JP6996488B2 - シリコンウェーハのバッチ式洗浄方法並びにその洗浄方法を用いたシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの洗浄条件決定方法 - Google Patents

シリコンウェーハのバッチ式洗浄方法並びにその洗浄方法を用いたシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの洗浄条件決定方法 Download PDF

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Description

本発明は、シリコンウェーハのバッチ式洗浄方法並びにその洗浄方法を用いたシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの洗浄条件決定方法に関する。
半導体デバイスを作製するための基板となる半導体ウェーハとして、単結晶シリコンからなるシリコンウェーハが広く用いられている。そして、作製する半導体デバイスに応じてシリコンウェーハの導電型及び抵抗率の高低が様々に使い分けられている。また、シリコンウェーハの表面にCVD法などを用いてエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウェーハや、シリコンウェーハ表面にSiO2層などの絶縁膜を設け、該絶縁膜を介して別のシリコンウェーハを貼り合わせた貼り合わせウェーハなども知られている。
バルクのシリコンウェーハは、一般的に、シリコン単結晶インゴットをスライスし、研削加工及び研磨加工を経て最終の仕上げ研磨加工を行い、最終洗浄を行った後に検査が行われて出荷される。近年では、製品仕様に応じて、仕上げ研磨加工に先立ちドライケミカル平坦化加工(DCP:Dry Chemical Planarization)が行われることもある。DCP法は、プラズマ化させたSF6等のエッチングガスをシリコンウェーハ表面に対して局所的に噴射しながら走査することで、シリコンウェーハ表面を平坦化する。
DCP法によるシリコンウェーハ表面の平坦化加工に先立ち、シリコンウェーハの洗浄が行われる。本願出願人は特許文献1においてシリコンウェーハのDCP法による加工に先立ち、以下の洗浄条件を提案している。すなわち、希フッ酸洗浄によりシリコンウェーハの表面の自然酸化膜を除去する洗浄工程において、自然酸化膜を完全には除去せず、シリコンウェーハの表面の自然酸化膜の厚みを0.3nm超0.7nm未満と薄く形成する方法である。
希フッ酸洗浄により自然酸化膜を除去してシリコンウェーハ表面を完全撥水面にすると、シリコンウェーハ表面にパーティクルが付着しやすくなる。シリコンウェーハ表面に付着したパーティクルは、DCP法による平坦化加工の際にエッチングガスのマスクとして作用し、シリコンウェーハ表面に突起形状が形成される原因となる。そこで、特許文献1では希フッ酸洗浄では完全に自然酸化膜を除去せず、所定厚みにまで薄化させる。
特開2010-269974号公報
特許文献1に記載の技術により、通常のシリコンウェーハであれば、その表面へのパーティクルの付着を抑制できる。この技術は任意のシリコンウェーハに対して適用可能であると考えられていた。本発明者らは、いわゆる「n型低抵抗シリコンウェーハ」と呼ばれる抵抗率が1mΩ・cm以下のシリコンウェーハを特許文献1の洗浄条件に従い自然酸化膜を薄く残すように洗浄することを試みた。すると、ウォーターマーク欠陥群と呼ばれる直径数十μm程度の凹形状の窪み又はクレーター状の欠陥が線状に多数形成された。このような洗浄のウォーターマーク欠陥群が形成される理由は不明であるものの、抵抗率が1mΩ・cm以下のn型低抵抗シリコンウェーハに特有の欠陥であった。
ウォーターマーク欠陥群が形成されたシリコンウェーハ表面をレーザー面検器(KLA-Tencor社製SP-1)で観察したLPD(Light Point Defect)マップを図1に示す。図2A,図2Bに、図1におけるNo.258の欠陥をレーザー顕微鏡及び白色干渉顕微鏡で観察した顕微鏡写真及び高さ分布を示す。同様に、図3A,図3Bに、図1におけるNo.1990の欠陥をレーザー顕微鏡及び白色干渉顕微鏡で観察した顕微鏡写真及び高さ分布を示す。図1に示すシリコンウェーハの表面には、ウォーターマーク欠陥群が線状に形成されていた。
さらに本発明者らは、ウォーターマーク欠陥群が形成されたシリコンウェーハをDCP法により平坦化加工した。DCP法により加工した直後のシリコンウェーハ表面をレーザー面検器(KLA-Tencor社製SP-1)で観察したLPD(Light Point Defect)マップを図4に示す。さらに、図5A,5Bに図4の囲み部をレーザー顕微鏡で観察した顕微鏡写真を示す。また、図5Bの鎖線部に沿って高さを測定した高さ分布を図5Cに示す。
図1に示すようなウォーターマーク欠陥群が形成されたシリコンウェーハをDCP法で平坦化加工すると、図4,図5A~5Cに示されるように、平坦化加工後には、ウォーターマーク欠陥群に由来する凸形状の段差欠陥(高さ数μm)として残ってしまう。したがって、n型低抵抗のシリコンウェーハを、自然酸化膜を完全に除去しないように希フッ酸洗浄しつつ、線状のウォーターマーク欠陥群の形成を防止することのできる洗浄方法を確立する必要がある。
そこで本発明は、上記課題に鑑み、n型低抵抗のシリコンウェーハを希フッ酸洗浄して自然酸化膜を残しつつ、線状のウォーターマーク欠陥群の形成を防止することのできるシリコンウェーハの洗浄方法を提供することを目的とする。さらに本発明は、このシリコンウェーハの洗浄方法を用いたシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの洗浄条件決定方法を提供することも目的とする。
本発明者らは、上記諸課題を解決するために鋭意検討し、まず線状のウォーターマーク欠陥群が形成される原因を考察した。欠陥の発生位置が特定箇所に特定の形状で形成されることから、希フッ酸洗浄を行った後の、最終の高温純水(Hot deionized water)槽からシリコンウェーハを引き上げて乾燥するときに、リフターとクランプアームとによりシリコンウェーハを受け渡す際の瞬間的な停滞が液面ウォーターマーク欠陥群の形成を引き起こしていると推定される。この引き上げ乾燥時の動作を、図6を参照してより詳細に説明する。
まず、図6のステップAに示されるように、高温純水槽内にシリコンウェーハ10が浸漬される。次に、リフター20が上昇し、シリコンウェーハ10は水面に浮上し始める(図6のステップBを参照)。なお、クランプアーム30には、図6に図示するようにパーティクルPが付着し得る。その後、リフター20が最高点で上昇を停止し、シリコンウェーハ10を支持して動かない状態に保持しつつ、クランプアーム30がシリコンウェーハ10を把持するための閉動作を開始する(図6のステップCを参照)。さらに、クランプアーム30の閉動作が停止した後、リフター20が降下を始め、シリコンウェーハ10はリフター20からクランプアーム30へと受け渡しされる(図6のステップDを参照)。この受け渡しの瞬間に、シリコンウェーハ10はわずかに降下する。最後に、リフター20が完全に降下しつつ、クランプアーム30により把持されたシリコンウェーハ10が上昇を始める(図6のステップEを参照)。円弧状のウォーターマーク欠陥群WM1及び水面に平行に形成される直線状のウォーターマーク欠陥群WM2はステップCにおいて形成されると推察される。そして、ウォーターマーク欠陥群WM2よりも内周側のウォーターマーク欠陥群WM3はステップDにおいて形成されると推察される。その原因は液中パーティクル及びクランプ冶具に付着したパーティクルに由来するものと考えられる。
また、希フッ酸による洗浄時間が長くなるほど、シリコンウェーハ表面の自然酸化膜はエッチングされるため、シリコンウェーハ表面の表面粗さは増大すると考えられる。表面粗さが大きいと、シリコンウェーハ表面の凹凸がパーティクル付着の核となり、ウォーターマーク欠陥群の発生に繋がるとも考えられる。そのため、ウォーターマーク欠陥群の形成を抑止するためにはシリコンウェーハ表面の表面粗さを適正な範囲にまで低減する必要がある。
そこで本発明者らは、シリコンウェーハを配設する間隔及び洗浄後のシリコンウェーハの表面粗さに着目し、両者を適切に制御することで線状のウォーターマーク欠陥群の形成を抑制できることを実験的に確認し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明の要旨構成は以下のとおりである。
(1)ウェーハ支持部材に収納された複数枚のシリコンウェーハを同時に洗浄するシリコンウェーハのバッチ式洗浄方法であって、
前記シリコンウェーハを純水洗浄する第1工程と、
該第1工程後の前記シリコンウェーハを希フッ酸洗浄し、前記シリコンウェーハ表面の自然酸化膜を薄化する第2工程と、
前記第2工程後の前記シリコンウェーハを高温純水洗浄し、乾燥させる第3工程と、を含み、
前記シリコンウェーハは導電型がn型であり、かつ、抵抗率が1mΩ・cm以下であり、
前記ウェーハ支持部材に収納される前記シリコンウェーハの互いの間隔を10mm以上で配設し、
前記第2工程において、前記乾燥させた後のAFM測定による前記シリコンウェーハの表面粗さRqが0.25nm以下となるように前記フッ酸洗浄を行うことを特徴とするシリコンウェーハのバッチ式洗浄方法。
なお、本明細書における表面粗さRqはJIS B 0601-2001に従う。表面粗さRqはRmsとも呼ばれる。
(2)前記第2工程において薄化した後の前記自然酸化膜の膜厚が0.3nm以上0.7nm以下である、上記(1)に記載のシリコンウェーハのバッチ式洗浄方法。
(3)上記(1)または(2)に記載のシリコンウェーハのバッチ式洗浄方法により、前記シリコンウェーハを洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄されたシリコンウェーハをドライケミカル平坦化加工する平坦化工程と、
を含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
(4)洗浄前のシリコンウェーハの導電型及び抵抗率、並びに表面粗さを評価する評価工程と、
前記評価工程において評価された前記導電型及び抵抗率、並びに表面粗さに基づき上記(1)又は(2)に記載のシリコンウェーハのバッチ式洗浄方法の適用要否を判断する判断工程と、
を含むことを特徴とするシリコンウェーハの洗浄条件決定方法。
本発明によれば、n型低抵抗のシリコンウェーハを希フッ酸洗浄した後に自然酸化膜を残しつつ、線状のウォーターマーク欠陥群の形成を防止することのできるシリコンウェーハの洗浄方法を提供することができる。さらに本発明は、このシリコンウェーハの洗浄方法を用いたシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの洗浄条件決定方法を提供することができる。
本発明者らの実験による希フッ酸洗浄後のシリコンウェーハ表面のLPDマップである。 図1におけるNo.258の欠陥をレーザー顕微鏡により観察した顕微鏡写真である。 図1におけるNo.258の欠陥を白色干渉顕微鏡により観察した顕微鏡写真及び高さ分布である。 図1におけるNo.1990の欠陥をレーザー顕微鏡により観察した顕微鏡写真である。 図1におけるNo.1990の欠陥を白色干渉顕微鏡により観察した顕微鏡写真及び高さ分布である。 本発明者らの実験による線状のウォーターマーク欠陥群が形成されたシリコンウェーハをDCP法により平坦化加工した後のシリコンウェーハ表面のLPDマップである。 図4の囲み部をレーザー顕微鏡により観察した顕微鏡写真である。 図5Aの拡大顕微鏡写真である。 図5Bの欠陥の高さ分布である。 本発明者らの検討による線状のウォーターマーク欠陥群が形成される過程を説明する模式図である。 本発明の一実施形態に用いるウェーハ支持部材に収納されたシリコンウェーハを示す模式図である。 本発明の一実施形態に適用されるシリコンウェーハの模式図である。 本発明の別の実施形態に適用されるシリコンウェーハの模式図である。 実施例におけるLPDマップを示す図表である。 実験1における希フッ酸洗浄時間と表面粗さRMSとの対応関係を示すグラフである。 実験2における希フッ酸洗浄時間と表面粗さRMSとの対応関係を示すグラフである。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、模式図における構成は実際の厚さの割合と異なり誇張して示す。
(シリコンウェーハのバッチ式洗浄方法)
本発明に一実施形態に従うシリコンウェーハのバッチ式洗浄方法は、ウェーハ支持部材50に収納された複数枚のシリコンウェーハ10を同時に洗浄するものである。本洗浄方法は、シリコンウェーハ10を純水洗浄する第1工程と、第1工程後のシリコンウェーハ10を希フッ酸洗浄し、シリコンウェーハ10の表面の自然酸化膜を薄化する第2工程と、第2工程後のシリコンウェーハ10を高温純水洗浄し、乾燥させる第3工程と、を含む。そして、シリコンウェーハ10は導電型がn型であり、かつ、抵抗率が1mΩ・cm以下である。ここで、本洗浄方法では、ウェーハ支持部材50に収納されるシリコンウェーハ10の互いの間隔Gを10mm以上で配設し、されに、第2工程において、乾燥させた後のAFM測定による前記シリコンウェーハ表面粗さRMSが0.25nm以下となるようにフッ酸洗浄を行う。以下、各構成及び工程の詳細を順次説明する。
<シリコンウェーハ>
本洗浄方法に適用するシリコンウェーハ10は、導電型がn型であり、かつ、抵抗率が1mΩ・cm以下である。こうしたシリコンウェーハ10は、n型ドーパントを添加しつつ、チョクラルスキ法(CZ法)や浮遊帯域溶融法(FZ法)により育成された単結晶シリコンインゴットから得ることができる。n型ドーパントの種類は任意であり、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)のいずれでもよい。なお、抵抗率の測定値はJIS H 0602:1995に従うものとする。シリコンウェーハ10の酸素濃度は任意であり、炭素又は窒素などがシリコンウェーハ10に添加されていてもよい。また、ウェーハの直径及び厚みも任意である。なお、シリコンウェーハ10の抵抗率の下限は特に制限されないが、例えば10μΩ・cmとすることができる。
<ウェーハ支持部材>
本洗浄方法では、複数のシリコンウェーハ10をウェーハ支持部材50に設置し、次いで複数のシリコンウェーハ10の洗浄を行うバッチ式洗浄を行うものである。このようなウェーハ支持部材50としては、例えば洗浄槽内に設置される形式の支持部材が知られている。また、複数のシリコンウェーハ10をウェーハカセットに収納した状態で洗浄槽に搬送し、ウェーハカセットにシリコンウェーハ10を収容したまま洗浄を行う場合には、当該ウェーハカセットをウェーハ支持部材50として使用することができる。ウェーハ直径が200mmの場合、最大25枚収容できるウェーハ支持部材が一般的である。図7に例示するように、洗浄槽内において、シリコンウェーハ10を1枚ずつ、所定の間隔Gを空けてウェーハ支持部材50に配設する。こうした収容状態でシリコンウェーハ10は洗浄槽内で浸漬され、シリコンウェーハ10がバッチ式洗浄される。技術的意義の詳細については後述するものの、本洗浄方法では上記所定の間隔Gを10mm以上とする。このように間隔Gを空けてシリコンウェーハ10をウェーハ支持部材に配設するためには、ウェーハ支持部材50のスロット(溝)に全てシリコンウェーハ10を配設せずに、1スロット空けて配設するなどしてもよいし、所望の間隔Gとなるようにスロット(溝)を設けたウェーハ支持部材50を用いるなどしてもよい。
<第1工程>
第1工程では、まずシリコンウェーハ10を純水洗浄する。ウェーハ支持部材50に収容された状態でシリコンウェーハ10を純水槽内にて所定時間浸漬し、所望に応じて純水を撹拌するなどすればよい。この純水洗浄は、後続の第2工程における希フッ酸洗浄に先立ち行われる、いわゆるリンス処理である。脱イオン水(deionized water)を純水として用いることが一般的であり、洗浄時間は任意である。
<第2工程>
第1工程に引き続き、第2工程では第1工程により純水洗浄された後のシリコンウェーハ10を希フッ酸洗浄する。希フッ酸洗浄により、シリコンウェーハ10の表面に設けられている自然酸化膜がエッチングされる。ただし、本第2工程による希フッ酸洗浄では自然酸化膜を薄化するに留め、自然酸化膜を完全に除去しない。これは、自然酸化膜を完全に除去してしまうと、シリコンウェーハ表面が完全な撥水面となり、パーティクル等の不純物が付着しやすくなるためである。また、希フッ酸洗浄によりシリコンウェーハ10の表面粗さが次第に悪化するところ、本工程ではAFM測定による表面粗さRMSが0.25nm以下となるよう、希フッ酸洗浄を行う。なお、本工程による希フッ酸洗浄を行うために、希フッ酸の洗浄槽を複数用いて洗浄を行ってもよい。また、希フッ酸の洗浄槽には、希フッ酸以外に希シュウ酸などの酸が希フッ酸よりも低濃度(質量%濃度)であれば含まれていてもよい。
このような自然酸化膜の薄化及び表面粗さの制御は、洗浄時間、洗浄液の温度、及び、洗浄液の濃度などを適宜設定することにより行うことができる。例えば、洗浄時間を長くするほどエッチングが進むため、自然酸化膜の薄化が進み、表面粗さも洗浄前に比べれば次第に悪化する。洗浄液の液温を高くしたり、洗浄液の濃度を高くしてもエッチングが進むため、自然酸化膜の薄化及び表面粗さの悪化が進む。
<<自然酸化膜の膜厚>>
自然酸化膜が残る限りは、本工程による自然酸化膜の膜厚は制限されない。本洗浄方法の後にDCP法による平坦化加工が行われる場合には、自然酸化膜の膜厚を0.3nm~0.7nmとすることが好ましい。なお、本明細書における自然酸化膜の膜厚はX線光電子分光(XPS)法の測定値によるものとする。自然酸化膜を残しつつ、AFM測定による表面粗さRMSを0.25nm以下とできる限りは、自然酸化膜の除去量は何ら制限されるものではないものの、例えば自然酸化膜の除去量を0.05nm以上、好ましくは0.10nmとすれば、第2工程による洗浄は十分に行われていると言える。自然酸化膜の除去量は、第1工程前の自然酸化膜の膜厚に応じて適宜定めればよいが、例えば5nm以下とすればよい。
<<表面粗さRq>>
本明細書におけるシリコンウェーハの表面粗さRqは、原子間力顕微鏡(AFM;Atomic Force Microscope)を用いてシリコンウェーハ表面の任意の1μm角を観察したときの測定値により定義される。なお、表面粗さRqの測定は乾燥後(すなわち第3工程後)の状態で測定した値を採用する。
<第3工程>
第2工程の後、第3工程では第2工程により希フッ酸洗浄された後のシリコンウェーハ10を高温純水洗浄し、乾燥させる。高温純水槽からシリコンウェーハ10を引き上げた後、赤外線などを放射して乾燥を促進してもよい。なお、高温純水洗浄に先立ち、常温で純水洗浄してもよいし、常温又は高温の純水槽による洗浄を本工程の高温純水洗浄に先立ち、さらに行ってもよい。
以下、本洗浄方法においてウェーハ支持部材50に収納されるシリコンウェーハ10の互いの間隔Gを10mm以上で配設し、かつ、第2工程において、乾燥させた後のシリコンウェーハ10のAFM測定によるシリコンウェーハの表面粗さRMSが0.25nm以下となるようにフッ酸洗浄を行う理由を説明する。
図6を参照して本発明者らの考察を先に述べたように、線状のウォーターマーク欠陥群が形成されるタイミングは、ウォーターマーク欠陥群の形状及び形成位置を考慮すると上述した第3工程におけるものと推定される。そして、ウォーターマーク欠陥群が形成される原因は液中パーティクル及びクランプ冶具に付着したパーティクルによるものと考えられる。第3工程の直前に液中パーティクルによるシリコンウェーハ10の表面への付着を防止するためには、第2工程におけるパーティクルの付着を抑制することが肝要となる。
第2工程において希フッ酸洗浄する際に、シリコンウェーハ10の表面に付着していたパーティクルは洗浄除去されつつも、希フッ酸の洗浄液中に残留する。そのため、当該パーティクルはシリコンウェーハ10に再付着する、あるいは、隣接するシリコンウェーハ10に付着するおそれがある。そこで、本洗浄方法ではウェーハ支持部材50にシリコンウェーハ10を配設するときの間隔Gを10mm以上とする。間隔Gをこのように制限することで、シリコンウェーハ10に付着していたパーティクルの再付着又は隣接するシリコンウェーハ10への付着を十分に抑制できる。なお、例えば市販の直径200mm用シリコンウェーハを25枚収納する一般的なウェーハ支持部材であれば、スロット間隔が約6mmであるので、1スロット以上空けてシリコンウェーハを配設することにより、間隔Gを10mm以上とすることができる。シリコンウェーハの直径に応じて間隔Gを大きくすれば本発明効果を得ることがより確実となり、間隔Gを15mm以上とすれば、ウェーハ直径に依らずにより確実に本発明効果を得ることができる。間隔Gの上限は特に制限されず、ウェーハ支持部材50へのシリコンウェーハの収納効率を考慮して適宜定めればよいが、その上限の一例として35mmを挙げることができる。なお、間隔Gは、隣接するシリコンウェーハ10の対向面の間の長さにより定義される。
また、本発明者らの実験結果を考慮すると、シリコンウェーハの表面粗さが大きいほど、シリコンウェーハ10の表面の凹凸がパーティクル付着の核となってパーティクル付着が生じやすくなり、ウォーターマーク欠陥群の発生に繋がるとも考えられる。そこで、第2工程において増大する表面粗さを所定水準に制限する必要があり、本洗浄方法ではシリコンウェーハ10のAFM測定による表面粗さRMSを0.25nm以下に制限する。表面粗さRMSが0.25nmを超えると、パーティクルがシリコンウェーハ10の表面へと付着しやすくなり、線状のウォーターマーク欠陥群の形成を十分に抑制することができない。表面粗さRMSの下限は制限されないものの、0.20nmを下限として例示することができる。
以上のとおり、本洗浄方法に従い、上述した第1工程から第3工程を経ることで、抵抗率が1mΩ・cm以下のn型低抵抗シリコンウェーハへの、線状のウォーターマーク欠陥群の形成を抑制することができる。
なお、本洗浄方法における第1工程の洗浄に先立ち、SC-1(Standard Clean 1)洗浄、SC-2(Standard Clean 2)洗浄、フッ酸洗浄、オゾン水洗浄、純水洗浄、乾燥などを適宜組み合わせた一連の洗浄を行ってもよい。また、洗浄薬液として、過酸化水素水(H22)、水酸化アンモニウム(NH4OH)、塩酸(HCl)、フッ酸(HF)、シュウ酸((COOH)2)などから適宜選択した酸又はアルカリ薬液を用いることができる。
自然酸化膜以外に意図的に形成された構成を備えないバルクのシリコンウェーハ10(図8A参照)を本洗浄方法に適用可能であることは当然である。他に、図8Bに示すように、酸化膜などの絶縁膜80を介して、シリコンウェーハなどの支持基板90に支持された状態のシリコンウェーハ10に対して本洗浄方法を適用してもよい。なお、このシリコンウェーハ10を薄膜化して活性層11に加工することで、SOI(Silicon on Insulator)を得ることもできる。
(シリコンウェーハの製造方法)
本発明の一実施形態によるシリコンウェーハの製造方法は、上述したシリコンウェーハのバッチ式洗浄方法により、シリコンウェーハ10を洗浄する洗浄工程と、洗浄されたシリコンウェーハ10をドライケミカル平坦化加工する平坦化工程と、を含む。本製造方法により、抵抗率が1m・Ωcm以下のn型低抵抗シリコンウェーハをDCP法により平坦化加工しても、洗浄後のウォーターマーク欠陥群に起因する凸状の段差欠陥の形成を抑制することが可能となる。
なお、ドライケミカル平坦化加工は市販の平坦化装置を用いることができ、例えばスピードファム社製DCP(Dry Chemical Planarization)および同社製のPACE(Plasma Assisted Chemical Etching)などのドライ平坦化装置が知られている。
(シリコンウェーハの洗浄条件決定方法)
また、本発明の一実施形態によるシリコンウェーハの洗浄条件決定方法は、洗浄前のシリコンウェーハ10の導電型及び抵抗率、並びに表面粗さを評価する評価工程と、当該評価工程において評価されたシリコンウェーハ10の導電型及び抵抗率、並びに表面粗さに基づき前述の実施形態に従うシリコンウェーハ10のバッチ式洗浄方法の適用要否を判断する判断工程と、を含む。
評価工程においては、一般的な手法に基づきシリコンウェーハ10の導電型及び抵抗率、並びに表面粗さを評価する。導電型及び抵抗率についてはシリコンインゴットの製造条件(注入するドーパント濃度等)から求めてもよい。また、表面粗さについてはウェーハの製造条件(研磨条件等)から求めてもよい。
そして、判断工程では、評価工程において評価されたシリコンウェーハ10の導電型及び抵抗率、並びに表面粗さに基づき本発明方法に従うバッチ式洗浄方法の適用要否を判断する。先に述べたとおり、抵抗率が1mΩ・cm以下のn型低抵抗シリコンウェーハにおける特有の事象として、線状のウォーターマーク欠陥群が形成される。そのため、この条件を満足しないシリコンウェーハに対しては本発明方法に従うバッチ式洗浄方法を適用する必要はなく、従来技術のとおりスロット間隔を詰めて生産性を優先してもよいことになる。また、実施例において詳細を後述する図10A,図10Bからも明らかなように、シリコンウェーハ10を洗浄すると表面粗さは悪化する傾向にあるので表面粗さRqが洗浄後の目標値である0.25nmを超えるシリコンウェーハに対して本発明方法に従うバッチ式洗浄方法を適用する実益は乏しい。そこで、上記判断工程を行い、本発明方法に従うバッチ式洗浄方法の適用要否を判断する。洗浄前の表面粗さRqの値は0.25nm以下であれば特に制限されないが、上限を0.24nmとすることができる。なお、洗浄前の表面粗さRqの下限は何ら制限されないが工業的に得られる洗浄前の表面粗さのな一例として0.10nmを挙げることができる。
本発明方法によるシリコンウェーハの洗浄条件決定方法により、生産性及び洗浄品質を考慮して適切な洗浄条件を決定することができる。
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
<実験1>
<<試験条件1>>
n型(リンドープ)で抵抗率が0.8~0.9mΩ・cmである直径200mm(厚み:740±15μm)のシリコンウェーハを多数用意した。25枚収納可能なウェーハ支持部材(スロット数25、スロット間隔6.35mm)に、下記表1の配列に従いシリコンウェーハを配設した。合計7枚のシリコンウェーハの配列を維持して、SC-1洗浄、オゾン水洗浄、希フッ酸洗浄、純水洗浄を含む洗浄を行い、乾燥させた。なお、希フッ酸の濃度は1~2wt%とした。
Figure 0006996488000001
<<試験条件2>>
試験条件1による乾燥までは試験条件1と同様に洗浄及び乾燥を行い、さらに洗浄を行い、最終的に純水洗浄(第1工程相当)、希フッ酸洗浄(第2工程相当)並びに純水洗浄、高温純水洗浄及び赤外線乾燥(第3工程相当)まで行った。第2工程相当の希フッ酸洗浄による洗浄時間を240秒とした。
<<試験条件3>>
試験条件2と同様にして最終的に純水洗浄(第1工程相当)、希フッ酸洗浄(第2工程相当)並びに純水洗浄、高温純水洗浄及び赤外線乾燥(第3工程相当)まで行った。なお、第2工程相当の希フッ酸洗浄による洗浄時間を240秒に変えて480秒とした。
<<試験条件4>>
試験条件2と同様にして最終的に純水洗浄(第1工程相当)、希フッ酸洗浄(第2工程相当)並びに純水洗浄、高温純水洗浄及び赤外線乾燥(第3工程相当)まで行った。なお、第2工程相当の希フッ酸洗浄による洗浄時間を240秒に変えて720秒とした。
<<試験条件5>>
試験条件2と同様にして最終的に純水洗浄(第1工程相当)、希フッ酸洗浄(第2工程相当)並びに純水洗浄、高温純水洗浄及び赤外線乾燥(第3工程相当)まで行った。なお、第2工程相当の希フッ酸洗浄による洗浄時間を240秒に変えて960秒とした。
<実験2:参考実験>
抵抗率が3~5Ω・cmのn型シリコンウェーハを多数用意し、表1の配列に従いシリコンウェーハをウェーハ支持部材に配設した。そして、上記試験条件1~5と同様にして洗浄を行った。
(評価)
<評価1;自然酸化膜の膜厚>
実験1、2の試験条件1~5により洗浄したシリコンウェーハに対して、最終乾燥後の状態での自然酸化膜の膜厚(鏡面側)をXPS法に従い測定した。結果を表2に示す。なお、試験条件4,5では最終の希フッ酸洗浄の洗浄時間が長いため、自然酸化膜は全てエッチングにより除去された。
Figure 0006996488000002
<評価2:レーザー面検器による測定評価>
さらに、実験1、2の試験条件1~5により洗浄したシリコンウェーハに対して、最終乾燥後の状態でレーザー面検器(KLA-Tencor社製SP-1)を用いてウェーハ表面(鏡面側)のLPDマップを取得し、また、これとは別にAFMを用いてシリコンウェーハの表面粗さRMS(1μm角)を測定した。LPDマップの測定結果の代表例を試験条件ごとに図9の図表に示す。ただし、図9における実験1の試験条件2のLPDマップは、線状のウォーターマーク欠陥群が形成されたものであり(スロットNo.1)、その他のスロットに配設したシリコンウェーハからは、線状のウォーターマーク欠陥群が確認されなかった。また、実験1及び実験2の表面粗さRMSの測定結果を図10A、図10Bにそれぞれ示す。
(考察)
表2、図9及び図10A、図10Bより、以下の実験事実が確認された。まず、実験2のように、通常レベルの抵抗率のn型ウェーハであれば、洗浄条件に依らずに線状のウォーターマーク欠陥群が形成されることはない。線状のウォーターマーク欠陥群の形成はn型の低抵抗シリコンウェーハに特有の現象であることが確認された。低抵抗の場合に特有である理由は、低抵抗シリコンウェーハはn型ドーパントの濃度が高いため、シリコンウェーハ面内でのミクロレベルの濃淡がエッチングレートに影響を及ぼすからだと推測される。
次に、実験1の結果に着目する。実験1の試験条件4,5では線状のウォーターマーク欠陥群が形成されないものの、自然酸化膜が全て除去されてしまう。試験条件2と試験条件3では、自然酸化膜の膜厚は同程度であるものの、試験条件3では全てのシリコンウェーハに線状のウォーターマーク欠陥群が形成された。図10Aを考慮すると、試験条件3では表面粗さRMSが0.25nmを超えたためと考えられる。最後に、試験条件2と、シリコンウェーハの配置関係に着目すると、隣接するスロット間隔が6.35mmであったスロットNo.1のみ、線状のウォーターマーク欠陥群が形成された。図10Aを参照すると、試験条件2で表面粗さRMSが0.25nm以下であるにも関わらず、ウォーターマーク欠陥群がスロットNo.1のみで形成されたことから、シリコンウェーハを配設する間隔Gを少なくとも10mm以上と、十分に間隔を空ける必要があることも確認された。
本発明によれば、n型低抵抗のシリコンウェーハを希フッ酸洗浄した後に自然酸化膜を残しつつ、線状のウォーターマーク欠陥群の形成を防止することのできるシリコンウェーハの洗浄方法を提供することができる。
10 シリコンウェーハ
11 活性層
20 リフター
30 クランプアーム
50 ウェーハ支持部材
80 絶縁膜
90 支持基板
100 SOIウェーハ
G 間隔
P パーティクル
WM1,WM2,WM3 ウォーターマーク欠陥群

Claims (4)

  1. ウェーハ支持部材に収納された複数枚のシリコンウェーハを同時に洗浄するシリコンウェーハのバッチ式洗浄方法であって、
    前記シリコンウェーハを純水洗浄する第1工程と、
    該第1工程後の前記シリコンウェーハを希フッ酸洗浄し、前記シリコンウェーハ表面の自然酸化膜を薄化する第2工程と、
    前記第2工程後の前記シリコンウェーハを高温純水洗浄し、乾燥させる第3工程と、を含み、
    前記シリコンウェーハは導電型がn型であり、かつ、抵抗率が1mΩ・cm以下であり、
    前記ウェーハ支持部材に収納される前記シリコンウェーハの互いの間隔を10mm以上で配設し、
    前記第2工程において、前記乾燥させた後のAFM測定による前記シリコンウェーハの表面粗さRqが0.25nm以下となるように前記フッ酸洗浄を行うことを特徴とするシリコンウェーハのバッチ式洗浄方法。
  2. 前記第2工程において薄化した後の前記自然酸化膜の膜厚が0.3nm以上0.7nm以下である、請求項1に記載のシリコンウェーハのバッチ式洗浄方法。
  3. 請求項1又は2に記載のシリコンウェーハのバッチ式洗浄方法により、前記シリコンウェーハを洗浄する洗浄工程と、
    前記洗浄されたシリコンウェーハをドライケミカル平坦化加工する平坦化工程と、
    を含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
  4. 洗浄前のシリコンウェーハの導電型及び抵抗率、並びに表面粗さを評価する評価工程と、
    前記評価工程において評価された前記導電型及び抵抗率、並びに表面粗さに基づき請求項1又は2に記載のシリコンウェーハのバッチ式洗浄方法の適用要否を判断する判断工程と、
    を含むことを特徴とするシリコンウェーハの洗浄条件決定方法。
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