JPH0864801A - 炭化けい素半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
炭化けい素半導体素子およびその製造方法Info
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- JPH0864801A JPH0864801A JP20160794A JP20160794A JPH0864801A JP H0864801 A JPH0864801 A JP H0864801A JP 20160794 A JP20160794 A JP 20160794A JP 20160794 A JP20160794 A JP 20160794A JP H0864801 A JPH0864801 A JP H0864801A
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/048—Making electrodes
- H01L21/0485—Ohmic electrodes
Abstract
(57)【要約】
【目的】炭化けい素半導体素子のｎ型領域上にニッケル
膜によるオーミック接触を形成する。 【構成】炭化けい素からなる基板の表面上にシリコン酸
化膜を有する半導体素子において、基板表面層に形成さ
れたｎ型層とニッケル膜とのオーミック接触をとる場合
に、シリコン酸化膜の少なくとも一か所の端部を除いて
ニッケル膜を被着する。炭化けい素基板とシリコン酸化
膜とニッケル膜とを共存させて１０００℃以上の熱処理
をすると、境界部で反応して抵抗が増大するのを防止す
る。シリコン酸化膜上と接続する場合は、熱処理後に第
二の金属膜を形成して接続する。
膜によるオーミック接触を形成する。 【構成】炭化けい素からなる基板の表面上にシリコン酸
化膜を有する半導体素子において、基板表面層に形成さ
れたｎ型層とニッケル膜とのオーミック接触をとる場合
に、シリコン酸化膜の少なくとも一か所の端部を除いて
ニッケル膜を被着する。炭化けい素基板とシリコン酸化
膜とニッケル膜とを共存させて１０００℃以上の熱処理
をすると、境界部で反応して抵抗が増大するのを防止す
る。シリコン酸化膜上と接続する場合は、熱処理後に第
二の金属膜を形成して接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、炭化けい素（以下Ｓｉ
Ｃと略す）を半導体基板として用いた半導体素子、特に
そのオーミック接触構造およびその製造方法に関する。
Ｃと略す）を半導体基板として用いた半導体素子、特に
そのオーミック接触構造およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣは、バンドギャップが２〜３ｅＶ
（エレクトロンボルト）と広く、高温や放射線下でも使
用できる半導体素子の材料として期待されている。しか
し、半導体素子を形成するための製造技術に関しては、
あまり検討が進んでいない。その中で、金属とのオーミ
ック接触の形成では、比較的良く調べられている。ｎ型
ＳｉＣとのオーミック接触は、ニッケル（以下Ｎｉと略
す）を烝着後、１０５０℃以上の高温熱処理を行う方法
が知られている（佐治他：電気学会研究会資料、電子材
料研究会、ＥＦＭ−９０−２０、１９９０年）。一方、
ｐ型ＳｉＣとのオーミック接触は、アルミニウム−チタ
ン合金（以下Ａｌ−Ｔｉと略す）を烝着する方法が知ら
れている（クロフトン他；アプライドフィジックスレタ
ーズ誌，６２巻、４号、３８４ページ、１９９３年）。
（エレクトロンボルト）と広く、高温や放射線下でも使
用できる半導体素子の材料として期待されている。しか
し、半導体素子を形成するための製造技術に関しては、
あまり検討が進んでいない。その中で、金属とのオーミ
ック接触の形成では、比較的良く調べられている。ｎ型
ＳｉＣとのオーミック接触は、ニッケル（以下Ｎｉと略
す）を烝着後、１０５０℃以上の高温熱処理を行う方法
が知られている（佐治他：電気学会研究会資料、電子材
料研究会、ＥＦＭ−９０−２０、１９９０年）。一方、
ｐ型ＳｉＣとのオーミック接触は、アルミニウム−チタ
ン合金（以下Ａｌ−Ｔｉと略す）を烝着する方法が知ら
れている（クロフトン他；アプライドフィジックスレタ
ーズ誌，６２巻、４号、３８４ページ、１９９３年）。
【０００３】ＳｉＣ半導体素子の製造においては、シリ
コンの技術を流用することが一般に行われ、様々な方法
が適用されている。例えば、半導体素子の活性部を外部
と絶縁するために、酸化膜などの絶縁物で被うのが一般
的である。幸いにＳｉＣ基板はシリコン基板と同様に酸
化雰囲気中で熱処理することにより、表面にシリコン酸
化膜を成長させることができる。
コンの技術を流用することが一般に行われ、様々な方法
が適用されている。例えば、半導体素子の活性部を外部
と絶縁するために、酸化膜などの絶縁物で被うのが一般
的である。幸いにＳｉＣ基板はシリコン基板と同様に酸
化雰囲気中で熱処理することにより、表面にシリコン酸
化膜を成長させることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、シリコン
半導体素子と類似の構造では、シリコン酸化膜、Ｎｉ
膜、ＳｉＣの３種類の材料が熱処理によって、望ましく
ない挙動をすることを見出した。以下に図を参照しなが
ら、その状況を説明する。図３（ａ）および（ｂ）に、
ＳｉＣ半導体素子における熱処理前、後のオーミック接
触部の断面図を示す。図３（ａ）において、ＳｉＣ半導
体基板１の表面層に、イオン注入等により高濃度ｎ型領
域２が形成されており、その表面上の一部にシリコン酸
化膜３が形成されている。Ｎｉ膜４が基板１、ｎ領域
２、シリコン酸化膜３の上に烝着され、パターニングさ
れている。
半導体素子と類似の構造では、シリコン酸化膜、Ｎｉ
膜、ＳｉＣの３種類の材料が熱処理によって、望ましく
ない挙動をすることを見出した。以下に図を参照しなが
ら、その状況を説明する。図３（ａ）および（ｂ）に、
ＳｉＣ半導体素子における熱処理前、後のオーミック接
触部の断面図を示す。図３（ａ）において、ＳｉＣ半導
体基板１の表面層に、イオン注入等により高濃度ｎ型領
域２が形成されており、その表面上の一部にシリコン酸
化膜３が形成されている。Ｎｉ膜４が基板１、ｎ領域
２、シリコン酸化膜３の上に烝着され、パターニングさ
れている。
【０００５】図３（ｂ）においては、同じ素子のＮｉ膜
４とｎ型領域２との間をオーミック接触するために、１
２００℃で高温熱処理した。ｎ型領域２との接触部分７
では、ｎ型領域２と反応して一部シリサイドになるがオ
ーミック接触５が形成できる。シリコン酸化膜１との接
触部分８では、酸化膜上電極６が残るもののシリコン酸
化膜３が還元され浸食される。更に両部分の境界部分９
では、ｎ型領域２、シリコン酸化膜３、Ｎｉ膜４の三元
系の間で、詳細は不明であるが通常と異なる反応がおこ
るものと考えられ、実際にはショットキー接合となっ
て、電流が流せなくなってしまう。また、ｎ型領域２の
深さがＮｉ膜４との合金層よりも浅い場合には、ｎ型領
域２が全部合金層になってしまうため、境界部分９のシ
ョットキー接合に遮られてｎ型領域２とＮｉ膜４とがオ
ーミック接触できなくなる。ｎ型領域２は、窒素をイオ
ン注入して形成するのが一般的であるが、その深さは、
０．１〜０．３μm 程度であり、一方、ＮｉとＳｉＣは
１０００〜１２００℃程度の熱処理で、約０．２μm 程
度の深さまで合金化する。従って、上記の問題が発生し
易い。
４とｎ型領域２との間をオーミック接触するために、１
２００℃で高温熱処理した。ｎ型領域２との接触部分７
では、ｎ型領域２と反応して一部シリサイドになるがオ
ーミック接触５が形成できる。シリコン酸化膜１との接
触部分８では、酸化膜上電極６が残るもののシリコン酸
化膜３が還元され浸食される。更に両部分の境界部分９
では、ｎ型領域２、シリコン酸化膜３、Ｎｉ膜４の三元
系の間で、詳細は不明であるが通常と異なる反応がおこ
るものと考えられ、実際にはショットキー接合となっ
て、電流が流せなくなってしまう。また、ｎ型領域２の
深さがＮｉ膜４との合金層よりも浅い場合には、ｎ型領
域２が全部合金層になってしまうため、境界部分９のシ
ョットキー接合に遮られてｎ型領域２とＮｉ膜４とがオ
ーミック接触できなくなる。ｎ型領域２は、窒素をイオ
ン注入して形成するのが一般的であるが、その深さは、
０．１〜０．３μm 程度であり、一方、ＮｉとＳｉＣは
１０００〜１２００℃程度の熱処理で、約０．２μm 程
度の深さまで合金化する。従って、上記の問題が発生し
易い。
【０００６】もう一つのケースを以下に図を参照しなが
ら説明する。図４（ａ）および（ｂ）に、ＳｉＣ半導体
素子における熱処理前、後のシリコン酸化膜上のＮｉ電
極膜の断面図を示す。図４（ａ）において、ＳｉＣ半導
体基板１の表面上の一部にシリコン酸化膜３が形成され
ている。また、ＳｉＣ基板１の表面層に、イオン注入等
により高濃度ｎ型領域２が形成されていて、Ｎｉ膜４が
ｎ領域２、シリコン酸化膜３の上に烝着され、パターニ
ングされている。このケースは、特にＭＯＳＦＥＴなど
を形成する場合によく見られ、ｎ型領域２とＮｉ膜４に
よりオーミック接触をとり、かつ、シリコン酸化膜３な
どの絶縁物の上に、オーミツク接触する金属と同じ金属
でゲート電極を形成するものである。， 図４（ｂ）
は、ｎ型領域２とオーミック接触するため１２００℃で
熱処理した後の状態を示す。先に述べたように、Ｎｉ膜
４とｎ型領域２をオーミック接触させるには、１０００
〜１２００℃の熱処理が必要であり、このケースでは、
その熱処理を加えると、ｎ型領域２の上のＮｉ膜４は一
部反応してシリサイドを形成するものの、オーミック接
触５は残る。一方シリコン酸化膜３の上では、Ｎｉ膜４
とシリコン酸化膜３とが反応して、酸化膜上電極６とな
り、シリコン酸化膜３の厚さが減少する。シリコン酸化
膜３の厚さがもともと薄い場合には、シリコン酸化膜３
を貫通し、絶縁性が失われてしまうことがある。
ら説明する。図４（ａ）および（ｂ）に、ＳｉＣ半導体
素子における熱処理前、後のシリコン酸化膜上のＮｉ電
極膜の断面図を示す。図４（ａ）において、ＳｉＣ半導
体基板１の表面上の一部にシリコン酸化膜３が形成され
ている。また、ＳｉＣ基板１の表面層に、イオン注入等
により高濃度ｎ型領域２が形成されていて、Ｎｉ膜４が
ｎ領域２、シリコン酸化膜３の上に烝着され、パターニ
ングされている。このケースは、特にＭＯＳＦＥＴなど
を形成する場合によく見られ、ｎ型領域２とＮｉ膜４に
よりオーミック接触をとり、かつ、シリコン酸化膜３な
どの絶縁物の上に、オーミツク接触する金属と同じ金属
でゲート電極を形成するものである。， 図４（ｂ）
は、ｎ型領域２とオーミック接触するため１２００℃で
熱処理した後の状態を示す。先に述べたように、Ｎｉ膜
４とｎ型領域２をオーミック接触させるには、１０００
〜１２００℃の熱処理が必要であり、このケースでは、
その熱処理を加えると、ｎ型領域２の上のＮｉ膜４は一
部反応してシリサイドを形成するものの、オーミック接
触５は残る。一方シリコン酸化膜３の上では、Ｎｉ膜４
とシリコン酸化膜３とが反応して、酸化膜上電極６とな
り、シリコン酸化膜３の厚さが減少する。シリコン酸化
膜３の厚さがもともと薄い場合には、シリコン酸化膜３
を貫通し、絶縁性が失われてしまうことがある。
【０００７】上記の二つケースのような構造は、どんな
半導体素子でもほとんどこのどちらかの構造を含んでい
る。以上の問題に鑑みて、本発明の目的は、ＳｉＣを基
板とする半導体素子において、抵抗増大や酸化シリコン
膜の浸食などの不具合の無い安定したニッケル電極を有
するＳｉＣ半導体素子を提供することにある。
半導体素子でもほとんどこのどちらかの構造を含んでい
る。以上の問題に鑑みて、本発明の目的は、ＳｉＣを基
板とする半導体素子において、抵抗増大や酸化シリコン
膜の浸食などの不具合の無い安定したニッケル電極を有
するＳｉＣ半導体素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決する手段】上記の課題解決のため、本発明
は、炭化けい素を半導体基板とし、その基板表面上の酸
化膜と、基板の表面層に形成されたｎ型領域とニッケル
膜とのオーミック接触を有するものにおいて、酸化膜の
少なくとも一か所の端部を除いてニッケル膜が被着され
ているものとする。
は、炭化けい素を半導体基板とし、その基板表面上の酸
化膜と、基板の表面層に形成されたｎ型領域とニッケル
膜とのオーミック接触を有するものにおいて、酸化膜の
少なくとも一か所の端部を除いてニッケル膜が被着され
ているものとする。
【０００９】また、前記シリコン酸化膜上に、又はシリ
コン酸化膜上からニッケル膜に達する第二の金属膜を有
することとする。前記第二の金属膜としては、ニッケル
膜または、アルミニウム膜やアルミニウムとチタンの合
金膜などｐ型領域にオーミック接触する金属膜がよい。
そして、ＳｉＣ半導体素子の製造方法としては、基板表
面上のシリコン酸化膜上以外にニッケル膜のパターンを
形成し、１０００℃以上の熱処理を行った後、シリコン
酸化膜上に第二の金属膜のパターンを形成するものとす
る。
コン酸化膜上からニッケル膜に達する第二の金属膜を有
することとする。前記第二の金属膜としては、ニッケル
膜または、アルミニウム膜やアルミニウムとチタンの合
金膜などｐ型領域にオーミック接触する金属膜がよい。
そして、ＳｉＣ半導体素子の製造方法としては、基板表
面上のシリコン酸化膜上以外にニッケル膜のパターンを
形成し、１０００℃以上の熱処理を行った後、シリコン
酸化膜上に第二の金属膜のパターンを形成するものとす
る。
【００１０】
【作用】上記の手段を講じ、炭化けい素を半導体基板と
し、その基板表面上の酸化膜と、基板の表面層に形成さ
れたｎ型領域とニッケル膜とのオーミック接触を有する
ものにおいて、酸化膜の少なくとも一か所の端部を除い
てニッケル膜を被着することによって、ＳｉＣ基板−シ
リコン酸化膜−Ｎｉ膜が共存することがなく、ショット
キー接合が形成されず、Ｎｉ膜とＳｉＣのｎ型領域のオ
ーミツク接触ができる。
し、その基板表面上の酸化膜と、基板の表面層に形成さ
れたｎ型領域とニッケル膜とのオーミック接触を有する
ものにおいて、酸化膜の少なくとも一か所の端部を除い
てニッケル膜を被着することによって、ＳｉＣ基板−シ
リコン酸化膜−Ｎｉ膜が共存することがなく、ショット
キー接合が形成されず、Ｎｉ膜とＳｉＣのｎ型領域のオ
ーミツク接触ができる。
【００１１】また、前記シリコン酸化膜上からニッケル
膜に達する第二の金属膜を形成すれば、熱処理による絶
縁膜の劣化を防止できる。第二の金属膜として、ニッケ
ル膜を用いれば、金属膜の種類が一種類で済み、烝着プ
ロセスも共通にできる。アルミニウム膜やアルミニウム
とチタンの合金膜などｐ型領域にオーミック接触する金
属膜であれば、ｐ型領域へのオーミック接触が形成でき
て、工程上有利である。
膜に達する第二の金属膜を形成すれば、熱処理による絶
縁膜の劣化を防止できる。第二の金属膜として、ニッケ
ル膜を用いれば、金属膜の種類が一種類で済み、烝着プ
ロセスも共通にできる。アルミニウム膜やアルミニウム
とチタンの合金膜などｐ型領域にオーミック接触する金
属膜であれば、ｐ型領域へのオーミック接触が形成でき
て、工程上有利である。
【００１２】そして、ＳｉＣ半導体素子の製造方法とし
ては、基板表面上のシリコン酸化膜上以外にニッケル膜
のパターンを形成し、１０００℃以上の熱処理を行った
後、シリコン酸化膜上に第二の金属膜のパターンを形成
することにより、確実に上記の接触が実現できる。
ては、基板表面上のシリコン酸化膜上以外にニッケル膜
のパターンを形成し、１０００℃以上の熱処理を行った
後、シリコン酸化膜上に第二の金属膜のパターンを形成
することにより、確実に上記の接触が実現できる。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図を参照しながら
詳細に説明する。図１（ａ）および（ｂ）に、本発明の
第一の実施例のＳｉＣ半導体素子のＳｉＣ半導体素子に
おける熱処理前、後のオーミック接触部の断面図を示
す。ＳｉＣ基板１の表面層に窒素のイオン注入により形
成されたｎ型領域２が、また基板表面上にシリコン酸化
膜３がある。酸化膜３の端から、Ｎｉ膜４を後退させて
いる。図１（ｂ）は熱処理後の様子を示したものである
が、ＳｉＣ−シリコン酸化膜−Ｎｉ膜の接点が存在して
おらず、ショットキー接合が形成されない。すなわち、
オーミック接合のみが存在した構造となる。このような
部分が少なくとも一か所以上あることが必要である。図
１（ｃ）は、図１（ｂ）の後に必要に応じて第二金属膜
１０を烝着形成したＳｉＣ半導体素子の断面図である。
Ｎｉ膜の高温熱処理後に金属膜１０を被着した。熱処理
は加えていないので、従来のように境界部にショットキ
ー接合を生じて電流が流れなくなることは無い。
詳細に説明する。図１（ａ）および（ｂ）に、本発明の
第一の実施例のＳｉＣ半導体素子のＳｉＣ半導体素子に
おける熱処理前、後のオーミック接触部の断面図を示
す。ＳｉＣ基板１の表面層に窒素のイオン注入により形
成されたｎ型領域２が、また基板表面上にシリコン酸化
膜３がある。酸化膜３の端から、Ｎｉ膜４を後退させて
いる。図１（ｂ）は熱処理後の様子を示したものである
が、ＳｉＣ−シリコン酸化膜−Ｎｉ膜の接点が存在して
おらず、ショットキー接合が形成されない。すなわち、
オーミック接合のみが存在した構造となる。このような
部分が少なくとも一か所以上あることが必要である。図
１（ｃ）は、図１（ｂ）の後に必要に応じて第二金属膜
１０を烝着形成したＳｉＣ半導体素子の断面図である。
Ｎｉ膜の高温熱処理後に金属膜１０を被着した。熱処理
は加えていないので、従来のように境界部にショットキ
ー接合を生じて電流が流れなくなることは無い。
【００１４】図２（ａ）および（ｂ）に、本発明の第二
の実施例のＳｉＣ半導体素子における熱処理前、後のシ
リコン酸化膜上のＮｉ電極膜の断面図を示す。図２
（ａ）において、ＳｉＣ基板１の表面上の一部にシリコ
ン酸化膜３が形成されている。また、ＳｉＣ基板１の表
面層に、イオン注入等により高濃度ｎ型領域２が形成さ
れていて、Ｎｉ膜４がｎ型領域２の表面上にのみ烝着さ
れ、パターニングされていて、シリコン酸化膜３の上に
は形成されていない。図２（ｂ）は、ｎ型領域２とオー
ミック接触するため１２００℃で熱処理した後の状態を
示す。ｎ型領域２の表面上にオーミック接触５が形成さ
れている。シリコン酸化膜３の上にはＮｉ膜４が無いの
で、反応して酸化膜３が薄くなることは無い。勿論、Ｓ
ｉＣ基板１、シリコン酸化膜３とＮｉ膜４とが共存する
点も無いので、ショットキー接合を生じることも無い。
の実施例のＳｉＣ半導体素子における熱処理前、後のシ
リコン酸化膜上のＮｉ電極膜の断面図を示す。図２
（ａ）において、ＳｉＣ基板１の表面上の一部にシリコ
ン酸化膜３が形成されている。また、ＳｉＣ基板１の表
面層に、イオン注入等により高濃度ｎ型領域２が形成さ
れていて、Ｎｉ膜４がｎ型領域２の表面上にのみ烝着さ
れ、パターニングされていて、シリコン酸化膜３の上に
は形成されていない。図２（ｂ）は、ｎ型領域２とオー
ミック接触するため１２００℃で熱処理した後の状態を
示す。ｎ型領域２の表面上にオーミック接触５が形成さ
れている。シリコン酸化膜３の上にはＮｉ膜４が無いの
で、反応して酸化膜３が薄くなることは無い。勿論、Ｓ
ｉＣ基板１、シリコン酸化膜３とＮｉ膜４とが共存する
点も無いので、ショットキー接合を生じることも無い。
【００１５】このケースは、特にＭＯＳＦＥＴなどを形
成する場合によく見られ、ｎ型領域２とＮｉ膜４により
オーミック接触をとり、かつ、シリコン酸化膜１などの
絶縁物の上に、オーミツク接触する金属と同じ金属でゲ
ート電極を形成するものである。先に述べたように、Ｎ
ｉ膜４とｎ型領域２をオーミック接触させるには、１０
００〜１２００℃の熱処理が必要であるが、このケース
では、その熱処理により、Ｎｉ膜４とシリコン酸化膜１
とが反応して、シリコン酸化膜１の厚さが減少すること
は無い。
成する場合によく見られ、ｎ型領域２とＮｉ膜４により
オーミック接触をとり、かつ、シリコン酸化膜１などの
絶縁物の上に、オーミツク接触する金属と同じ金属でゲ
ート電極を形成するものである。先に述べたように、Ｎ
ｉ膜４とｎ型領域２をオーミック接触させるには、１０
００〜１２００℃の熱処理が必要であるが、このケース
では、その熱処理により、Ｎｉ膜４とシリコン酸化膜１
とが反応して、シリコン酸化膜１の厚さが減少すること
は無い。
【００１６】更に、図２（ｃ）では、シリコン酸化膜３
上に、新しく第二金属膜１０を被着した。なお、この金
属は、始めに形成したものと同じでも良いが、ｐ型Ｓｉ
Ｃとオーミック接触の形成可能なＡｌやＡｌ−Ｔｉを用
いれば、ｐ型領域とオーミック接触がとれるので、ｐ
型、ｎ型両者にオーミック接触をとりたい場合に有利と
なる。
上に、新しく第二金属膜１０を被着した。なお、この金
属は、始めに形成したものと同じでも良いが、ｐ型Ｓｉ
Ｃとオーミック接触の形成可能なＡｌやＡｌ−Ｔｉを用
いれば、ｐ型領域とオーミック接触がとれるので、ｐ
型、ｎ型両者にオーミック接触をとりたい場合に有利と
なる。
【００１７】このようにして、Ｎｉ膜の導電性を損なわ
ずまた、絶縁膜を劣化させずに、金属電極を形成するこ
とが可能である。
ずまた、絶縁膜を劣化させずに、金属電極を形成するこ
とが可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＳｉＣ半
導体素子においては、ＳｉＣ基板−シリコン酸化膜−Ｎ
ｉ膜の共存を避けた結果、従来境界領域で見られたショ
ットキー接合の生成による接触不良の問題が解決され
た。また、シリコン酸化膜上のＮｉ膜による高温熱処理
時の絶縁不良も解決された。シリコン酸化膜上に金属膜
形成が必要な場合は、Ｎｉ膜の熱処理後に第二の金属膜
を形成すれば十分である。とくに第二の金属膜がｐ型領
域にオーミック接触するＡｌやＡｌ−Ｔｉ合金であれ
ば、ｐ型領域とのオーミック接触が実現できて、工程上
有利である。
導体素子においては、ＳｉＣ基板−シリコン酸化膜−Ｎ
ｉ膜の共存を避けた結果、従来境界領域で見られたショ
ットキー接合の生成による接触不良の問題が解決され
た。また、シリコン酸化膜上のＮｉ膜による高温熱処理
時の絶縁不良も解決された。シリコン酸化膜上に金属膜
形成が必要な場合は、Ｎｉ膜の熱処理後に第二の金属膜
を形成すれば十分である。とくに第二の金属膜がｐ型領
域にオーミック接触するＡｌやＡｌ−Ｔｉ合金であれ
ば、ｐ型領域とのオーミック接触が実現できて、工程上
有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の一実施例のＳｉＣ半導体素子
の金属膜接触部の熱処理前の断面図、（ｂ）は（ａ）の
熱処理後の断面図、（ｃ）は（ｂ）の後第二金属膜を形
成した状態の断面図
の金属膜接触部の熱処理前の断面図、（ｂ）は（ａ）の
熱処理後の断面図、（ｃ）は（ｂ）の後第二金属膜を形
成した状態の断面図
【図２】（ａ）は本発明の別の実施例のＳｉＣ半導体素
子の金属膜接触部の熱処理前の断面図、（ｂ）は（ａ）
の熱処理後の断面図、（ｃ）は（ｂ）の後第二金属膜を
形成した状態の断面図
子の金属膜接触部の熱処理前の断面図、（ｂ）は（ａ）
の熱処理後の断面図、（ｃ）は（ｂ）の後第二金属膜を
形成した状態の断面図
【図３】（ａ）は従来のＳｉＣ半導体素子の金属膜接触
部の熱処理前の断面図、（ｂ）は（ａ）の熱処理後の断
面図
部の熱処理前の断面図、（ｂ）は（ａ）の熱処理後の断
面図
【図４】（ａ）は別の従来のＳｉＣ半導体素子の金属膜
接触部の熱処理前の断面図、（ｂ）は（ａ）の熱処理後
の断面図
接触部の熱処理前の断面図、（ｂ）は（ａ）の熱処理後
の断面図
１ ＳｉＣ基板 ２ ｎ型領域 ３ シリコン酸化膜 ４ Ｎｉ膜 ５ オーミック接触部 ６ 酸化膜上電極 ７ ｎ型領域との接触部分 ８ シリコン酸化膜との接触部分 ９ 境界領域 １０ 第二金属膜
Claims (8)
- 【請求項１】炭化けい素からなる半導体基板の表面上の
シリコン酸化膜と、基板の表面層に形成されたｎ型領域
とニッケル膜とのオーミック接触を有するものにおい
て、酸化膜の少なくとも一か所の端部を除いてニッケル
膜が被着されていることを特徴とする炭化けい素半導体
素子。 - 【請求項２】前記シリコン酸化膜上に、第二の金属膜を
有することを特徴とする請求項１に記載の炭化けい素半
導体素子。 - 【請求項３】前記シリコン酸化膜上からニッケル膜に達
する第二の金属膜を有することを特徴とする請求項２に
記載の炭化けい素半導体素子。 - 【請求項４】前記第二の金属膜が、ニッケル膜であるこ
とを特徴とする請求項２または３に記載の炭化けい素半
導体素子。 - 【請求項５】前記第二の金属膜が、ｐ型領域にオーミッ
ク接触する金属膜であることを特徴とする請求項２また
は３に記載の炭化けい素半導体素子。 - 【請求項６】前記第二の金属膜が、アルミニウム膜であ
ることを特徴とする請求項５に記載の炭化けい素半導体
素子。 - 【請求項７】前記第二の金属膜が、アルミニウムとチタ
ンの合金膜であることを特徴とする請求項５に記載の炭
化けい素半導体素子。 - 【請求項８】基板表面上のシリコン酸化膜上以外の部分
にニッケル膜のパターンを形成し、１０００℃以上の熱
処理を行った後、シリコン酸化膜上に第二の金属膜のパ
ターンを形成することを特徴とする請求項２ないし７の
いずれかに記載の炭化けい素半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20160794A JPH0864801A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 炭化けい素半導体素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20160794A JPH0864801A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 炭化けい素半導体素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864801A true JPH0864801A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16443867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20160794A Pending JPH0864801A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 炭化けい素半導体素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864801A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-08-26 JP JP20160794A patent/JPH0864801A/ja active Pending
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