JP2008227207A - 貼り合わせウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】貼り合わせウェーハの製造方法。2枚のシリコンウェーハをオゾン洗浄して、前記シリコンウェーハの表面に膜厚2.2nm以下の酸化膜を形成し、形成した酸化膜を介して前記2枚のシリコンウェーハを貼り合わせて、貼り合わせウェーハを得ることを含む。
【選択図】なし
Description
[1]貼り合わせウェーハの製造方法であって、2枚のシリコンウェーハをオゾン洗浄して、前記シリコンウェーハの表面に膜厚2.2nm以下の酸化膜を形成し、形成した酸化膜を介して前記2枚のシリコンウェーハを貼り合わせて、貼り合わせウェーハを得ることを含む、上記製造方法。
[2]貼り合わせウェーハは、貼り合わせ界面に局所的な酸化物を有さない[1]記載の製造方法。
[3]オゾン洗浄には、オゾン濃度が1〜50ppmの範囲にあるオゾン水を用いる[1]または[2]記載の製造方法。
[4]オゾン洗浄の前に、シリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去し、その後にオゾン洗浄を行なう[1]〜[3]のいずれかに記載の製造方法。
[5]酸化膜形成後、貼り合わせ前にプラズマ処理を行い、その後、貼り合わせを行う[1]〜[4]のいずれかに記載の製造方法。
[6]プラズマ処理は、窒素、酸素、アルゴン、希釈水素またはそれらの混合ガスによるプラズマ処理である[5]に記載の製造方法。
[7]シリコンウェーハの貼り合わせは、1000℃以上の温度での熱処理により行う[1]〜[6]のいずれかに記載の製造方法。
[8]貼り合わせたウェーハを薄膜化する工程をさらに含む、[1]〜[7]のいずれかに記載の製造方法。
[9]薄膜化する工程は、研削および研磨の工程、またはイオン注入剥離の工程である、[8]に記載の製造方法。
2枚のシリコンウェーハをオゾン洗浄して、前記シリコンウェーハの表面に膜厚2.2nm以下の酸化膜を形成する工程、および
形成した酸化膜を介して前記2枚のシリコンウェーハを貼り合わせて、貼り合わせウェーハを得る工程を含む。
300mmの2枚のシリコンウェーハを、バッチタイプの洗浄機を用いて、オゾン濃度が30ppmのオゾン(O3)水(室温)に2分間浸すことにより、厚さ2.0nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。酸化膜形成後、2枚のシリコンウェーハを直接貼り合わせた。貼り合わせ強度を向上させるための熱処理(アルゴンガス雰囲気にて、1100℃、2hr)を施し、更に、活性層側のウェーハを研削および研磨により所定の厚さまで加工を行い貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された(図1参照)。
水素イオンを注入(加速電圧:50keV, ドーズ量:1e17/cm2)した300mmの活性層側となるシリコンウェーハを、実施例1と同様の方法および条件で処理して、厚さ2.0nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。これとは別に、水素イオンを注入行なわないシリコンウェーハにも、実施例1と同様の方法および条件で処理して、厚さ2.0nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。このシリコンウェーハを支持側のウェーハとして、上記活性層側となるシリコンウェーハと貼り合わせた。その後、500℃の熱処理を施し、イオン注入層で剥離させ、貼り合わせウェーハを作製した。次いで、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理(アルゴンガス雰囲気にて、1100℃、2hr)を施し、更に、活性層側のウェーハを研磨により所定の厚さまで加工を行った。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。ところ、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された(図1参照)。
300mmの2枚のシリコンウェーハを、一端、HF洗浄により自然酸化膜を完全に除去した後、実施例1と同様の方法および条件で処理して、厚さ2.0nmの酸化膜を形成し、直接貼り合わせた。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。その後、実施例1と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。作製した、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された(図1参照)。
300mmの2枚のシリコンウェーハを、実施例1と同様の方法および条件で処理して、厚さ2.0nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。次いで、窒素ガス雰囲気でプラズマ処理(25Pa、20秒間)を施した後、直接貼り合わせた。その後、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理(アルゴンガス雰囲気にて、1100℃、2hr)を施し、更に、活性層側のウェーハを研削および研磨により所定の厚さまで加工を行い貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された(図1参照)。
300mmの2枚のシリコンウェーハを、バッチタイプの洗浄機を用いて、オゾン濃度が10ppmのオゾン(O3)水(室温)に1分間浸すことにより、厚さ0.5nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。酸化膜形成後、2枚のシリコンウェーハを直接貼り合わせた。貼り合わせ強度を向上させるための熱処理(アルゴンガス雰囲気にて、1100℃、2hr)を施し、更に、活性層側のウェーハを研削および研磨により所定の厚さまで加工を行い貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された(図1参照)。
水素イオンを注入(加速電圧:50keV, ドーズ量:1e17/cm2)した300mmの活性層側となるシリコンウェーハを、実施例5と同様の方法および条件で処理して、厚さ0.5nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。これとは別に、水素イオンを注入行なわないシリコンウェーハにも、実施例5と同様の方法および条件で処理して、厚さ0.5nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。このシリコンウェーハを支持側のウェーハとして、上記活性層側となるシリコンウェーハと貼り合わせた。その後、500℃の熱処理を施し、イオン注入層で剥離させ、貼り合わせウェーハを作製した。次いで、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理(アルゴンガス雰囲気にて、1100℃、2hr)を施し、更に、活性層側のウェーハを研磨により所定の厚さまで加工を行った。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。ところ、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された(図1参照)。
300mmの2枚のシリコンウェーハを、一端、HF洗浄により自然酸化膜を完全に除去した後、実施例5と同様の方法および条件で処理して、厚さ0.5nmの酸化膜を形成し、直接貼り合わせた。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。その後、実施例1と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。作製した、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された(図1参照)。
300mmの2枚のシリコンウェーハを、実施例5と同様の方法および条件で処理して、厚さ0.5nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。次いで、窒素ガス雰囲気でプラズマ処理(25Pa、20秒間)を施した後、直接貼り合わせた。その後、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理(アルゴンガス雰囲気にて、1100℃、2hr)を施し、更に、活性層側のウェーハを研削および研磨により所定の厚さまで加工を行い貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物は発生していないことが確認された(図1参照)。
300mmの2枚のシリコンウェーハを、バッチタイプの洗浄機を用いて、オゾン濃度が30ppmのオゾン(O3)水(室温)に2.5分間浸すことにより、厚さ2.5nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、エリプソメトリ法により測定し、確認した。酸化膜形成後、2枚のシリコンウェーハを直接貼り合わせた。貼り合わせ強度を向上させるための熱処理(アルゴンガス雰囲気にて、1100℃、2hr)を施し、更に、活性層側のウェーハを研削および研磨により所定の厚さまで加工を行い貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査した。その結果、貼り合わせ界面に局所的な酸化物が発生していることが確認された。
300mmの2枚のシリコンウェーハを、熱処理(縦型炉:700℃、10分、1%酸素、99%窒素)により、厚さ2nmの酸化膜を形成し、直接貼り合わせた後、実施例1と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。その後、貼り合わせウェーハの表面を目視にて検査したところ、貼り合わせ界面に局所的な酸化物が発生していることが確認された。
Claims (9)
- 貼り合わせウェーハの製造方法であって、
2枚のシリコンウェーハをオゾン洗浄して、前記シリコンウェーハの表面に膜厚2.2nm以下の酸化膜を形成し、
形成した酸化膜を介して前記2枚のシリコンウェーハを貼り合わせて、貼り合わせウェーハを得る
ことを含む、上記製造方法。 - 貼り合わせウェーハは、貼り合わせ界面に局所的な酸化物を有さない請求項1記載の製造方法。
- オゾン洗浄には、オゾン濃度が1〜50ppmの範囲にあるオゾン水を用いる請求項1または2記載の製造方法。
- オゾン洗浄の前に、シリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去し、その後にオゾン洗浄を行なう請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造方法。
- 酸化膜形成後、貼り合わせ前にプラズマ処理を行い、その後、貼り合わせを行う請求項1〜4のいずれか1項に記載の製造方法。
- プラズマ処理は、窒素、酸素、アルゴン、希釈水素またはそれらの混合ガスによるプラズマ処理である請求項5に記載の製造方法。
- シリコンウェーハの貼り合わせは、1000℃以上の温度での熱処理により行う請求項1〜6のいずれか1項に記載の製造方法。
- 貼り合わせたウェーハを薄膜化する工程をさらに含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の製造方法。
- 薄膜化する工程は、研削および研磨の工程、またはイオン注入剥離の工程である、請求項8に記載の製造方法。
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