JPH11233476A - 半導体基板の処理方法 - Google Patents
半導体基板の処理方法Info
- Publication number
- JPH11233476A JPH11233476A JP10335994A JP33599498A JPH11233476A JP H11233476 A JPH11233476 A JP H11233476A JP 10335994 A JP10335994 A JP 10335994A JP 33599498 A JP33599498 A JP 33599498A JP H11233476 A JPH11233476 A JP H11233476A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- oxide film
- cleaning
- pure water
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
- H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
- H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
れにくい酸化膜を表面に形成できる半導体基板の処理方
法を提供する。 【解決手段】 RCA洗浄が終わった半導体基板に希フ
ッ酸(HF)処理を施すことで、RCA洗浄中に形成さ
れた半導体基板上の自然酸化膜を除去する(ステップS
8)。なお、希フッ酸処理の条件としては、フッ酸の濃
度は50%程度で、フッ酸対純水の比率は1対100
で、処理時間は1分間程度である。最後に、自然酸化膜
を除去した半導体基板を清浄な酸素雰囲気中に所定時間
保管することで、半導体基板表面に酸化膜を形成する
(ステップS9)。ここで、保管場所の酸素雰囲気の酸
素比率は20〜100%程度である。
Description
法に関し、特に不純物による汚染を防止した半導体基板
の処理方法に関する。
理として半導体基板(例えばシリコン基板)の洗浄を行
う。この洗浄においては一般的にRCA洗浄が使用され
る。RCA洗浄は、硫酸(H2SO4)、過酸化水素水
(H2O2)、純水(H2O)の混合液を洗浄液として使
用するSPM洗浄、アンモニア(NH4OH)、過酸化
水素水(H2O2)、純水(H2O)の混合液を洗浄液と
して使用するAPM洗浄、塩酸(HCl)、過酸化水素
水(H2O2)、純水(H2O)の混合液を洗浄液として
使用するHPM洗浄を半導体基板に対して施すものであ
る。
APM洗浄は有機物および重金属の除去に適しており、
HPM洗浄は重金属の除去に適している。なお、上述し
た各洗浄の間には純水洗浄を行う。また、3種の洗浄を
全て使用するのではなく、SPM洗浄およびAPM洗浄
だけを行う場合もある。
体基板の洗浄を行うと、半導体基板表面の有機物や重金
属は除去されるが、洗浄中に半導体基板表面に酸化膜が
形成される。これは、純水中の溶存酸素や過酸化水素水
の酸化作用によって自然に形成される自然酸化膜であ
る。この現象については特開平7−86220号公報、
特開平5−29292号公報、特開昭63−29516
号公報において示されている。
SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)分析を
行った結果を図7および図8に示す。図7はRCA洗浄
を行った直後の半導体基板上の自然酸化膜中のボロンを
分析した結果であり、図8はRCA洗浄後、清浄な大気
中に数時間放置した場合の半導体基板上の自然酸化膜中
のボロンを分析した結果である。いずれも横軸に深さ
(μm)を、縦軸に濃度(Atom/cm3)を示している。
酸化膜中のボロン濃度は検出下限以下であり、バックグ
ラウンドに隠れて判らないが、図8に領域Xで示される
ように、清浄な大気中に放置した場合は表面近傍のボロ
ン濃度が高くなっていることが判る。これは、大気中に
含まれるボロンが半導体基板上の自然酸化膜に取り込ま
れたことを意味している。言うまでもなくボロンは半導
体不純物として作用するので、それが半導体装置を形成
した後に半導体層中に移動すると、半導体装置の特性に
影響をおよぼすことになる。特に、半導体基板の洗浄
後、自然酸化膜を除去せずに半導体装置の製造工程に入
る場合は、酸化膜中にボロンが含まれることはできるだ
け回避しなければならない。しかし、上述したように半
導体基板の洗浄中に形成された自然酸化膜には、大気中
に放置することでボロンが取り込まれるという問題があ
った。なお、大気中にあって半導体特性に影響を与える
という点では、リンやナトリウムなども同様に酸化膜に
含まれることは回避しなければならない。
めになされたもので、半導体特性に影響を与える不純物
が取り込まれにくい酸化膜を表面に形成できる半導体基
板の処理方法を提供する。
載の半導体基板の処理方法は、半導体基板にRCA洗浄
を施す工程(a)と、前記RCA洗浄中に前記半導体基板
表面に形成された自然酸化膜を除去する工程(b)と、前
記自然酸化膜が除去された前記半導体基板を、酸素比率
が20〜100%の清浄な酸素雰囲気に曝し、前記半導
体基板の表面に飽和厚さに達する厚みの酸化膜を形成す
る工程(c)とを備えている。
処理方法は、前記工程(c)が、真空排気装置を有した真
空容器を準備し、前記自然酸化膜が除去された前記半導
体基板を前記真空容器中に収容し、該真空容器中の空気
を真空排気した後、該真空容器中に酸素を導入する工程
を含んでいる。
処理方法は、前記工程(c)が、密封容器を準備し、前記
自然酸化膜が除去された前記半導体基板を前記密封容器
中に収容し、該密封容器中の空気を置換により除去した
後、該密封容器中に酸素を導入する工程を含んでいる。
処理方法は、前記工程(c)が、前記酸素雰囲気の湿度が
40%以上となるように、純水による水蒸気を供給する
工程を含んでいる。
処理方法は、半導体基板にRCA洗浄を施す工程(a)
と、前記RCA洗浄中に前記半導体基板表面に形成され
た自然酸化膜を除去する工程(b)と、前記自然酸化膜が
除去された前記半導体基板を20〜100℃の純水中に
浸漬し、前記半導体基板の表面に10〜15オングスト
ロームの厚さに達する厚みの酸化膜を形成する工程(c)
とを備えている。
処理方法は、前記工程(c)が、前記半導体基板を純水中
に10〜20時間浸漬する工程を含んでいる。
処理方法は、半導体基板に硫酸、過酸化水素水、純水の
混合液を洗浄液として使用するSPM洗浄を施す工程
(a)と、前記SPM洗浄後の前記半導体基板に、アンモ
ニア、過酸化水素水、純水、オゾン水の混合液を洗浄液
として使用するAPMオゾン水洗浄を施し、前記半導体
基板の表面に酸化膜を形成する工程(b)を備えている。
処理方法は、前記工程(b)が、全溶液中のオゾン濃度が
1〜10ppmとなるように前記オゾン水を加える工程
を含んでいる。
て、本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の形態1
について説明する。
導体基板(ここではシリコン基板)に対してRCA洗浄
を施す。すなわち、硫酸(H2SO4)、過酸化水素水
(H2O2)、純水(H2O)の混合液を洗浄液として使
用するSPM(Sulfuric-Hydrogen Peroxide Mixture)
洗浄(ステップS2)、アンモニア(NH4OH)、過
酸化水素水(H2O2)、純水(H2O)の混合液を洗浄
液として使用するAPM(Ammonia-Hydrogen Peroxide
Mixture)洗浄(ステップS4)、塩酸(HCl)、過酸
化水素水(H2O2)、純水(H2O)の混合液を洗浄液
として使用するHPM(Hydrochloric acid-Hydrogen P
eroxide Mixture)洗浄(ステップS6)を順に行う。
の濃度は98%程度、過酸化水素水の濃度は31%程
度、硫酸対過酸化水素水の比率は5対1で、処理時間は
10分間程度である。APM洗浄の条件としては、アン
モニアの濃度は29%程度、過酸化水素水の濃度は31
%程度で、アンモニア対過酸化水素水対純水の比率は1
対1対5で、処理時間は10分間程度である。HPM洗
浄の条件としては、塩酸の濃度は37%程度、過酸化水
素水の濃度は31%程度で、塩酸対過酸化水素水対純水
の比率は1対1対6で、処理時間は10分間程度であ
る。
の後と、それぞれの洗浄の間には、半導体基板を純水を
用いて洗浄する純水洗浄(ステップS1、S3、S5、
S7)が施される。なお、RCA洗浄は、上記3種の洗
浄を全て行うのではなく、SPM洗浄およびAPM洗浄
だけでも良い。
に希フッ酸(HF)処理を施すことで、RCA洗浄中に
形成された半導体基板上の自然酸化膜を除去する(ステ
ップS8)。なお、希フッ酸処理の条件としては、フッ
酸の濃度は50%程度で、フッ酸対純水の比率は1対1
00で、処理時間は1分間程度である。
を清浄な酸素雰囲気中に所定時間保管することで、半導
体基板表面に酸化膜を形成する(ステップS9)。ここ
で、保管場所の酸素雰囲気の酸素比率は20〜100%
程度であり、半導体装置の製造が行われるクリーンルー
ムの清浄度で規定すれば、例えばクラス100以下の清
浄な酸素雰囲気中であれば良い。
気圧程度あるいは大気圧以下に満たした真空容器中に保
管すれば良いが、より簡便には、内部の空気を窒素等で
置換し、さらに窒素を酸素で置換した密閉容器中に保管
しても良い。この場合、容器中の酸素圧力が大気圧より
も高くなるようにして空気の侵入を防止したり、酸素の
供給、排出を常時行うようにする。なお、もっと簡便に
はクリーンルームに置かれたデシケータなどの容器内に
保管することでも良い。
が、酸化膜の成長が止まる時間(飽和時間)を基準とす
れば、もっと簡便なクリーンルーム大気中保管の場合、
24〜48時間となる。この場合の酸化膜の厚みは10
〜15オングストローム程度である。
酸化膜について、SIMS(Secondary Ion Mass Spect
rometry)分析を行った結果を図2および図3に示す。
図2は形成直後の半導体基板上の酸化膜中のボロンを分
析した結果であり、図3は形成後、クリーンルームの大
気中に数時間放置した場合の半導体基板上の酸化膜中の
ボロンを分析した結果である。いずれも横軸に深さ(μ
m)を、縦軸に濃度(Atom/cm3)を示している。
中のボロン濃度は検出下限以下(1×1015Atom/cm3
以下)であり、バックグラウンドに隠れて判らない。そ
して、図3に示されるようにクリーンルームの大気中に
放置した場合も、酸化膜中のボロン濃度は検出下限以下
であり、バックグラウンドに隠れて判らない。これは、
清浄な酸素雰囲気中で形成した酸化膜は、大気中に放置
してもボロンを取り込むことはないということを意味し
ている。
は、清浄な酸素雰囲気中で形成した酸化膜は、RCA洗
浄中に形成された自然酸化膜に比べて緻密な構造になっ
ていることが考えられる。先に提示した特開平7−86
220号公報には洗浄中に形成された自然酸化膜を利用
する技術が開示されているが、洗浄中に形成された自然
酸化膜は先に説明したようにボロンを取り込む性質を有
しており、問題があるが、特開平7−86220号公報
においてはそのような問題は認識されていない。
ように、実施の形態1の処理方法によれば、大気中に放
置してもボロンを取り込むことがない酸化膜を比較的簡
便に得ることができる。従って、半導体基板の洗浄後、
半導体基板上の酸化膜を除去せずに半導体装置の製造工
程に入っても、酸化膜中のボロンが半導体層に移動して
半導体装置の特性に影響を与えることがないので、半導
体基板上の酸化膜を除去する必要がなくなり、半導体装
置の製造工程を簡略化できる。
て、本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の形態2
について説明する。
導体基板に対してRCA洗浄を施す。なお、RCA洗浄
はSPM洗浄およびAPM洗浄を行うだけでも良い。
に希フッ酸処理を施すことで、RCA洗浄中に形成され
た半導体基板上の自然酸化膜を除去する(ステップS1
1)。
を純水中に所定時間浸漬することで、半導体基板表面に
酸化膜を形成する(ステップS12)。ここで、純水中
への浸漬時間は10〜20時間程度であり、純水の温度
は20〜100℃である。
膜の成長速度は、酸素雰囲気中での成長速度よりも1.
4倍程度速いことが発明者等の調査で判明した。そし
て、純水中においては酸化膜は飽和することなく成長を
続けることが判明した。
純水中に浸漬した場合、1000分(約17時間)経っ
ても飽和することなく成長を続ける。このときの酸化膜
の厚さは酸素雰囲気中での飽和厚さ(10〜15オング
ストローム)を越えており、これを大気中に出すと、酸
化は止まる。
酸化膜は、クリーンルームの大気中に放置した場合で
も、ボロンを取り込むことはないということがSIMS
分析により判明した。なお、SIMS分析結果は、図2
および図3を用いて説明したものと同じであるので図示
は省略する。
は、純水中で形成した酸化膜は、RCA洗浄中に形成さ
れた自然酸化膜に比べて緻密な構造になっていることが
考えられる。先に提示した特開平5−29292号公報
にはシリコン基板を純水でリンス処理した場合にシリコ
ン基板の表面に自然酸化膜が形成されることが記載され
ているが、これは従来一般に知られた現象であり、特開
平5−29292号公報においても従来技術である旨が
記載されている。このように、従来においてはシリコン
基板を短時間純水に曝すという技術思想は存在していた
が、本願発明のように長時間に渡ってシリコン基板を純
水中に浸漬して、ボロンを取り込むことがない酸化膜を
形成するという技術思想は存在していなかった。さらに
言えば、特開平5−29292号公報に示されるリンス
処理程度では酸化膜の厚さは飽和厚さに達しておらず、
この状態で大気中に放置すると大気中のボロンを取り込
みながら成長を続けることになる。しかし、特開平5−
29292号公報ではリンス処理で形成された酸化膜を
すぐに除去するのでボロンの取り込みを問題として認識
していない。
ように、実施の形態2の処理方法によれば、大気中に放
置してもボロンを取り込むことがない酸化膜を比較的簡
便に、しかも短時間で得ることができる。
場合、大気中での飽和厚さ以上の厚さにすることができ
るので、大気中では形成が不可能な厚さの酸化膜を形成
することができる。
は、20〜100℃の純水中に半導体基板を浸漬する方
法について説明したが、水蒸気密度が40%以上の雰囲
気中で半導体基板を長時間保管することで、酸化膜を形
成するようにしても良い。
雰囲気中に半導体基板を10〜20時間曝すことで、大
気中に放置してもボロンを取り込むことがない酸化膜を
形成することができる。湿度の与え方としては、超音波
で水蒸気を発生させる加湿器などを使用しても良いし、
純水を沸騰させて得られる蒸気を使用しても良い。
雰囲気中で行うことが望ましく、清浄な酸素雰囲気を得
るには、実施の形態1において説明したような方法を採
用すれば良い。
な酸素雰囲気中で形成するよりも速く所望の厚さの酸化
膜を得ることができる。また酸素濃度を調整すること
で、酸化膜の形成速度を調整することも可能となる。
て、本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の形態3
について説明する。
導体基板に対してSPM洗浄を施す。そして、SPM洗
浄が終わった半導体基板に、アンモニア(NH4O
H)、過酸化水素水(H2O2)、純水(H2O)、オゾ
ン水(O3)の混合液を洗浄液として使用するAPMオ
ゾン水洗浄を行い(ステップS21)、最後に純水洗浄
を行う(ステップS22)。
濃度が1〜10ppm程度となるように設定される。そ
して、APMオゾン水洗浄により半導体基板の表面には
酸化膜が形成される。
来からのAPM洗浄と同程度(10分程度)であり、形
成される酸化膜の厚みは飽和厚さには至っておらず、ク
リーンルームの大気中に放置することで成長を続ける
が、このようにして形成された酸化膜は、クリーンルー
ムの大気中に放置した場合でも、ボロンを取り込むこと
はないということがSIMS分析により判明した。
ように、実施の形態3の処理方法によれば、従来からの
APM洗浄液にオゾン水を加えた溶液により半導体基板
を洗浄することで、大気中に放置してもボロンを取り込
むことがない酸化膜を形成できるので、洗浄工程で形成
された酸化膜を除去した後に、ボロンを取り込むことが
ない酸化膜を改めて形成する方法に比べて処理工程を簡
略化することができる。
形態3の処理方法は、APMオゾン水液により半導体基
板を洗浄する例を説明したが、オゾン水により半導体基
板を洗浄することで大気中に放置してもボロンを取り込
むことがない酸化膜を形成しても良い。
て、本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の形態4
について説明する。
導体基板に対してRCA洗浄を施す。なお、RCA洗浄
はSPM洗浄およびAPM洗浄を行うだけでも良い。
に希フッ酸処理を施すことで、RCA洗浄中に形成され
た半導体基板上の自然酸化膜を除去する(ステップS3
1)。
を、オゾン濃度が5〜10ppm程度のオゾン水を使用
して洗浄する(ステップS32)。
であるが、形成される酸化膜の厚みは飽和している。こ
のようにして形成された酸化膜は、クリーンルームの大
気中に放置した場合でも、ボロンを取り込むことはない
ということがSIMS分析により判明した。
ように、実施の形態4の処理方法によれば、オゾン水に
より半導体基板を洗浄することで、大気中に放置しても
ボロンを取り込むことがない酸化膜を比較的簡便に、し
かもきわめて短時間で得ることができる。
理方法においては、ボロンの取り込みにのみ言及した説
明を行ったが、本発明に係る処理方法によれば、大気中
にあって半導体特性に影響を与えるリンやナトリウムな
どの取り込みを防止した酸化膜が得られることは言うま
でもない。
の処理方法によれば、RCA洗浄中に形成された自然酸
化膜を除去した半導体基板を、少なくともクリーンルー
ムレベルの清浄度を有し、酸素濃度比率が20〜100
%の酸素雰囲気に曝すことで、半導体基板の表面に、大
気中に放置しても大気中の不純物を取り込むことがない
酸化膜を形成できる。従って、半導体基板の洗浄後、半
導体基板上の酸化膜を除去せずに半導体装置の製造工程
に入っても、半導体装置の特性に影響を与えることがな
いので、半導体基板上の酸化膜を除去する必要がなくな
り、半導体装置の製造工程を簡略化することができる。
処理方法によれば、不純物の含有が極めて少なく、ま
た、大気中に放置しても大気中の不純物を取り込むこと
がない酸化膜を得ることができる。
処理方法によれば、大気中に放置しても大気中の不純物
を取り込むことがない酸化膜を比較的容易に得ることが
できる。
処理方法によれば、清浄な酸素雰囲気中で形成するより
も速く所望の厚さの酸化膜を得ることができる。
処理方法によれば、大気中に放置しても大気中の不純物
を取り込むことがない酸化膜を比較的簡便に、しかも短
時間で得ることができる。また、酸化膜を純水中に浸漬
して形成する場合、大気中での飽和厚さ以上の厚さにす
ることができるので、大気中では形成が不可能な厚さの
酸化膜を形成することができる。
処理方法によれば、大気中での飽和厚さに等しい厚さの
酸化膜を得ることができる。
処理方法によれば、半導体基板の洗浄工程で、大気中に
放置してもボロンを取り込むことがない酸化膜を形成で
きるので、洗浄工程で形成された酸化膜を除去した後
に、ボロンを取り込むことがない酸化膜を改めて形成す
る方法に比べて処理工程を簡略化することができる。
処理方法によれば、大気中に放置してもボロンを取り込
むことがない酸化膜を形成できるAPMオゾン水洗浄液
を容易に得ることができる。
形態1を説明するフローチャートである。
形態1により形成した直後の酸化膜のSIMS分析結果
を示す図である。
形態1により形成した酸化膜の大気中放置後のSIMS
分析結果を示す図である。
形態2を説明するフローチャートである。
形態3を説明するフローチャートである。
形態4を説明するフローチャートである。
直後のSIMS分析結果を示す図である。
中放置後のSIMS分析結果を示す図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 (a)半導体基板にRCA洗浄を施す工程
と、 (b)前記RCA洗浄中に前記半導体基板表面に形成され
た自然酸化膜を除去する工程と、 (c)前記自然酸化膜が除去された前記半導体基板を、酸
素比率が20〜100%の清浄な酸素雰囲気に曝し、前
記半導体基板の表面に飽和厚さに達する厚みの酸化膜を
形成する工程とを備える、半導体基板の処理方法。 - 【請求項2】 前記工程(c)は、 真空排気装置を有した真空容器を準備し、前記自然酸化
膜が除去された前記半導体基板を前記真空容器中に収容
し、該真空容器中の空気を真空排気した後、該真空容器
中に酸素を導入する工程を含む、請求項1記載の半導体
基板の処理方法。 - 【請求項3】 前記工程(c)は、 密封容器を準備し、前記自然酸化膜が除去された前記半
導体基板を前記密封容器中に収容し、該密封容器中の空
気を置換により除去した後、該密封容器中に酸素を導入
する工程を含む、請求項1記載の半導体基板の処理方
法。 - 【請求項4】 前記工程(c)は、 前記酸素雰囲気の湿度が40%以上となるように、純水
による水蒸気を供給する工程を含む、請求項1記載の半
導体基板の処理方法。 - 【請求項5】 (a)半導体基板にRCA洗浄を施す工程
と、 (b)前記RCA洗浄中に前記半導体基板表面に形成され
た自然酸化膜を除去する工程と、 (c)前記自然酸化膜が除去された前記半導体基板を20
〜100℃の純水中に浸漬し、前記半導体基板の表面に
10〜15オングストロームの厚さに達する厚みの酸化
膜を形成する工程とを備える、半導体基板の処理方法。 - 【請求項6】 前記工程(c)は、 前記半導体基板を純水中に10〜20時間浸漬する工程
を含む、請求項5記載の半導体基板の処理方法。 - 【請求項7】 (a)半導体基板に硫酸、過酸化水素水、
純水の混合液を洗浄液として使用するSPM洗浄を施す
工程と、 (b)前記SPM洗浄後の前記半導体基板に、アンモニ
ア、過酸化水素水、純水、オゾン水の混合液を洗浄液と
して使用するAPMオゾン水洗浄を施し、前記半導体基
板の表面に酸化膜を形成する工程を備える、半導体基板
の処理方法。 - 【請求項8】 前記工程(b)は、 全溶液中のオゾン濃度が1〜10ppmとなるように前
記オゾン水を加える工程を含む、請求項7記載の半導体
基板の処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10335994A JPH11233476A (ja) | 1997-12-01 | 1998-11-26 | 半導体基板の処理方法 |
US09/200,603 US6319331B1 (en) | 1997-12-01 | 1998-11-30 | Method for processing semiconductor substrate |
DE19855394A DE19855394A1 (de) | 1997-12-01 | 1998-12-01 | Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitersubstrats |
KR1019980052359A KR19990062702A (ko) | 1997-12-01 | 1998-12-01 | 반도체 기판의 처리방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9-330195 | 1997-12-01 | ||
JP33019597 | 1997-12-01 | ||
JP10335994A JPH11233476A (ja) | 1997-12-01 | 1998-11-26 | 半導体基板の処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11233476A true JPH11233476A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=26573442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10335994A Pending JPH11233476A (ja) | 1997-12-01 | 1998-11-26 | 半導体基板の処理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11233476A (ja) |
KR (1) | KR19990062702A (ja) |
DE (1) | DE19855394A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000049133A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体基板を洗浄する方法 |
WO2001073838A1 (fr) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de production pour une plaquette recuite |
JP2007234964A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Siltronic Ag | 半導体基板の洗浄方法 |
JP2008227207A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
WO2024157595A1 (ja) * | 2023-01-26 | 2024-08-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6230720B1 (en) * | 1999-08-16 | 2001-05-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Single-operation method of cleaning semiconductors after final polishing |
DE10100808A1 (de) * | 2001-01-10 | 2002-08-08 | Tenovis Gmbh & Co Kg | Verfahren und Anordnung zur Erfassung der Anwesenheit von Personen |
KR100418241B1 (ko) * | 2001-03-23 | 2004-02-11 | 주영창 | 멤즈소자의 가역적 밀봉 패키지 방법 |
US6620743B2 (en) | 2001-03-26 | 2003-09-16 | Asm America, Inc. | Stable, oxide-free silicon surface preparation |
DE10335102B4 (de) * | 2003-07-31 | 2008-06-26 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zur Herstellung einer epitaxialen Schicht für erhöhte Drain- und Sourcegebiete durch Entfernen von Kontaminationsstoffen |
US7479460B2 (en) | 2005-08-23 | 2009-01-20 | Asm America, Inc. | Silicon surface preparation |
KR100841994B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2008-06-27 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법 |
-
1998
- 1998-11-26 JP JP10335994A patent/JPH11233476A/ja active Pending
- 1998-12-01 KR KR1019980052359A patent/KR19990062702A/ko active Search and Examination
- 1998-12-01 DE DE19855394A patent/DE19855394A1/de not_active Ceased
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000049133A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体基板を洗浄する方法 |
WO2001073838A1 (fr) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de production pour une plaquette recuite |
JP2007234964A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Siltronic Ag | 半導体基板の洗浄方法 |
JP2008227207A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
US8802540B2 (en) | 2007-03-14 | 2014-08-12 | Sumco Corporation | Method of manufacturing bonded wafer |
WO2024157595A1 (ja) * | 2023-01-26 | 2024-08-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19990062702A (ko) | 1999-07-26 |
DE19855394A1 (de) | 1999-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5932022A (en) | SC-2 based pre-thermal treatment wafer cleaning process | |
US6319331B1 (en) | Method for processing semiconductor substrate | |
US4149905A (en) | Method of limiting stacking faults in oxidized silicon wafers | |
KR100391840B1 (ko) | 반도체기판표면상의절연막형성방법및그형성장치 | |
JPH11233476A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
JPH08264500A (ja) | 基板の洗浄方法 | |
JPH09106971A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
US6841450B2 (en) | Annealed wafer manufacturing method and annealed wafer | |
JPH04113620A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
EP0784336A2 (en) | Improvements in or relating to the fabrication and processing of semiconductor devices | |
US5880031A (en) | Method for vapor phase wafer cleaning | |
JP5152851B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3957268B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
US7132372B2 (en) | Method for preparing a semiconductor substrate surface for semiconductor device fabrication | |
JP3076202B2 (ja) | Eg用ポリシリコン膜の被着方法 | |
US7238291B2 (en) | Method for removing oxides from a Ge semiconductor substrate surface | |
JPH05160095A (ja) | 半導体ウェハーの洗浄乾燥方法 | |
JPH08264399A (ja) | 半導体基板の保管方法および半導体装置の製造方法 | |
JP3336175B2 (ja) | シリコンウエ−ハおよびその洗浄方法 | |
JPH0684865A (ja) | 半導体装置の乾式清浄化方法 | |
JP2662453B2 (ja) | GaAsウェハおよびその製造方法ならびにGaAsウェハへのイオン注入方法 | |
JPH06151304A (ja) | 化合物半導体ウェーハ | |
JPS6293950A (ja) | ウエハの製造方法 | |
JPH05259147A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
Sanz-Velasco et al. | Wafer bonding using oxygen plasma treatment in RIE and ICP RIE |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090625 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090625 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100625 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100625 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100625 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110625 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120625 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 13 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120625 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 14 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 14 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 15 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140625 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |