JP2006210898A - Soiウエーハの製造方法及びsoiウェーハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単結晶シリコンウェーハと透明絶縁性基板とを接合後、前記単結晶シリコンウェーハを薄膜化することにより前記透明絶縁性基板上にSOI層を形成してSOIウェーハを製造する方法において、単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入してウェーハ中にイオン注入層を形成し、該単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び/又は前記透明絶縁性基板の表面をプラズマ及び/又はオゾンで処理し、前記単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と前記透明絶縁性基板の表面とを前記処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合し、前記イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離して前記透明絶縁性基板上にSOI層を形成する。
【選択図】図1
Description
単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入し、ウェーハ中にイオン注入層を形成する工程、
該単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び/又は前記透明絶縁性基板の表面を、プラズマ及び/又はオゾンで処理する工程、
前記単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と前記透明絶縁性基板の表面とを、前記処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合する工程、
前記イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離し、前記透明絶縁性基板上にSOI層を形成する工程、
を行なうことを特徴とするSOIウエーハの製造方法を提供する(請求項1)。
このように、接合した単結晶シリコンウェーハ及び透明絶縁性基板を、熱歪が発生しないような100〜300℃という低温で熱処理してより結合力を高めてから、イオン注入層に衝撃を与えて機械的な剥離工程を行なえば、機械的応力による接合面の剥離、ひび割れ等の発生をより確実に防止してSOIウェーハを製造できる。
このように、剥離工程により得られたSOIウェーハのSOI層表面に鏡面研磨を施せば、剥離工程で生じたSOI層の表面粗れやイオン注入工程で発生した結晶欠陥等を除去でき、表面が鏡面研磨された平滑なSOI層を有するSOIウェーハを製造できる。
このように、透明絶縁性基板を石英基板、サファイヤ(アルミナ)基板、ガラス基板、のいずれかとすれば、これらは光学的特性が良好な透明絶縁性基板であるから、光学デバイス作製に好適なSOIウェーハを製造できる。
ここで、ガラス基板としては、一般的な青板ガラスのほか、白板ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、結晶化ガラスなどを用いることができる。また、青板ガラスなどの様にアルカリ金属を含むガラス基板を用いる場合には、表面からのアルカリ金属の拡散を防止するため、ガラス基板の表面にスピンオンガラスによる拡散防止膜を形成することが好ましい。
このように、イオン注入層を形成する際のイオン注入線量を、8×1016/cm2より大きくすることにより、機械剥離を容易に行うことができる。
このように、上記のいずれかの製造方法により製造されたSOIウェーハであれば、製造の際に熱歪、剥離、ひび割れ等が発生しておらず、また、各種デバイス作製に有用な、薄くて良好な膜厚均一性を有し、結晶性に優れ、キャリア移動度の高い透明絶縁性基板上にSOI層を持つSOIウエーハとなる。
しかし、SOIウェーハの生産性向上の為に、より工程数が少なく、短時間で前記問題を解決する技術が望まれていた。
以下、本発明の実施の形態について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
単結晶シリコンウェーハとしては特に限定されず、例えばチョクラルスキー法により育成された単結晶をスライスして得られたもので、例えば直径が100〜300mm、導電型がP型またはN型、抵抗率が10Ω・cm程度のものを用いることができる。
また、透明絶縁性基板も特に限定されないが、これを石英基板、サファイヤ(アルミナ)基板、ガラス基板、のいずれかとすれば、これらは光学的特性が良好な透明絶縁性基板であるから、光学デバイス作製に好適なSOIウェーハを製造できる。
例えば、単結晶シリコンウェーハの温度を250〜450℃とし、その表面から所望のSOI層の厚さに対応する深さ、例えば0.5μm以下の深さにイオン注入層を形成できるような注入エネルギーで、所定の線量の水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する。このときの条件として、例えば注入エネルギーは20〜100keV、注入線量は1×1016〜1×1017/cm2とできる。この場合、イオン注入層での剥離を容易にするため、イオン注入線量は8×1016/cm2より大きくすることが好ましい。また、単結晶シリコンウェーハの表面にあらかじめ薄いシリコン酸化膜などの絶縁膜を形成しておき、それを通してイオン注入を行なえば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られる。
プラズマで処理をする場合、真空チャンバ中にRCA洗浄等の洗浄をした単結晶シリコンウェーハ及び/又は透明絶縁性基板を載置し、プラズマ用ガスを導入した後、100W程度の高周波プラズマに5〜10秒程度さらし、表面をプラズマ処理する。プラズマ用ガスとしては、単結晶シリコンウェーハを処理する場合、表面を酸化する場合には酸素ガスのプラズマ、酸化しない場合には水素ガス、アルゴンガス、又はこれらの混合ガスあるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスを用いることができる。透明絶縁性基板を処理する場合はいずれのガスでもよい。
工程Cにおいて、単結晶シリコンウェーハのイオン注入面または透明絶縁性基板の表面の少なくとも一方がプラズマ処理及び/又はオゾン処理されているので、これらを例えば減圧または常圧下、一般的な室温程度の温度下で密着させるだけで後工程での機械的剥離に耐え得る強度で強く接合できる。従って、1200℃以上といった高温の結合熱処理が必要でなく、加熱により問題になる熱膨張係数の差異による熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがなく好ましい。
例えば透明絶縁性基板が石英の場合、熱膨張係数はシリコンに比べて小さく(Si:2.33×10−6、石英:0.6×10−6)、同程度の厚さのシリコンウェーハと張り合わせて加熱すると、300℃を超えるとシリコンウェーハが割れてしまう。しかし、このような比較的低温の熱処理であれば、熱膨張係数の差異による熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがなく好ましい。なお、バッチ処理方式の熱処理炉を用いる場合、熱処理時間は0.5〜24時間程度であれば十分な効果が得られる。
水素イオン注入剥離法においては、接合ウェーハを不活性ガス雰囲気下500℃程度で熱処理を行ない、結晶の再配列効果と注入した水素の気泡の凝集効果により熱剥離を行なうという方法であるが、本発明においてはイオン注入層に衝撃を与えて機械的剥離を行なうので、加熱に伴う熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがない。
イオン注入層に衝撃をあたえるためには、例えばガスや液体等の流体のジェットを接合したウェーハの側面から連続的または断続的に吹き付ければよいが、衝撃により機械的剥離が生じる方法であれば特に限定はされない。
この鏡面研磨によって、剥離工程で発生したヘイズと呼ばれる表面粗れを除去したり、イオン注入により生じたSOI層表面近傍の結晶欠陥を除去できる。この鏡面研磨として、例えばタッチポリッシュと呼ばれる研磨代が5〜400nmと極めて少ない研磨を用いることができる。
また、このようなSOIウェーハは、透明絶縁性基板の上にSOI層が形成されているものであるから、TFT−LCD等の光学デバイスの作製用に特に適する。
SOI層形成用ウェーハとして、一方の面が鏡面研磨された直径200mmの単結晶シリコンウェーハを用意し、その表面に熱酸化によりシリコン酸化膜層を100nm形成した。貼り合わせを行う鏡面側の酸化膜層の表面粗さ(Ra)は0.2nmであった。測定は原子間力顕微鏡を用い、10μm×10μmの測定領域において行った。
Claims (6)
- 単結晶シリコンウェーハと透明絶縁性基板とを接合後、前記単結晶シリコンウェーハを薄膜化することにより前記透明絶縁性基板上にSOI層を形成してSOIウェーハを製造する方法において、少なくとも、
単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入し、ウェーハ中にイオン注入層を形成する工程、
該単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び/又は前記透明絶縁性基板の表面を、プラズマ及び/又はオゾンで処理する工程、
前記単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と前記透明絶縁性基板の表面とを、前記処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合する工程、
前記イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離し、前記透明絶縁性基板上にSOI層を形成する工程、
を行なうことを特徴とするSOIウエーハの製造方法。 - 請求項1に記載のSOIウェーハの製造方法において、前記接合工程を行なった後、該接合ウェーハを100〜300℃で熱処理して結合力を高める工程を行ない、その後前記剥離工程を行なうことを特徴とするSOIウェーハの製造方法。
- 請求項1又は請求項2に記載したSOIウェーハの製造方法において、前記剥離工程により得られたSOIウェーハのSOI層表面に鏡面研磨を施すことを特徴とするSOIウェーハの製造方法。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載したSOIウエーハの製造方法において、前記透明絶縁性基板を、石英基板、サファイヤ(アルミナ)基板、ガラス基板、のいずれかとすることを特徴とするSOIウエーハの製造方法。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載したSOIウエーハの製造方法において、前記イオン注入層を形成する際のイオン注入線量を、8×1016/cm2より大きくすることを特徴とするSOIウエーハの製造方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載した製造方法により製造されたことを特徴とするSOIウェーハ。
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