JP5432180B2 - 半導体基板のhf処理におけるウォーターマークの低減 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 76
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 title description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 29
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 21
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 claims description 17
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 13
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 12
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 11
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 26
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940097362 cyclodextrins Drugs 0.000 description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000010936 aqueous wash Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- -1 silicon halide Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
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- H01L21/02052—Wet cleaning only
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
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Description
b)ドナー基板のこの面をレシーバ基板と張り合わせるステップ、
c)イオン注入を受けた表面とこの注入によってある深さに生成された弱いゾーンとの間に位置するドナー基板の部分をレシーバ基板へと移転させることを可能にするために、注入ゾーン付近でドナー基板をへき開/断裂させるステップ。SOI(silicon on insulator)構造は、このようにして得ることが可能である。
(a)フッ化水素酸(HF)を含有する水溶液によって基板を洗浄するステップと、次いで
(b)リンスの実施中に、前記基板に超音波を当てながら脱イオン水により基板をリンスするステップと
を含む。
(a)3未満のpKaを有する強酸を加えたフッ化水素酸(HF)を含有する水溶液であって、水溶液中で使用される強酸の重量濃度がフッ化水素酸(HF)の重量濃度よりも低い、水溶液により前記基板を洗浄するステップと、
(b)脱イオン水により基板をリンスするステップと、
(c)前記基板を乾燥するステップと
を含む。
α)本発明の上記の第1の態様および/または第2の態様による方法の1つである、フッ化水素酸(HF)を含有する水溶液を用いる方法によって、初期に存在する基板の表面層を洗浄し準備するステップと、
β)このように洗浄され準備された表面上でエピタキシアル成長を実施するステップと
を含む、基板の表面にエピタキシャル層を付加する方法に関する。
α)本発明の第1の態様または第2の態様に従ってフッ化水素酸(HF)を含有する水溶液で表面層を洗浄することを伴う工程により初期に存在する基板の表面層を洗浄し準備するステップと、
β)洗浄され準備された表面上にエピタキシャル成長を実施するステップと
を含む方法に関する。
Claims (19)
- ウォーターマークの出現を抑制するように半導体基板の疎水性表面を洗浄し準備する方法であって、前記半導体基板が、エピタキシャル成長のためのベース基板として使用するのに適したものであり、
(a)3未満のpKaを有する強酸に加えてフッ化水素酸(HF)を含有する水溶液であって、前記水溶液中で使用される前記強酸の重量濃度がフッ化水素酸(HF)の重量濃度よりも低い、前記水溶液により前記基板を洗浄するステップと、
(b)リンスの実施中に、前記基板に超音波を当てながら脱イオン水により前記基板をリンスするステップと
を含み、ウォーターマークの出現を抑制するように半導体基板の疎水性表面を洗浄し準備する前記方法が、枚葉式ウェハ洗浄装置において実施されることを特徴とする方法。 - ステップ(a)の後でステップ(b)の前に、別のステップ(b0)において、前記基板は、超音波を適用せずに脱イオン水によりリンスされることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記リンスステップ(b)に続いて、前記基板は、ステップ(c)において乾燥されることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 適用される超音波出力は、最小100ワットから最大1200ワットの範囲、好ましくは最小800ワットから最大1000ワットの範囲であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の方法。
- 適用される超音波周波数は、最小1kHzから最大10MHzの範囲、好ましくは最小700kHzから最大1MHzの範囲であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法。
- 超音波の適用時間は、最小1秒から最大5分の範囲、好ましくは最小10秒から最大60秒の範囲であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の方法。
- ステップ(a)の前記水溶液中で使用される前記強酸は、0未満のpKaを有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記強酸は、塩酸(HCl)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)および過塩素酸(HClO4)からなる群から選択されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記強酸は、塩酸(HCl)であることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- ステップ(a)の前記水溶液中で使用される塩酸(HCl)の濃度は、0.01重量%<[HCl]<38重量%の範囲、好ましくは0.01重量%<[HCl]<5重量%の範囲に含まれることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記基板は、シリコン、歪みシリコン、またはシリコン−ゲルマニウムの表面層を含むことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板は、シリコン−ゲルマニウムの表面層を含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- ステップ(a)の前記水溶液中で使用されるフッ化水素酸(HF)の濃度は、重量で0.05%<[HF]<49%の範囲、好ましくは重量で0.5%<[HF]<10%の範囲に含まれることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の方法。
- 基板の表面にエピタキシャル層を付加する方法であって、
(α)請求項1乃至13のいずれか一項に記載の方法により、初期に存在する基板の表面層を洗浄し準備する(1つまたは複数の)ステップと、
(β)前記洗浄し準備した表面上でエピタキシャル成長を実施するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 前記基板の前記初期に存在する表面層は、シリコン−ゲルマニウム(SiGe)層または歪みシリコン(sSi)層であることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記初期に存在する表面層シリコン−ゲルマニウム(SiGe)層は、ステップ(α)において洗浄される露出表面において、Si原子に対するGe原子の百分比として表わして、少なくとも20%のゲルマニウム濃度を示すことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- ステップ(β)における前記エピタキシャル成長は、歪みシリコン(sSi)層またはシリコン−ゲルマニウム(SiGe)層の成長であることを特徴とする請求項14乃至16のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1乃至13のいずれか一項に記載の方法に従って得られることを特徴とする洗浄し準備した基板。
- 請求項14乃至17のいずれか一項に記載の方法に従って得られる、洗浄し準備した基板上でのエピタキシャル成長によって得られた表面層を有することを特徴とする基板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP08305001A EP2077576A1 (en) | 2008-01-04 | 2008-01-04 | Process for preparing cleaned substrates suitable for epitaxial growth |
EP08305001.3 | 2008-01-04 | ||
PCT/EP2008/065771 WO2009086983A1 (en) | 2008-01-04 | 2008-11-18 | Reduction of watermarks in hf treatments of semiconducting substrates |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011508981A JP2011508981A (ja) | 2011-03-17 |
JP2011508981A5 JP2011508981A5 (ja) | 2012-01-12 |
JP5432180B2 true JP5432180B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=39217882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010541040A Active JP5432180B2 (ja) | 2008-01-04 | 2008-11-18 | 半導体基板のhf処理におけるウォーターマークの低減 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8076219B2 (ja) |
EP (2) | EP2077576A1 (ja) |
JP (1) | JP5432180B2 (ja) |
KR (1) | KR20100105583A (ja) |
CN (1) | CN101965625B (ja) |
WO (1) | WO2009086983A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103400890A (zh) * | 2013-07-08 | 2013-11-20 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种晶硅太阳电池pecvd色差片去膜重镀的返工工艺 |
CN104766793B (zh) * | 2014-01-03 | 2017-10-31 | 北大方正集团有限公司 | 一种酸槽背面硅腐蚀方法 |
CN106206247A (zh) * | 2015-05-25 | 2016-12-07 | 宁波时代全芯科技有限公司 | 清洗半导体元件的方法 |
CN110061094A (zh) * | 2019-03-14 | 2019-07-26 | 中山瑞科新能源有限公司 | 一种碲化镉薄膜电池表面清洗预处理工艺 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0818920B2 (ja) * | 1990-01-12 | 1996-02-28 | 新日本製鐵株式会社 | シリコンウェハの洗浄方法 |
DE4002327A1 (de) * | 1990-01-26 | 1991-08-01 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur nasschemischen behandlung von halbleiteroberflaechen und loesung zu seiner durchfuehrung |
FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
US6348157B1 (en) * | 1997-06-13 | 2002-02-19 | Tadahiro Ohmi | Cleaning method |
JP4001662B2 (ja) * | 1997-06-27 | 2007-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | シリコンの洗浄方法および多結晶シリコンの作製方法 |
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TWI307912B (en) * | 2001-05-30 | 2009-03-21 | Asm Inc | Low temperature load and bake |
JP4182818B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2008-11-19 | 株式会社Sumco | 半導体基板の製造方法 |
FR2864457B1 (fr) * | 2003-12-31 | 2006-12-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de nettoyage par voie humide d'une surface notamment en un materiau de type silicium germanium. |
KR20060108436A (ko) * | 2005-04-13 | 2006-10-18 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자 세정용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의세정 방법 |
US7479460B2 (en) | 2005-08-23 | 2009-01-20 | Asm America, Inc. | Silicon surface preparation |
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-
2008
- 2008-01-04 EP EP08305001A patent/EP2077576A1/en not_active Withdrawn
- 2008-11-18 KR KR1020107012414A patent/KR20100105583A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-11-18 EP EP08870039A patent/EP2227821A1/en not_active Withdrawn
- 2008-11-18 WO PCT/EP2008/065771 patent/WO2009086983A1/en active Application Filing
- 2008-11-18 US US12/746,132 patent/US8076219B2/en active Active
- 2008-11-18 CN CN2008801200811A patent/CN101965625B/zh active Active
- 2008-11-18 JP JP2010541040A patent/JP5432180B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009086983A1 (en) | 2009-07-16 |
WO2009086983A9 (en) | 2010-07-22 |
KR20100105583A (ko) | 2010-09-29 |
EP2077576A1 (en) | 2009-07-08 |
US8076219B2 (en) | 2011-12-13 |
CN101965625B (zh) | 2012-10-03 |
EP2227821A1 (en) | 2010-09-15 |
US20100255659A1 (en) | 2010-10-07 |
JP2011508981A (ja) | 2011-03-17 |
CN101965625A (zh) | 2011-02-02 |
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