗浄により自然酸化膜を完全に除去した後、実施例５と同様の方法および条件で処理して、厚さ０．５nmの酸化膜を形成し、直接貼り合わせた。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。その後、実施例１と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。作製した、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
300mmの２枚のシリコンウェーハを、一端、ＨＦ洗浄により自然酸化膜を完全に除去した後、実施例５と同様の方法および条件で処理して、厚さ０．５nmの酸化膜を形成し、直接貼り合わせた。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。その後、実施例１と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。作製した、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
［実施例８］
300mmの２枚のシリコンウェーハを、実施例５と同様の方法および条件で処理して、厚さ０．５nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。次いで、窒素ガス雰囲気でプラズマ処理（２５Ｐａ、２０秒間）を施した後、直接貼り合わせた。その後、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理（アルゴンガス雰囲気にて、１１００℃、２ｈｒ）を施し、更に、活性層側のウェーハを研削および研磨により所定の厚さまで加工を行い貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
300mmの２枚のシリコンウェーハを、実施例５と同様の方法および条件で処理して、厚さ０．５nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。次いで、窒素ガス雰囲気でプラズマ処理（２５Ｐａ、２０秒間）を施した後、直接貼り合わせた。その後、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理（アルゴンガス雰囲気にて、１１００℃、２ｈｒ）を施し、更に、活性層側のウェーハを研削および研磨により所定の厚さまで加工を行い貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された（図１参照）。
［比較例１］
300mmの２枚のシリコンウェーハを、バッチタイプの洗浄機を用いて、オゾン濃度が３０ｐｐｍのオゾン（Ｏ3）水（室温）に２．５分間浸すことにより、厚さ２．５nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。酸化膜形成後、２枚のシリコンウェーハを直接貼り合わせた。貼り合わせ強度を向上させるための熱処理（アルゴンガス雰囲気にて、１１００℃、２ｈｒ）を施し、更に、活性層側のウェーハを研削および研磨により所定の厚さまで加工を行い貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物が発生していることが確認された。
300mmの２枚のシリコンウェーハを、バッチタイプの洗浄機を用いて、オゾン濃度が３０ｐｐｍのオゾン（Ｏ3）水（室温）に２．５分間浸すことにより、厚さ２．５nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。酸化膜形成後、２枚のシリコンウェーハを直接貼り合わせた。貼り合わせ強度を向上させるための熱処理（アルゴンガス雰囲気にて、１１００℃、２ｈｒ）を施し、更に、活性層側のウェーハを研削および研磨により所定の厚さまで加工を行い貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物が発生していることが確認された。
［比較例２］
300mmの２枚のシリコンウェーハを、熱処理（縦型炉：７００℃、１０分、１％酸素、９９％窒素）により、厚さ２nmの酸化膜を形成し、直接貼り合わせた後、実施例１と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査したところ、貼り合わせ界面に局所的な酸化物が発生していることが確認された。
300mmの２枚のシリコンウェーハを、熱処理（縦型炉：７００℃、１０分、１％酸素、９９％窒素）により、厚さ２nmの酸化膜を形成し、直接貼り合わせた後、実施例１と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査したところ、貼り合わせ界面に局所的な酸化物が発生していることが確認された。
本発明は、貼り合わせウェーハの作製の分野に有用である。
Claims (7)
- 貼り合わせウェーハの製造方法であって、
２枚のシリコンウェーハをオゾン洗浄することにより前記シリコンウェーハの表面に膜厚２．２nm以下の酸化膜を形成し、
形成した酸化膜を介して前記２枚のシリコンウェーハを貼り合わせて１０００℃以上の温度での熱処理を行うことにより、貼り合わせ界面の酸化膜を外方拡散させて貼り合わせ界面に局所的な酸化物を有さない貼り合わせウェーハを得る
ことを含む、上記製造方法。 - オゾン洗浄には、オゾン濃度が１〜５０ｐｐｍの範囲にあるオゾン水を用いる請求項１に記載の製造方法。
- オゾン洗浄の前に、シリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去し、その後にオゾン洗浄を行なう請求項１または２に記載の製造方法。
- 酸化膜形成後、貼り合わせ前にプラズマ処理を行い、その後、貼り合わせを行う請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
- プラズマ処理は、窒素、酸素、アルゴン、希釈水素またはそれらの混合ガスによるプラズマ処理である請求項４に記載の製造方法。
- 貼り合わせたウェーハを薄膜化する工程をさらに含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
- 薄膜化する工程は、研削および研磨の工程、またはイオン注入剥離の工程である、請求項６に記載の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007064482A JP5433927B2 (ja) | 2007-03-14 | 2007-03-14 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| KR1020070128749A KR100935397B1 (ko) | 2007-03-14 | 2007-12-12 | 접합 웨이퍼의 제조 방법 |
| SG200718646-3A SG146517A1 (en) | 2007-03-14 | 2007-12-13 | Method of manufacturing bonded wafer |
| US11/955,765 US8802540B2 (en) | 2007-03-14 | 2007-12-13 | Method of manufacturing bonded wafer |
| CN2007101957655A CN101266917B (zh) | 2007-03-14 | 2007-12-14 | 贴合晶片的制造方法 |
| EP07024471.0A EP1970949B1 (en) | 2007-03-14 | 2007-12-18 | Method of manufacturing bonded wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007064482A JP5433927B2 (ja) | 2007-03-14 | 2007-03-14 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008227207A JP2008227207A (ja) | 2008-09-25 |
| JP5433927B2 true JP5433927B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=39529749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007064482A Active JP5433927B2 (ja) | 2007-03-14 | 2007-03-14 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8802540B2 (ja) |
| EP (1) | EP1970949B1 (ja) |
| JP (1) | JP5433927B2 (ja) |
| KR (1) | KR100935397B1 (ja) |
| CN (1) | CN101266917B (ja) |
| SG (1) | SG146517A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5664592B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2015-02-04 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| CN111962155B (zh) * | 2020-08-06 | 2022-05-10 | 济南量子技术研究院 | 一种介质层辅助的厚片周期极化铁电晶体制备方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0719739B2 (ja) * | 1990-09-10 | 1995-03-06 | 信越半導体株式会社 | 接合ウェーハの製造方法 |
| JP3542376B2 (ja) | 1994-04-08 | 2004-07-14 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
| US5603779A (en) * | 1995-05-17 | 1997-02-18 | Harris Corporation | Bonded wafer and method of fabrication thereof |
| JP3611142B2 (ja) * | 1995-08-29 | 2005-01-19 | 三菱住友シリコン株式会社 | 張り合わせウェーハおよびその製造方法 |
| WO1997041590A1 (fr) * | 1996-04-26 | 1997-11-06 | Sumitomo Sitix Corporation | Procede d'assemblage de substrat en semi-conducteur au silicium |
| JP3422225B2 (ja) | 1997-07-08 | 2003-06-30 | 三菱住友シリコン株式会社 | 貼り合わせ半導体基板及びその製造方法 |
| JPH11233476A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の処理方法 |
| US6319331B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-11-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for processing semiconductor substrate |
| FR2775119B1 (fr) | 1998-02-19 | 2000-04-07 | France Telecom | Procede pour limiter l'interdiffusion dans un dispositif semi-conducteur a grille composite si/si 1-x ge x, o inferieur a x inferieur ou egal a 1. |
| JP3385972B2 (ja) * | 1998-07-10 | 2003-03-10 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ |
| US6230720B1 (en) | 1999-08-16 | 2001-05-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Single-operation method of cleaning semiconductors after final polishing |
| US6902987B1 (en) | 2000-02-16 | 2005-06-07 | Ziptronix, Inc. | Method for low temperature bonding and bonded structure |
| US6492283B2 (en) * | 2000-02-22 | 2002-12-10 | Asm Microchemistry Oy | Method of forming ultrathin oxide layer |
| US7179746B2 (en) * | 2002-12-02 | 2007-02-20 | Foundation fõr Advancement of Internati{dot over (o)}nal Science | Method of surface treatment for manufacturing semiconductor device |
| US7018909B2 (en) | 2003-02-28 | 2006-03-28 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Forming structures that include a relaxed or pseudo-relaxed layer on a substrate |
| US7071077B2 (en) | 2003-03-26 | 2006-07-04 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Method for preparing a bonding surface of a semiconductor layer of a wafer |
| JP4285244B2 (ja) | 2004-01-08 | 2009-06-24 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | Ｓｏｉウェーハの作製方法 |
| JP2006080314A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Canon Inc | 結合基板の製造方法 |
| US8138061B2 (en) | 2005-01-07 | 2012-03-20 | International Business Machines Corporation | Quasi-hydrophobic Si-Si wafer bonding using hydrophilic Si surfaces and dissolution of interfacial bonding oxide |
| JP2006278893A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| JP4655797B2 (ja) * | 2005-07-19 | 2011-03-23 | 信越半導体株式会社 | 直接接合ウエーハの製造方法 |
| JP2007149723A (ja) | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| JP4940737B2 (ja) | 2006-04-11 | 2012-05-30 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 少数キャリア拡散長測定方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
-
2007
- 2007-03-14 JP JP2007064482A patent/JP5433927B2/ja active Active
- 2007-12-12 KR KR1020070128749A patent/KR100935397B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-13 US US11/955,765 patent/US8802540B2/en active Active
- 2007-12-13 SG SG200718646-3A patent/SG146517A1/en unknown
- 2007-12-14 CN CN2007101957655A patent/CN101266917B/zh active Active
- 2007-12-18 EP EP07024471.0A patent/EP1970949B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100935397B1 (ko) | 2010-01-06 |
| SG146517A1 (en) | 2008-10-30 |
| EP1970949B1 (en) | 2017-03-22 |
| CN101266917B (zh) | 2010-09-08 |
| EP1970949A3 (en) | 2011-06-22 |
| EP1970949A2 (en) | 2008-09-17 |
| US8802540B2 (en) | 2014-08-12 |
| CN101266917A (zh) | 2008-09-17 |
| JP2008227207A (ja) | 2008-09-25 |
| KR20080084555A (ko) | 2008-09-19 |
| US20080227271A1 (en) | 2008-09-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7354844B2 (en) | Method for manufacturing SOI substrate | |
| KR101462397B1 (ko) | 접합 웨이퍼의 제조 방법 | |
| JP5278549B2 (ja) | シリコンウェーハの洗浄方法、およびその洗浄方法を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| US20080072926A1 (en) | Method for Cleaning Soi Wafer | |
| JP2008028070A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
| JP2009176860A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
| JP2011100977A (ja) | 半導体基板の再生方法、再生半導体基板の作製方法、および、ｓｏｉ基板の作製方法 | |
| JP2011103409A (ja) | ウェーハ貼り合わせ方法 | |
| JP5261960B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP2009272471A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
| KR100827907B1 (ko) | 실리콘 기판의 세정방법 | |
| JP5433927B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
| JP2010092909A (ja) | Ｓｏｉウェーハの製造方法 | |
| JP4857738B2 (ja) | 半導体ウエーハの洗浄方法および製造方法 | |
| JP5865057B2 (ja) | 半導体基板の再生方法、及びｓｏｉ基板の作製方法 | |
| JP4694372B2 (ja) | ウェハの表面粗さを改善する方法 | |
| EP3029730B1 (en) | Bonded wafer manufacturing method | |
| JP2009111347A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
| JP2006303088A (ja) | シリコン基板の洗浄方法 | |
| JP2009182233A (ja) | アニールウェーハの洗浄方法 | |
| JPH0878326A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100217 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120827 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121031 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130312 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131112 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131125 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5433927 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |