JP2005167164A - トランジスタ及びその作製方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 48
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- -1 hydrazone compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical compound C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFKNYYQRWMMFSM-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-9h-carbazole;formaldehyde Chemical compound O=C.N1C2=CC=CC=C2C2=C1C(CC)=CC=C2 LFKNYYQRWMMFSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBFJWYYUVYESMJ-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,3-n,3-n-tetrakis(3-methylphenyl)benzene-1,3-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SBFJWYYUVYESMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003609 aryl vinyl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000751 azo group Chemical group [*]N=N[*] 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical class C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N hexacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC=CC=C6C=C5C=C4C=C3C=C21 QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- SNWQUNCRDLUDEX-UHFFFAOYSA-N inden-1-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C=CC2=C1 SNWQUNCRDLUDEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- RCYFOPUXRMOLQM-UHFFFAOYSA-N pyrene-1-carbaldehyde Chemical compound C1=C2C(C=O)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 RCYFOPUXRMOLQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78642—Vertical transistors
Abstract
【課題】 ゲート長を短くして短チャネル化し、且つ暗電流を低減したトランジスタ及びその製造方法を低コストで提供する。
【解決手段】 基板6の上にソース(またはドレイン)電極層1、半導体層4、ドレイン(またはソース)電極層2を順次積層し、これら積層部分の周囲にある側壁を取り囲むように電気絶縁層5及びゲート電極3を順次有するトランジスタ構造である。この図の例では、電気絶縁層5は電極層2を覆ってこれを保護している。
【選択図】 図3
Description
薄膜トランジスタは、液晶表示装置等の表示用のスイッチング素子として広く用いられている。従来、トランジスタは、アモルファスや多結晶のシリコンを用いて作製されているが、アモルファスや多結晶のシリコンを成膜するプロセスは非常に高い温度下で行われるので、使用可能な基板材料の種類が限られ、軽量な樹脂基板等は使用できないという問題があった。
但し、数式中におけるCox,μ,Vg 及びVthは、次のとおりである。
L : チャンネル長
Cox :ゲート容量(F/m2)
μ :電界効果移動度(cm2/Vs)
Vg :ゲート電圧(V)
Vth :しきい値電圧(V )
同じ材料の組み合わせであっても、式(1)で表される通り、ソース及びドレイン電極間の距離(チャンネル長)Lを短くするだけでも、高いId を得るのに非常に効果的である。現在のシリコンテクノロジーにおいては、リソグラフィー加工技術の向上により、当初10μm幅のゲート長が現在では0.1μm程度まで縮小されつつある。しかし、このリソグラフィー加工技術は複雑で高価な装置を必要とするため、有機TFTのメリットのひとつである低コストプロセスという観点からは好ましくはない。そこで、図1の断面図(a)とその平面図である図1(b)または図1(a')に示す従来のようなソース及びドレイン電極を横に配置したプレーナー構造ではなく、図2(断面図(a)と平面図(b))に示すソース(またはドレイン)電極、半導体層及びドレイン(またはソース)電極が順次積層した縦型構造が望ましく、特許文献1(特開2003−110110)や特許文献2(特開2003−31816)で提案されている。チャンネル長となる半導体層の厚み方向については、極めて薄い膜厚でも、蒸着や印刷法、インクジェット法などの一般に良く知られる成膜方法でも比較的容易に制御することは可能である。
ちなみに、従来のプレーナー型構造のトランジスタでは、ソース及びドレイン電極が対向している面積は、ソース、ドレイン電極層、及び半導体層の厚みに依存し、一般的に数十〜数百nm程度とかなり薄いため、上述のような問題についてはあまり影響はない。
また、ソース電極層と半導体層、もしくは半導体層とドレイン電極層の間に半導体材料または電荷輸送材料からなるバッファー層を有することが好ましい。バッファー層を挿入することにより、ソースもしくはドレイン電極と半導体層間の電気的コンタクトがより良好となり、トランジスタオフ電流の低減が可能となる。
2:ドレイン(またはソース)電極層
3:ゲート電極層、 4:半導体層
5:電気絶縁層、 6:基板
7:バッファー層1、 8:バッファー層2
Claims (3)
- 基板上に第1電極層、半導体層、第2電極層が順次積層されて積層体をなしており、第1電極層と第2電極層はその一方がソース電極,他方がドレイン電極であり、前記積層体の壁に接して設けられた電気絶縁層の上に前記積層体の周囲の少なくとも2箇所にゲート電極が形成されていることを特徴とするトランジスタ。
- 基板上に第1電極層、半導体層、第2電極層が順次積層されて積層体をなしており、第1電極層と第2電極層はその一方がソース電極,他方がドレイン電極であり、前記積層体の周囲を囲みかつ外側壁に接する電気絶縁層を介してゲート電極が形成されていることを特徴とするトランジスタ。
- 前記半導体層が有機物であることを特徴とする請求項1または2に記載のトランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003407943A JP2005167164A (ja) | 2003-12-05 | 2003-12-05 | トランジスタ及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003407943A JP2005167164A (ja) | 2003-12-05 | 2003-12-05 | トランジスタ及びその作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005167164A true JP2005167164A (ja) | 2005-06-23 |
Family
ID=34729839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003407943A Pending JP2005167164A (ja) | 2003-12-05 | 2003-12-05 | トランジスタ及びその作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005167164A (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100751382B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2007-08-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 전계 발광디스플레이 장치 |
WO2011052413A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-linear element, display device, and electronic device |
WO2011052410A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power diode, rectifier, and semiconductor device including the same |
JP2011119690A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電界効果型トランジスタ |
JP2011129898A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | トランジスタ |
JP2011129899A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | トランジスタ |
JP2011141523A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 |
WO2012067182A1 (ja) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | シャープ株式会社 | 有機半導体装置 |
US8704218B2 (en) | 2009-10-30 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor film |
CN104681629A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、阵列基板及其各自的制备方法、显示装置 |
JP2016111344A (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-20 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 垂直型薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
US9520411B2 (en) | 2009-11-13 | 2016-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
CN106298804A (zh) * | 2016-08-25 | 2017-01-04 | 昆山国显光电有限公司 | 像素结构及其制备方法、以及显示面板 |
CN107180876A (zh) * | 2017-07-04 | 2017-09-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07297406A (ja) * | 1994-04-21 | 1995-11-10 | Tdk Corp | 縦型薄膜半導体装置 |
JP2003086804A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Seiko Epson Corp | 有機半導体装置 |
JP2003282884A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Kansai Tlo Kk | サイドゲート型有機fet及び有機el |
JP2004015007A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機トランジスタ及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-12-05 JP JP2003407943A patent/JP2005167164A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07297406A (ja) * | 1994-04-21 | 1995-11-10 | Tdk Corp | 縦型薄膜半導体装置 |
JP2003086804A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Seiko Epson Corp | 有機半導体装置 |
JP2003282884A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Kansai Tlo Kk | サイドゲート型有機fet及び有機el |
JP2004015007A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機トランジスタ及びその製造方法 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100751382B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2007-08-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 전계 발광디스플레이 장치 |
JP2011141523A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 |
US10310348B2 (en) | 2009-10-16 | 2019-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic apparatus having the same |
US10061172B2 (en) | 2009-10-16 | 2018-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic apparatus having the same |
US8941107B2 (en) | 2009-10-30 | 2015-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power diode, rectifier, and semiconductor device including the same |
US9112041B2 (en) | 2009-10-30 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor having an oxide semiconductor film |
WO2011052413A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-linear element, display device, and electronic device |
WO2011052410A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power diode, rectifier, and semiconductor device including the same |
TWI500167B (zh) * | 2009-10-30 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 功率二極體、整流器、及包含該功率二極體或該整流器之半導體裝置 |
US8598635B2 (en) | 2009-10-30 | 2013-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor |
US8643004B2 (en) | 2009-10-30 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power diode including oxide semiconductor |
US8704218B2 (en) | 2009-10-30 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor film |
JP2011119690A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電界効果型トランジスタ |
US9105609B2 (en) | 2009-10-30 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide-based semiconductor non-linear element having gate electrode electrically connected to source or drain electrode |
US9520411B2 (en) | 2009-11-13 | 2016-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
US10332912B2 (en) | 2009-11-13 | 2019-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
JP2011129899A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | トランジスタ |
JP2011129898A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | トランジスタ |
US20130234128A1 (en) * | 2010-11-19 | 2013-09-12 | Shigeru Aomori | Organic semiconductor device |
WO2012067182A1 (ja) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | シャープ株式会社 | 有機半導体装置 |
JP2016111344A (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-20 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 垂直型薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
CN104681629A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、阵列基板及其各自的制备方法、显示装置 |
US9960188B2 (en) | 2015-03-18 | 2018-05-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor, array substrate, and fabrication method there of, and display apparatus |
CN106298804A (zh) * | 2016-08-25 | 2017-01-04 | 昆山国显光电有限公司 | 像素结构及其制备方法、以及显示面板 |
CN106298804B (zh) * | 2016-08-25 | 2019-01-15 | 昆山国显光电有限公司 | 像素结构及其制备方法、以及显示面板 |
CN107180876A (zh) * | 2017-07-04 | 2017-09-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 |
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