JP2013102140A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. ソース電極層及びドレイン電極層と、
   第１の不純物領域、第２の不純物領域、及び前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域に挟まれたチャネル形成領域を含み、且つ、前記第１の不純物領域のチャネル長方向の側面において前記ソース電極層と接し、前記第２の不純物領域のチャネル長方向の側面において前記ドレイン電極層と接する酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層の上面と接するゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層を介して前記チャネル形成領域上に設けられたゲート電極層と、
   前記ゲート電極層のチャネル長方向の側面の一方と接する第１の側壁層と、
   前記ゲート電極層のチャネル長方向の側面の他方と接する第２の側壁層と、を有し、
   前記酸化物半導体層の上面のチャネル長方向の長さは、前記酸化物半導体層の下面のチャネル長方向の長さよりも長く、
   前記第１の側壁層の少なくとも一部は、前記ゲート絶縁層を介して前記ソース電極層上に設けられ、
   前記第２の側壁層の少なくとも一部は、前記ゲート絶縁層を介して前記ドレイン電極層上に設けられ、
   前記第１の側壁層及び前記第２の側壁層は、導電性を有する半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の側壁層、前記第２の側壁層及び前記ゲート電極層上に設けられた絶縁層と、
   前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられた第１の開口を介して、前記ソース電極層と電気的に接続する第１の配線層と、
   前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられた第２の開口を介して、前記ドレイン電極層と電気的に接続する第２の配線層と、を有する半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記絶縁層は、酸化アルミニウム層を含む半導体装置。