JP5664592B2 - 貼り合わせウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
ウェーハとベースウェーハを貼り合わすこともできる。
このようなプラズマ活性化処理によってウェーハの貼り合わせ面を清浄にすることができる。しかしながら、本発明者の調査により、プラズマ活性化処理後のウェーハの裏面にはステージとの接触によりかえってパーティクル等の付着物が増加していることが判明した。
本発明の貼り合わせウェーハの製造方法は、上記したように、プラズマ活性化処理時にウェーハ裏面での付着物の増加を大幅に抑制できるので、プラズマ活性化処理後のウェーハをバッチ式洗浄機にて洗浄する際に起こり得る貼り合わせ面への付着物の再付着の問題を回避するのに極めて有効である。
前述のように、従来、貼り合わせを行う前に実施するプラズマ活性化処理において、ウェーハを載置するために用いられるステージはウェーハの裏面との接触面積が大きくなるように構成されている。しかし、本発明者の調査により、このことがウェーハの裏面に付着するパーティクルを増加させる原因となることが判明した。
図1は、本発明の貼り合わせウェーハの製造方法の一例のフロー図である。
まず、ボンドウェーハ10及び支持基板となるベースウェーハ20として、例えば両面が鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハを2枚用意する(図1(a))。
図2に、本発明の貼り合わせウェーハの製造方法のプラズマ活性化処理で用いられるプラズマ活性化装置の一例を示す。図2に示すように、プラズマ活性化装置1は、プラズマを発生させるための平行板状の上部電極3a、下部電極3b及び高周波電源5と、処理対象のウェーハを載置するためのステージ4とを有し、これらがチャンバー2内に配置されている。この図2に示す例では、下部電極3b上にウェーハが載置されており、下部電極3bがステージ4の役割を果たしている。
このようにすれば、ウェーハ裏面とステージとの接触面積が低減されるので、裏面側でのパーティクル等の付着物の増加を大幅に抑制できる。
上記したステージ4の支持部及び台座の材質は、ステージ4と同一、又は別の材質とすることができる。この材質をステージ4と別の材質にする場合には、金属汚染を防止すること、プラズマによる劣化を防止することなどの観点から、石英(SiO2)が好適に用いられる。尚、ステージ4の支持部及び台座に石英のような絶縁性部材を用いる場合においても、ステージ4を構成する金属板の表面には金属汚染防止のためのSiコートをすることが好ましい。
図3はウェーハ裏面と線接触するように構成されたステージの例である。この例におけるステージ4aには、載置するウェーハとほぼ同一の直径を有する金属板電極の表面に線状の凸部6aが60度間隔で6箇所形状されている。この凸部6aは金属板電極と一体形成されたものであるが、金属板電極と同一の材質、又は石英のような絶縁性材料を用いて円柱状や角柱状の支持部7aを作製し、その側面を金属板電極の表面に接着することもできる。或いは、このような支持部7aを有する台座を金属板電極上に配置しても良い。
凸部又は支持部を円柱状又は三角柱状としその側面をウェーハ裏面と接触させるようにすれば、ウェーハ裏面との接触が線接触となる。また、四角柱以上の多角柱状の場合であってもウェーハとの接触部の幅を3mm以下とすれば接触面積を十分に小さくできるので、本発明における線接触の概念に含まれる。
線状の凸部及び支持部の長さとしては、これらの幅より長く、ウェーハの半径の1/2以下とすることが好ましく、半径の1/4以下とすることがより好ましい。
凸部又は支持部を球状、円錐状、又は正多角錐状とし、その頂点をウェーハ裏面と接触させるようにすれば、ウェーハ裏面との接触が点接触となる。また、円柱状や正多角柱状であってもその直径(角柱の場合は内接円の直径)を3mm以下とすれば接触面積を十分に小さくできるので、本発明における点接触の概念に含まれる。支持部を円錐状、正多角錐状、円柱状、又は正多角柱状とする場合には、それらの底面を金属板電極の表面に接着又は孔に嵌め込むようにすれば良い。
このような凸部又は支持部、或いは支持部が形成された台座を有するステージ上にプラズマ活性化処理を行うウェーハを載置した場合、ウェーハの裏面は凸部又は支持部で支持されるため、ステージ表面とウェーハ裏面との間に適度な間隔(例えば1mm程度)が形成される。
このような本発明の貼り合わせウェーハの製造方法であれば、貼り合わせ時に貼り合わせ界面にパーティクルが挟み込まれることが抑制され、貼り合わせウェーハに表面欠陥が発生するのを抑制できる。更に、プラズマ活性化により結合強度が増加することで、貼り合わせウェーハの欠陥品質をより向上させることができる。
ボンドウェーハとして、直径300mm、ウェーハ厚さ775μm、COPの無いシリコン単結晶ウェーハを準備し、145nmの酸化膜を成長した後、イオン注入機にて、50keVの注入エネルギーでH+イオンを5×1016atoms/cm2注入してイオン注入層を形成した。
ベースウェーハのプラズマ活性化処理後、バッチ式洗浄機において、ボンドウェーハ25枚を1バッチ、ベースウェーハ25枚を1バッチとして、貼り合わせ前洗浄を実施した。洗浄後、上記と同様にベースウェーハ表面のパーティクル数を測定したところ、2pcs/waferに減少していた。
その結果、SOIウェーハには直径300μm以上の大きなボイドは検出されなかった。
プラズマ活性化処理において、プラズマ活性化装置のステージとして、図5に示すような、平坦な表面に形成されたウェーハ搬送時のエアー抜き用の溝以外の部分でウェーハ裏面に面接触するステージを使用した以外、実施例1と同様の条件でSOIウェーハを製造した。
実施例1と同様に、プラズマ活性化処理後のベースウェーハ表裏面の0.1μm以上のパーティクル数を測定したところ、ベースウェーハ表面のパーティクル数は10pcs/wafer、ベースウェーハ裏面のパーティクル数は8566pcs/waferであり、実施例1と比較すると裏面のパーティクル汚染が著しく悪化していた。
また、製造したSOIウェーハの欠陥検査を実施したところ、SOIウェーハには直径300μm以上の大きなボイドが3個検出された。このようなボイドがある場所にはSOI層上のデバイスは形成できないため、SOIウェーハの規格として不良と判断することが多い。
プラズマ活性化処理において、プラズマ活性化装置のステージとして、図4に示すような、ウェーハ裏面と点接触する石英製の支持部を表面に配置したステージを使用した以外、実施例1と同様の条件でSOIウェーハを製造した。使用したステージは、ベースウェーハと同一の直径を有する金属製の下部電極の表面にSiをコートし、この表面上に図4に示すような60度間隔で6箇所の位置に円柱状の支持部(直径3mm、高さ2mm)を配置した。下部電極表面の円柱状の支持部を配置する位置には、支持部を嵌合するための孔(直径3mm、深さ1mm)を形成した。
また、バッチ式洗浄機における洗浄後のベースウェーハ表面のパーティクル数を測定したところ、3pcs/waferに減少していた。
また、製造したSOIウェーハの欠陥検査を実施したところ、SOIウェーハには直径300μm以上の大きなボイドは検出されなかった。
例えば、上記実施形態では点接触もしくは線接触の例として、点接触のみの場合(図4)と、線接触のみの場合(図3)を示したが、点接触と線接触を混在させることも可能である。
3b…下部電極、 4、4a、4b…ステージ、 5…高周波電源、
6a、6b…凸部、 7a、7b…支持部、
10…ボンドウェーハ、 11…イオン注入層、 12…酸化膜、
13、22…貼り合わせ面 、20…ベースウェーハ、
30…貼り合わせウェーハ、 31…薄膜。
Claims (3)
- ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンを注入してイオン注入層を形成する工程と、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接又は酸化膜を介して貼り合わせる工程と、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを作製する工程とを含む貼り合わせウェーハの製造方法において、
前記貼り合わせ工程の前に、前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハのうち少なくとも一方の貼り合わせ面に対しプラズマ活性化処理を行う工程を有し、
前記プラズマ活性化処理工程において、前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハの少なくとも一方の裏面をステージ上に点接触もしくは線接触させた状態で載置しながら前記プラズマ活性化処理を行い、前記プラズマ活性化処理を行った前記ボンドウェーハ又は前記ベースウェーハを、前記貼り合わせ工程の前にバッチ式洗浄機にて洗浄することを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。 - 前記プラズマ活性化処理工程において、前記ステージの表面に形成された点状もしくは線状の凸部上に前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハの少なくとも一方を載置することによって点接触もしくは線接触させることを特徴とする請求項1に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記プラズマ活性化処理工程において、前記ステージの表面に配置された点状もしくは線状の支持部を有する台座上に前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハの少なくとも一方を載置することによって点接触もしくは線接触させることを特徴とする請求項1に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
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