TWI423346B - 薄膜電晶體及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種薄膜電晶體及其製造方法，且特別是有關於一種具有氧化物通道層之薄膜電晶體及其製造方法。
近來環保意識抬頭，具有低消耗功率、空間利用效率佳、無輻射、高畫質等優越特性的平面顯示面板(flat display panels)已成為市場主流。常見的平面顯示器包括液晶顯示器(liquid crystal displays)、電漿顯示器(plasma displays)、有機電激發光顯示器(electroluminescent displays)等。以目前最為普及的液晶顯示器為例，其主要是由薄膜電晶體陣列基板、彩色濾光基板以及夾於二者之間的液晶層所構成。在習知的薄膜電晶體陣列基板上，多採用非晶矽(a
-Si)薄膜電晶體或低溫多晶矽薄膜電晶體作為各個子畫素的切換元件。近年來，已有研究指出氧化物半導體(oxide semiconductor)薄膜電晶體相較於非晶矽薄膜電晶體，具有較高的載子移動率(mobility)，而氧化物半導體薄膜電晶體相較於低溫多晶矽薄膜電晶體，則具有較佳的臨界電壓(threat hold voltage，Vth)均勻性。因此，氧化物半導體薄膜電晶體有潛力成為下一代平面顯示器之關鍵元件。
圖1A至圖1D為習知氧化物半導體薄膜電晶體之製造流程剖面示意圖。請依序參考圖1A至圖1D，首先於基板100上形成緩衝層101，再於緩衝層101上的部份區域形成閘極102，然後於基板100上全面性地形成閘絕緣層104以覆蓋閘極102，如圖1A所示。接著，於閘絕緣層104上形成氧化物半導體層106，如圖1B所示。然後，以光罩M為罩幕，進行準分子雷射退火(exaimer laser annealing)製程，使得氧化物半導體層106中未被光罩M所遮蔽的部分轉化為二歐姆接觸層106b，而氧化物半導體層106中被光罩M所遮蔽的部分則維持半導體之特性而形成氧化物通道層106a。歐姆接觸層106b位於氧化物通道層106a兩側並與此氧化物通道層106a連接，如圖1B以及圖1C所示。最後，於閘絕緣層104與歐姆接觸層106b上分別形成彼此電性絕緣之源極S與汲極D。如此一來，便完成習知氧化物半導體薄膜電晶體之製作。
然而，以上述之製程所製作之氧化物半導體薄膜電晶體其電氣特性(汲極電流與閘極電壓的關係)較為不穩定。因此，在習知技術中，為了使上述之氧化物半導體薄膜電晶體的電氣特性維持穩定，常於完成上述製程之後，對氧化物通道層106a進行退火處理，如高溫退火製程(thermal annealing)或準分子雷射退火(excimer laser annealing)製程，以使氧化物半導體薄膜電晶體之電氣特性趨於穩定。然而，此製程卻會使得習知的氧化物半導體薄膜電晶體之製程變得較為繁複。承上述，如何改善氧化物半導體薄膜電晶體之電氣特性但不增加製程之複雜度，實為研發者關注的問題之一。
本發明提供一種薄膜電晶體，其具有穩定之電氣特性。
本發明提供一種薄膜電晶體的製造方法，其有助於薄膜電晶體之量產。
本發明提供一種薄膜電晶體的製造方法，其包括：於基板上形成閘極。接著，於基板上形成閘絕緣層以覆蓋閘極。然後，於閘絕緣層上形成氧化物半導體層。之後，於氧化物半導體層之部分區域上形成半透光層。接著，以半透光層為罩幕，進行光學退火製程以使氧化物半導體層轉化為一氧化物通道層以及二歐姆接觸層，其中氧化物通道層位於半透光層下方，而歐姆接觸層位於氧化物通道層兩側並與氧化物通道層連接。最後，於閘絕緣層與歐姆接觸層上形成彼此電性絕緣之源極與汲極。
本發明提供一種薄膜電晶體的製造方法，其包括：於基板上形成閘極。接著，於基板上形成閘絕緣層以覆蓋閘極。然後，於閘絕緣層上形成彼此電性絕緣之源極與汲極。之後，於閘絕緣層、源極以及汲極上形成氧化物半導體層。接著，於氧化物半導體層之部分區域上形成半透光層。最後，以半透光層為罩幕，進行一光學退火製程以使氧化物半導體層轉化為一氧化物通道層以及二歐姆接觸層，其中氧化物通道層位於半透光層下方，而歐姆接觸層位於氧化物通道層兩側並與氧化物通道層連接。
本發明提供一種薄膜電晶體，其包括閘極、閘絕緣層、氧化物半導體層、半透光層、源極以及汲極。閘絕緣層覆蓋閘極。氧化物半導體層配置於閘絕緣層上且位於閘極上方。氧化物半導體層包括氧化物通道層以及二歐姆接觸層，其中歐姆接觸層位於氧化物通道層兩側並與氧化物通道層連接。半透光層位於氧化物通道層上方。源極與汲極位於閘絕緣層與歐姆接觸層上，且源極與汲極彼此電性絕緣。
本發明提供一種薄膜電晶體，其包括閘極、閘絕緣層、源極、汲極、氧化物半導體層以及半透光層。閘絕緣層覆蓋閘極。源極與汲極配置於閘絕緣層上且彼此電性絕緣。氧化物半導體層配置於閘絕緣層、源極以及汲極上。氧化物半導體層包括氧化物通道層以及二歐姆接觸層，其中歐姆接觸層位於氧化物通道層兩側並與氧化物通道層連接。半透光層位於氧化物通道層上方。
在本發明的一實施例中，前述之氧化物半導體層之材質包括氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化錫(ZnO)、氧化鎘‧氧化鍺(2CdO‧GeO2
)或氧化鎳鈷(NiCo2
O4
)。
在本發明的一實施例中，前述之半透光層之材質包括氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧化鈦(TiOx)、三氧化二銦(In2O3)、InGaO3、InGaZnO、SnO2、ZnO、Zn2In2O5、銀(Ag)、ZnSnO3、Zn2SnO4或非晶矽(a
-Si)。
在本發明的一實施例中，前述之光學退火製程利用雷射光照射半透光層以及氧化物半導體層。
在本發明的一實施例中，於前述之光學退火製程中，雷射光經過半透光層之後，雷射光之能量衰減為10%至90%之間。
在本發明的一實施例中，前述之半透光層包括一半透光遮蔽層或一半透光吸收層。
在本發明的一實施例中，前述之歐姆接觸層之片電阻為Rs1(Ω/□)，而氧化物通道層之片電阻為Rs2(Ω/□)，且Rs2/Rs1約為108
。
在本發明的一實施例中，前述之歐姆接觸層之片電阻Rs1約為104
Ω/□，而氧化物通道層之片電阻Rs2約為1012
Ω/□。
在本發明的一實施例中，於前述之薄膜電晶體的製造方法中，在形成半透光層之前，更包括於半透光層與氧化物半導體層之間形成一介電層。
本發明之薄膜電晶體具有穩定的電氣特性，且本發明之製程較為簡單，有利於薄膜電晶體之量產。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
【第一實施例】
圖2A至圖2E為本實施例之薄膜電晶體製造流程剖面示意圖。首先，請參照圖2A，於基板200上形閘極202。接著，於基板200上全面性地形成閘絕緣層204以覆蓋閘極202。在本實施例中，基板200的材質例如為玻璃、石英、有機聚合物、不透光/反射材料(如導電材料、晶圓、陶瓷等)或是其它合適的材料。
在本實施例中，閘極202之材料一般是金屬材料。但，本發明不限於此，在其他實施例中，閘極202之材料也可以使用其他導電材料，如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或是金屬材料與其它導材料的堆疊層。此外，本實施例之閘絕緣層204的材質例如為無機介電材料(如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層)、有機介電材料或上述有機與無機介電材料之組合，但本發明不限於此。
接著請參照圖2B，於閘絕緣層204上之部份區域形成氧化物半導體層206。在本實施例中，氧化物半導體層206之材質例如為非晶矽之氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化錫(ZnO)、氧化鎘、氧化鍺(2CdO‧GeO2
)、氧化鎳鈷(NiCo2
O4
)或其他合適之材料。
接著請參照圖2C，於氧化物半導體層206的部分區域上形成半透光層208。在本實施例中，半透光層例如為半透光遮蔽層，以遮蔽部分入射光。但，本發明不限於此，在其他實施例中，半透光層亦可為半透光吸收層，以吸收部分入射光。在本實施例中，半透光層208之材質例如為氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧化鈦(TiOx)、三氧化二銦(In2O3)、InGaO3、InGaZnO、SnO2、ZnO、Zn2In2O5、銀(Ag)、ZnSnO3、Zn2SnO4或非晶矽(a
-Si)，但本發明不限於此。
接著請參照圖2C以及圖2D，以上述之半透光層208為罩幕，進行光學退火製程以使氧化物半導體層206轉化為氧化物通道層206a以及二歐姆接觸層206b，如圖2C以及圖2D所示。更詳細地說，本實施例之光學退火製程例如是利用雷射光L照射半透光層208以及氧化物半導體層206，其中被未半透光層208遮蔽之部分氧化物半導體層206其可接收之雷射光L能量較大(約等於原入射之雷射光L能量)，而被半透光層208遮蔽之氧化物半導體層206，其可接收到之雷射光L能量較小。舉例而言，被半透光層208所遮蔽之氧化物半導體層206，其可接收到之雷射光L能量為原入射雷射光L能量的10%至90%之間。
在本實施例中，接收能量較大之雷射光L的部分氧化物半導體層206可轉化為阻值較低之歐姆接觸層206b，而部分被能量較小之雷射光L照射的氧化物半導體層206則為電氣特性穩定之氧化物通道層206a，如圖2D所示。更進一步地說，若本實施例之歐姆接觸層206b之片電阻為Rs1(Ω/□)，而氧化物通道層206a之片電阻為Rs2(Ω/□)，則氧化物通道層206a之片電阻Rs2與歐姆接觸層206b之片電阻為Rs1(Ω/□)的比值(Rs2/Rs1)約為108
。更詳細地說，在本實施例中，歐姆接觸層206b之片電阻Rs1例如約為104
Ω/□，而氧化物通道層206a之片電阻Rs2例如約為1012
Ω/□。
值得注意的是，在本實施例中，可藉由部分氧化物半導體層206上之半透光層208，使得被半透光層208遮蔽的氧化物半導體層206與未被半透光層208遮蔽的氧化物半導體層206可同時接收到不同能量之雷射光L。因此，本實施例可同時形成電氣特性良好之氧化物通道層206a以及低阻值之歐姆接觸層206b。此外，本實施例之半透光層208的厚度或組成可被適當地調整以改變其令雷射光L能量衰減之能力，進而使得氧化物通道層206a的電氣特性可被最佳化(optimized)。
接著請參照圖2E，於部分閘絕緣層204與歐姆接觸層206b上分別形成彼此電性絕緣源極S’與汲極D’。在本實施例中，彼此電性絕緣之源極S’與汲極D’可分別透過位於其下之歐姆接觸層206b與氧化物通道層206a形成一良好的歐姆接觸(ohmic contact)。在本實施例中，源極S’與汲極D’之材料一般是金屬材料。但，本發明不限於此，在其他實施例中，源極S’與汲極D’之材料也可以使用其他導電材料，如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或是金屬材料與其它導材料的堆疊層。
在完成源極S’與汲極D’的製作之後，便初步完成了本實施例之薄膜電晶體TFT之製作。
由圖2E可清楚得知，本實施例之薄膜電晶體TFT包括閘極202、閘絕緣層204、氧化物半導體層206、半透光層208、源極S’以及汲極D’。閘絕緣層204覆蓋閘極202。氧化物半導體層206包括氧化物通道層206a以及二歐姆接觸層206b，其中歐姆接觸層206b位於氧化物通道層206a兩側並與氧化物通道層206a連接。氧化物半導體層206配置於閘絕緣層204上且氧化物通道層206a位於閘極202上方。半透光層208位於氧化物通道層206a上方。源極S’與汲極D’，位於閘絕緣層204與歐姆接觸層206b上，且源極S’與汲極D’彼此電性絕緣。
另外，本實施例可在形成半透光層208之前，於半透光層208與氧化物半導體層206之間形成介電層207，如圖2F所示。在本實施例中，介電層207之材質可為一透明的介電材料，例如為氧化矽(SiOx)，但本發明不限於此。
接著，以上述之半透光層208為罩幕進行光學退火製程，以使氧化物半導體層206轉化為氧化物通道層206a以及二歐姆接觸層206b，如圖2F以及圖2G所示。
接著請參考圖2H，本實施例亦可於部分閘絕緣層204上的歐姆接觸層206b上分別形成彼此電性絕緣之源極S’與汲極D’。當然，在其他實施例中，亦可在完成源極S’與汲極D’之製作後，選擇性地將半透光層208去除，而形成如圖2I所示之薄膜電晶體TFT。
由圖2H可清楚得知，本實施例之薄膜電晶體TFT亦可包括閘極202、閘絕緣層204、氧化物半導體層206、介電層207、半透光層208、源極S’以及汲極D’。閘絕緣層204覆蓋閘極202。氧化物半導體層206包括氧化物通道層206a以及二歐姆接觸層206b，其中歐姆接觸層206b位於氧化物通道層206a兩側並與氧化物通道層206a連接。氧化物半導體層206配置於閘絕緣層204上且氧化物通道層206a位於閘極202上方。介電層207位於氧化物通道層206a之上，而半透光層208位於氧化物通道層206a與介電層207上方。此外，源極S’與汲極D’位於部份閘絕緣層204之上的歐姆接觸層206b之上，並與介電層207連接，且源極S’與汲極D’彼此電性絕緣。
【第二實施例】
圖3A至圖3E為本實施例之薄膜電晶體製造流程剖面示意圖。本實施例之薄膜電晶體其各組成可使用之材料與第一實施例相同，以下就不再重述。
首先，請參照圖3A，於基板200上形一閘極202。接著，於基板200上全面性地形成閘絕緣層204以覆蓋閘極202。
接著請參照圖3B，於閘絕緣層204上之部份區域形成彼此電性絕緣之源極S’與汲極D’。
接著請參照圖3C，於閘絕緣層204、源極S’以及汲極D，上形成氧化物半導體層206。換句話說，本實施例之氧化物半導體層206覆蓋閘極202上方之部分閘絕緣層204、部分之源極S’以及部分之汲極D’。
接著請參照圖3D，於氧化物半導體層206之部分區域上形成半透光層208。
接著請參照圖3D以及圖3E，以上述之半透光層208為罩幕，進行光學退火製程以使氧化物半導體層206轉化為氧化物通道層206a以及二歐姆接觸層206b，如圖3D以及圖3E所示。更詳細地說，本實施例之光學退火製程例如是利用雷射光L照射半透光層208以及氧化物半導體層206。其中，被未半透光層208遮蔽之部分氧化物半導體層206，其可接收之雷射光L能量較大(約等於原入射之雷射光L能量)，而被半透光層208遮蔽之氧化物半導體層206，其可接收到之雷射光L能量較小。舉例而言，被半透光層208所遮蔽之氧化物半導體層206，其可接收到之雷射光L能量為原入射雷射光L能量的10%至90%之間。
在本實施例中，接收能量較大之雷射光L的部分氧化物半導體層206可轉化為阻值較低之歐姆接觸層206b，而接收能量較小之雷射光L的部分氧化物半導體層206則為電氣特性穩定之氧化物通道層206a，如圖3E所示。更進一步地說，若本實施例之歐姆接觸層206b之片電阻為Rs1(Ω/□)，而氧化物通道層206a之片電阻為Rs2(Ω/□)，則氧化物通道層206a之片電阻Rs2與歐姆接觸層206b之片電阻為Rs1(Ω/□)之比值(Rs2/Rs1)約為108
。更詳細地說，在本實施例中，歐姆接觸層206b之片電阻Rs1例如約為104
Ω/□，而氧化物通道層206a之片電阻Rs2例如約為1012
Ω/□。
值得注意的是，在本實施例中，亦可藉由部分氧化物半導體層206上的半透光層208，使得被半透光層208遮蔽之氧化物半導體層206與未被半透光層208遮蔽之氧化物半導體層206可同時接收到不同能量之雷射光L。因此，本實施例可同時形成電氣特性良好之氧化物通道層206a以及低阻值之歐姆接觸層206b。此外，本實施例之半透光層208的厚度或組成亦可被適當得調整以改變其令雷射光L能量衰減之能力，進而使得氧化物通道層206a的電氣特性可被最佳化(optimized)。
在完成氧化物通道層206a與歐姆接觸層206b的製作之後，便初步完成了本實施例之薄膜電晶體TFT之製作。當然，在其他實施例中，亦可在完成氧化物通道層206a與歐姆接觸層206b的製作後，選擇性地將光阻層208去除，而形成如圖3F所示之薄膜電晶體TFT。
由圖3E可清楚得知，本實施例之薄膜電晶體TFT可包括閘極202、閘絕緣層204、氧化物半導體層206、半透光層208、源極S以及汲極D。閘絕緣層204覆蓋閘極202。源極S’與汲極D’配置於部份閘絕緣層204上且彼此電性絕緣。氧化物半導體層206配置於閘絕緣層204、源極S’以及汲極D’上。氧化物半導體層206包括一氧化物通道層206a以及二歐姆接觸層206b。其中，歐姆接觸層206b位於氧化物通道層206a兩側並與氧化物通道層206連接。並且，兩歐姆接觸層206b分別與源極S’以及汲極D’連接。半透光層208位於氧化物通道層206上方。
另外，在本實施例亦可在形成半透光層208之前，於半透光層208與氧化物半導體層206之間形成介電層207，如圖3G所示。接著，以上述之半透光層208為罩幕並透過介電層207，進行光學退火製程亦可使氧化物半導體層206轉化為氧化物通道層206a以及二歐姆接觸層206b，如圖3G以及圖3H所示。
由圖3H可清楚得知，本實施例之薄膜電晶體TFT亦可包括閘極202、閘絕緣層204、氧化物半導體層206、介電層207、半透光層208、源極S’以及汲極D’。閘絕緣層204覆蓋閘極202。源極S’與汲極D’配置於閘絕緣層204上且彼此電性絕緣。氧化物半導體層206配置於閘絕緣層204、源極S’以及汲極D’上。氧化物半導體層206包括一氧化物通道層206a以及二歐姆接觸層206b。其中，歐姆接觸層206b位於氧化物通道層206a兩側並與氧化物通道層206連接。並且，兩歐姆接觸層206b分別與源極S’以及汲極D’連接。介電層207位於氧化物通道層206a、歐姆接觸層206b、源極S’、汲極D’以及部份閘絕緣層204之上。半透光層208位於介電層207與氧化物通道層206a的部份區域上方。
綜上所述，本發明透過一半透光層，可同時形成電氣特性良好之氧化物通道層以及低阻值之歐姆接觸層。因此，本發明之薄膜電晶體的電氣特性以及量產性可被兼顧。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200．．．基板
101．．．緩衝層
102、202．．．閘極
104、204．．．閘絕緣層
106、206．．．氧化物半導體層
106a、206a．．．氧化物通道層
106b、206b．．．歐姆接觸層
207．．．介電層
208．．．半透光層
S、S’．．．源極
D、D’．．．汲極
M．．．罩幕
L．．．雷射光
TFT．．．薄膜電晶體
圖1A至圖1D為習知的氧化物半導體薄膜電晶體製造流程剖面示意圖。
圖2A至圖2E為本發明之第一實施例之薄膜電晶體製造流程剖面示意圖。
圖2F至圖2H為本發明之第一實施例之薄膜電晶體部分製造流程剖面示意圖。
圖2E、圖2H為本發明之第一實施例之薄膜電晶體剖面示意圖。
圖2I為本發明之一實施例之薄膜電晶體剖面示意圖。
圖3A至圖3E為本發明之第二實施例之薄膜電晶體製造流程剖面示意圖。
圖3G至圖3H為本發明之第二實施例之薄膜電晶體部分製造流程剖面示意圖。
圖3E、圖3H為本發明之第二實施例之薄膜電晶體剖面示意圖。
圖3F為本發明之一實施例之薄膜電晶體剖面示意圖。
TFT．．．薄膜電晶體
200．．．基板
202．．．閘極
204．．．閘絕緣層
206．．．氧化物半導體層
206a．．．氧化物通道層
206b．．．歐姆接觸層
208．．．半透光層
S’．．．源極
D’．．．汲極
Claims (20)
- 一種薄膜電晶體的製造方法，包括：於一基板上形成一閘極；於該基板上形成一閘絕緣層以覆蓋該閘極；於該閘絕緣層上形成一氧化物半導體層；於該氧化物半導體層之部分區域上形成一半透光層；以該半透光層為罩幕，進行一光學退火製程以使該氧化物半導體層轉化為一氧化物通道層以及二歐姆接觸層，其中該氧化物通道層位於該半透光層下方，而該些歐姆接觸層位於該氧化物通道層兩側並與該氧化物通道層連接；以及於該閘絕緣層與該些歐姆接觸層上形成彼此電性絕緣之一源極與一汲極。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該氧化物半導體層之材質包括氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化錫(ZnO),氧化鎘‧氧化鍺(2CdO‧GeO2 )或氧化鎳鈷(NiCo2 O4 )。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該半透光層之材質包括氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧化鈦(TiOx)、三氧化二銦(In2O3)、InGaO3、InGaZnO、SnO2、ZnO、Zn2In2O5、銀(Ag)、ZnSnO3、Zn2SnO4或非晶矽(a -Si)。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該光學退火製程利用一雷射光照射該半透光層以及該氧化物半導體層。
- 如申請專利範圍第4項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該雷射光經過該半透光層之後，該雷射光之能量衰減為10%至90%之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該半透光層包括一半透光遮蔽層或一半透光吸收層。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該些歐姆接觸層之片電阻為Rs1(Ω/□)，而氧化物通道層之片電阻為Rs2(Ω/□)，且Rs2/Rs1約為108 。
- 如申請專利範圍第7項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中Rs1約為104 Ω/□，而Rs2約為1012 Ω/□。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體的製造方法，在形成該半透光層之前，更包括於該半透光層與該氧化物半導體層之間形成一介電層。
- 一種薄膜電晶體的製造方法，包括：於一基板上形成一閘極；於該基板上形成一閘絕緣層以覆蓋該閘極；於該閘絕緣層上形成彼此電性絕緣之一源極與一汲極；於該閘絕緣層、該源極以及該汲極上形成一氧化物半導體層；於該氧化物半導體層之部分區域上形成一半透光層；以及以該半透光層為罩幕，進行一光學退火製程以使該氧化物半導體層轉化為一氧化物通道層以及二歐姆接觸層，其中該氧化物通道層位於該半透光層下方，而該些歐姆接觸層位於該氧化物通道層兩側並與該氧化物通道層連接。
- 如申請專利範圍第10項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該氧化物半導體層之材質包括氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化錫(ZnO)，氧化鎘.氧化鍺(2CdO‧GeO2 )或氧化鎳鈷(NiCo2 O4 )。
- 如申請專利範圍第10項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該半透光層之材質包括氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧化鈦(TiOx)、三氧化二銦(In2O3)、InGaO3、InGaZnO、SnO2、ZnO、Zn2In2O5、銀(Ag)、ZnSnO3、Zn2SnO4或非晶矽(a -Si)。
- 如申請專利範圍第10項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該光學退火製程利用一雷射光照射該半透光層以及該氧化物半導體層。
- 如申請專利範圍第13項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該雷射光經過該半透光層之後，該雷射光之能量衰減為10%至90%之間。
- 如申請專利範圍第10項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該半透光層包括一半透光遮蔽層或一半透光吸收層。
- 如申請專利範圍第10項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中該些歐姆接觸層之片電阻為Rs1(Ω/□)，而氧化物通道層之片電阻為Rs2(Ω/□)，且Rs2/Rs1約為108 。
- 如申請專利範圍第16項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中Rs1約為104 Ω/□，而Rs2約為1012 Ω/□。
- 如申請專利範圍第10項所述之薄膜電晶體的製造方法，在形成該半透光層之前，更包括於該半透光層與該氧化物半導體層之間形成一介電層。
- 一種薄膜電晶體，包括：一閘極；一閘絕緣層，覆蓋該閘極；一氧化物半導體層，配置於該閘絕緣層上且位於該閘極上方，該氧化物半導體層包括一氧化物通道層以及二歐姆接觸層，該些歐姆接觸層位於該氧化物通道層兩側並與該氧化物通道層連接；一半透光層，位於該氧化物通道層上方，其中該半透光層與該氧化物通道層實質上具有相同的圖案；以及一源極與一汲極，位於該閘絕緣層與該些歐姆接觸層上，且該源極與該汲極彼此電性絕緣。
- 一種薄膜電晶體，包括：一閘極；一閘絕緣層，覆蓋該閘極；一源極與一汲極，配置於該閘絕緣層上且彼此電性絕緣；一氧化物半導體層，配置於該閘絕緣層、該源極以及該汲極上，該氧化物半導體層包括一氧化物通道層以及二歐姆接觸層，該些歐姆接觸層位於該氧化物通道層兩側並與該氧化物通道層連接；以及一半透光層，位於該氧化物通道層上方，其中該半透光層與該氧化物通道層實質上具有相同的圖案。
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