JP2011129899A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. 基板上の、第１の電極と、
   前記第１の電極に接する領域を有する、酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜に接する領域を有する、第２の電極と、
   前記酸化物半導体膜の上面端部に接する領域を有する、絶縁膜と、
   前記絶縁膜を介して、少なくとも前記酸化物半導体膜の上面端部に対向する領域と、前記酸化物半導体膜の側面に対向する領域とを有する第３の電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、前記酸化物半導体膜全体において、チャネルが形成されることを特徴とする半導体装置。