JP5630527B2 - 貼合せsoiウェーハの製造方法 - Google Patents
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前記の図1に示したフローチャートの工程に従って、以下のように貼合せSOIウェーハを作製した。
前記の図2に示したフローチャートの工程に従って、貼合せSOIウェーハを作製した。
前記の図3に示したフローチャートの工程に従って、貼合せSOIウェーハを作製した。
11:支持ウェーハ
12:活性層ウェーハ、SOI層
13:酸化膜
14:自然酸化膜
15:結晶欠陥
Claims (4)
- SOI層となる活性層ウェーハと支持ウェーハとを酸化膜を介して貼り合わせた後、前記活性層ウェーハを薄膜化することにより、埋め込み酸化膜上にSOI層が形成された貼合せSOIウェーハを製造する方法において、
貼り合わせ前のウェーハ表面に有機物が吸着した状態で貼り合わせ、貼合せ界面に前記有機物を閉じこめた状態で接合強化熱処理を行うことにより、貼合せ界面に結晶欠陥を形成させ、
前記貼り合わせ前のウェーハ表面に有機物が吸着した状態が、洗浄後のウェーハを、イソプロピルアルコールを除く有機物を含む雰囲気中で乾燥することにより得られ、
前記有機物が、N−メチル−2−ピロリドンであることを特徴とする貼合せSOIウェーハの製造方法。 - 前記接合強化熱処理後に、前記貼合せ界面において5×1018atoms/cm3以上の炭素濃度ピークが検出されることを特徴とする請求項1に記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
- 前記結晶欠陥の大きさが5〜50nmであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
- 前記接合強化熱処理の温度が、1100℃以上であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013084329A JP5630527B2 (ja) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | 貼合せsoiウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013084329A JP5630527B2 (ja) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | 貼合せsoiウェーハの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006200958A Division JP5315596B2 (ja) | 2006-07-24 | 2006-07-24 | 貼合せsoiウェーハの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014161850A Division JP2014225699A (ja) | 2014-08-07 | 2014-08-07 | 貼合せsoiウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013157629A JP2013157629A (ja) | 2013-08-15 |
JP5630527B2 true JP5630527B2 (ja) | 2014-11-26 |
Family
ID=49052485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013084329A Active JP5630527B2 (ja) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | 貼合せsoiウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5630527B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014225699A (ja) * | 2014-08-07 | 2014-12-04 | 株式会社Sumco | 貼合せsoiウェーハの製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107910248A (zh) * | 2017-11-14 | 2018-04-13 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种改善键合晶圆晶背缺陷的方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3217089B2 (ja) * | 1991-08-23 | 2001-10-09 | 富士通株式会社 | Soiウェハおよびその製造方法 |
JPH0878644A (ja) * | 1994-09-02 | 1996-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP4628580B2 (ja) * | 2001-04-18 | 2011-02-09 | 信越半導体株式会社 | 貼り合せ基板の製造方法 |
JP2004047515A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 石英基板の乾燥方法及び石英基板 |
WO2004008521A1 (ja) * | 2002-07-17 | 2004-01-22 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | 高抵抗シリコンウエーハ及びその製造方法 |
JP2004079766A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Yamaguchi Technology Licensing Organization Ltd | シリコン基材の硬化方法及びその硬化したシリコン基材 |
US7614411B2 (en) * | 2002-09-30 | 2009-11-10 | Lam Research Corporation | Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head |
JP2006093334A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Ses Co Ltd | 基板処理装置 |
-
2013
- 2013-04-12 JP JP2013084329A patent/JP5630527B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014225699A (ja) * | 2014-08-07 | 2014-12-04 | 株式会社Sumco | 貼合せsoiウェーハの製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013157629A (ja) | 2013-08-15 |
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A977 | Report on retrieval |
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