JP4624812B2 - Ｓｏｉウエーハの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ＳＯＩウエーハの製造方法及びＳＯＩウェーハに関するものであり、特に単結晶シリコンウェーハよりも熱伝導率が大きい熱伝導性基板上にＳＯＩ層を形成するＳＯＩウエーハの製造方法及びＳＯＩウェーハに関するものである。

絶縁体上にシリコン単結晶層が形成されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造を有するＳＯＩウェーハは、高速で高密度の半導体集積回路を作製するのに適し、各種デバイスの作製に用いられている。

しかし、高密度化が進むにつれて、ＳＯＩ層に形成されるトランジスタ等の素子の発熱によりＳＯＩ層が温度上昇し、特性向上の障害となるという問題がある。また、高速化のために電流を増加すると素子が発熱して高速化が阻害されるという問題もある。

このような高密度化、高速化に伴う発熱の問題を解決するために、シリコンよりも熱伝導率が大きい窒化アルミニウム等からなる絶縁性の熱伝導性基板上にＳＯＩ層を形成することにより、基板からの放熱性に優れ発熱の問題を解決できるＳＯＩウェーハが開示されている（例えば特許文献１参照）。この場合、基板の絶縁性が高いので、ＳＯＩ層中のキャリアの移動度が基板に影響されず、極めて高くなり、特に高周波で駆動した場合の効果が著しい。

一方、ＳＯＩウェーハの用途に応じて、ＳＯＩ層は例えば０．５μｍ以下程度の厚さに薄膜化される。このとき熱伝導性基板とＳＯＩ層との接合は、ＳＯＩ層を薄膜化するための研削、研磨や、デバイス作製時にＳＯＩ層に掛かる熱的、機械的応力に耐えるように強固に接合している必要があり、そのため、高温熱処理により結合力を高めることが必要であった。

しかし、窒化アルミニウム基板とＳＯＩ層とでは熱膨張係数が相違するため、接合するための加熱処理中、あるいは接合後の冷却中または研削、研磨中に熱歪による応力が生じ、窒化アルミニウム基板やＳＯＩ層にひび割れが発生したり、これらが剥離して破損することがあった。このような問題は熱伝導性基板が窒化アルミニウム基板の場合に限らず、単結晶シリコンウェーハを熱膨張係数が異なる基板と接合する場合に必然的に生じる問題である。

この問題を解決するため、水素イオン注入剥離法を用いるＳＯＩウェーハの製造方法において、結合熱処理工程と薄膜化工程とを交互に段階的に行い、熱処理時に発生する熱応力の影響を緩和する技術が開示されている（例えば特許文献２参照）。

特開平１０−２２３８７０号公報 特開平１１−１４５４３８号公報

本発明は、単結晶シリコンウェーハよりも熱伝導率が大きい熱伝導性基板上にＳＯＩ層を形成するＳＯＩウエーハの製造方法において、熱伝導性基板とＳＯＩ層との熱膨張係数の差異に起因する熱歪、剥離、ひび割れ等の発生を簡易な工程で防止でき、ＳＯＩ層の膜厚均一性の高いＳＯＩウエーハの製造方法及びＳＯＩウェーハを提供することを目的とする。

上記目的達成のため、本発明は、単結晶シリコンウェーハと該単結晶シリコンウェーハよりも熱伝導率が大きい熱伝導性基板とを接合後、前記単結晶シリコンウェーハを薄膜化することにより前記熱伝導性基板上にＳＯＩ層を形成してＳＯＩウェーハを製造する方法において、少なくとも、
単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入し、ウェーハ中にイオン注入層を形成する工程、
該単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び／又は前記熱伝導性基板の表面を、プラズマ及び／又はオゾンで処理する工程
前記単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と前記熱伝導性基板の表面とを、前記処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合する工程、
前記イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離し、前記熱伝導性基板上にＳＯＩ層を形成する工程、
を行なうことを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法を提供する。

このように、単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び／又は熱伝導性基板の表面をプラズマ及び／又はオゾンで処理すれば、ウェーハのイオン注入面及び／又は基板の表面にはＯＨ基が増加して活性化する。従って、このような状態で単結晶シリコンウェーハと熱伝導性基板とを、前記処理をした表面を接合面として室温で密着させ接合すれば、密着させた面が水素結合により強固に接合するので、その後結合力を高める高温熱処理を施さなくても十分に強固な接合となる。また、このように接合面が強固に接合しているので、その後イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離し、熱伝導性基板上に薄いＳＯＩ層を形成することができるので、剥離のための熱処理を行なわなくても薄膜化ができる。従って、熱伝導性基板と単結晶シリコンウェーハとの熱膨張係数の差異に起因する熱歪、剥離、ひび割れ等が発生せずにＳＯＩウェーハを製造することができる。また、水素イオンを注入した後に剥離する方法を用いるので、薄くて良好な膜厚均一性を有し、結晶性に優れたＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを製造することができる。

この場合、前記接合工程を行なった後、該接合ウェーハを１００〜３００℃で熱処理して結合力を高める工程を行い、その後前記剥離工程を行なうことが好ましい。
このように、接合した単結晶シリコンウェーハ及び熱伝導性基板を、熱歪が発生しないような１００〜３００℃という低温で熱処理してより結合力を高めてから、イオン注入層に衝撃を与えて機械的な剥離工程を行なえば、機械的応力による接合面の剥離、ひび割れ等の発生をより確実に防止してＳＯＩウェーハを製造できる。

また、前記剥離工程により得られたＳＯＩウェーハのＳＯＩ層表面に鏡面研磨を施すことが好ましい。
このように、剥離工程により得られたＳＯＩウェーハのＳＯＩ層表面に鏡面研磨を施せば、剥離工程で生じたＳＯＩ層の表面粗れやイオン注入工程で発生した結晶欠陥等を除去でき、表面が鏡面研磨された平滑なＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを製造できる。

あるいは、前記剥離工程により得られたＳＯＩウェーハに、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下でＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理を施すことも好ましい。
このように、剥離工程により得られたＳＯＩウェーハに、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下でＳＯＩ層の表面を平坦化する熱処理を行っても、剥離工程により生じたＳＯＩ層の表面粗れや、イオン注入により生じたＳＯＩ層表面近傍の結晶欠陥やダメージを除去することができる。

この場合、前記ＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理を施す工程の後に、
前記熱処理を施したＳＯＩウェーハに熱酸化を行って、前記ＳＯＩ層の表面に熱酸化膜を形成する工程、
前記熱酸化膜を除去することにより、前記ＳＯＩ層の厚さを減ずる工程、
を行なうことが好ましい。
このように、ＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理を施したＳＯＩウェーハに熱酸化を行ってＳＯＩ層の表面に熱酸化膜を形成し、これを除去してＳＯＩ層の厚さを減ずることにより、より薄くて良好な膜厚均一性を有し、さらに表面粗れ、結晶欠陥やダメージが十分に除去されたＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを製造することができる。

また、前記ＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理の温度を１１００〜１３５０℃とすることが好ましい。
このように、ＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理の温度を１１００℃以上とすれば、比較的短い時間で表面粗さを改善できるし、１３５０℃以下とすれば、熱処理の際に重金属不純物による汚染や熱処理炉の耐久性の問題が生じずに、ＳＯＩウェーハを製造できる。

また、前記熱伝導性基板を、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化ボロン、ダイヤモンドのいずれかを含むものとすることが好ましい。
このように、前記熱伝導性基板を、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化ボロン、ダイヤモンドのいずれかを含むものとすれば、これらはシリコンよりも熱伝導率が大幅に大きい材料であるから、基板からの放熱性に優れ、発熱の問題を解決できるＳＯＩウェーハを製造できる。

また、本発明は、上記のいずれかの製造方法により製造されたことを特徴とするＳＯＩウェーハを提供する。
このように、上記のいずれかの製造方法により製造されたＳＯＩウェーハであれば、製造の際に熱歪、剥離、ひび割れ等が発生しておらず、また、各種デバイス作製に有用な、より薄くて良好な膜厚均一性を有し、放熱性に優れるとともに、結晶性に優れ、キャリア移動度の高い熱伝導性基板上にＳＯＩ層を持つＳＯＩウエーハとなる。

本発明に従うＳＯＩウェーハの製造方法であれば、単結晶シリコンウェーハと熱伝導性基板を接合する前に、接合する表面をプラズマ及び／又はオゾンで処理することにより表面にＯＨ基が増加して活性化するので、このような状態で単結晶シリコンウェーハと熱伝導性基板とを室温で密着させ接合すると、密着させた面が水素結合により強固に接合する。従って、その後結合力を高める高温熱処理を施さなくても十分に強固な接合となる。また、このように接合面が強固に接合しているので、その後イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離し、熱伝導性基板上に薄いＳＯＩ層を形成することができる。従って、剥離のための熱処理を行なわなくても薄膜化ができる。このようにして、熱伝導性基板と単結晶シリコンとの熱膨張係数の差異に起因する熱歪、剥離、ひび割れ等が発生せずにＳＯＩウェーハを製造することができる。

また、本発明のＳＯＩウェーハは、製造の際に熱歪、剥離、ひび割れ等が発生しておらず、また、各種デバイス作製に有用な、より薄くて良好な膜厚均一性を有し、放熱性に優れるとともに、結晶性に優れ、キャリア移動度の高い熱伝導性基板上にＳＯＩ層を持つＳＯＩウエーハとなる。

前述したように、絶縁性基板上にＳＯＩ層を形成するＳＯＩウエーハの製造方法において、絶縁性基板とＳＯＩ層との熱膨張係数の差異に起因する熱歪、剥離、ひび割れ等の発生を解決するために、水素イオン注入剥離法を用いるＳＯＩウェーハの製造方法において、接合熱処理工程と薄膜化工程とを交互に段階的に行い、熱処理時に発生する熱応力の影響を緩和する技術が開示されている。
しかし、ＳＯＩウェーハの生産性向上の為に、より工程数が少なく、短時間で前記問題を解決する技術が望まれていた。

そこで本発明者らは、接合する面に予めプラズマ及び／又はオゾン処理を行なうことで熱処理をしなくても接合強度を高くし、また剥離の際にも機械的剥離を行なうことで熱処理をせずに剥離することに想到し、本発明を完成させた。
以下、本発明の実施の形態について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

図１は、本発明に係るＳＯＩウェーハの製造方法の一例を示す工程図である。
まず、単結晶シリコンウェーハ及び単結晶シリコンウェーハよりも熱伝導率が大きい熱伝導性基板を用意する（工程Ａ）。
単結晶シリコンウェーハとしては特に限定されず、例えばチョクラルスキー法により育成された単結晶をスライスして得られたもので、例えば直径が１００〜３００ｍｍ、導電型がＰ型またはＮ型、抵抗率が１０Ω・ｃｍ程度のものを用いることができる。
また、熱伝導性基板も特に限定されないが、これを窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化ボロン、ダイヤモンドのいずれかを含むものとすれば、大幅に単結晶シリコンウェーハよりも熱伝導率が大きい基板となる。すなわち、熱伝導率についてはシリコンが１４８Ｗ／ｍＫであるのに対して、窒化アルミニウムは３３０Ｗ／ｍＫ、炭化珪素（ＳｉＣ）は４５０Ｗ／ｍＫ、窒化ボロンは立方晶窒化ボロン（ｃ−ＢＮ）で６００Ｗ／ｍＫ、ダイヤモンドは２０００Ｗ／ｍＫであり十分に大きいから、これを用いて基板からの放熱性に優れたＳＯＩウェーハを製造できる。

次に、単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入し、ウェーハ中にイオン注入層を形成する（工程Ｂ）。
例えば、単結晶シリコンウェーハの温度を２５０〜４５０℃とし、その表面から所望のＳＯＩ層の厚さに対応する深さ、例えば０．５μｍ以下の深さにイオン注入層を形成できるような注入エネルギーで、所定の線量の水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する。このときの条件として、例えば注入エネルギーは５０〜１００ｋｅＶ、注入線量は１×１０^１６〜１×１０^１７／ｃｍ^２とできる。また、単結晶シリコンウェーハの表面にあらかじめ薄いシリコン酸化膜などの絶縁膜を形成しておき、それを通してイオン注入を行なえば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られる。

次に、この単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び／又は熱伝導性基板の表面をプラズマ及び／又はオゾンで処理する（工程Ｃ）。
プラズマで処理をする場合、真空チャンバ中にＲＣＡ洗浄等の洗浄をした単結晶シリコンウェーハ及び／又は熱伝導性基板を載置し、プラズマ用ガスを導入した後、１００Ｗ程度の高周波プラズマに５〜１０秒程度さらし、表面をプラズマ処理する。プラズマ用ガスとしては、単結晶シリコンウェーハを処理する場合、表面を酸化する場合には酸素ガスのプラズマ、酸化しない場合には水素ガス、アルゴンガス、又はこれらの混合ガスあるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスを用いることができる。熱伝導性基板を処理する場合はいずれのガスでもよい。

オゾンで処理をする場合は、大気を導入したチャンバ中にＲＣＡ洗浄等の洗浄をした単結晶シリコンウェーハ及び／又は熱伝導性基板を載置し、窒素ガス、アルゴンガス等のプラズマ用ガスを導入した後、高周波プラズマを発生させ、大気中の酸素をオゾンに変換することで、表面をオゾン処理する。プラズマ処理とオゾン処理とはどちらか一方又は両方行なうことができる。

このプラズマ及び／又はオゾンで処理することにより、単結晶シリコンウェーハ及び／又は熱伝導性基板の表面の有機物が酸化して除去され、さらに表面のＯＨ基が増加し、活性化する。処理する面としては、接合面とされ、単結晶シリコンウェーハであれば、イオン注入面とされる。処理は単結晶シリコンウェーハ、熱伝導性基板の両方ともに行なうのがより好ましいが、いずれか一方だけ行なってもよい。

次に、この単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と熱伝導性基板の表面とを、プラズマ及び／又はオゾンで処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合する（工程Ｄ）。
工程Ｃにおいて、単結晶シリコンウェーハのイオン注入面または熱伝導性基板の表面の少なくとも一方がプラズマ処理及び／又はオゾン処理されているので、これらを例えば減圧または常圧下、一般的な室温程度の温度下で密着させるだけで後工程での機械的剥離に耐え得る強度で強く接合できる。従って、１２００℃以上といった高温の結合熱処理が必要でなく、加熱により問題になる熱膨張係数の差異による熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがなく好ましい。

なお、この後、接合したウェーハを１００〜３００℃の低温で熱処理して結合力を高める工程を行なってもよい（工程Ｅ）。
例えば熱伝導性基板がＳｉＣ基板の場合、熱膨張係数はシリコンに比べて大きく（Ｓｉ：２．３３×１０^−６、ＳｉＣ：３．７〜４．７×１０^−６）、同程度の厚さのシリコンウェーハと張り合わせて加熱すると、３００℃を超えるとシリコンウェーハが割れてしまう。しかし、このような比較的低温の熱処理であれば、熱膨張係数の差異による熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがなく好ましい。なお、バッチ処理方式の熱処理炉を用いる場合、熱処理時間は０．５〜２４時間程度であれば十分な効果が得られる。

次に、イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離し、前記熱伝導性基板上にＳＯＩ層を形成する（工程Ｆ）。
水素イオン注入剥離法においては、接合ウェーハを不活性ガス雰囲気下５００℃程度で熱処理を行ない、結晶の再配列効果と注入した水素の気泡の凝集効果により熱剥離を行なうという方法であるが、本発明においてはイオン注入層に衝撃を与えて機械的剥離を行なうので、加熱に伴う熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがない。
イオン注入層に衝撃をあたえるためには、例えばガスや液体等の流体のジェットを接合したウェーハの側面から連続的または断続的に吹き付ければよいが、衝撃により機械的剥離が生じる方法であれば特に限定はされない。

こうして、剥離工程により熱伝導性基板上にＳＯＩ層が形成されたＳＯＩウェーハが得られるが、このように得られたＳＯＩウェーハのＳＯＩ層表面に鏡面研磨を施すことが好ましい（工程Ｇ）
この鏡面研磨によって、剥離工程で発生したヘイズと呼ばれる表面粗れを除去したり、イオン注入により生じたＳＯＩ層表面近傍の結晶欠陥を除去できる。この鏡面研磨として、例えばタッチポリッシュと呼ばれる研磨代が５〜４００ｎｍと極めて少ない研磨を用いることができる。

そして、工程Ａ〜Ｇにより製造されたＳＯＩウェーハは、製造の際に熱歪、剥離、ひび割れ等が発生しておらず、また、各種デバイス作製に有用な、薄くて良好な膜厚均一性を有し、結晶性に優れ、キャリア移動度の高い熱伝導性基板上にＳＯＩ層を持つＳＯＩウエーハとできる。
また、このようなＳＯＩウェーハは、熱伝導性基板の上にＳＯＩ層が形成されているものであるから、基板からの放熱性に優れ、デバイスの高密度化や高速化に特に適する。

図２は、本発明に係るＳＯＩウェーハの製造方法の別の一例を示す工程図である。
工程Ａ’〜工程Ｆ’については、図１に示す工程Ａ〜Ｆと同様に行なう。これらの工程により熱伝導性基板上にＳＯＩ層が形成されたＳＯＩウェーハが得られる。

次に、このようにして得られたＳＯＩウェーハに、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下で、剥離面であるＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理を施すことが好ましい（工程Ｇ’）。

前述の工程Ｇのように、例えばタッチポリッシュと呼ばれる研磨代が５〜４００ｎｍと極めて少ない研磨を用いて鏡面研磨を行なう場合、ＳＯＩ層にこのような機械加工的要素を含む研磨をしてしまうと、ＳＯＩ層の膜厚均一性が低下する可能性もある。
そのような可能性がある場合においても、工程Ｇ’のように、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下でＳＯＩ層の表面を平坦化する熱処理を行えば、剥離工程により生じた表面粗れや、イオン注入により生じたＳＯＩ層表面近傍の結晶欠陥やダメージを膜厚均一性を維持して除去することができる。

なお、ＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理の温度を１１００〜１３５０℃とすることが好ましい。熱処理の温度を１１００℃以上とすれば、比較的短い時間で表面粗さを改善できるし、１３５０℃以下とすれば、熱処理の際に重金属不純物による汚染や熱処理炉の耐久性の問題が生じない。なお、すでにＳＯＩ層は十分に薄膜化されているので、このような高温熱処理を行なっても熱歪、剥離、ひび割れ等の発生のおそれはない。

また、熱処理時間は熱処理温度にも依存するが、通常のヒータ加熱式の熱処理炉（バッチ式）により熱処理を行なう際は、生産性を低下させないで十分な熱処理効果を発揮させるために１０分〜８時間の範囲が適切である。一方、この熱処理をＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置を用いて行なう場合には、熱処理温度を１２００℃以上とし、熱処理時間は１〜１２０秒とすることが好適である。またこれらのバッチ炉による熱処理とＲＴＡ装置による熱処理を組み合わせて行なうこともできる。

熱処理雰囲気としては、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気であればよいが、水素ガスの割合が多いと接合界面への侵食が発生しやすくなること、および熱処理によるスリップ転位が発生しやすくなることから、水素ガスの含有量は２５％以下とすることが好ましい。さらに安全上の観点から、水素ガスは爆発限界（４％）以下の含有量とすることが好ましい。不活性ガスとしては、最も安価で汎用性が高いアルゴンガスが好適であるが、ヘリウム等を用いてもよい。

なお、必要があれば、工程Ｇ’のＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理の後、タッチポリッシュ等により表面をわずかに（取り代７０ｎｍ以下、特には５０ｎｍ以下）研磨してもよい（工程Ｈ’）。
これよって、表面粗さの長周期成分（例えば、周期１〜１０μｍ程度）を改善することができる。すなわち、工程Ｇ’の熱処理により表面粗れの短周期成分（例えば周期１μｍ以下）は十分に除去されるが、長周期成分をより確実に除去するには、これをわずかの研磨により除去することが好ましい。このように、一旦熱処理が行なわれれば、表面粗さ及び表面のダメージが大幅に改善されているので、研磨代を従来に比べて大幅に少なくすることができ、特には半分以下にすることも可能であり、薄膜の膜厚均一性に及ぼす影響を最小限に留めて、表面粗さの長周期成分の改善を確実に行なうことができる。

次に、必要に応じて、熱処理を施したＳＯＩウェーハに熱酸化を行って、ＳＯＩ層の表面に熱酸化膜、いわゆる犠牲酸化膜を形成する処理を行なう（工程Ｉ’）。
このようにＳＯＩ層表面に熱酸化膜を形成することで、工程Ｇ’において除去しきれなかった結晶欠陥やダメージを熱酸化膜に取り込むことができ、また膜厚均一性をほとんど低下させることなくＳＯＩ層を所定の厚さまで薄膜化できる。熱酸化膜は例えば９５０℃の温度でパイロジェニック酸化を行なうことにより形成することができるが、酸化膜の形成方法は特に限定されない。

最後に、形成した熱酸化膜を除去することにより、ＳＯＩ層の厚さを減ずることができる（工程Ｊ’）。
熱酸化膜の除去は、例えばＨＦを含有する水溶液にウェーハを浸漬する等により行なうことができる。
こうして、熱伝導性基板上にＳＯＩ層が形成されたＳＯＩウェーハが得られる。

そして、工程Ａ’〜Ｊ’により製造されたＳＯＩウェーハは、製造の際に熱歪、剥離、ひび割れ等が発生しておらず、また、各種デバイス作製に有用な、薄くて良好な膜厚均一性を有し、結晶性に優れ、キャリア移動度の高い熱伝導性基板上にＳＯＩ層を持つＳＯＩウエーハとできる。
特に、タッチポリッシュを省略できるかまたはごく小さい研磨代でのみ行なえるので、機械加工的要素を含む研磨による膜厚均一性の低下が確実に発生しないＳＯＩウェーハとできる。
また、このようなＳＯＩウェーハは、熱伝導性基板の上にＳＯＩ層が形成されているものであるから、基板からの放熱性に優れ、デバイスの高密度化や高速化に特に適する。

尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的思想に包含される。

本発明に係るＳＯＩウェーハの製造方法の一例を示す工程図である。 本発明に係るＳＯＩウェーハの製造方法の別の一例を示す工程図である。

Claims (5)

1. 単結晶シリコンウェーハと該単結晶シリコンウェーハよりも熱伝導率が大きい、窒化アルミニウム、窒化ボロン、ダイヤモンドのいずれかを含む熱伝導性基板とを接合後、前記単結晶シリコンウェーハを薄膜化することにより前記熱伝導性基板上にＳＯＩ層を形成してＳＯＩウェーハを製造する方法において、少なくとも、
   単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入し、ウェーハ中にイオン注入層を形成する工程、
   該単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び／又は前記熱伝導性基板の表面を、プラズマ及び／又はオゾンで処理する工程
   前記単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と前記熱伝導性基板の表面とを、前記処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合する工程、
   該接合ウェーハを１００〜３００℃で熱処理して結合力を高める工程、
   前記イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離し、前記熱伝導性基板上にＳＯＩ層を形成する工程、
   を行なうことを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法。
2. 請求項１に記載したＳＯＩウェーハの製造方法において、前記剥離工程により得られたＳＯＩウェーハのＳＯＩ層表面に鏡面研磨を施すことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
3. 請求項１に記載したＳＯＩウェーハの製造方法において、前記剥離工程により得られたＳＯＩウェーハに、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下でＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理を施すことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
4. 請求項３に記載したＳＯＩウェーハの製造方法において、前記ＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理を施す工程の後に、
   前記熱処理を施したＳＯＩウェーハに熱酸化を行って、前記ＳＯＩ層の表面に熱酸化膜を形成する工程、
   前記熱酸化膜を除去することにより、前記ＳＯＩ層の厚さを減ずる工程、
   を行なうことを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法。
5. 請求項３又は請求項４に記載したＳＯＩウェーハの製造方法において、前記ＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理の温度を１１００〜１３５０℃とすることを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法。

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