KR100841994B1 - 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법 - Google Patents
실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (7)
- 수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 탈이온수(H2O)를 포함하는 SC-1 용액을 이용하여 실리콘 웨이퍼 표면을 세정하는 단계;염산(HCl), 과산화수소(H2O2) 및 탈이온수(H2O)를 포함하는 SC-2 용액을 이용하여 상기 실리콘 웨이퍼 표면을 세정하는 단계; 및오존수를 이용하여 상기 실리콘 웨이퍼 표면을 세정함으로써 상기 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 1ppm ~ 20ppm의 범위 내의 오존 농도에서 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막의 두께는 100Å 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막의 두께는 30Å 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 오존수를 이용한 단계는 10∼30℃ 내에서 실시하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 10초∼10분 내로 상기 실리콘 웨이퍼를 상기 오존수에 담가 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법.
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Citations (4)
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---|---|---|---|---|
KR960035859A (ko) * | 1995-03-10 | 1996-10-28 | 사토 후미오 | 반도체기판의 표면처리액과 이 처리액을 사용한 표면처리방법 및 표면처리장치 |
KR0161851B1 (ko) * | 1995-12-05 | 1999-02-01 | 문정환 | 산화막 형성방법 |
KR19990062702A (ko) * | 1997-12-01 | 1999-07-26 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 반도체 기판의 처리방법 |
KR20030052817A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자용 게이트 산화막 전처리 방법 |
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---|---|---|---|---|
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KR0161851B1 (ko) * | 1995-12-05 | 1999-02-01 | 문정환 | 산화막 형성방법 |
KR19990062702A (ko) * | 1997-12-01 | 1999-07-26 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 반도체 기판의 처리방법 |
KR20030052817A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자용 게이트 산화막 전처리 방법 |
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