JP2014225699A - 貼合せsoiウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SOI層となる活性層ウェーハと支持ウェーハとを酸化膜を介して貼り合わせた後、活性層ウェーハを薄膜化することにより、埋め込み酸化膜上にSOI層が形成された貼合せSOIウェーハを製造する方法。この方法では、貼り合わせ前のウェーハ表面に有機物が吸着した状態で貼り合わせ、貼合せ界面に有機物を閉じこめた状態で接合強化熱処理を行うことにより、貼合せ界面に結晶欠陥を形成させる。貼り合わせ前のウェーハ表面に有機物が吸着した状態は、洗浄後のウェーハを、N−メチル−2−ピロリドンを含む雰囲気中で乾燥することにより得られる。
【選択図】図1
Description
前記の図1に示したフローチャートの工程に従って、以下のように貼合せSOIウェーハを作製した。
前記の図2に示したフローチャートの工程に従って、貼合せSOIウェーハを作製した。
前記の図3に示したフローチャートの工程に従って、貼合せSOIウェーハを作製した。
11:支持ウェーハ
12:活性層ウェーハ、SOI層
13:酸化膜
14:自然酸化膜
15:結晶欠陥
Claims (4)
- SOI層となる活性層ウェーハと支持ウェーハとを酸化膜を介して貼り合わせた後、前記活性層ウェーハを薄膜化することにより、埋め込み酸化膜上にSOI層が形成された貼合せSOIウェーハを製造する方法において、
貼り合わせ前のウェーハ表面に有機物が吸着した状態で貼り合わせ、貼合せ界面に前記有機物を閉じこめた状態で接合強化熱処理を行うことにより、貼合せ界面に結晶欠陥を形成させ、
前記貼り合わせ前のウェーハ表面に有機物が吸着した状態が、洗浄後のウェーハを、N−メチル−2−ピロリドンを含む雰囲気中で乾燥することにより得られることを特徴とする貼合せSOIウェーハの製造方法。 - 前記接合強化熱処理後に、前記貼合せ界面において5×1018atoms/cm3以上の炭素濃度ピークが検出されることを特徴とする請求項1に記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
- 前記結晶欠陥の大きさが5〜50nmであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
- 前記接合強化熱処理の温度が、1100℃以上であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
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