JPH05259147A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05259147A JPH05259147A JP5581392A JP5581392A JPH05259147A JP H05259147 A JPH05259147 A JP H05259147A JP 5581392 A JP5581392 A JP 5581392A JP 5581392 A JP5581392 A JP 5581392A JP H05259147 A JPH05259147 A JP H05259147A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- boron
- semiconductor device
- growth apparatus
- cleaned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造方法、特に、シリコンウェ
ーハとその上に気相成長するシリコン膜との界面に不純
物が介在しないようにするための前処理方法に関し、シ
リコンウェーハ表面からボロンを除去し、シリコンウェ
ーハとその上に成長するシリコン膜との界面にボロンを
含む層が形成されないようにする前処理方法を提供する
ことを目的とする。 【構成】 シリコンウェーハをマニトールの添加された
フッ酸を使用して洗浄し、洗浄されたシリコンウェーハ
を空気に晒すことなく乾燥して気相成長装置に搬入し、
シリコンウェーハ上にシリコン膜を気相成長するように
構成する。
ーハとその上に気相成長するシリコン膜との界面に不純
物が介在しないようにするための前処理方法に関し、シ
リコンウェーハ表面からボロンを除去し、シリコンウェ
ーハとその上に成長するシリコン膜との界面にボロンを
含む層が形成されないようにする前処理方法を提供する
ことを目的とする。 【構成】 シリコンウェーハをマニトールの添加された
フッ酸を使用して洗浄し、洗浄されたシリコンウェーハ
を空気に晒すことなく乾燥して気相成長装置に搬入し、
シリコンウェーハ上にシリコン膜を気相成長するように
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、特に、シリコンウェーハとその上に気相成長するシ
リコン膜との界面に不純物が介在しないようにするため
の前処理方法に関する。
法、特に、シリコンウェーハとその上に気相成長するシ
リコン膜との界面に不純物が介在しないようにするため
の前処理方法に関する。
【０００２】ＬＳＩの微細化、高性能化のため、シリコ
ンウェーハとその上に気相成長するシリコン膜との界面
に極微量の不純物が介在しても、そこに形成される半導
体装置の特性に悪影響を及ぼす。そのため、シリコンウ
ェーハとその上に成長するシリコン膜との界面に不純物
が介在しないようにする必要がある。
ンウェーハとその上に気相成長するシリコン膜との界面
に極微量の不純物が介在しても、そこに形成される半導
体装置の特性に悪影響を及ぼす。そのため、シリコンウ
ェーハとその上に成長するシリコン膜との界面に不純物
が介在しないようにする必要がある。
【０００３】
【従来の技術】シリコンウェーハ上にシリコン膜を気相
成長するときの前処理としては、まずシリコンウェーハ
を硝酸、硫酸等を使用して酸洗浄し、さらに過酸化水素
とアンモニアと水との混合液を使用してなすＲＣＡ洗浄
を実施して水洗し、大気中において乾燥する方法が知ら
れている。
成長するときの前処理としては、まずシリコンウェーハ
を硝酸、硫酸等を使用して酸洗浄し、さらに過酸化水素
とアンモニアと水との混合液を使用してなすＲＣＡ洗浄
を実施して水洗し、大気中において乾燥する方法が知ら
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】クリーンルームに使用
される空気清浄フィルタにはボロンが含まれている関係
でクリーンルーム内の空気にはボロンが比較的多く含ま
れており、シリコンウェーハを空気中に晒すと表面にボ
ロンが吸着する。ボロンの吸着しているシリコンウェー
ハに酸洗浄やＲＣＡ洗浄を施しても一旦離脱したボロン
が再付着して完全にボロンを除去することは難しい。ま
た、洗浄後の乾燥や気相成長装置への搬送過程において
空気に接触すると空気中のボロンが再び吸着する。
される空気清浄フィルタにはボロンが含まれている関係
でクリーンルーム内の空気にはボロンが比較的多く含ま
れており、シリコンウェーハを空気中に晒すと表面にボ
ロンが吸着する。ボロンの吸着しているシリコンウェー
ハに酸洗浄やＲＣＡ洗浄を施しても一旦離脱したボロン
が再付着して完全にボロンを除去することは難しい。ま
た、洗浄後の乾燥や気相成長装置への搬送過程において
空気に接触すると空気中のボロンが再び吸着する。
【０００５】ボロンが吸着しているシリコンウェーハ上
にシリコンを気相成長すると、多結晶膜成長の場合には
抵抗値が不安定な膜となり、エピタキシャル膜成長の場
合には界面反転や異常不純物分布が発生し、そこに形成
される半導体装置に正常な特性が得られないという問題
が生ずる。
にシリコンを気相成長すると、多結晶膜成長の場合には
抵抗値が不安定な膜となり、エピタキシャル膜成長の場
合には界面反転や異常不純物分布が発生し、そこに形成
される半導体装置に正常な特性が得られないという問題
が生ずる。
【０００６】本発明の目的は、これらの欠点を解消する
ことにあり、シリコンウェーハ表面からボロンを除去
し、シリコンウェーハとその上に成長するシリコン膜と
の界面にボロンを含む層が形成されないようにする前処
理方法を提供することにある。
ことにあり、シリコンウェーハ表面からボロンを除去
し、シリコンウェーハとその上に成長するシリコン膜と
の界面にボロンを含む層が形成されないようにする前処
理方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、シリコン
ウェーハをマニトールの添加されたフッ酸を使用して洗
浄し、この洗浄されたシリコンウェーハを空気に晒すこ
となく乾燥して気相成長装置に搬入し、前記のシリコン
ウェーハ上にシリコン膜を気相成長する工程を有する半
導体装置の製造方法によって達成される。なお、前記の
マニトールとしては、Ｄ・マニトール、Ｄ・ソルビッ
ト、または、ズルシットがあり、また、前記の洗浄され
たシリコンウェーハを空気に晒すことなく乾燥して気相
成長装置に搬入する方法は、前記の洗浄されたシリコン
ウェーハを不活性ガスの充填された容器または真空容器
に収容して乾燥した後この容器を前記の気相成長装置に
接続し、この容器に収容されている前記の乾燥されたシ
リコンウェーハを前記の気相成長装置に直接搬入するよ
うにすればよい。
ウェーハをマニトールの添加されたフッ酸を使用して洗
浄し、この洗浄されたシリコンウェーハを空気に晒すこ
となく乾燥して気相成長装置に搬入し、前記のシリコン
ウェーハ上にシリコン膜を気相成長する工程を有する半
導体装置の製造方法によって達成される。なお、前記の
マニトールとしては、Ｄ・マニトール、Ｄ・ソルビッ
ト、または、ズルシットがあり、また、前記の洗浄され
たシリコンウェーハを空気に晒すことなく乾燥して気相
成長装置に搬入する方法は、前記の洗浄されたシリコン
ウェーハを不活性ガスの充填された容器または真空容器
に収容して乾燥した後この容器を前記の気相成長装置に
接続し、この容器に収容されている前記の乾燥されたシ
リコンウェーハを前記の気相成長装置に直接搬入するよ
うにすればよい。
【０００８】
【作用】従来の洗浄に加えてマニトールの添加されたフ
ッ酸を使用して洗浄すると、シリコンウェーハ表面に吸
着しているボロンは、 Ｈ3 ＢＯ4 ＋Ｃ6 Ｈ14Ｏ6 →Ｈ+ ＋〔Ｈ2 ＢＯ4 ・Ｃ6
Ｈ14Ｏ6 〕- のように反応してボロンを包み込んだ錯体が作られる。
この錯体は水洗によって容易に除去され、再付着するこ
とがないのでシリコンウェーハ表面からボロンが完全に
除去される。また、水洗されたシリコンウェーハは不活
性ガスの充填された容器または真空容器中において乾燥
されてそのまゝ気相成長装置に搬送され、不活性ガスの
充填された容器または真空容器から空気に触れることな
く直接気相成長装置内に搬入されるので、前処理後に空
気中のボロンが吸着することはない。
ッ酸を使用して洗浄すると、シリコンウェーハ表面に吸
着しているボロンは、 Ｈ3 ＢＯ4 ＋Ｃ6 Ｈ14Ｏ6 →Ｈ+ ＋〔Ｈ2 ＢＯ4 ・Ｃ6
Ｈ14Ｏ6 〕- のように反応してボロンを包み込んだ錯体が作られる。
この錯体は水洗によって容易に除去され、再付着するこ
とがないのでシリコンウェーハ表面からボロンが完全に
除去される。また、水洗されたシリコンウェーハは不活
性ガスの充填された容器または真空容器中において乾燥
されてそのまゝ気相成長装置に搬送され、不活性ガスの
充填された容器または真空容器から空気に触れることな
く直接気相成長装置内に搬入されるので、前処理後に空
気中のボロンが吸着することはない。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
係るシリコンウェーハの前処理工程について説明する。
係るシリコンウェーハの前処理工程について説明する。
【００１０】まず、従来のようにシリコンウェーハを硝
酸、硫酸等を使用して酸洗浄し、次いで過酸化水素とア
ンモニアと水との混合液を使用してなすＲＣＡ洗浄を実
施した後水洗し、大気中において乾燥する。乾燥したシ
リコンウェーハを気相成長装置に導入し、６２５℃の温
度でシラン（ＳｉＨ4 ）を熱分解させて第１層目のポリ
シリコン膜を５００Å厚に気相成長する。
酸、硫酸等を使用して酸洗浄し、次いで過酸化水素とア
ンモニアと水との混合液を使用してなすＲＣＡ洗浄を実
施した後水洗し、大気中において乾燥する。乾燥したシ
リコンウェーハを気相成長装置に導入し、６２５℃の温
度でシラン（ＳｉＨ4 ）を熱分解させて第１層目のポリ
シリコン膜を５００Å厚に気相成長する。
【００１１】次に、再び前記と同様に酸洗浄とＲＣＡ洗
浄とを実施した後、１％の希フッ酸に０．０１％のマニ
トールを添加した溶液に１〜５秒間浸漬した後取り出し
て水洗する。水洗したシリコンウェーハを直ちに窒素ガ
スの充填された容器に収容して乾燥した後、その容器に
収容したまゝ気相成長装置に搬送し、シリコンウェーハ
を大気に晒すことなく窒素ガスの充填された容器から直
接気相成長装置に搬入して前記と同様に第２層目のポリ
シリコン膜を５００Å厚に気相成長する。
浄とを実施した後、１％の希フッ酸に０．０１％のマニ
トールを添加した溶液に１〜５秒間浸漬した後取り出し
て水洗する。水洗したシリコンウェーハを直ちに窒素ガ
スの充填された容器に収容して乾燥した後、その容器に
収容したまゝ気相成長装置に搬送し、シリコンウェーハ
を大気に晒すことなく窒素ガスの充填された容器から直
接気相成長装置に搬入して前記と同様に第２層目のポリ
シリコン膜を５００Å厚に気相成長する。
【００１２】なお、窒素ガスの充填された容器に代えて
真空容器を使用してもよい。また、マニトールとして
は、下記の構造式
真空容器を使用してもよい。また、マニトールとして
は、下記の構造式
【００１３】
【化１】 を有するＤ・マニトール（Ｃ6 Ｈ14Ｏ6 ）、または、そ
の光学異性体である下記の構造式
の光学異性体である下記の構造式
【００１４】
【化２】 を有するＤ・ソルビット（Ｃ6 Ｈ14Ｏ6 ）、または、下
記の構造式
記の構造式
【００１５】
【化３】 を有するズルシット（Ｃ6 Ｈ14Ｏ6 ）のいずれを使用し
てもよい。
てもよい。
【００１６】図１参照 ポリシリコン膜を成長した時の界面におけるボロン濃度
をＳＩＭＳ分析した結果を図１に示す。シリコンウェー
ハと第１層目のポリシリコン膜との界面と第２層目のポ
リシリコン膜表面とにおいてはボロンが検出されている
が、本発明に係る前処理がなされた第１層目と第２層目
のポリシリコン膜の界面においてはボロンが検出され
ず、本発明の前処理効果が認められた。
をＳＩＭＳ分析した結果を図１に示す。シリコンウェー
ハと第１層目のポリシリコン膜との界面と第２層目のポ
リシリコン膜表面とにおいてはボロンが検出されている
が、本発明に係る前処理がなされた第１層目と第２層目
のポリシリコン膜の界面においてはボロンが検出され
ず、本発明の前処理効果が認められた。
【００１７】参考例 図２参照 なお、参考例として、通常の前処理すなわち酸洗浄とＲ
ＣＡ洗浄とを実施して水洗し、空気中において乾燥した
後５００Å厚のポリシリコン膜を気相成長する工程を２
回繰り返し実施した場合のそれぞれの界面におけるボロ
ン濃度のＳＩＭＳ分析結果を図２に示す。シリコンウェ
ーハと第１層目のポリシリコン膜との界面、第１層目と
第２層目のポリシリコン膜の界面及び第２層目のポリシ
リコン膜の表面にそれぞれボロンが検出された。これ
は、従来の前処理によるボロンの除去が不十分であるこ
とゝ、気相成長前にシリコンウェーハが空気に晒される
ことによってボロンがシリコンウェーハ表面に吸着する
ことゝによるものである。
ＣＡ洗浄とを実施して水洗し、空気中において乾燥した
後５００Å厚のポリシリコン膜を気相成長する工程を２
回繰り返し実施した場合のそれぞれの界面におけるボロ
ン濃度のＳＩＭＳ分析結果を図２に示す。シリコンウェ
ーハと第１層目のポリシリコン膜との界面、第１層目と
第２層目のポリシリコン膜の界面及び第２層目のポリシ
リコン膜の表面にそれぞれボロンが検出された。これ
は、従来の前処理によるボロンの除去が不十分であるこ
とゝ、気相成長前にシリコンウェーハが空気に晒される
ことによってボロンがシリコンウェーハ表面に吸着する
ことゝによるものである。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体装置の製造方法においては、マニトールの添加された
フッ酸を使用して洗浄することによってシリコンウェー
ハ表面に吸着しているボロンを確実に除去することがで
きるので、その上に気相成長するシリコン膜との界面に
ボロンが介在しなくなり、そこに形成される半導体装置
の特性の安定化と歩留りの向上と信頼性の向上とに寄与
するところが大きい。
体装置の製造方法においては、マニトールの添加された
フッ酸を使用して洗浄することによってシリコンウェー
ハ表面に吸着しているボロンを確実に除去することがで
きるので、その上に気相成長するシリコン膜との界面に
ボロンが介在しなくなり、そこに形成される半導体装置
の特性の安定化と歩留りの向上と信頼性の向上とに寄与
するところが大きい。
【図１】本発明の前処理方法を実施してシリコンウェー
ハ上にポリシリコン膜を成長したときの界面におけるボ
ロン濃度をＳＩＭＳ分析した結果を示すグラフである。
ハ上にポリシリコン膜を成長したときの界面におけるボ
ロン濃度をＳＩＭＳ分析した結果を示すグラフである。
【図２】従来の前処理方法を実施してシリコンウェーハ
上にポリシリコン膜を成長したときの界面におけるボロ
ン濃度をＳＩＭＳ分析した結果を示すグラフである。
上にポリシリコン膜を成長したときの界面におけるボロ
ン濃度をＳＩＭＳ分析した結果を示すグラフである。
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコンウェーハをマニトールの添加さ
れたフッ酸を使用して洗浄し、 該洗浄されたシリコンウェーハを空気に晒すことなく乾
燥して気相成長装置に搬入し、前記シリコンウェーハ上
にシリコン膜を気相成長する工程を有することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記マニトールは、Ｄ・マニトール、Ｄ
・ソルビット、または、ズルシットであることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記洗浄されたシリコンウェーハを空気
に晒すことなく乾燥して気相成長装置に搬入する方法
は、前記洗浄されたシリコンウェーハを不活性ガスの充
填された容器または真空容器に収容して乾燥した後該容
器を前記気相成長装置に接続し、該容器に収容されてい
る前記乾燥されたシリコンウェーハを前記気相成長装置
に直接搬入することを特徴とする請求項１または２記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5581392A JPH05259147A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5581392A JPH05259147A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259147A true JPH05259147A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13009377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5581392A Withdrawn JPH05259147A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259147A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001023649A1 (en) * | 1999-09-29 | 2001-04-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer, epitaxial filter, and method of manufacture thereof |
| JP2001244209A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アンチモン拡散方法 |
| US20070063199A1 (en) * | 1998-10-06 | 2007-03-22 | Kenji Kasahara | Semiconductor apparatus having semiconductor circuits made of semiconductor devices, and method of manufacture thereof |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP5581392A patent/JPH05259147A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070063199A1 (en) * | 1998-10-06 | 2007-03-22 | Kenji Kasahara | Semiconductor apparatus having semiconductor circuits made of semiconductor devices, and method of manufacture thereof |
| WO2001023649A1 (en) * | 1999-09-29 | 2001-04-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer, epitaxial filter, and method of manufacture thereof |
| KR100774066B1 (ko) * | 1999-09-29 | 2007-11-06 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 웨이퍼, 에피택셜웨이퍼 및 이들의 제조방법 |
| US9163327B2 (en) | 1999-09-29 | 2015-10-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon wafer and a silicon epitaxial wafer having a polycrystal silicon layer formed on a major surface including boron concentration of the polycrystal silicon layer being 1×1015 atom/cm3 or less |
| JP2001244209A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アンチモン拡散方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5679171A (en) | Method of cleaning substrate | |
| US7108748B2 (en) | Low temperature load and bake | |
| US5092937A (en) | Process for treating semiconductors | |
| EP0782177A2 (en) | Improvements in or relating to semiconductors | |
| JPH0718011B2 (ja) | ＳｉＯ２の付着方法 | |
| JP3324455B2 (ja) | 珪素系半導体基板の清浄化方法 | |
| GB2376797A (en) | Stable, oxide-free silicon surface preparation | |
| JPH05259147A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3076202B2 (ja) | Ｅｇ用ポリシリコン膜の被着方法 | |
| US6228166B1 (en) | Method for boron contamination reduction in IC fabrication | |
| JPH05259091A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH071761B2 (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JP3116487B2 (ja) | 半導体エピタキシャル基板の製造方法 | |
| US9093269B2 (en) | In-situ pre-clean prior to epitaxy | |
| US20120180716A1 (en) | Methods for epitaxial silicon growth | |
| US5366934A (en) | Method for sulfide surface passivation | |
| JPH05166777A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
| JPH08241863A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH08264399A (ja) | 半導体基板の保管方法および半導体装置の製造方法 | |
| US20040106296A1 (en) | Method of removing silicon oxide from a surface of a substrate | |
| JP2699928B2 (ja) | 化合物半導体基板の前処理方法 | |
| JPH05182925A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
| KR100269311B1 (ko) | 웨이퍼스트립방법 | |
| JPH04258115A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP2875503B2 (ja) | 半導体の処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |