JPH11233476A - 半導体基板の処理方法 - Google Patents
半導体基板の処理方法Info
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- JPH11233476A JPH11233476A JP10335994A JP33599498A JPH11233476A JP H11233476 A JPH11233476 A JP H11233476A JP 10335994 A JP10335994 A JP 10335994A JP 33599498 A JP33599498 A JP 33599498A JP H11233476 A JPH11233476 A JP H11233476A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体特性に影響を与える不純物が取り込ま
れにくい酸化膜を表面に形成できる半導体基板の処理方
法を提供する。 【解決手段】 ＲＣＡ洗浄が終わった半導体基板に希フ
ッ酸（ＨＦ）処理を施すことで、ＲＣＡ洗浄中に形成さ
れた半導体基板上の自然酸化膜を除去する（ステップＳ
８）。なお、希フッ酸処理の条件としては、フッ酸の濃
度は５０％程度で、フッ酸対純水の比率は１対１００
で、処理時間は１分間程度である。最後に、自然酸化膜
を除去した半導体基板を清浄な酸素雰囲気中に所定時間
保管することで、半導体基板表面に酸化膜を形成する
（ステップＳ９）。ここで、保管場所の酸素雰囲気の酸
素比率は２０〜１００％程度である。
れにくい酸化膜を表面に形成できる半導体基板の処理方
法を提供する。 【解決手段】 ＲＣＡ洗浄が終わった半導体基板に希フ
ッ酸（ＨＦ）処理を施すことで、ＲＣＡ洗浄中に形成さ
れた半導体基板上の自然酸化膜を除去する（ステップＳ
８）。なお、希フッ酸処理の条件としては、フッ酸の濃
度は５０％程度で、フッ酸対純水の比率は１対１００
で、処理時間は１分間程度である。最後に、自然酸化膜
を除去した半導体基板を清浄な酸素雰囲気中に所定時間
保管することで、半導体基板表面に酸化膜を形成する
（ステップＳ９）。ここで、保管場所の酸素雰囲気の酸
素比率は２０〜１００％程度である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板の処理方
法に関し、特に不純物による汚染を防止した半導体基板
の処理方法に関する。
法に関し、特に不純物による汚染を防止した半導体基板
の処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程に先だって、前処
理として半導体基板（例えばシリコン基板）の洗浄を行
う。この洗浄においては一般的にＲＣＡ洗浄が使用され
る。ＲＣＡ洗浄は、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）、過酸化水素水
（Ｈ2Ｏ2）、純水（Ｈ2Ｏ）の混合液を洗浄液として使
用するＳＰＭ洗浄、アンモニア（ＮＨ4ＯＨ）、過酸化
水素水（Ｈ2Ｏ2）、純水（Ｈ2Ｏ）の混合液を洗浄液と
して使用するＡＰＭ洗浄、塩酸（ＨＣｌ）、過酸化水素
水（Ｈ2Ｏ2）、純水（Ｈ2Ｏ）の混合液を洗浄液として
使用するＨＰＭ洗浄を半導体基板に対して施すものであ
る。
理として半導体基板（例えばシリコン基板）の洗浄を行
う。この洗浄においては一般的にＲＣＡ洗浄が使用され
る。ＲＣＡ洗浄は、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）、過酸化水素水
（Ｈ2Ｏ2）、純水（Ｈ2Ｏ）の混合液を洗浄液として使
用するＳＰＭ洗浄、アンモニア（ＮＨ4ＯＨ）、過酸化
水素水（Ｈ2Ｏ2）、純水（Ｈ2Ｏ）の混合液を洗浄液と
して使用するＡＰＭ洗浄、塩酸（ＨＣｌ）、過酸化水素
水（Ｈ2Ｏ2）、純水（Ｈ2Ｏ）の混合液を洗浄液として
使用するＨＰＭ洗浄を半導体基板に対して施すものであ
る。
【０００３】ＳＰＭ洗浄は有機物の除去に適しており、
ＡＰＭ洗浄は有機物および重金属の除去に適しており、
ＨＰＭ洗浄は重金属の除去に適している。なお、上述し
た各洗浄の間には純水洗浄を行う。また、３種の洗浄を
全て使用するのではなく、ＳＰＭ洗浄およびＡＰＭ洗浄
だけを行う場合もある。
ＡＰＭ洗浄は有機物および重金属の除去に適しており、
ＨＰＭ洗浄は重金属の除去に適している。なお、上述し
た各洗浄の間には純水洗浄を行う。また、３種の洗浄を
全て使用するのではなく、ＳＰＭ洗浄およびＡＰＭ洗浄
だけを行う場合もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＲＣＡ洗浄により半導
体基板の洗浄を行うと、半導体基板表面の有機物や重金
属は除去されるが、洗浄中に半導体基板表面に酸化膜が
形成される。これは、純水中の溶存酸素や過酸化水素水
の酸化作用によって自然に形成される自然酸化膜であ
る。この現象については特開平７−８６２２０号公報、
特開平５−２９２９２号公報、特開昭６３−２９５１６
号公報において示されている。
体基板の洗浄を行うと、半導体基板表面の有機物や重金
属は除去されるが、洗浄中に半導体基板表面に酸化膜が
形成される。これは、純水中の溶存酸素や過酸化水素水
の酸化作用によって自然に形成される自然酸化膜であ
る。この現象については特開平７−８６２２０号公報、
特開平５−２９２９２号公報、特開昭６３−２９５１６
号公報において示されている。
【０００５】この半導体基板上の自然酸化膜について、
ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry）分析を
行った結果を図７および図８に示す。図７はＲＣＡ洗浄
を行った直後の半導体基板上の自然酸化膜中のボロンを
分析した結果であり、図８はＲＣＡ洗浄後、清浄な大気
中に数時間放置した場合の半導体基板上の自然酸化膜中
のボロンを分析した結果である。いずれも横軸に深さ
（μｍ）を、縦軸に濃度（Atom/ｃｍ3）を示している。
ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry）分析を
行った結果を図７および図８に示す。図７はＲＣＡ洗浄
を行った直後の半導体基板上の自然酸化膜中のボロンを
分析した結果であり、図８はＲＣＡ洗浄後、清浄な大気
中に数時間放置した場合の半導体基板上の自然酸化膜中
のボロンを分析した結果である。いずれも横軸に深さ
（μｍ）を、縦軸に濃度（Atom/ｃｍ3）を示している。
【０００６】図７に示されるようにＲＣＡ洗浄直後には
酸化膜中のボロン濃度は検出下限以下であり、バックグ
ラウンドに隠れて判らないが、図８に領域Ｘで示される
ように、清浄な大気中に放置した場合は表面近傍のボロ
ン濃度が高くなっていることが判る。これは、大気中に
含まれるボロンが半導体基板上の自然酸化膜に取り込ま
れたことを意味している。言うまでもなくボロンは半導
体不純物として作用するので、それが半導体装置を形成
した後に半導体層中に移動すると、半導体装置の特性に
影響をおよぼすことになる。特に、半導体基板の洗浄
後、自然酸化膜を除去せずに半導体装置の製造工程に入
る場合は、酸化膜中にボロンが含まれることはできるだ
け回避しなければならない。しかし、上述したように半
導体基板の洗浄中に形成された自然酸化膜には、大気中
に放置することでボロンが取り込まれるという問題があ
った。なお、大気中にあって半導体特性に影響を与える
という点では、リンやナトリウムなども同様に酸化膜に
含まれることは回避しなければならない。
酸化膜中のボロン濃度は検出下限以下であり、バックグ
ラウンドに隠れて判らないが、図８に領域Ｘで示される
ように、清浄な大気中に放置した場合は表面近傍のボロ
ン濃度が高くなっていることが判る。これは、大気中に
含まれるボロンが半導体基板上の自然酸化膜に取り込ま
れたことを意味している。言うまでもなくボロンは半導
体不純物として作用するので、それが半導体装置を形成
した後に半導体層中に移動すると、半導体装置の特性に
影響をおよぼすことになる。特に、半導体基板の洗浄
後、自然酸化膜を除去せずに半導体装置の製造工程に入
る場合は、酸化膜中にボロンが含まれることはできるだ
け回避しなければならない。しかし、上述したように半
導体基板の洗浄中に形成された自然酸化膜には、大気中
に放置することでボロンが取り込まれるという問題があ
った。なお、大気中にあって半導体特性に影響を与える
という点では、リンやナトリウムなども同様に酸化膜に
含まれることは回避しなければならない。
【０００７】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、半導体特性に影響を与える不純物
が取り込まれにくい酸化膜を表面に形成できる半導体基
板の処理方法を提供する。
めになされたもので、半導体特性に影響を与える不純物
が取り込まれにくい酸化膜を表面に形成できる半導体基
板の処理方法を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１記
載の半導体基板の処理方法は、半導体基板にＲＣＡ洗浄
を施す工程(ａ)と、前記ＲＣＡ洗浄中に前記半導体基板
表面に形成された自然酸化膜を除去する工程(ｂ)と、前
記自然酸化膜が除去された前記半導体基板を、酸素比率
が２０〜１００％の清浄な酸素雰囲気に曝し、前記半導
体基板の表面に飽和厚さに達する厚みの酸化膜を形成す
る工程(ｃ)とを備えている。
載の半導体基板の処理方法は、半導体基板にＲＣＡ洗浄
を施す工程(ａ)と、前記ＲＣＡ洗浄中に前記半導体基板
表面に形成された自然酸化膜を除去する工程(ｂ)と、前
記自然酸化膜が除去された前記半導体基板を、酸素比率
が２０〜１００％の清浄な酸素雰囲気に曝し、前記半導
体基板の表面に飽和厚さに達する厚みの酸化膜を形成す
る工程(ｃ)とを備えている。
【０００９】本発明に係る請求項２記載の半導体基板の
処理方法は、前記工程(ｃ)が、真空排気装置を有した真
空容器を準備し、前記自然酸化膜が除去された前記半導
体基板を前記真空容器中に収容し、該真空容器中の空気
を真空排気した後、該真空容器中に酸素を導入する工程
を含んでいる。
処理方法は、前記工程(ｃ)が、真空排気装置を有した真
空容器を準備し、前記自然酸化膜が除去された前記半導
体基板を前記真空容器中に収容し、該真空容器中の空気
を真空排気した後、該真空容器中に酸素を導入する工程
を含んでいる。
【００１０】本発明に係る請求項３記載の半導体基板の
処理方法は、前記工程(ｃ)が、密封容器を準備し、前記
自然酸化膜が除去された前記半導体基板を前記密封容器
中に収容し、該密封容器中の空気を置換により除去した
後、該密封容器中に酸素を導入する工程を含んでいる。
処理方法は、前記工程(ｃ)が、密封容器を準備し、前記
自然酸化膜が除去された前記半導体基板を前記密封容器
中に収容し、該密封容器中の空気を置換により除去した
後、該密封容器中に酸素を導入する工程を含んでいる。
【００１１】本発明に係る請求項４記載の半導体基板の
処理方法は、前記工程(ｃ)が、前記酸素雰囲気の湿度が
４０％以上となるように、純水による水蒸気を供給する
工程を含んでいる。
処理方法は、前記工程(ｃ)が、前記酸素雰囲気の湿度が
４０％以上となるように、純水による水蒸気を供給する
工程を含んでいる。
【００１２】本発明に係る請求項５記載の半導体基板の
処理方法は、半導体基板にＲＣＡ洗浄を施す工程(ａ)
と、前記ＲＣＡ洗浄中に前記半導体基板表面に形成され
た自然酸化膜を除去する工程(ｂ)と、前記自然酸化膜が
除去された前記半導体基板を２０〜１００℃の純水中に
浸漬し、前記半導体基板の表面に１０〜１５オングスト
ロームの厚さに達する厚みの酸化膜を形成する工程(ｃ)
とを備えている。
処理方法は、半導体基板にＲＣＡ洗浄を施す工程(ａ)
と、前記ＲＣＡ洗浄中に前記半導体基板表面に形成され
た自然酸化膜を除去する工程(ｂ)と、前記自然酸化膜が
除去された前記半導体基板を２０〜１００℃の純水中に
浸漬し、前記半導体基板の表面に１０〜１５オングスト
ロームの厚さに達する厚みの酸化膜を形成する工程(ｃ)
とを備えている。
【００１３】本発明に係る請求項６記載の半導体基板の
処理方法は、前記工程(ｃ)が、前記半導体基板を純水中
に１０〜２０時間浸漬する工程を含んでいる。
処理方法は、前記工程(ｃ)が、前記半導体基板を純水中
に１０〜２０時間浸漬する工程を含んでいる。
【００１４】本発明に係る請求項７記載の半導体基板の
処理方法は、半導体基板に硫酸、過酸化水素水、純水の
混合液を洗浄液として使用するＳＰＭ洗浄を施す工程
(ａ)と、前記ＳＰＭ洗浄後の前記半導体基板に、アンモ
ニア、過酸化水素水、純水、オゾン水の混合液を洗浄液
として使用するＡＰＭオゾン水洗浄を施し、前記半導体
基板の表面に酸化膜を形成する工程(ｂ)を備えている。
処理方法は、半導体基板に硫酸、過酸化水素水、純水の
混合液を洗浄液として使用するＳＰＭ洗浄を施す工程
(ａ)と、前記ＳＰＭ洗浄後の前記半導体基板に、アンモ
ニア、過酸化水素水、純水、オゾン水の混合液を洗浄液
として使用するＡＰＭオゾン水洗浄を施し、前記半導体
基板の表面に酸化膜を形成する工程(ｂ)を備えている。
【００１５】本発明に係る請求項８記載の半導体基板の
処理方法は、前記工程(ｂ)が、全溶液中のオゾン濃度が
１〜１０ｐｐｍとなるように前記オゾン水を加える工程
を含んでいる。
処理方法は、前記工程(ｂ)が、全溶液中のオゾン濃度が
１〜１０ｐｐｍとなるように前記オゾン水を加える工程
を含んでいる。
【００１６】
【発明の実施の形態】＜Ａ．実施の形態１＞ ＜Ａ−１．処理方法＞図１に示すフローチャートを用い
て、本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の形態１
について説明する。
て、本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の形態１
について説明する。
【００１７】まず、ステップＳ１〜Ｓ７に示すように半
導体基板（ここではシリコン基板）に対してＲＣＡ洗浄
を施す。すなわち、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）、過酸化水素水
（Ｈ2Ｏ2）、純水（Ｈ2Ｏ）の混合液を洗浄液として使
用するＳＰＭ（Sulfuric-Hydrogen Peroxide Mixture）
洗浄（ステップＳ２）、アンモニア（ＮＨ4ＯＨ）、過
酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）、純水（Ｈ2Ｏ）の混合液を洗浄
液として使用するＡＰＭ（Ammonia-Hydrogen Peroxide
Mixture)洗浄（ステップＳ４）、塩酸（ＨＣｌ）、過酸
化水素水（Ｈ2Ｏ2）、純水（Ｈ2Ｏ）の混合液を洗浄液
として使用するＨＰＭ（Hydrochloric acid-Hydrogen P
eroxide Mixture）洗浄（ステップＳ６）を順に行う。
導体基板（ここではシリコン基板）に対してＲＣＡ洗浄
を施す。すなわち、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）、過酸化水素水
（Ｈ2Ｏ2）、純水（Ｈ2Ｏ）の混合液を洗浄液として使
用するＳＰＭ（Sulfuric-Hydrogen Peroxide Mixture）
洗浄（ステップＳ２）、アンモニア（ＮＨ4ＯＨ）、過
酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）、純水（Ｈ2Ｏ）の混合液を洗浄
液として使用するＡＰＭ（Ammonia-Hydrogen Peroxide
Mixture)洗浄（ステップＳ４）、塩酸（ＨＣｌ）、過酸
化水素水（Ｈ2Ｏ2）、純水（Ｈ2Ｏ）の混合液を洗浄液
として使用するＨＰＭ（Hydrochloric acid-Hydrogen P
eroxide Mixture）洗浄（ステップＳ６）を順に行う。
【００１８】ここで、ＳＰＭ洗浄の条件としては、硫酸
の濃度は９８％程度、過酸化水素水の濃度は３１％程
度、硫酸対過酸化水素水の比率は５対１で、処理時間は
１０分間程度である。ＡＰＭ洗浄の条件としては、アン
モニアの濃度は２９％程度、過酸化水素水の濃度は３１
％程度で、アンモニア対過酸化水素水対純水の比率は１
対１対５で、処理時間は１０分間程度である。ＨＰＭ洗
浄の条件としては、塩酸の濃度は３７％程度、過酸化水
素水の濃度は３１％程度で、塩酸対過酸化水素水対純水
の比率は１対１対６で、処理時間は１０分間程度であ
る。
の濃度は９８％程度、過酸化水素水の濃度は３１％程
度、硫酸対過酸化水素水の比率は５対１で、処理時間は
１０分間程度である。ＡＰＭ洗浄の条件としては、アン
モニアの濃度は２９％程度、過酸化水素水の濃度は３１
％程度で、アンモニア対過酸化水素水対純水の比率は１
対１対５で、処理時間は１０分間程度である。ＨＰＭ洗
浄の条件としては、塩酸の濃度は３７％程度、過酸化水
素水の濃度は３１％程度で、塩酸対過酸化水素水対純水
の比率は１対１対６で、処理時間は１０分間程度であ
る。
【００１９】なお、ＳＰＭ洗浄の前、およびＨＰＭ洗浄
の後と、それぞれの洗浄の間には、半導体基板を純水を
用いて洗浄する純水洗浄（ステップＳ１、Ｓ３、Ｓ５、
Ｓ７）が施される。なお、ＲＣＡ洗浄は、上記３種の洗
浄を全て行うのではなく、ＳＰＭ洗浄およびＡＰＭ洗浄
だけでも良い。
の後と、それぞれの洗浄の間には、半導体基板を純水を
用いて洗浄する純水洗浄（ステップＳ１、Ｓ３、Ｓ５、
Ｓ７）が施される。なお、ＲＣＡ洗浄は、上記３種の洗
浄を全て行うのではなく、ＳＰＭ洗浄およびＡＰＭ洗浄
だけでも良い。
【００２０】そして、ＲＣＡ洗浄が終わった半導体基板
に希フッ酸（ＨＦ）処理を施すことで、ＲＣＡ洗浄中に
形成された半導体基板上の自然酸化膜を除去する（ステ
ップＳ８）。なお、希フッ酸処理の条件としては、フッ
酸の濃度は５０％程度で、フッ酸対純水の比率は１対１
００で、処理時間は１分間程度である。
に希フッ酸（ＨＦ）処理を施すことで、ＲＣＡ洗浄中に
形成された半導体基板上の自然酸化膜を除去する（ステ
ップＳ８）。なお、希フッ酸処理の条件としては、フッ
酸の濃度は５０％程度で、フッ酸対純水の比率は１対１
００で、処理時間は１分間程度である。
【００２１】最後に、自然酸化膜を除去した半導体基板
を清浄な酸素雰囲気中に所定時間保管することで、半導
体基板表面に酸化膜を形成する（ステップＳ９）。ここ
で、保管場所の酸素雰囲気の酸素比率は２０〜１００％
程度であり、半導体装置の製造が行われるクリーンルー
ムの清浄度で規定すれば、例えばクラス１００以下の清
浄な酸素雰囲気中であれば良い。
を清浄な酸素雰囲気中に所定時間保管することで、半導
体基板表面に酸化膜を形成する（ステップＳ９）。ここ
で、保管場所の酸素雰囲気の酸素比率は２０〜１００％
程度であり、半導体装置の製造が行われるクリーンルー
ムの清浄度で規定すれば、例えばクラス１００以下の清
浄な酸素雰囲気中であれば良い。
【００２２】より理想的には、空気を排気し、酸素を大
気圧程度あるいは大気圧以下に満たした真空容器中に保
管すれば良いが、より簡便には、内部の空気を窒素等で
置換し、さらに窒素を酸素で置換した密閉容器中に保管
しても良い。この場合、容器中の酸素圧力が大気圧より
も高くなるようにして空気の侵入を防止したり、酸素の
供給、排出を常時行うようにする。なお、もっと簡便に
はクリーンルームに置かれたデシケータなどの容器内に
保管することでも良い。
気圧程度あるいは大気圧以下に満たした真空容器中に保
管すれば良いが、より簡便には、内部の空気を窒素等で
置換し、さらに窒素を酸素で置換した密閉容器中に保管
しても良い。この場合、容器中の酸素圧力が大気圧より
も高くなるようにして空気の侵入を防止したり、酸素の
供給、排出を常時行うようにする。なお、もっと簡便に
はクリーンルームに置かれたデシケータなどの容器内に
保管することでも良い。
【００２３】なお、保管時間は酸素濃度によって変わる
が、酸化膜の成長が止まる時間（飽和時間）を基準とす
れば、もっと簡便なクリーンルーム大気中保管の場合、
２４〜４８時間となる。この場合の酸化膜の厚みは１０
〜１５オングストローム程度である。
が、酸化膜の成長が止まる時間（飽和時間）を基準とす
れば、もっと簡便なクリーンルーム大気中保管の場合、
２４〜４８時間となる。この場合の酸化膜の厚みは１０
〜１５オングストローム程度である。
【００２４】このようにして形成された半導体基板上の
酸化膜について、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spect
rometry）分析を行った結果を図２および図３に示す。
図２は形成直後の半導体基板上の酸化膜中のボロンを分
析した結果であり、図３は形成後、クリーンルームの大
気中に数時間放置した場合の半導体基板上の酸化膜中の
ボロンを分析した結果である。いずれも横軸に深さ（μ
ｍ）を、縦軸に濃度（Atom/ｃｍ3）を示している。
酸化膜について、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spect
rometry）分析を行った結果を図２および図３に示す。
図２は形成直後の半導体基板上の酸化膜中のボロンを分
析した結果であり、図３は形成後、クリーンルームの大
気中に数時間放置した場合の半導体基板上の酸化膜中の
ボロンを分析した結果である。いずれも横軸に深さ（μ
ｍ）を、縦軸に濃度（Atom/ｃｍ3）を示している。
【００２５】図２に示されるように形成直後には酸化膜
中のボロン濃度は検出下限以下（１×１０15Atom/ｃｍ3
以下）であり、バックグラウンドに隠れて判らない。そ
して、図３に示されるようにクリーンルームの大気中に
放置した場合も、酸化膜中のボロン濃度は検出下限以下
であり、バックグラウンドに隠れて判らない。これは、
清浄な酸素雰囲気中で形成した酸化膜は、大気中に放置
してもボロンを取り込むことはないということを意味し
ている。
中のボロン濃度は検出下限以下（１×１０15Atom/ｃｍ3
以下）であり、バックグラウンドに隠れて判らない。そ
して、図３に示されるようにクリーンルームの大気中に
放置した場合も、酸化膜中のボロン濃度は検出下限以下
であり、バックグラウンドに隠れて判らない。これは、
清浄な酸素雰囲気中で形成した酸化膜は、大気中に放置
してもボロンを取り込むことはないということを意味し
ている。
【００２６】ボロンが取り込まれない理由の１つとして
は、清浄な酸素雰囲気中で形成した酸化膜は、ＲＣＡ洗
浄中に形成された自然酸化膜に比べて緻密な構造になっ
ていることが考えられる。先に提示した特開平７−８６
２２０号公報には洗浄中に形成された自然酸化膜を利用
する技術が開示されているが、洗浄中に形成された自然
酸化膜は先に説明したようにボロンを取り込む性質を有
しており、問題があるが、特開平７−８６２２０号公報
においてはそのような問題は認識されていない。
は、清浄な酸素雰囲気中で形成した酸化膜は、ＲＣＡ洗
浄中に形成された自然酸化膜に比べて緻密な構造になっ
ていることが考えられる。先に提示した特開平７−８６
２２０号公報には洗浄中に形成された自然酸化膜を利用
する技術が開示されているが、洗浄中に形成された自然
酸化膜は先に説明したようにボロンを取り込む性質を有
しており、問題があるが、特開平７−８６２２０号公報
においてはそのような問題は認識されていない。
【００２７】＜Ａ−２．特徴的作用効果＞以上説明した
ように、実施の形態１の処理方法によれば、大気中に放
置してもボロンを取り込むことがない酸化膜を比較的簡
便に得ることができる。従って、半導体基板の洗浄後、
半導体基板上の酸化膜を除去せずに半導体装置の製造工
程に入っても、酸化膜中のボロンが半導体層に移動して
半導体装置の特性に影響を与えることがないので、半導
体基板上の酸化膜を除去する必要がなくなり、半導体装
置の製造工程を簡略化できる。
ように、実施の形態１の処理方法によれば、大気中に放
置してもボロンを取り込むことがない酸化膜を比較的簡
便に得ることができる。従って、半導体基板の洗浄後、
半導体基板上の酸化膜を除去せずに半導体装置の製造工
程に入っても、酸化膜中のボロンが半導体層に移動して
半導体装置の特性に影響を与えることがないので、半導
体基板上の酸化膜を除去する必要がなくなり、半導体装
置の製造工程を簡略化できる。
【００２８】＜Ｂ．実施の形態２＞ ＜Ｂ−１．処理方法＞図４に示すフローチャートを用い
て、本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の形態２
について説明する。
て、本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の形態２
について説明する。
【００２９】まず、ステップＳ１〜Ｓ７に示すように半
導体基板に対してＲＣＡ洗浄を施す。なお、ＲＣＡ洗浄
はＳＰＭ洗浄およびＡＰＭ洗浄を行うだけでも良い。
導体基板に対してＲＣＡ洗浄を施す。なお、ＲＣＡ洗浄
はＳＰＭ洗浄およびＡＰＭ洗浄を行うだけでも良い。
【００３０】そして、ＲＣＡ洗浄が終わった半導体基板
に希フッ酸処理を施すことで、ＲＣＡ洗浄中に形成され
た半導体基板上の自然酸化膜を除去する（ステップＳ１
１）。
に希フッ酸処理を施すことで、ＲＣＡ洗浄中に形成され
た半導体基板上の自然酸化膜を除去する（ステップＳ１
１）。
【００３１】最後に、自然酸化膜を除去した半導体基板
を純水中に所定時間浸漬することで、半導体基板表面に
酸化膜を形成する（ステップＳ１２）。ここで、純水中
への浸漬時間は１０〜２０時間程度であり、純水の温度
は２０〜１００℃である。
を純水中に所定時間浸漬することで、半導体基板表面に
酸化膜を形成する（ステップＳ１２）。ここで、純水中
への浸漬時間は１０〜２０時間程度であり、純水の温度
は２０〜１００℃である。
【００３２】純水中に半導体基板を浸漬した場合、酸化
膜の成長速度は、酸素雰囲気中での成長速度よりも１．
４倍程度速いことが発明者等の調査で判明した。そし
て、純水中においては酸化膜は飽和することなく成長を
続けることが判明した。
膜の成長速度は、酸素雰囲気中での成長速度よりも１．
４倍程度速いことが発明者等の調査で判明した。そし
て、純水中においては酸化膜は飽和することなく成長を
続けることが判明した。
【００３３】例えば、２３℃（クリーンルーム室温）の
純水中に浸漬した場合、１０００分（約１７時間）経っ
ても飽和することなく成長を続ける。このときの酸化膜
の厚さは酸素雰囲気中での飽和厚さ（１０〜１５オング
ストローム）を越えており、これを大気中に出すと、酸
化は止まる。
純水中に浸漬した場合、１０００分（約１７時間）経っ
ても飽和することなく成長を続ける。このときの酸化膜
の厚さは酸素雰囲気中での飽和厚さ（１０〜１５オング
ストローム）を越えており、これを大気中に出すと、酸
化は止まる。
【００３４】このようにして形成された半導体基板上の
酸化膜は、クリーンルームの大気中に放置した場合で
も、ボロンを取り込むことはないということがＳＩＭＳ
分析により判明した。なお、ＳＩＭＳ分析結果は、図２
および図３を用いて説明したものと同じであるので図示
は省略する。
酸化膜は、クリーンルームの大気中に放置した場合で
も、ボロンを取り込むことはないということがＳＩＭＳ
分析により判明した。なお、ＳＩＭＳ分析結果は、図２
および図３を用いて説明したものと同じであるので図示
は省略する。
【００３５】ボロンが取り込まれない理由の１つとして
は、純水中で形成した酸化膜は、ＲＣＡ洗浄中に形成さ
れた自然酸化膜に比べて緻密な構造になっていることが
考えられる。先に提示した特開平５−２９２９２号公報
にはシリコン基板を純水でリンス処理した場合にシリコ
ン基板の表面に自然酸化膜が形成されることが記載され
ているが、これは従来一般に知られた現象であり、特開
平５−２９２９２号公報においても従来技術である旨が
記載されている。このように、従来においてはシリコン
基板を短時間純水に曝すという技術思想は存在していた
が、本願発明のように長時間に渡ってシリコン基板を純
水中に浸漬して、ボロンを取り込むことがない酸化膜を
形成するという技術思想は存在していなかった。さらに
言えば、特開平５−２９２９２号公報に示されるリンス
処理程度では酸化膜の厚さは飽和厚さに達しておらず、
この状態で大気中に放置すると大気中のボロンを取り込
みながら成長を続けることになる。しかし、特開平５−
２９２９２号公報ではリンス処理で形成された酸化膜を
すぐに除去するのでボロンの取り込みを問題として認識
していない。
は、純水中で形成した酸化膜は、ＲＣＡ洗浄中に形成さ
れた自然酸化膜に比べて緻密な構造になっていることが
考えられる。先に提示した特開平５−２９２９２号公報
にはシリコン基板を純水でリンス処理した場合にシリコ
ン基板の表面に自然酸化膜が形成されることが記載され
ているが、これは従来一般に知られた現象であり、特開
平５−２９２９２号公報においても従来技術である旨が
記載されている。このように、従来においてはシリコン
基板を短時間純水に曝すという技術思想は存在していた
が、本願発明のように長時間に渡ってシリコン基板を純
水中に浸漬して、ボロンを取り込むことがない酸化膜を
形成するという技術思想は存在していなかった。さらに
言えば、特開平５−２９２９２号公報に示されるリンス
処理程度では酸化膜の厚さは飽和厚さに達しておらず、
この状態で大気中に放置すると大気中のボロンを取り込
みながら成長を続けることになる。しかし、特開平５−
２９２９２号公報ではリンス処理で形成された酸化膜を
すぐに除去するのでボロンの取り込みを問題として認識
していない。
【００３６】＜Ｂ−２．特徴的作用効果＞以上説明した
ように、実施の形態２の処理方法によれば、大気中に放
置してもボロンを取り込むことがない酸化膜を比較的簡
便に、しかも短時間で得ることができる。
ように、実施の形態２の処理方法によれば、大気中に放
置してもボロンを取り込むことがない酸化膜を比較的簡
便に、しかも短時間で得ることができる。
【００３７】また、酸化膜を純水中に浸漬して形成する
場合、大気中での飽和厚さ以上の厚さにすることができ
るので、大気中では形成が不可能な厚さの酸化膜を形成
することができる。
場合、大気中での飽和厚さ以上の厚さにすることができ
るので、大気中では形成が不可能な厚さの酸化膜を形成
することができる。
【００３８】＜Ｂ−３．変形例＞以上の説明において
は、２０〜１００℃の純水中に半導体基板を浸漬する方
法について説明したが、水蒸気密度が４０％以上の雰囲
気中で半導体基板を長時間保管することで、酸化膜を形
成するようにしても良い。
は、２０〜１００℃の純水中に半導体基板を浸漬する方
法について説明したが、水蒸気密度が４０％以上の雰囲
気中で半導体基板を長時間保管することで、酸化膜を形
成するようにしても良い。
【００３９】例えば、湿度が８０〜９０％もあるような
雰囲気中に半導体基板を１０〜２０時間曝すことで、大
気中に放置してもボロンを取り込むことがない酸化膜を
形成することができる。湿度の与え方としては、超音波
で水蒸気を発生させる加湿器などを使用しても良いし、
純水を沸騰させて得られる蒸気を使用しても良い。
雰囲気中に半導体基板を１０〜２０時間曝すことで、大
気中に放置してもボロンを取り込むことがない酸化膜を
形成することができる。湿度の与え方としては、超音波
で水蒸気を発生させる加湿器などを使用しても良いし、
純水を沸騰させて得られる蒸気を使用しても良い。
【００４０】なお、この方法を採る場合は、清浄な酸素
雰囲気中で行うことが望ましく、清浄な酸素雰囲気を得
るには、実施の形態１において説明したような方法を採
用すれば良い。
雰囲気中で行うことが望ましく、清浄な酸素雰囲気を得
るには、実施の形態１において説明したような方法を採
用すれば良い。
【００４１】上記のような方法を採用することで、清浄
な酸素雰囲気中で形成するよりも速く所望の厚さの酸化
膜を得ることができる。また酸素濃度を調整すること
で、酸化膜の形成速度を調整することも可能となる。
な酸素雰囲気中で形成するよりも速く所望の厚さの酸化
膜を得ることができる。また酸素濃度を調整すること
で、酸化膜の形成速度を調整することも可能となる。
【００４２】＜Ｃ．実施の形態３＞ ＜Ｃ−１．処理方法＞図５に示すフローチャートを用い
て、本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の形態３
について説明する。
て、本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の形態３
について説明する。
【００４３】まず、ステップＳ１〜Ｓ３に示すように半
導体基板に対してＳＰＭ洗浄を施す。そして、ＳＰＭ洗
浄が終わった半導体基板に、アンモニア（ＮＨ4Ｏ
Ｈ）、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）、純水（Ｈ2Ｏ）、オゾ
ン水（Ｏ3）の混合液を洗浄液として使用するＡＰＭオ
ゾン水洗浄を行い（ステップＳ２１）、最後に純水洗浄
を行う（ステップＳ２２）。
導体基板に対してＳＰＭ洗浄を施す。そして、ＳＰＭ洗
浄が終わった半導体基板に、アンモニア（ＮＨ4Ｏ
Ｈ）、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）、純水（Ｈ2Ｏ）、オゾ
ン水（Ｏ3）の混合液を洗浄液として使用するＡＰＭオ
ゾン水洗浄を行い（ステップＳ２１）、最後に純水洗浄
を行う（ステップＳ２２）。
【００４４】ここで、オゾン水の量は全溶液中のオゾン
濃度が１〜１０ｐｐｍ程度となるように設定される。そ
して、ＡＰＭオゾン水洗浄により半導体基板の表面には
酸化膜が形成される。
濃度が１〜１０ｐｐｍ程度となるように設定される。そ
して、ＡＰＭオゾン水洗浄により半導体基板の表面には
酸化膜が形成される。
【００４５】なお、ＡＰＭオゾン水洗浄の処理時間は従
来からのＡＰＭ洗浄と同程度（１０分程度）であり、形
成される酸化膜の厚みは飽和厚さには至っておらず、ク
リーンルームの大気中に放置することで成長を続ける
が、このようにして形成された酸化膜は、クリーンルー
ムの大気中に放置した場合でも、ボロンを取り込むこと
はないということがＳＩＭＳ分析により判明した。
来からのＡＰＭ洗浄と同程度（１０分程度）であり、形
成される酸化膜の厚みは飽和厚さには至っておらず、ク
リーンルームの大気中に放置することで成長を続ける
が、このようにして形成された酸化膜は、クリーンルー
ムの大気中に放置した場合でも、ボロンを取り込むこと
はないということがＳＩＭＳ分析により判明した。
【００４６】＜Ｃ−２．特徴的作用効果＞以上説明した
ように、実施の形態３の処理方法によれば、従来からの
ＡＰＭ洗浄液にオゾン水を加えた溶液により半導体基板
を洗浄することで、大気中に放置してもボロンを取り込
むことがない酸化膜を形成できるので、洗浄工程で形成
された酸化膜を除去した後に、ボロンを取り込むことが
ない酸化膜を改めて形成する方法に比べて処理工程を簡
略化することができる。
ように、実施の形態３の処理方法によれば、従来からの
ＡＰＭ洗浄液にオゾン水を加えた溶液により半導体基板
を洗浄することで、大気中に放置してもボロンを取り込
むことがない酸化膜を形成できるので、洗浄工程で形成
された酸化膜を除去した後に、ボロンを取り込むことが
ない酸化膜を改めて形成する方法に比べて処理工程を簡
略化することができる。
【００４７】＜Ｄ．実施の形態４＞ ＜Ｄ−１．処理方法＞以上説明した本発明に係る実施の
形態３の処理方法は、ＡＰＭオゾン水液により半導体基
板を洗浄する例を説明したが、オゾン水により半導体基
板を洗浄することで大気中に放置してもボロンを取り込
むことがない酸化膜を形成しても良い。
形態３の処理方法は、ＡＰＭオゾン水液により半導体基
板を洗浄する例を説明したが、オゾン水により半導体基
板を洗浄することで大気中に放置してもボロンを取り込
むことがない酸化膜を形成しても良い。
【００４８】以下、図６に示すフローチャートを用い
て、本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の形態４
について説明する。
て、本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の形態４
について説明する。
【００４９】まず、ステップＳ１〜Ｓ７に示すように半
導体基板に対してＲＣＡ洗浄を施す。なお、ＲＣＡ洗浄
はＳＰＭ洗浄およびＡＰＭ洗浄を行うだけでも良い。
導体基板に対してＲＣＡ洗浄を施す。なお、ＲＣＡ洗浄
はＳＰＭ洗浄およびＡＰＭ洗浄を行うだけでも良い。
【００５０】そして、ＲＣＡ洗浄が終わった半導体基板
に希フッ酸処理を施すことで、ＲＣＡ洗浄中に形成され
た半導体基板上の自然酸化膜を除去する（ステップＳ３
１）。
に希フッ酸処理を施すことで、ＲＣＡ洗浄中に形成され
た半導体基板上の自然酸化膜を除去する（ステップＳ３
１）。
【００５１】最後に、自然酸化膜を除去した半導体基板
を、オゾン濃度が５〜１０ｐｐｍ程度のオゾン水を使用
して洗浄する（ステップＳ３２）。
を、オゾン濃度が５〜１０ｐｐｍ程度のオゾン水を使用
して洗浄する（ステップＳ３２）。
【００５２】なお、オゾン水洗浄の処理時間は３分程度
であるが、形成される酸化膜の厚みは飽和している。こ
のようにして形成された酸化膜は、クリーンルームの大
気中に放置した場合でも、ボロンを取り込むことはない
ということがＳＩＭＳ分析により判明した。
であるが、形成される酸化膜の厚みは飽和している。こ
のようにして形成された酸化膜は、クリーンルームの大
気中に放置した場合でも、ボロンを取り込むことはない
ということがＳＩＭＳ分析により判明した。
【００５３】＜Ｄ−２．特徴的作用効果＞以上説明した
ように、実施の形態４の処理方法によれば、オゾン水に
より半導体基板を洗浄することで、大気中に放置しても
ボロンを取り込むことがない酸化膜を比較的簡便に、し
かもきわめて短時間で得ることができる。
ように、実施の形態４の処理方法によれば、オゾン水に
より半導体基板を洗浄することで、大気中に放置しても
ボロンを取り込むことがない酸化膜を比較的簡便に、し
かもきわめて短時間で得ることができる。
【００５４】なお、以上説明した実施の形態１〜４の処
理方法においては、ボロンの取り込みにのみ言及した説
明を行ったが、本発明に係る処理方法によれば、大気中
にあって半導体特性に影響を与えるリンやナトリウムな
どの取り込みを防止した酸化膜が得られることは言うま
でもない。
理方法においては、ボロンの取り込みにのみ言及した説
明を行ったが、本発明に係る処理方法によれば、大気中
にあって半導体特性に影響を与えるリンやナトリウムな
どの取り込みを防止した酸化膜が得られることは言うま
でもない。
【００５５】
【発明の効果】本発明に係る請求項１記載の半導体基板
の処理方法によれば、ＲＣＡ洗浄中に形成された自然酸
化膜を除去した半導体基板を、少なくともクリーンルー
ムレベルの清浄度を有し、酸素濃度比率が２０〜１００
％の酸素雰囲気に曝すことで、半導体基板の表面に、大
気中に放置しても大気中の不純物を取り込むことがない
酸化膜を形成できる。従って、半導体基板の洗浄後、半
導体基板上の酸化膜を除去せずに半導体装置の製造工程
に入っても、半導体装置の特性に影響を与えることがな
いので、半導体基板上の酸化膜を除去する必要がなくな
り、半導体装置の製造工程を簡略化することができる。
の処理方法によれば、ＲＣＡ洗浄中に形成された自然酸
化膜を除去した半導体基板を、少なくともクリーンルー
ムレベルの清浄度を有し、酸素濃度比率が２０〜１００
％の酸素雰囲気に曝すことで、半導体基板の表面に、大
気中に放置しても大気中の不純物を取り込むことがない
酸化膜を形成できる。従って、半導体基板の洗浄後、半
導体基板上の酸化膜を除去せずに半導体装置の製造工程
に入っても、半導体装置の特性に影響を与えることがな
いので、半導体基板上の酸化膜を除去する必要がなくな
り、半導体装置の製造工程を簡略化することができる。
【００５６】本発明に係る請求項２記載の半導体基板の
処理方法によれば、不純物の含有が極めて少なく、ま
た、大気中に放置しても大気中の不純物を取り込むこと
がない酸化膜を得ることができる。
処理方法によれば、不純物の含有が極めて少なく、ま
た、大気中に放置しても大気中の不純物を取り込むこと
がない酸化膜を得ることができる。
【００５７】本発明に係る請求項３記載の半導体基板の
処理方法によれば、大気中に放置しても大気中の不純物
を取り込むことがない酸化膜を比較的容易に得ることが
できる。
処理方法によれば、大気中に放置しても大気中の不純物
を取り込むことがない酸化膜を比較的容易に得ることが
できる。
【００５８】本発明に係る請求項４記載の半導体基板の
処理方法によれば、清浄な酸素雰囲気中で形成するより
も速く所望の厚さの酸化膜を得ることができる。
処理方法によれば、清浄な酸素雰囲気中で形成するより
も速く所望の厚さの酸化膜を得ることができる。
【００５９】本発明に係る請求項５記載の半導体基板の
処理方法によれば、大気中に放置しても大気中の不純物
を取り込むことがない酸化膜を比較的簡便に、しかも短
時間で得ることができる。また、酸化膜を純水中に浸漬
して形成する場合、大気中での飽和厚さ以上の厚さにす
ることができるので、大気中では形成が不可能な厚さの
酸化膜を形成することができる。
処理方法によれば、大気中に放置しても大気中の不純物
を取り込むことがない酸化膜を比較的簡便に、しかも短
時間で得ることができる。また、酸化膜を純水中に浸漬
して形成する場合、大気中での飽和厚さ以上の厚さにす
ることができるので、大気中では形成が不可能な厚さの
酸化膜を形成することができる。
【００６０】本発明に係る請求項６記載の半導体基板の
処理方法によれば、大気中での飽和厚さに等しい厚さの
酸化膜を得ることができる。
処理方法によれば、大気中での飽和厚さに等しい厚さの
酸化膜を得ることができる。
【００６１】本発明に係る請求項７記載の半導体基板の
処理方法によれば、半導体基板の洗浄工程で、大気中に
放置してもボロンを取り込むことがない酸化膜を形成で
きるので、洗浄工程で形成された酸化膜を除去した後
に、ボロンを取り込むことがない酸化膜を改めて形成す
る方法に比べて処理工程を簡略化することができる。
処理方法によれば、半導体基板の洗浄工程で、大気中に
放置してもボロンを取り込むことがない酸化膜を形成で
きるので、洗浄工程で形成された酸化膜を除去した後
に、ボロンを取り込むことがない酸化膜を改めて形成す
る方法に比べて処理工程を簡略化することができる。
【００６２】本発明に係る請求項８記載の半導体基板の
処理方法によれば、大気中に放置してもボロンを取り込
むことがない酸化膜を形成できるＡＰＭオゾン水洗浄液
を容易に得ることができる。
処理方法によれば、大気中に放置してもボロンを取り込
むことがない酸化膜を形成できるＡＰＭオゾン水洗浄液
を容易に得ることができる。
【図１】 本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の
形態１を説明するフローチャートである。
形態１を説明するフローチャートである。
【図２】 本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の
形態１により形成した直後の酸化膜のＳＩＭＳ分析結果
を示す図である。
形態１により形成した直後の酸化膜のＳＩＭＳ分析結果
を示す図である。
【図３】 本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の
形態１により形成した酸化膜の大気中放置後のＳＩＭＳ
分析結果を示す図である。
形態１により形成した酸化膜の大気中放置後のＳＩＭＳ
分析結果を示す図である。
【図４】 本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の
形態２を説明するフローチャートである。
形態２を説明するフローチャートである。
【図５】 本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の
形態３を説明するフローチャートである。
形態３を説明するフローチャートである。
【図６】 本発明に係る半導体基板の処理方法の実施の
形態４を説明するフローチャートである。
形態４を説明するフローチャートである。
【図７】 ＲＣＡ洗浄により得られた自然酸化膜の形成
直後のＳＩＭＳ分析結果を示す図である。
直後のＳＩＭＳ分析結果を示す図である。
【図８】 ＲＣＡ洗浄により得られた自然酸化膜の大気
中放置後のＳＩＭＳ分析結果を示す図である。
中放置後のＳＩＭＳ分析結果を示す図である。
Claims (8)
- 【請求項１】 (ａ)半導体基板にＲＣＡ洗浄を施す工程
と、 (ｂ)前記ＲＣＡ洗浄中に前記半導体基板表面に形成され
た自然酸化膜を除去する工程と、 (ｃ)前記自然酸化膜が除去された前記半導体基板を、酸
素比率が２０〜１００％の清浄な酸素雰囲気に曝し、前
記半導体基板の表面に飽和厚さに達する厚みの酸化膜を
形成する工程とを備える、半導体基板の処理方法。 - 【請求項２】 前記工程(ｃ)は、 真空排気装置を有した真空容器を準備し、前記自然酸化
膜が除去された前記半導体基板を前記真空容器中に収容
し、該真空容器中の空気を真空排気した後、該真空容器
中に酸素を導入する工程を含む、請求項１記載の半導体
基板の処理方法。 - 【請求項３】 前記工程(ｃ)は、 密封容器を準備し、前記自然酸化膜が除去された前記半
導体基板を前記密封容器中に収容し、該密封容器中の空
気を置換により除去した後、該密封容器中に酸素を導入
する工程を含む、請求項１記載の半導体基板の処理方
法。 - 【請求項４】 前記工程(ｃ)は、 前記酸素雰囲気の湿度が４０％以上となるように、純水
による水蒸気を供給する工程を含む、請求項１記載の半
導体基板の処理方法。 - 【請求項５】 (ａ)半導体基板にＲＣＡ洗浄を施す工程
と、 (ｂ)前記ＲＣＡ洗浄中に前記半導体基板表面に形成され
た自然酸化膜を除去する工程と、 (ｃ)前記自然酸化膜が除去された前記半導体基板を２０
〜１００℃の純水中に浸漬し、前記半導体基板の表面に
１０〜１５オングストロームの厚さに達する厚みの酸化
膜を形成する工程とを備える、半導体基板の処理方法。 - 【請求項６】 前記工程(ｃ)は、 前記半導体基板を純水中に１０〜２０時間浸漬する工程
を含む、請求項５記載の半導体基板の処理方法。 - 【請求項７】 (ａ)半導体基板に硫酸、過酸化水素水、
純水の混合液を洗浄液として使用するＳＰＭ洗浄を施す
工程と、 (ｂ)前記ＳＰＭ洗浄後の前記半導体基板に、アンモニ
ア、過酸化水素水、純水、オゾン水の混合液を洗浄液と
して使用するＡＰＭオゾン水洗浄を施し、前記半導体基
板の表面に酸化膜を形成する工程を備える、半導体基板
の処理方法。 - 【請求項８】 前記工程(ｂ)は、 全溶液中のオゾン濃度が１〜１０ｐｐｍとなるように前
記オゾン水を加える工程を含む、請求項７記載の半導体
基板の処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10335994A JPH11233476A (ja) | 1997-12-01 | 1998-11-26 | 半導体基板の処理方法 |
| US09/200,603 US6319331B1 (en) | 1997-12-01 | 1998-11-30 | Method for processing semiconductor substrate |
| DE19855394A DE19855394A1 (de) | 1997-12-01 | 1998-12-01 | Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitersubstrats |
| KR1019980052359A KR19990062702A (ko) | 1997-12-01 | 1998-12-01 | 반도체 기판의 처리방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-330195 | 1997-12-01 | ||
| JP33019597 | 1997-12-01 | ||
| JP10335994A JPH11233476A (ja) | 1997-12-01 | 1998-11-26 | 半導体基板の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233476A true JPH11233476A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=26573442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10335994A Pending JPH11233476A (ja) | 1997-12-01 | 1998-11-26 | 半導体基板の処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233476A (ja) |
| KR (1) | KR19990062702A (ja) |
| DE (1) | DE19855394A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2000049133A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体基板を洗浄する方法 |
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