JP2010251735A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (6)
- ゲート絶縁層を介してゲート電極上に設けられたチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に前記チャネル形成領域を挟むように設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆う樹脂層と、
前記樹脂層上に設けられた無機絶縁層と、
前記無機絶縁層上に設けられた透光性を有する導電材料で形成された電極とを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１において、
前記樹脂層は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と重なる領域に側壁面が曲面状に傾斜した第１の開口部を有し、
前記無機絶縁層は、前記樹脂層上から前記第１の開口部の前記側壁面を覆い、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と重なる領域に第２の開口部を有し、
前記透光性を有する導電材料で形成された電極は、前記第２の開口部において前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - ゲート絶縁層を介してゲート電極上に設けられたチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上において前記チャネル形成領域を覆うチャネル保護層と、
前記チャネル保護層を挟むように設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極、並びに前記チャネル保護層を覆う樹脂層と、
前記樹脂層上に設けられた無機絶縁層と、
前記無機絶縁層上に設けられた透光性を有する導電材料で形成された電極とを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項３において、
前記樹脂層は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と重なる領域に側壁面が曲面状に傾斜した第１の開口部を有し、
前記無機絶縁層は、前記樹脂層上において、前記第１の開口部と開口領域が略一致する第２の開口部を有し、
前記透光性を有する導電材料で形成された電極は、前記無機絶縁層上から前記第１の開口部の前記側壁面を覆い、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記無機絶縁層が窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記酸化物半導体層との間に、前記酸化物半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を有することを特徴とする半導体装置。
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Cited By (3)
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