JP2009248021A - シリコンボートの洗浄方法、シリコンボート、シリコンウェハの熱処理方法、及びシリコンウェハ - Google Patents
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Abstract
【課題】シリコン製の治具との接触部分の金属汚染が低減されたシリコンウェハ及びシリコンウェハの前記治具との接触部分の金属汚染を低減させることができるシリコンウェハの製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコンボート洗浄工程(処理S1)は、シリコンボートの表面を希フッ酸で洗浄する希フッ酸洗浄工程(処理S1-1)と、エッチング工程(処理S1-2)と、複合汚染物除去工程(処理S1-3)と、自然乾燥工程(処理S1-4)とを備える。エッチング工程で硝酸及びフッ酸の混合液により、シリコンボートの表面をエッチングして、金属不純物を含有する加工歪層及び加工歪層上の金属不純物(有機物と混ざっていないもの)を除去する。後段の複合汚染物除去工程では、硫酸と過酸化水素水の混合液でシリコンボート表面を洗浄することで、シリコンボート表面に付着した有機物と金属不純物との複合汚染物を除去する。
【選択図】図1
【解決手段】シリコンボート洗浄工程(処理S1)は、シリコンボートの表面を希フッ酸で洗浄する希フッ酸洗浄工程(処理S1-1)と、エッチング工程(処理S1-2)と、複合汚染物除去工程(処理S1-3)と、自然乾燥工程(処理S1-4)とを備える。エッチング工程で硝酸及びフッ酸の混合液により、シリコンボートの表面をエッチングして、金属不純物を含有する加工歪層及び加工歪層上の金属不純物(有機物と混ざっていないもの)を除去する。後段の複合汚染物除去工程では、硫酸と過酸化水素水の混合液でシリコンボート表面を洗浄することで、シリコンボート表面に付着した有機物と金属不純物との複合汚染物を除去する。
【選択図】図1
Description
本発明は、シリコンボートの洗浄方法、シリコンボート、シリコンウェハの熱処理方法、及びシリコンウェハに関する。
従来から、シリコンウェハの製造工程において、シリコンボートと呼ばれるシリコン製の治具にシリコンウェハを載せて熱処理する工程がある。
シリコンボートは、例えば、互いに離間配置される一対の板状基材と、これら一対の板状基材を連結する複数の支柱とを備えて構成され、複数の支柱には、シリコンウェハの外周を枚葉単位で支持する支持部が刻設されており、この支持部にシリコンウェハを支持させた状態でシリコンボートごと熱処理に供される。
しかし、シリコンボートを加工形成後、十分に清浄化せずに熱処理に供すると、加工時の金属不純物がシリコンボートから直接または熱処理中の雰囲気を介してシリコンウェハに移動し、シリコンウェハが金属汚染されるといった問題がある。
シリコンウェハ熱処理における金属汚染は大きな問題であり、例えば熱処理を行ったシリコンウェハに金属汚染があると、その後のデバイス工程において歩留を低下させる要因となる場合がある。したがって熱処理における金属汚染を減少させることは最も重要な課題の一つである。
シリコンボートは、例えば、互いに離間配置される一対の板状基材と、これら一対の板状基材を連結する複数の支柱とを備えて構成され、複数の支柱には、シリコンウェハの外周を枚葉単位で支持する支持部が刻設されており、この支持部にシリコンウェハを支持させた状態でシリコンボートごと熱処理に供される。
しかし、シリコンボートを加工形成後、十分に清浄化せずに熱処理に供すると、加工時の金属不純物がシリコンボートから直接または熱処理中の雰囲気を介してシリコンウェハに移動し、シリコンウェハが金属汚染されるといった問題がある。
シリコンウェハ熱処理における金属汚染は大きな問題であり、例えば熱処理を行ったシリコンウェハに金属汚染があると、その後のデバイス工程において歩留を低下させる要因となる場合がある。したがって熱処理における金属汚染を減少させることは最も重要な課題の一つである。
ところで、高集積度のデバイス基板として用いられるシリコンウェハは、チョクラルスキー法(以下、CZ法)によって育成されたシリコン単結晶から加工される。CZ法により育成したシリコン単結晶には、結晶育成中に過剰に導入された点欠陥(空孔)が凝集しCOP(Crystal Originated Particle)と呼ばれる欠陥が存在する。シリコンウェハ表層のCOPはデバイスの歩留を低下させることから、消滅させる必要がある。このCOPを消滅させる技術として、例えば1000℃以上の高温においてアルゴン、水素、若しくはアルゴンと水素の混合ガス中でシリコンウェハを熱処理する技術が知られている。
しかし、アルゴン又は水素、若しくはアルゴンと水素の混合ガスといった非酸化性雰囲気中でシリコンウェハを熱処理した場合、酸化性雰囲気中で同じ時間、温度で処理した場合に比べ、シリコンボートからの金属汚染を受けやすくなる。これは、酸化性雰囲気で熱処理する場合は、シリコンボート及びシリコンウェハの表面に酸化膜が形成され、この酸化膜が金属汚染の防止膜として作用するが、非酸化性雰囲気の場合は酸化膜が形成されずシリコンボートから直接又は雰囲気を介してシリコンウェハが汚染されるためである。
したがって、900℃以上、特に1000℃以上の高温でアルゴン又は水素、若しくはアルゴンと水素の混合ガスといった非酸化性雰囲気中で熱処理する場合においてシリコンボートからシリコンウェハへの金属汚染を少なくする方法が求められている。
したがって、900℃以上、特に1000℃以上の高温でアルゴン又は水素、若しくはアルゴンと水素の混合ガスといった非酸化性雰囲気中で熱処理する場合においてシリコンボートからシリコンウェハへの金属汚染を少なくする方法が求められている。
このようなシリコンボートからシリコンウェハへの汚染を防ぐ方法として、特許文献1には、シリコンボートの製造においてHF洗浄及び水素アニールを行い製造時のウェーハボートの汚染を防止して、シリコンウェーハ汚染を防止する方法が記載されている。
また、硝酸とフッ酸の混合液により、表面をエッチングしたシリコンボートを用いてシリコンウェハの熱処理を行なう方法も提案されている。
また、硝酸とフッ酸の混合液により、表面をエッチングしたシリコンボートを用いてシリコンウェハの熱処理を行なう方法も提案されている。
しかしながら、前述した従来の洗浄方法では、シリコンボートの汚染を十分に除去できず、熱処理工程におけるシリコンボートからシリコンウェハへの汚染を十分に防止できるとはいえず、例えば、SPV法(表面光起電位法)によりFe濃度を測定すると、シリコンウェハのシリコンボートとの接触部分のFe濃度は、1×1012atoms/cm3程度にしかできない。
本発明の目的は、熱処理に際して、転写による金属汚染を低減することのできるシリコンボートの洗浄方法、シリコンボート、シリコンウェハの熱処理方法、及びシリコンウエハを提供することにある。
第1発明に係るシリコンボートの洗浄方法は、シリコンウェハの熱処理に際して用いられ、該シリコンウェハを支持する支持部を備えたシリコンボートの洗浄方法であって、
前記支持部を含むシリコンボート表面のエッチングを行い、該シリコンボート表層の加工歪層を除去するエッチング工程と、
前記シリコンボート表面に付着した有機物及び金属不純物を含む複合汚染物の有機物を分解するとともに、金属不純物を除去する複合汚染物除去工程とを備えていることを特徴とする。
第2発明に係るシリコンボートの洗浄方法は、第1発明において、前記複合汚染物除去工程は、硫酸と過酸化水素水とを混合した液により、前記シリコンボート表面を洗浄することを特徴とする。
ここで、エッチング工程及び複合汚染物除去工程は、シリコン製の治具全体の処理を行うものに限られず、特定の部位を選択的に処理した場合も含むものである。
前記支持部を含むシリコンボート表面のエッチングを行い、該シリコンボート表層の加工歪層を除去するエッチング工程と、
前記シリコンボート表面に付着した有機物及び金属不純物を含む複合汚染物の有機物を分解するとともに、金属不純物を除去する複合汚染物除去工程とを備えていることを特徴とする。
第2発明に係るシリコンボートの洗浄方法は、第1発明において、前記複合汚染物除去工程は、硫酸と過酸化水素水とを混合した液により、前記シリコンボート表面を洗浄することを特徴とする。
ここで、エッチング工程及び複合汚染物除去工程は、シリコン製の治具全体の処理を行うものに限られず、特定の部位を選択的に処理した場合も含むものである。
本発明者らは、従来のフッ酸により洗浄したシリコンボートを使用してウェハの熱処理を行なう場合、シリコンボートの表層には、金属不純物を含有する加工歪層が残存するとともに、この加工歪層の表面に有機物と、金属不純物とが合わさった複合汚染物が残っているものと考えた。
すなわち、図17(A)に示すように、洗浄前のシリコンボート1の表層には、加工時に生じた加工歪層13(金属不純物含有)が存在するとともに、この加工歪層13上に有機物(例えば、シリコンボートの機械加工時に使用したワックス等)と金属不純物とが合わさった複合汚染物15、及び金属不純物14(有機物と合わさっていない状態のもの)が存在していると考えられる。
すなわち、図17(A)に示すように、洗浄前のシリコンボート1の表層には、加工時に生じた加工歪層13(金属不純物含有)が存在するとともに、この加工歪層13上に有機物(例えば、シリコンボートの機械加工時に使用したワックス等)と金属不純物とが合わさった複合汚染物15、及び金属不純物14(有機物と合わさっていない状態のもの)が存在していると考えられる。
フッ酸による洗浄では、加工歪層13上の金属不純物14は除去できるものの、加工歪層13及び有機物と金属時不純物とが複合した複合汚染物15を除去することができないと考えられる。
従って、フッ酸により洗浄したシリコンボートを使用してシリコンウェハの熱処理を行なった場合には、シリコンウェハは、熱処理中の雰囲気や接触を介してシリコンボートから汚染される。特に、シリコンボートのウェハ支持部と直接接触していたシリコンウェハの部分からは高い濃度の金属不純物が検出される。
従って、フッ酸により洗浄したシリコンボートを使用してシリコンウェハの熱処理を行なった場合には、シリコンウェハは、熱処理中の雰囲気や接触を介してシリコンボートから汚染される。特に、シリコンボートのウェハ支持部と直接接触していたシリコンウェハの部分からは高い濃度の金属不純物が検出される。
また、図17(B)に示すように、硝酸とフッ酸とを混合した混合液によるエッチングを行なった場合には、シリコンボートの表層の加工歪層13及び金属不純物14(有機物と合わさっていない状態のもの)は除去できるものの、有機物と金属不純物とが複合した複合汚染物15は除去することができない。複合汚染物15は、シリコンボートエッチングの際に、シリコンボート1の表面から一旦、離れるものの、混合液中に残留し、エッチングされ活性になったシリコンボート1の表面に再付着すると考えられる。そのため、複合汚染物15を治具1の表面から除去することは難しく、エッチングを行なっても、シリコンボート1の表面に複合汚染物15が残存してしまうのである。
さらに、複合汚染物が多い場合、シリコンボート1の表面を部分的に覆ってしまい、含有する有機物によりエッチングが妨げられ(マスク効果によりエッチングされない)、結果として局所的に加工歪が除去されない。
従って、硝酸とフッ酸とを混合した混合液によるエッチングを行なったシリコンボートを使用してシリコンウェハの熱処理を行なった場合には、シリコンボート表面に残留した複合汚染物15およびエッチングされずに残った加工歪層中の金属不純物によりシリコンウェハが汚染される。特にシリコンボートのウェハ支持部は、板部、支柱部に比べ同一体積当たりの表面積が大きく複雑な形状のため複合汚染物15がエッチング後もシリコンボート表面に残留しやすく、熱処理の際に高い濃度の金属不純物がシリコンウェハに転写されるのである。
従って、硝酸とフッ酸とを混合した混合液によるエッチングを行なったシリコンボートを使用してシリコンウェハの熱処理を行なった場合には、シリコンボート表面に残留した複合汚染物15およびエッチングされずに残った加工歪層中の金属不純物によりシリコンウェハが汚染される。特にシリコンボートのウェハ支持部は、板部、支柱部に比べ同一体積当たりの表面積が大きく複雑な形状のため複合汚染物15がエッチング後もシリコンボート表面に残留しやすく、熱処理の際に高い濃度の金属不純物がシリコンウェハに転写されるのである。
本発明によれば、エッチング工程により、加工歪層及び加工歪層上の金属不純物が除去され、複合汚染物除去工程で、表面に付着した複合汚染物の有機物が分解されて除去されるとともに、複合汚染物の金属不純物が除去される。
なお、複合汚染物の有機物が分解除去されるために、複合汚染物が治具の表面に再付着することはない。
より詳細に説明すると、硫酸と過酸化水素水とを混合した混合液では、ペルオキソ一硫酸(H2SO5)が生成される。このペルオキソ一硫酸(H2SO5)は、酸化力が非常に強く、治具の表面の複合汚染物の有機物が主として二酸化炭素と水に分解されることとなる。これにより、治具の表面の有機物が分解除去されることとなる。
なお、有機物はペルオキソ一硫酸により分解されるので、混合液中に有機物が残存して、シリコン製の治具表面に再付着する虞は無い。
また、複合汚染物の有機物が分解除去されると同時に、複合汚染物の金属不純物も硫酸と過酸化水素水との混合液で除去される。
なお、複合汚染物の有機物が分解除去されるために、複合汚染物が治具の表面に再付着することはない。
より詳細に説明すると、硫酸と過酸化水素水とを混合した混合液では、ペルオキソ一硫酸(H2SO5)が生成される。このペルオキソ一硫酸(H2SO5)は、酸化力が非常に強く、治具の表面の複合汚染物の有機物が主として二酸化炭素と水に分解されることとなる。これにより、治具の表面の有機物が分解除去されることとなる。
なお、有機物はペルオキソ一硫酸により分解されるので、混合液中に有機物が残存して、シリコン製の治具表面に再付着する虞は無い。
また、複合汚染物の有機物が分解除去されると同時に、複合汚染物の金属不純物も硫酸と過酸化水素水との混合液で除去される。
本発明では、シリコンボートのエッチング工程と、複合汚染物除去工程の順番は特に限定されず、エッチング工程を行なった後、複合汚染物除去工程を実施しても良く、また、複合汚染物除去工程を実施した後、エッチング工程を実施してもよい。
エッチング工程では、エッチングにより除去される加工歪層中の金属不純物が、エッチングにより活性化された表面に再付着する可能性があるが、エッチング工程を行なった後、複合汚染物除去工程を実施すれば、エッチング工程で、加工歪層中の金属不純物が表面に再付着したとしても、複合汚染物除去工程で、前記金属不純物を除去することが可能となる。
一方、シリコンボートの表面が有機物で高濃度に汚染されていると、エッチング工程でシリコンボート表面にステイン膜(窒化膜、SiOx(x<2)、H2SiF6等)が形成される可能性がある。このような場合には、複合汚染物除去工程を実施した後、エッチング工程を実施することが好ましい。
エッチング工程では、エッチングにより除去される加工歪層中の金属不純物が、エッチングにより活性化された表面に再付着する可能性があるが、エッチング工程を行なった後、複合汚染物除去工程を実施すれば、エッチング工程で、加工歪層中の金属不純物が表面に再付着したとしても、複合汚染物除去工程で、前記金属不純物を除去することが可能となる。
一方、シリコンボートの表面が有機物で高濃度に汚染されていると、エッチング工程でシリコンボート表面にステイン膜(窒化膜、SiOx(x<2)、H2SiF6等)が形成される可能性がある。このような場合には、複合汚染物除去工程を実施した後、エッチング工程を実施することが好ましい。
第3発明に係るシリコンボートは、シリコンウェハの熱処理に際して用いられ、該シリコンウェハを支持する支持部を備えたシリコンボートであって、第1発明又は第2発明のいずれかの洗浄方法によって洗浄されたことを特徴とする。
ここで、本発明のシリコンボートは、酸化、ドナーキラー、不純物拡散、アルゴンアニール、水素アニール等の殆どの熱処理に用いることができるが、特にCOPを消滅させるための1000℃以上の高温でのアルゴン及び水素、若しくはアルゴンと水素の混合雰囲気中での熱処理に好適に用いることができる。
ここで、本発明のシリコンボートは、酸化、ドナーキラー、不純物拡散、アルゴンアニール、水素アニール等の殆どの熱処理に用いることができるが、特にCOPを消滅させるための1000℃以上の高温でのアルゴン及び水素、若しくはアルゴンと水素の混合雰囲気中での熱処理に好適に用いることができる。
第4発明に係るシリコンウェハの熱処理方法は、第3発明のシリコンボートを用い、アルゴン又は水素、若しくはアルゴンと水素の混合ガスによる雰囲気中でシリコンウェハを熱処理することを特徴とする。
第5発明に係るシリコンウェハの熱処理方法は、第3発明のシリコンボートを用い、アルゴン又は水素、若しくはアルゴンと水素の混合ガスによる雰囲気中でシリコンウェハの熱処理を行い、熱処理後のシリコンウェハの前記シリコンボートとの接触位置の鉄濃度が1×1011atoms/cm3未満であることを特徴とする。
第5発明に係るシリコンウェハの熱処理方法は、第3発明のシリコンボートを用い、アルゴン又は水素、若しくはアルゴンと水素の混合ガスによる雰囲気中でシリコンウェハの熱処理を行い、熱処理後のシリコンウェハの前記シリコンボートとの接触位置の鉄濃度が1×1011atoms/cm3未満であることを特徴とする。
ここで、鉄濃度の測定は、前述したSPV法の他、誘導結合プラズマ質量分析法(ICP−MS)、全反射蛍光X線分析法(TXRF)、原子吸光分析法(AAS)等により行うことができる。
この発明によれば、表面が金属不純物により殆ど汚染されていないシリコンボートを使用して、シリコンウェハを熱処理することが可能となるため、シリコンウェハの金属不純物による汚染を防止することができ、シリコンウェハの鉄濃度が1×1011atoms/cm3未満となるのである。
この発明によれば、表面が金属不純物により殆ど汚染されていないシリコンボートを使用して、シリコンウェハを熱処理することが可能となるため、シリコンウェハの金属不純物による汚染を防止することができ、シリコンウェハの鉄濃度が1×1011atoms/cm3未満となるのである。
また、第6発明に係るシリコンウェハは、第3発明のシリコンボートを用い、アルゴン又は水素、若しくはアルゴンと水素の混合ガスによる雰囲気中でシリコンウェハを熱処理することを特徴とする。
第7発明に係るシリコンウェハは、第3発明のシリコンボートを用い、アルゴン又は水素、若しくはアルゴンと水素の混合ガスによる雰囲気中でシリコンウェハの熱処理を行い、熱処理後のシリコンウェハの前記シリコンボートとの接触位置の鉄濃度が1×1011atoms/cm3未満であることを特徴とする。
第7発明に係るシリコンウェハは、第3発明のシリコンボートを用い、アルゴン又は水素、若しくはアルゴンと水素の混合ガスによる雰囲気中でシリコンウェハの熱処理を行い、熱処理後のシリコンウェハの前記シリコンボートとの接触位置の鉄濃度が1×1011atoms/cm3未満であることを特徴とする。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1には、本実施形態のシリコンウェハの製造方法が示されている。
このシリコンウェハの製造方法は、シリコンボート洗浄工程(処理S1)と、シリコンウェハの熱処理工程(処理S2)とを備えたものである。
シリコンボート洗浄工程は、図2に示すようなシリコンボート1を洗浄するための工程である。
図1には、本実施形態のシリコンウェハの製造方法が示されている。
このシリコンウェハの製造方法は、シリコンボート洗浄工程(処理S1)と、シリコンウェハの熱処理工程(処理S2)とを備えたものである。
シリコンボート洗浄工程は、図2に示すようなシリコンボート1を洗浄するための工程である。
このシリコンボート1は、単結晶シリコン又は多結晶シリコンを素材とした治具であり、対向配置された一対の板部11と、この一対の板部11間を連結する複数本(例えば、4本)の支柱12とを備える。
板部11は、平面略円形形状であり、シリコンウェハ2の径よりも大きな径となっている。この板部11には、支柱12をはめ込むための孔(図示略)が形成されている。この孔は板部11の外周縁のうち、半分の円弧に沿って配置されている。
支柱12は、略円柱形状であり、各支柱12の側面には、シリコンウェハ2の外周部を保持するための複数の溝部121が形成されている。この溝部121にシリコンウェハ2の外周部を挿入することで、シリコンウェハ2がシリコンボート1に支持されることとなる。すなわち、支柱12の溝部121がシリコンウェハ2を支持する支持部としての役割を果たしている。
支柱12が板部11の孔に挿入され、シリコンボート1を組み立てると、支柱12は、板部11の円弧のうち半分の部分に沿って配置されることとなる。
板部11は、平面略円形形状であり、シリコンウェハ2の径よりも大きな径となっている。この板部11には、支柱12をはめ込むための孔(図示略)が形成されている。この孔は板部11の外周縁のうち、半分の円弧に沿って配置されている。
支柱12は、略円柱形状であり、各支柱12の側面には、シリコンウェハ2の外周部を保持するための複数の溝部121が形成されている。この溝部121にシリコンウェハ2の外周部を挿入することで、シリコンウェハ2がシリコンボート1に支持されることとなる。すなわち、支柱12の溝部121がシリコンウェハ2を支持する支持部としての役割を果たしている。
支柱12が板部11の孔に挿入され、シリコンボート1を組み立てると、支柱12は、板部11の円弧のうち半分の部分に沿って配置されることとなる。
このようなシリコンボート1の各部材11,12は、単結晶シリコンのインゴット、又は多結晶シリコンのインゴットを切削、或いは研削することで、得られる。
研削或いは切削の際に、シリコンボート1の各部材11,12の表面、すなわち、金属不純物を含有しない清浄なシリコン層16上には、金属不純物を含有した加工歪層13(図3参照)が形成される。さらに、この加工歪層13上には、金属不純物14及び、金属不純物と有機物(例えば、ワックス等)の複合汚染物15が存在する。
なお、加工歪層13の厚みは、例えば、20μm〜30μm程度である。
研削或いは切削の際に、シリコンボート1の各部材11,12の表面、すなわち、金属不純物を含有しない清浄なシリコン層16上には、金属不純物を含有した加工歪層13(図3参照)が形成される。さらに、この加工歪層13上には、金属不純物14及び、金属不純物と有機物(例えば、ワックス等)の複合汚染物15が存在する。
なお、加工歪層13の厚みは、例えば、20μm〜30μm程度である。
本実施形態におけるシリコンボート洗浄工程(処理S1)は、シリコンボート1の表面を希フッ酸で洗浄する希フッ酸洗浄工程(処理S1-1)と、エッチング工程(処理S1-2)と、複合汚染物除去工程(処理S1-3)と、自然乾燥工程(処理S1-4)とを備える。
なお、各工程を実施する際、シリコンボート1は各部材11,12に分解された状態となっていることが好ましい。
なお、各工程を実施する際、シリコンボート1は各部材11,12に分解された状態となっていることが好ましい。
希フッ酸洗浄工程(処理S1-1)では、シリコンボート1の各部材11,12を希フッ酸に浸し、各部材11,12の表面を洗浄する。
希フッ酸の濃度は0.5〜50%であることが好ましく、なかでも、5%程度が好ましい。希フッ酸により、シリコンボート1の各部材11,12を洗浄する時間は、例えば、30秒〜30分である。これにより、シリコンボート1の各部材11,12表面の酸化膜を除去することが可能となる。
この希フッ酸洗浄工程では、各部材11,12の表面の酸化膜を除去した後、希フッ酸をシリコンボート1の各部材11,12の表面から純水により洗い流す。
希フッ酸の濃度は0.5〜50%であることが好ましく、なかでも、5%程度が好ましい。希フッ酸により、シリコンボート1の各部材11,12を洗浄する時間は、例えば、30秒〜30分である。これにより、シリコンボート1の各部材11,12表面の酸化膜を除去することが可能となる。
この希フッ酸洗浄工程では、各部材11,12の表面の酸化膜を除去した後、希フッ酸をシリコンボート1の各部材11,12の表面から純水により洗い流す。
エッチング工程(処理S1-2)では、硝酸及びフッ酸の混合液により、シリコンボート1の各部材11,12の表層をエッチングする。エッチング工程におけるエッチング量は、各部材11,12の表層の加工歪層13が除去できる程度のエッチング量であればよいが、例えば、各部材11,12の表層を30μm〜50μm程度、エッチングすることが好ましい。これにより、図3に示すように、各部材11,12の表層の加工歪層13を除去することができるとともに、加工歪層13上に存在する金属不純物14を除去することができる。
なお、61%の濃度の硝酸と、50%の濃度のフッ酸を用いた前記混合液では、硝酸とフッ酸の体積比を4:1とすることが好ましい。
また、エッチング工程では、硝酸及びフッ酸の混合液により、シリコンボート1の各部材11,12をエッチングした後、各部材11,12に表面に付着した硝酸及びフッ酸の混合液を純水で洗い流す。
なお、61%の濃度の硝酸と、50%の濃度のフッ酸を用いた前記混合液では、硝酸とフッ酸の体積比を4:1とすることが好ましい。
また、エッチング工程では、硝酸及びフッ酸の混合液により、シリコンボート1の各部材11,12をエッチングした後、各部材11,12に表面に付着した硝酸及びフッ酸の混合液を純水で洗い流す。
複合汚染物除去工程(処理S1-3)は、シリコンボート1の各部材11,12を硫酸と過酸化水素水の混合液(硫酸過水)に浸漬させて、洗浄し、シリコンボート1表面に付着した有機物と金属不純物との複合汚染物15を除去する。この際、硫酸と過酸化水素水の混合液でシリコンボート1の各部材11,12を洗浄するため、各部材11,12の表面がエッチングされることはない。
硫酸と過酸化水素水とを混合することにより生じるペルオキソ一硫酸によって、シリコンボート1の各部材11,12表面の有機物(例えば、シリコンボート1の機械加工時に使用したワックス等)は、主として、水と二酸化炭素に分解されることとなる。これにより、シリコンボート1表面の有機物が分解除去されることとなる。
また、複合汚染物15の有機物が分解除去されると同時に、複合汚染物15の金属不純物も硫酸と過酸化水素水との混合液で除去される。
これにより、図3に示すように、シリコンボート1の各部材11,12の表面に付着していた複合汚染物15が除去されることとなる。
また、複合汚染物15の有機物が分解除去されると同時に、複合汚染物15の金属不純物も硫酸と過酸化水素水との混合液で除去される。
これにより、図3に示すように、シリコンボート1の各部材11,12の表面に付着していた複合汚染物15が除去されることとなる。
ここで、混合液に96%濃度の硫酸と、30%の過酸化水素水を用いた場合、硫酸と過酸化水素水の混合液における硫酸と、過酸化水素水の混合容積比は1:1〜9:1が好ましい。なかでも、硫酸と、過酸化水素水の混合容積比を2:1〜4:1とすることが好ましい。
濃硫酸と過酸化水素水との混合容積比は、過酸化水素水1に対して濃硫酸1〜10が一般的である。濃硫酸と過酸化水素水との混合容積比が過酸化水素水1に対して濃硫酸が1より低い場合、液の調整時液温が160℃を超えるような高温になり、過酸化水素水の分解による消費が激しくなるばかりか、硫酸濃度が希薄でワックス等の有機物の除去には十分な効果を得ることができず、一方、濃硫酸と過酸化水素水の混合容積比が、過酸化水素水1に対して濃硫酸が9よりも高い場合、過酸化水素水が不安定となり、洗浄に十分な活性酸素が得られず、また、硫酸によって剥離、除去されたワックス等の有機物が酸化され難く、系内に蓄積されることとなり、好ましくない。
濃硫酸と過酸化水素水との混合容積比は、過酸化水素水1に対して濃硫酸1〜10が一般的である。濃硫酸と過酸化水素水との混合容積比が過酸化水素水1に対して濃硫酸が1より低い場合、液の調整時液温が160℃を超えるような高温になり、過酸化水素水の分解による消費が激しくなるばかりか、硫酸濃度が希薄でワックス等の有機物の除去には十分な効果を得ることができず、一方、濃硫酸と過酸化水素水の混合容積比が、過酸化水素水1に対して濃硫酸が9よりも高い場合、過酸化水素水が不安定となり、洗浄に十分な活性酸素が得られず、また、硫酸によって剥離、除去されたワックス等の有機物が酸化され難く、系内に蓄積されることとなり、好ましくない。
また、硫酸と過酸化水素水の混合液に各部材11,12を浸漬させる時間としては、例えば、30秒〜60分(通常では10〜20分)が好ましい。硫酸と過酸化水素水の混合液の温度は、80〜160℃となる。シリコンボート1を前記混合液中に浸し,10分程度経過した時点で、前記混合液は、最も高温となる。
その後、シリコンボート1の各部材11,12表面に付着した硫酸と過酸化水素水との混合液を純水で洗い流す。
なお、複合汚染物除去工程において、硫酸と過酸化水素水の混合液の酸化力を調整するために、硫酸と過酸化水素水の混合液を加熱してもよい。例えば、混合液が120℃程度となるようにヒータ等で調整してもよい。
その後、シリコンボート1の各部材11,12表面に付着した硫酸と過酸化水素水との混合液を純水で洗い流す。
なお、複合汚染物除去工程において、硫酸と過酸化水素水の混合液の酸化力を調整するために、硫酸と過酸化水素水の混合液を加熱してもよい。例えば、混合液が120℃程度となるようにヒータ等で調整してもよい。
次に、シリコンボート1の自然乾燥を行なう(自然乾燥工程(処理S1-4))。
これにより、シリコンボート1の洗浄工程が終了することとなる。
これにより、シリコンボート1の洗浄工程が終了することとなる。
以上のような洗浄工程が終了した各部材11,12を組み合わせ、シリコンボート1を組み立てる。
そして、シリコンボート1の支柱12の溝部121にシリコンウェハ2を挿入し、その後、シリコンボート1を図示しない熱処理炉内に設置し、熱処理を行なう。
熱処理の条件としては、例えば、アルゴン雰囲気中で、1200℃、1時間である。
このようにして、熱処理が行なわれたウェハ2の外周部の一部は、図4に示すようにシリコンボート1の支柱12の溝部121の表面と接触しているが、この接触部分21の金属不純物濃度、すなわち、鉄濃度は、1×1011atoms/cm3未満となる(SPV(表面光励起電力)法により測定)。
そして、シリコンボート1の支柱12の溝部121にシリコンウェハ2を挿入し、その後、シリコンボート1を図示しない熱処理炉内に設置し、熱処理を行なう。
熱処理の条件としては、例えば、アルゴン雰囲気中で、1200℃、1時間である。
このようにして、熱処理が行なわれたウェハ2の外周部の一部は、図4に示すようにシリコンボート1の支柱12の溝部121の表面と接触しているが、この接触部分21の金属不純物濃度、すなわち、鉄濃度は、1×1011atoms/cm3未満となる(SPV(表面光励起電力)法により測定)。
従って、本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
シリコンボート1の洗浄工程では、硝酸及びフッ酸の混合液によりシリコンボート1のエッチングを行い、その後、硫酸と過酸化水素水の混合液により、シリコンボート1の表面を洗浄している。
エッチング工程のエッチングにより、金属不純物を含有した加工歪層13及びこの加工歪層13上の金属不純物14を除去することができる。
また、複合汚染物除去工程において、硫酸と過酸化水素水との混合液でシリコンボート複合汚染物15の有機物が主として二酸化炭素と水に分解されることとなる。これにより、シリコンボート1表面の有機物が除去されることとなる。なお、有機物はペルオキソ一硫酸により分解されるので、混合液中に有機物が残存して、シリコンボート1表面に再付着する虞は無い。
さらに、複合汚染物15の有機物が分解除去されると同時に、複合汚染物15の金属不純物も硫酸と過酸化水素水との混合液で除去される。
このように、エッチング工程及び複合汚染物除去工程を実施することで、シリコンボート1表層の加工歪層13及び表面の金属不純物14、さらには、複合汚染物15を除去することができ、シリコンボート1の表面の金属不純物を大幅に低減させることができる。そのため、このようなシリコンボート1を用いて、シリコンウェハ2を熱処理した際に、シリコンボート1からシリコンウェハ2への金属不純物の転写を低減させることができる。これにより、シリコンウェハ2の金属不純物による汚染を低減させることができる。
そのため、熱処理したシリコンウェハ2の外周部のシリコンボート1の支柱12の溝部121との接触部分21の鉄濃度が1×1011atoms/cm3未満となるのである。
シリコンボート1の洗浄工程では、硝酸及びフッ酸の混合液によりシリコンボート1のエッチングを行い、その後、硫酸と過酸化水素水の混合液により、シリコンボート1の表面を洗浄している。
エッチング工程のエッチングにより、金属不純物を含有した加工歪層13及びこの加工歪層13上の金属不純物14を除去することができる。
また、複合汚染物除去工程において、硫酸と過酸化水素水との混合液でシリコンボート複合汚染物15の有機物が主として二酸化炭素と水に分解されることとなる。これにより、シリコンボート1表面の有機物が除去されることとなる。なお、有機物はペルオキソ一硫酸により分解されるので、混合液中に有機物が残存して、シリコンボート1表面に再付着する虞は無い。
さらに、複合汚染物15の有機物が分解除去されると同時に、複合汚染物15の金属不純物も硫酸と過酸化水素水との混合液で除去される。
このように、エッチング工程及び複合汚染物除去工程を実施することで、シリコンボート1表層の加工歪層13及び表面の金属不純物14、さらには、複合汚染物15を除去することができ、シリコンボート1の表面の金属不純物を大幅に低減させることができる。そのため、このようなシリコンボート1を用いて、シリコンウェハ2を熱処理した際に、シリコンボート1からシリコンウェハ2への金属不純物の転写を低減させることができる。これにより、シリコンウェハ2の金属不純物による汚染を低減させることができる。
そのため、熱処理したシリコンウェハ2の外周部のシリコンボート1の支柱12の溝部121との接触部分21の鉄濃度が1×1011atoms/cm3未満となるのである。
また、本実施形態では、シリコンボート1を洗浄する際に、エッチング工程を実施した後、複合汚染物除去工程を実施している。
エッチング工程では、エッチングにより除去される加工歪層13中の金属不純物が、エッチングにより活性化された表面に再付着する可能性があるが、エッチング工程を行なった後、複合汚染物除去工程を実施することで、エッチング工程で、加工歪層13中の金属不純物が表面に再付着していても、複合汚染物除去工程で、金属不純物を除去することが可能となる。従って、表面における金属不純物濃度がより低いシリコンボート1を得ることができる。
エッチング工程では、エッチングにより除去される加工歪層13中の金属不純物が、エッチングにより活性化された表面に再付着する可能性があるが、エッチング工程を行なった後、複合汚染物除去工程を実施することで、エッチング工程で、加工歪層13中の金属不純物が表面に再付着していても、複合汚染物除去工程で、金属不純物を除去することが可能となる。従って、表面における金属不純物濃度がより低いシリコンボート1を得ることができる。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態では、シリコンボート洗浄工程において、エッチング工程を実施した後、複合汚染物除去工程を実施したが、これに限らず、図5に示すように、複合汚染物除去工程を実施した後、エッチング工程を実施してもよい。
例えば、シリコンボート1の表面がワックスや金属等により、ひどく汚染されている場合には、硝酸及びフッ酸によるエッチング工程を複合汚染物除去工程よりも先に実施すると、シリコンボート1表面にステイン膜が形成されてしまう場合がある。
これに対し、複合汚染物除去工程を実施した後、エッチング工程を実施することで、複合汚染物除去工程で、シリコンボート1表面のワックス等の有機物を分解除去することができるので、後段のエッチング工程で、ステイン膜が形成されにくくなる。
また、エッチング工程の前段と後段の両方で複合汚染物除去工程を実施してもよい。
このように、複合汚染物除去工程を複数回実施することで、金属不純物のより少ない表面を有するシリコンボートを得ることができる。
例えば、前記実施形態では、シリコンボート洗浄工程において、エッチング工程を実施した後、複合汚染物除去工程を実施したが、これに限らず、図5に示すように、複合汚染物除去工程を実施した後、エッチング工程を実施してもよい。
例えば、シリコンボート1の表面がワックスや金属等により、ひどく汚染されている場合には、硝酸及びフッ酸によるエッチング工程を複合汚染物除去工程よりも先に実施すると、シリコンボート1表面にステイン膜が形成されてしまう場合がある。
これに対し、複合汚染物除去工程を実施した後、エッチング工程を実施することで、複合汚染物除去工程で、シリコンボート1表面のワックス等の有機物を分解除去することができるので、後段のエッチング工程で、ステイン膜が形成されにくくなる。
また、エッチング工程の前段と後段の両方で複合汚染物除去工程を実施してもよい。
このように、複合汚染物除去工程を複数回実施することで、金属不純物のより少ない表面を有するシリコンボートを得ることができる。
さらに、前記実施形態では、シリコンボート1をエッチングする際に、硝酸及びフッ酸の混合液を使用したが、これに限らず、シリコンボート1表層の加工歪層13を除去できるようなエッチング液を使用すればよい。
また、前記実施形態では、複合汚染物除去工程において、硫酸と、過酸化水素水との混合液を使用したが、これに限らず、シリコンボート1表面に付着した複合汚染物15の有機物を分解して、複合汚染物15を除去するようなものであればよい。
さらに、前記実施形態では、シリコンボート1の洗浄工程では、シリコンボート1を構成する板部11及び支柱12の双方を洗浄したが、これに限らず、支柱12のみを洗浄してもよい。
また、前記実施形態では、複合汚染物除去工程において、硫酸と、過酸化水素水との混合液を使用したが、これに限らず、シリコンボート1表面に付着した複合汚染物15の有機物を分解して、複合汚染物15を除去するようなものであればよい。
さらに、前記実施形態では、シリコンボート1の洗浄工程では、シリコンボート1を構成する板部11及び支柱12の双方を洗浄したが、これに限らず、支柱12のみを洗浄してもよい。
さらに、前記実施形態では、シリコンボート洗浄工程は、希フッ酸洗浄工程と、エッチング工程と、複合汚染物除去工程と、自然乾燥工程とを備えるとしたが、これに限らず、例えば、エッチング工程と、複合汚染物除去工程との間に、エッチングにより形成されたシリコンボート1表面の薄い酸化膜を除去するための希フッ酸洗浄工程を設けてもよい。
また、複合汚染物除去工程の後段に、複合汚染物除去工程で使用した硫酸及び過酸化水素水の混合液を完全に除去するために、希フッ酸洗浄工程を設けてもよい。
また、複合汚染物除去工程の後段に、複合汚染物除去工程で使用した硫酸及び過酸化水素水の混合液を完全に除去するために、希フッ酸洗浄工程を設けてもよい。
さらに、前記実施形態では、シリコンボート1を図2に示される形状のものを対象としていたが、これに限られず、板状基材が3以上の場合や、一体形成されたシリコン製の治具を用いて、本発明の製造方法を実施してもよい。
また、前記実施形態では、シリコン製の治具として熱処理用のシリコンボートを対象としていたが、本発明はこれに限らず、サセプタ、スパッタ用シリコンターゲット等に採用してもよい。
また、前記実施形態では、シリコン製の治具として熱処理用のシリコンボートを対象としていたが、本発明はこれに限らず、サセプタ、スパッタ用シリコンターゲット等に採用してもよい。
次に、本発明の実施例について説明する。実施例及び比較例におけるシリコンウェハの仕様は次の表1の通りである。
(実施例1)
図6に示す手順でシリコンウェハを製造した。
1.シリコンボート洗浄工程
まず、単結晶シリコンを原料とした単結晶のシリコンボートを、5%の希フッ酸溶液に5分間浸し、シリコンボート表面に形成された酸化膜を除去した。その後、シリコンボートを純水で10分間洗浄した(第一希フッ酸洗浄工程)。
次に、96%の硫酸と30%の過酸化水素水を、体積比2:1〜3:1で混合した混合液中にシリコンボートを浸し、30分間放置した。その後、硫酸と過酸化水素水を混合した混合液をシリコンボート表面から除去するために純水で30分間洗浄した(複合汚染物除去工程)。
次に、5%の希フッ酸溶液中にシリコンボートを浸した。5分後、純水でシリコンボートを10分間洗浄した(第二希フッ酸洗浄工程)。
さらに、61%の硝酸と、50%フッ酸とを体積比4:1で混合したエッチング液にシリコンボートを浸し、シリコンボートをエッチングした。シリコンボートの表面のエッチング量は、50μmに設定されている。そして、エッチング液からシリコンボートを取り出して、純水で20分間洗浄した(エッチング工程)。
さらに、5%の希フッ酸溶液中にシリコンボートを浸し、5分後、純水でシリコンボートを10分間洗浄した(第三希フッ酸洗浄工程)。
このようなシリコンボートを自然乾燥した(自然乾燥工程)。
図6に示す手順でシリコンウェハを製造した。
1.シリコンボート洗浄工程
まず、単結晶シリコンを原料とした単結晶のシリコンボートを、5%の希フッ酸溶液に5分間浸し、シリコンボート表面に形成された酸化膜を除去した。その後、シリコンボートを純水で10分間洗浄した(第一希フッ酸洗浄工程)。
次に、96%の硫酸と30%の過酸化水素水を、体積比2:1〜3:1で混合した混合液中にシリコンボートを浸し、30分間放置した。その後、硫酸と過酸化水素水を混合した混合液をシリコンボート表面から除去するために純水で30分間洗浄した(複合汚染物除去工程)。
次に、5%の希フッ酸溶液中にシリコンボートを浸した。5分後、純水でシリコンボートを10分間洗浄した(第二希フッ酸洗浄工程)。
さらに、61%の硝酸と、50%フッ酸とを体積比4:1で混合したエッチング液にシリコンボートを浸し、シリコンボートをエッチングした。シリコンボートの表面のエッチング量は、50μmに設定されている。そして、エッチング液からシリコンボートを取り出して、純水で20分間洗浄した(エッチング工程)。
さらに、5%の希フッ酸溶液中にシリコンボートを浸し、5分後、純水でシリコンボートを10分間洗浄した(第三希フッ酸洗浄工程)。
このようなシリコンボートを自然乾燥した(自然乾燥工程)。
2.ウェハの熱処理工程
ウェーハ表層近傍のCOP(Crystal Originated Particle)を消滅させるために、シリコンボート洗浄工程を経たシリコンボートを使用して、シリコンウェハの熱処理を行なった。シリコンボートの支柱の溝部にシリコンウェハの外周部をはめ込み、シリコンボートを熱処理炉内に設置した。そして、1200℃、1時間、アルゴン雰囲気中で熱処理した。
ウェーハ表層近傍のCOP(Crystal Originated Particle)を消滅させるために、シリコンボート洗浄工程を経たシリコンボートを使用して、シリコンウェハの熱処理を行なった。シリコンボートの支柱の溝部にシリコンウェハの外周部をはめ込み、シリコンボートを熱処理炉内に設置した。そして、1200℃、1時間、アルゴン雰囲気中で熱処理した。
(実施例2)
実施例2では、図7に示すように、実施例1のシリコンボートの洗浄工程の複合汚染物除去工程と、エッチング工程の順番を逆にした。すなわち、実施例2では、第一希フッ酸洗浄工程、エッチング工程、第二希フッ酸洗浄工程、複合汚染物除去工程、第三希フッ酸洗浄工程、自然乾燥工程の順でシリコンボートの洗浄工程を実施した。他の条件は、実施例1と同じである。
実施例2では、図7に示すように、実施例1のシリコンボートの洗浄工程の複合汚染物除去工程と、エッチング工程の順番を逆にした。すなわち、実施例2では、第一希フッ酸洗浄工程、エッチング工程、第二希フッ酸洗浄工程、複合汚染物除去工程、第三希フッ酸洗浄工程、自然乾燥工程の順でシリコンボートの洗浄工程を実施した。他の条件は、実施例1と同じである。
(実施例3)
実施例3では、多結晶シリコンを原料とした、多結晶のシリコンボートを使用した。
他の条件は、実施例2と同じである。
実施例3では、多結晶シリコンを原料とした、多結晶のシリコンボートを使用した。
他の条件は、実施例2と同じである。
(比較例1)
図8に示す手順でシリコンウェハを製造した。
1.シリコンボートの洗浄工程
単結晶シリコンを原料とする単結晶のシリコンボートを5%の希フッ酸に5分間浸した。その後、希フッ酸をシリコンボート表面から除去するために、純水でシリコンボートを10分間洗浄した(希フッ酸洗浄工程)。
そして、シリコンボートを自然乾燥した(自然乾燥工程)。
2.ウェハの熱処理工程
ウェハの熱処理工程は、実施例1と同じ条件で行なった。
図8に示す手順でシリコンウェハを製造した。
1.シリコンボートの洗浄工程
単結晶シリコンを原料とする単結晶のシリコンボートを5%の希フッ酸に5分間浸した。その後、希フッ酸をシリコンボート表面から除去するために、純水でシリコンボートを10分間洗浄した(希フッ酸洗浄工程)。
そして、シリコンボートを自然乾燥した(自然乾燥工程)。
2.ウェハの熱処理工程
ウェハの熱処理工程は、実施例1と同じ条件で行なった。
(比較例2)
図9に示す手順でシリコンウェハを製造した。
1.シリコンボートの洗浄工程
単結晶シリコンを原料とする単結晶のシリコンボートを5%の希フッ酸に5分間浸した。その後、希フッ酸をシリコンボート表面から除去するために、純水でシリコンボートを10分間洗浄した(第一希フッ酸洗浄工程)。
次に、シリコンボートのエッチングを行なった。61%の硝酸と、50%フッ酸を混合したエッチング液(硝酸と、フッ酸の体積比4:1)にシリコンボートを浸し、シリコンボートをエッチングした。エッチングによる取りしろは50μmとした。
そして、エッチング液からシリコンボートを取り出して、純水で20分間洗浄した(エッチング工程)。
その後、5%の希フッ酸溶液中に5分間シリコンボートを浸し、その後、純水でシリコンボートを10分間洗浄した(第二希フッ酸洗浄工程)。
そして、シリコンボートを自然乾燥した(自然乾燥工程)。
2.ウェハの熱処理工程
ウェハの熱処理工程は、実施例1と同じ条件で行なった。
図9に示す手順でシリコンウェハを製造した。
1.シリコンボートの洗浄工程
単結晶シリコンを原料とする単結晶のシリコンボートを5%の希フッ酸に5分間浸した。その後、希フッ酸をシリコンボート表面から除去するために、純水でシリコンボートを10分間洗浄した(第一希フッ酸洗浄工程)。
次に、シリコンボートのエッチングを行なった。61%の硝酸と、50%フッ酸を混合したエッチング液(硝酸と、フッ酸の体積比4:1)にシリコンボートを浸し、シリコンボートをエッチングした。エッチングによる取りしろは50μmとした。
そして、エッチング液からシリコンボートを取り出して、純水で20分間洗浄した(エッチング工程)。
その後、5%の希フッ酸溶液中に5分間シリコンボートを浸し、その後、純水でシリコンボートを10分間洗浄した(第二希フッ酸洗浄工程)。
そして、シリコンボートを自然乾燥した(自然乾燥工程)。
2.ウェハの熱処理工程
ウェハの熱処理工程は、実施例1と同じ条件で行なった。
(実施例1〜3、比較例1,2の結果)
熱処理したシリコンボートを熱処理炉から取り出し、熱処理したシリコンウェハのFe濃度を測定した(SPV法による)。
実施例1の結果を図10に示し、実施例2の結果を図11に示し、さらに実施例3の結果を図12に示す。
比較例1の結果を図13に示し、比較例2の結果を図14に示す。
図10〜14では、熱処理後のシリコンウェハのFe濃度、すなわち、Feによる汚染の分布を示している。図10〜14中、点線で囲まれた部分は、シリコンウェハのシリコンボートとの接触部分である。
また、図15に実施例1〜3及び比較例1,2のシリコンウェハのシリコンボートとの接触部分のFe濃度の平均値を示す。
熱処理したシリコンボートを熱処理炉から取り出し、熱処理したシリコンウェハのFe濃度を測定した(SPV法による)。
実施例1の結果を図10に示し、実施例2の結果を図11に示し、さらに実施例3の結果を図12に示す。
比較例1の結果を図13に示し、比較例2の結果を図14に示す。
図10〜14では、熱処理後のシリコンウェハのFe濃度、すなわち、Feによる汚染の分布を示している。図10〜14中、点線で囲まれた部分は、シリコンウェハのシリコンボートとの接触部分である。
また、図15に実施例1〜3及び比較例1,2のシリコンウェハのシリコンボートとの接触部分のFe濃度の平均値を示す。
実施例1〜3では、シリコンウェハの外周部のシリコンボートとの接触部分の鉄濃度が1×1011atoms/cm3未満となることが確認できた。
一方、比較例1,2では、シリコンウェハの外周部のシリコンボートとの接触部分の鉄濃度が1×1011atoms/cm3を超えるものとなっていた。
以上の結果から、実施例1〜3では、シリコンウェハのシリコンボートとの接触部分の金属汚染を低減させることができることがわかった。
一方、比較例1,2では、シリコンウェハの外周部のシリコンボートとの接触部分の鉄濃度が1×1011atoms/cm3を超えるものとなっていた。
以上の結果から、実施例1〜3では、シリコンウェハのシリコンボートとの接触部分の金属汚染を低減させることができることがわかった。
さらに、実施例2及び比較例1について、熱処理の時間、温度、雰囲気の変化に対するFe汚染の変化を確認した。熱処理は、実施例2及び比較例1のいずれについても、900℃、1000℃、1250℃の条件で行い、また雰囲気は、アルゴン雰囲気30分(-Ar-30min)、60分(-Ar-60min)の条件、水素雰囲気30分(-水素-30min)、60分(-水素-60min)の条件で行った。
各条件における時間とFe汚染の度合いをSPV法によるFe濃度測定により行った。結果を表2及び図16に示す。
各条件における時間とFe汚染の度合いをSPV法によるFe濃度測定により行った。結果を表2及び図16に示す。
比較例1の場合、高温、長時間になるほどシリコンボート表面の汚染がシリコンウェハに移動しシリコンウェーハのFe濃度が高くなっていることが判る。
これに対し、実施例2の場合、汚染の度合いが1250℃、60minという高温、長時間の処理を行っても、8×1010atoms/cm3以下のFe濃度であり、熱処理によるシリコンウェハの汚染が防止されていることが判る。また実施例2の場合、シリコンウェハ汚染防止効果は水素雰囲気中での熱処理でも同様の効果があることが確認された。
これに対し、実施例2の場合、汚染の度合いが1250℃、60minという高温、長時間の処理を行っても、8×1010atoms/cm3以下のFe濃度であり、熱処理によるシリコンウェハの汚染が防止されていることが判る。また実施例2の場合、シリコンウェハ汚染防止効果は水素雰囲気中での熱処理でも同様の効果があることが確認された。
本発明は、半導体ウェハの製造に利用することができる。
1…シリコンボート(シリコン製の治具)、2…シリコンウェハ、11…板部、12…支柱、13…加工歪層、14…金属不純物、15…複合汚染物、16…シリコン層、21…接触部分、121…溝部
Claims (7)
- シリコンウェハの熱処理に際して用いられ、該シリコンウェハを支持する支持部を備えたシリコンボートの洗浄方法であって、
前記支持部を含むシリコンボート表面のエッチングを行い、該シリコンボート表層の加工歪層を除去するエッチング工程と、
前記シリコンボート表面に付着した有機物及び金属不純物を含む複合汚染物の有機物を分解するとともに、金属不純物を除去する複合汚染物除去工程とを備えていることを特徴とするシリコンボートの洗浄方法。 - 請求項1に記載のシリコンボートの洗浄方法において、
前記複合汚染物除去工程は、硫酸と過酸化水素水とを混合した液により、前記シリコンボート表面を洗浄することを特徴とするシリコンボートの洗浄方法。 - シリコンウェハの熱処理に際して用いられ、該シリコンウェハを支持する支持部を備えたシリコンボートであって、
請求項1又は請求項2に記載の洗浄方法によって洗浄されたことを特徴とするシリコンボート。 - 請求項3に記載のシリコンボートを用い、アルゴン又は水素、若しくはアルゴンと水素の混合ガスによる雰囲気中でシリコンウェハを熱処理することを特徴とするシリコンウェハの熱処理方法。
- 請求項3に記載のシリコンボートを用い、アルゴン又は水素、若しくはアルゴンと水素の混合ガスによる雰囲気中でシリコンウェハの熱処理を行い、熱処理後のシリコンウェハの前記シリコンボートとの接触位置の鉄濃度が1×1011atoms/cm3未満であることを特徴とするシリコンウェハの熱処理方法。
- 請求項3に記載のシリコンボートを用い、アルゴン又は水素、若しくはアルゴンと水素の混合ガスによる雰囲気中でシリコンウェハを熱処理することを特徴とするシリコンウェハ。
- 請求項3に記載のシリコンボートを用い、アルゴン又は水素、若しくはアルゴンと水素の混合ガスによる雰囲気中でシリコンウェハを熱処理を行い、熱処理後のシリコンウェハの前記シリコンボートとの接触位置の鉄濃度が1×1011atoms/cm3未満であることを特徴とするシリコンウェハ。
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2008
- 2008-04-08 JP JP2008100550A patent/JP2009248021A/ja active Pending
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2009
- 2009-03-05 TW TW98107100A patent/TW201001529A/zh unknown
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