JP4793679B2 - 薄膜トランジスタ - Google Patents
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Description
基板として、厚さ100nmの熱酸化膜がついたシリコンウエハを用いた。用いたシリコンウエハはハイドープしたp型でありゲート電極として機能し、また熱酸化膜はゲート絶縁膜として機能する。この熱酸化膜上に、酸化物半導体としてInGaZnO4のアモルファス膜を200nmの厚さで形成した。InGaZnO4のアモルファス膜は、InGaZnO4ターゲットを用い、アルゴンガス下、2Paの真空度にて高周波マグネトロンスパッタ法にて形成した。
ソース電極およびドレイン電極として、クロム膜を電子線蒸着法にて形成した以外は実施例1と同様にして実施例2の試料を得た。
ソース電極およびドレイン電極として、金膜を用いた以外は実施例1と同様にして比較例1の試料を得た。
ソース電極およびドレイン電極として、アルミニウム膜を用いた以外は実施例1と同様にして比較例2の試料を得た。
ソース電極およびドレイン電極として、白金膜を用いた以外は実施例1と同様にして比較例3の試料を得た。
11:ゲート電極
12:ゲート絶縁膜
13:活性層
14:ソース電極
15:ドレイン電極
Claims (1)
- ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In、Fe、GaまたはAl。m=1以上50未満の整数)を含有する活性層と、この活性層に接し、仕事関数の絶対値が4.5〜4.9eVの範囲である鉄、ルテニウムおよびレニウムからなる群から選ばれる少なくとも1つを含有するソース電極およびドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタ。
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